專利名稱：陣列基板及其制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED, Organic Light Emitting Diode)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。因此，利用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中設(shè)有一個(gè)有機(jī)發(fā)光 二極管，通過(guò)控制各有機(jī)發(fā)光二極管的電流即可控制它們的發(fā)光強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)顯示。其中，顯示器上的每個(gè)“可見(jiàn)像素”由多個(gè)相鄰且發(fā)出不同顏色光的像素單元構(gòu)成，各像素單元發(fā)出的光混合后成為該“可見(jiàn)像素”發(fā)出的光；組成“可見(jiàn)像素”的像素單元的顏色(即彩膜的顏色)可有多種不同模式，例如RGB(紅綠藍(lán))模式(即一個(gè)紅色像素單元、一個(gè)綠色像素單元、一個(gè)黃色像素單元組成一個(gè)“可見(jiàn)像素”)、RGBW(紅綠藍(lán)白)模式、RGBY(紅綠藍(lán)黃)模式等。由于白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)的技術(shù)比較成熟,發(fā)光效率高，因此其在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中獲得了廣泛應(yīng)用。如圖1所示，白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的一個(gè)“可見(jiàn)像素”可包括設(shè)于基板7上的紅、綠、藍(lán)三個(gè)像素單元9R、9G、9B(當(dāng)然也可為其他模式)，各像素單元9R、9G、9B中設(shè)有薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動(dòng)層1，在薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I上依次設(shè)有陽(yáng)極(第一電極21)、發(fā)光層23、陰極(第二電極22)、封閉層8 (Encapsulation)、相應(yīng)顏色的彩膜3R、3G、3B (又稱彩色濾光片)。其中，陽(yáng)極、發(fā)光層23、陰極構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管2，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I可獨(dú)立驅(qū)動(dòng)各像素單元9R、9G、9B的陽(yáng)極，從而使各有機(jī)發(fā)光二極管2發(fā)出不同亮度的光，這些光經(jīng)過(guò)相應(yīng)的彩膜3R、3G、3B后成為不同顏色，并混合成為“可見(jiàn)像素”所發(fā)的光。為提高發(fā)光效率，可在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中形成微腔(Micro Cavity)結(jié)構(gòu)。微腔結(jié)構(gòu)是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級(jí)的結(jié)構(gòu)，光線會(huì)在兩層間不斷反射，由于諧振作用，故最終從半反半透層射出的光線中特定波長(zhǎng)的光會(huì)得到加強(qiáng)，而該得到加強(qiáng)的波長(zhǎng)與微腔厚度有關(guān)。在白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中，不同像素單元是用于發(fā)出不同顏色的光的，因此不同像素單元處的微腔應(yīng)能使不同波長(zhǎng)的光(與其彩膜顏色相同的光)獲得增強(qiáng)，即不同像素單元處的微腔厚度應(yīng)不同。為達(dá)到這一目的，可如圖2所示，在白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中以陰極為半反半透層6，而將陽(yáng)極設(shè)為透明層，并在陽(yáng)極下方增設(shè)反射層4;這樣，只要調(diào)節(jié)各陽(yáng)極的厚度即可控制相應(yīng)像素單元9R、9G、9B的微腔結(jié)構(gòu)的厚度。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題陣列基板的各陽(yáng)極是處于同一層中的，原本可在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，但在具有微腔的白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中，各像素單元中的陽(yáng)極厚度不同，故它們要在多次構(gòu)圖工藝中分別形成，或者在構(gòu)圖工藝中要使用雙色調(diào)掩膜板，而這些都會(huì)導(dǎo)致制備工藝復(fù)雜、成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的具有微腔結(jié)構(gòu)的陣列基板制備工藝復(fù)雜、成本高的問(wèn)題，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高的陣列基板。解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層；比所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機(jī)發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，所述第二電極為半反半透層，或所述第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層；反射層 ，其位于所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層與有機(jī)發(fā)光二極管間，并與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)，且所述反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；位于所述反射層與有機(jī)發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。其中，“薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層”指用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其包括薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、絕緣層、鈍化層等多層結(jié)構(gòu)?！坝袡C(jī)發(fā)光二極管”指由第一電極、第二電極和夾在兩電極間的發(fā)光層構(gòu)成的能發(fā)光的結(jié)構(gòu)，在基板的部分位置(如各像素單元之間的位置)可能只有第二電極和發(fā)光層而無(wú)第一電極(因此各像素單元中的第一電極是相互獨(dú)立的)，或者在電極與發(fā)光層間還可設(shè)有絕緣的像素限定層，這些位置不能發(fā)光，故不是“有機(jī)發(fā)光二極管”；因此，反射層和彩膜只要位于與“有機(jī)發(fā)光二極管”相對(duì)的位置即可，而在不構(gòu)成“有機(jī)發(fā)光二極管”的區(qū)域可沒(méi)有反射層和彩膜?！鞍l(fā)光層”是指可在電流作用下發(fā)光的結(jié)構(gòu)，其可為單層結(jié)構(gòu)，也可由多個(gè)不同的層組成；“發(fā)光層”至少包括一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光材料層(EML),但其還可包括位于有機(jī)電致發(fā)光材料層與陰極層間的電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL);位于有機(jī)電致發(fā)光材料層與陽(yáng)極層間的空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)等其他結(jié)構(gòu)?！鞍纪菇Y(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)”是指在反射層的厚度方向上，反射面不同位置的高度不同，從而使照射到反射面上的光可發(fā)生漫反射；具體的，其可為按網(wǎng)點(diǎn)形式分布在反射面上的凸起點(diǎn)或凹陷點(diǎn)，也可為條狀的波浪式起伏的結(jié)構(gòu)，只要其可使反射面起伏不平即可。本發(fā)明的陣列基板中，彩膜位于反射層和有機(jī)發(fā)光二極管之間，而第二電極(或第二電極上的半反半透層)與反射層間形成微腔結(jié)構(gòu)，故彩膜處在微腔之中，因此可通過(guò)控制彩膜厚度調(diào)節(jié)微腔厚度，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡(jiǎn)單，成本低；同時(shí)，由于反射層上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，故光線在微腔中會(huì)發(fā)生漫反射，從而使最終射出的光線量增加，提高發(fā)光效率，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，這種結(jié)構(gòu)可將發(fā)光效率提高50%左右；另外，由于其薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層上方設(shè)有反射層和有機(jī)發(fā)光二極管，故一方面薄膜晶體管所在位置也可用于發(fā)光，開(kāi)口率高，發(fā)光效率高，另一方面，反射層可阻止光線射到薄膜晶體管上，從而降低其漏電流，使顯示精確。優(yōu)選的是，所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括交疊的發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料層；或由發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料混合成的有機(jī)電致發(fā)光材料層。也就是說(shuō)，發(fā)光層可通過(guò)多種不同的方式發(fā)出白光，如可將發(fā)紅、綠、藍(lán)三色光(當(dāng)然也可采用別的顏色組合)的有機(jī)電致發(fā)光材料層交疊設(shè)置，從而使它們發(fā)出的光混合成白光；或者也可將發(fā)紅、綠、藍(lán)三色光的有機(jī)電致發(fā)光材料混合成一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光材料層，使其發(fā)白光。優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)像素單元中的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，每組薄膜晶體管包括一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管的柵極；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接電源電壓線，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極。進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括設(shè)于所述反射層與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層間的樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層與反射層相接觸的面上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。由于反射層通常由金屬材料制造，沒(méi)有流動(dòng)性，故其表面形態(tài)會(huì)隨著其下方結(jié)構(gòu)的形態(tài)變化，因此，通過(guò)在樹(shù)脂層上設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)即可使反射層上自然產(chǎn)生相應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，所述彩膜和樹(shù)脂層中設(shè)有過(guò)孔，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層電連接，且所述過(guò)孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。優(yōu)選的是，所述樹(shù)脂層的厚度在I OOO'SOOOOA之間。優(yōu)選的是，所述反射層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且反射率在8(Tl00%之間，厚度在100~10000入之間。優(yōu)選的是，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率在5、5%之間，厚度在10~200A之間。優(yōu)選的是，所述彩膜厚度在5000 40000A之間。優(yōu)選的是，所述彩膜包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜。也就是說(shuō)，組成一個(gè)“可見(jiàn)像素”的各像素單元中的彩膜的顏色可有以上多種的不同模式；當(dāng)然，如果采用其他的顏色模式，也是可行的。優(yōu)選的是，所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極；或所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的具有微腔結(jié)構(gòu)的陣列基板制備工藝復(fù)雜、成本高的問(wèn)題，提供一種工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高的陣列基板制備方法。解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板制備方法，其包括在基板上形成包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層的圖形；在完成前述步驟的基板上形成樹(shù)脂層的圖形，并在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；在完成前述步驟的基板上形成包括反射層的圖形，所述反射層上表面具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；在完成前述步驟的基板上形成包括彩膜的圖形；在完成前述步驟的基板上形成包括有機(jī)發(fā)光二極管的圖形，使所述反射層與有機(jī)發(fā)光二極管相對(duì)，所述彩膜位于反射層與有機(jī)發(fā)光二極管之間；其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管的靠近基板的電極透明；所述有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極為半反半透層，或所述有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極透明且其上還要形成半反半透層。其中，“形成某層或某結(jié)構(gòu)”的方法是多樣的，其可以是通過(guò)涂布、印刷、沉積(濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積等)等方式形成完整的膜層；也可以是通過(guò)印刷、控制沉積等方式直接形成所需圖形；也可以通過(guò)“構(gòu)圖工藝”形成所需圖形，其中“構(gòu)圖工藝”通常包括形成完整膜層、光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟。本發(fā)明的陣列基板制備方法制備的是上述陣列基板，其彩膜位于微腔中，故只要在形成不同顏色的彩膜時(shí)分別控制各彩膜的厚度即可調(diào)整微腔厚度，而不必增加新的步驟，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低；又由于其微腔中具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，故其發(fā)光效
率高。 優(yōu)選的是，在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)包括通過(guò)印花工藝或使用雙色調(diào)掩膜板的構(gòu)圖工藝在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。其中，“使用雙色調(diào)掩膜板的構(gòu)圖工藝”主要指利用雙色調(diào)掩膜板(包括半色調(diào)掩膜板和灰度掩膜板)控制光刻膠不同位置的曝光量，使部分光刻膠發(fā)生部分曝光，由此在之后的刻蝕步驟中使其下的層發(fā)生部分刻蝕，從而產(chǎn)生表面凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，所述樹(shù)脂層的圖形中包括連通薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層的過(guò)孔，所述彩膜的圖形中包括與樹(shù)脂層中的過(guò)孔相連的過(guò)孔；且所述在基板上形成包括有機(jī)發(fā)光二極管的圖形包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成透明的第一電極的圖形，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層電連接；通過(guò)構(gòu)圖工藝形成至少位于所述過(guò)孔上方的絕緣的像素限定層的圖形；在完成前述步驟的基板上形成發(fā)光層；本步驟為以下兩者中的任意一個(gè)在完成前述步驟的基板上形成半反半透的第二電極；或，在完成前述步驟的基板上形成透明的第二電極，并在第二電極上形成半反半透層。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的具有微腔結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制備工藝復(fù)雜、成本高的問(wèn)題，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括上述的陣列基板。本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中具有上述陣列基板，故其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高。本發(fā)明特別適用于白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)顯示裝置中。


圖1為現(xiàn)有的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的具有微腔結(jié)構(gòu)的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；圖5為本發(fā)明的實(shí)施例4的陣列基板制備方法中形成薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明的實(shí)施例4的陣列基板制備方法中形成樹(shù)脂層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明的實(shí)施例4的陣列基板制備方法中形成反射層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為本發(fā)明的實(shí)施例4的陣列基板制備方法中形成彩膜后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明的實(shí)施例4的陣列基板制備方法中形成像素限定層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記為1、薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層；111、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管柵極；112、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管源極；113、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管漏極；114、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管有源區(qū)；121、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管柵極；122、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管源極；123、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管漏極；124、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管有源區(qū)；12、柵極絕緣層；13、間隔絕緣層；14、鈍化層；2、有機(jī)發(fā)光二極管；21、第一電極；22、第二電極；23、發(fā)光層；3、彩膜；3R、紅色彩膜；3G、綠色彩膜；3B、藍(lán)色彩膜；4、反射層；5、樹(shù)脂層；6、半反半透層；7、基板；8、封閉層；9R、紅色像素單元；9G、綠色像素單元；9B、藍(lán)色像素單元；91、像素限定層；DATA、數(shù)據(jù)線；SCAN、掃描線；Vdd、電源電壓線；Cs、存儲(chǔ)電容。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例1 :本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括多個(gè)位于基板上的像素單元；而像素單元包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層。比薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機(jī)發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，第二電極為半反半透層，或第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層。反射層，其位于薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層與有機(jī)發(fā)光二極管間，并與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)，且反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。位于反射層與有機(jī)發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。本實(shí)施例的陣列基板中，彩膜位于反射層和有機(jī)發(fā)光二極管之間，而第二電極(或第二電極上的半反半透層)與反射層間形成微腔結(jié)構(gòu)，故彩膜處在微腔之中，因此可通過(guò)控制彩膜厚度調(diào)節(jié)微腔厚度，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本實(shí)施例的陣列基板制備工藝簡(jiǎn)單，成本低；同時(shí)，由于反射層上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，故光線在微腔中會(huì)發(fā)生漫反射，從而使最終射出的光線量增加，提高發(fā)光效率，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，這種結(jié)構(gòu)可將發(fā)光效率提高50%左右；另外，由于其薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層上方設(shè)有反射層和有機(jī)發(fā)光二極管，故一方面薄膜晶體管所在位置也可用于發(fā)光，開(kāi)口率高，發(fā)光效率高，另一方面，反射層可阻止光線射到薄膜晶體管上，從而降低其漏電流，使顯示精確。
實(shí)施例2 如圖3、圖4所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括多個(gè)位于基板7上的像素單元；其中，多個(gè)相鄰的帶有不同顏色彩膜3的像素單元構(gòu)成一個(gè)顯示器上的“可見(jiàn)像素”。其中，彩膜的顏色可由多種不同的模式。優(yōu)選的，彩膜包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜(RGB模式)；或包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜(RGBW模式)；或包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜(RGBY模式)。如圖3所示，在逐漸遠(yuǎn)離基板7的方向上，陣列基板依次包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層1、樹(shù)脂層5、反射層4、彩膜3、有機(jī)發(fā)光二極管2、封閉層8。其中，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I是用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管2發(fā)光的薄膜晶體管陣列，其主要包括薄膜晶體管、掃描線SCAN、數(shù)據(jù)線DATA、電源電壓線Vdd、柵極絕緣層12、間隔絕緣層13、鈍化層14等結(jié)構(gòu)。
其中，各薄膜晶體管優(yōu)選為金屬氧化物薄膜晶體管，如鋅錫氧化物(ZnSnO)薄膜晶體管、銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜晶體管等，因?yàn)榻饘傺趸锉∧ぞw管具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易制備、遷移率高、均一性好等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，如果使用非晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管等也是可行的。優(yōu)選的，一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管控制一個(gè)像素單元，而每組薄膜晶體管包括一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，兩薄膜晶體管分別具有各自獨(dú)立的有源區(qū)114、124。其中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極111連接掃描線SCAN，源極112連接數(shù)據(jù)線DATA，漏極113連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極121 ;而驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極122連接電源電壓線Vdd，漏極123連接有機(jī)發(fā)光二極管2的第一電極21 (即陽(yáng)極)，并與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的漏極113間形成儲(chǔ)存電容Cs，從而形成如圖4所示等效電路。其中，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I中的各結(jié)構(gòu)間通過(guò)柵絕緣層12和間隔絕緣層13隔開(kāi)，而薄膜晶體管與陣列基板中的其他結(jié)構(gòu)間通過(guò)鈍化層14隔開(kāi)。當(dāng)然，以上所述的只是薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的一種具體結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I也可為其他的不同結(jié)構(gòu)，只要其能夠獨(dú)立驅(qū)動(dòng)各像素單元中的有機(jī)發(fā)光二極管2即可。由于薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I可采用多種不同的已知形式，故在此不再詳細(xì)描述。優(yōu)選的，在薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的鈍化層14上設(shè)有樹(shù)脂層5，該樹(shù)脂層5的上表面具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，且其厚度優(yōu)選在1000.'30000A之間。樹(shù)脂層5上具有反射層4，反射層4的上表面也自然形成與樹(shù)脂層5上的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)相應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，該凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)可使射到其上的光線發(fā)生漫反射，從而使發(fā)光效率獲得進(jìn)一步的提高，經(jīng)分析，其發(fā)光效率可比無(wú)凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)的陣列基板提高50%左右。其中，在樹(shù)脂層5上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)是易于實(shí)現(xiàn)的，因此通過(guò)設(shè)置樹(shù)脂層5，可很容易的使反射層4的上表面形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，反射層4上的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)也可通過(guò)其他方式形成，如可不設(shè)置樹(shù)脂層5而在薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的鈍化層14上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，從而使反射層4上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，或者也可直接在反射層4上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，反射層4由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，反射率在8(Tl00%之間，厚度拍00- 10000,4之間。
在反射層4上設(shè)有彩膜3，彩膜3用于過(guò)濾通過(guò)其的光，各像素單元中的彩膜3顏色不同，從而各像素單元發(fā)出不同顏色的光。其中，由于彩膜3厚度較大且在固化前有流動(dòng)性，故其上表面通常會(huì)基本成為水平面；當(dāng)然，如果彩膜3上表面也形成有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，也是可行的。優(yōu)選的，彩膜3的厚度在5000.、.40000A之間；之所以彩膜3的厚度范圍較大，是因?yàn)椴誓?位于微腔結(jié)構(gòu)中，因此可通過(guò)調(diào)節(jié)彩膜3厚度而控制微腔厚度，從而使各像素單元中的微腔結(jié)構(gòu)增強(qiáng)與其彩膜3顏色相同的光。
在彩膜3上設(shè)有有機(jī)發(fā)光二極管2,在遠(yuǎn)離基板7的方向上有機(jī)發(fā)光二極管2依次包括透明的第一電極21 (即陽(yáng)極)、發(fā)光層23、第二電極22(即陰極)；其中，第二電極22為半反半透層6，而第一電極21可由氧化銦錫、氧化銦鋅等透明且導(dǎo)電的材料制成。本實(shí)施例的陣列基板中，半反半透層6(第二電極22)和反射層4構(gòu)成了微腔結(jié)構(gòu)，由發(fā)光層23發(fā)出的光可在二者間經(jīng)過(guò)多次反射后再?gòu)陌敕窗胪笇?射出，并由于諧振作用使特定波長(zhǎng)的光(與該像素單元的彩膜3顏色相同的光)獲得增強(qiáng)，以提高發(fā)光效率。優(yōu)選的，作為本實(shí)施例的另一種方式，也可將第二電極22設(shè)置成透明的(如用氧化銦錫等透明材料制造第二電極22)，之后再于第二電極22上設(shè)置獨(dú)立的半反半透層6 ;這樣也可形成上述的微腔結(jié)構(gòu)，在此就不再詳細(xì)描述了。顯然，雖然本實(shí)施例中以第一電極21為有機(jī)發(fā)光二極管2的陽(yáng)極，第二電極22為有機(jī)發(fā)光二極管2的陰極；但如果以第一電極21為有機(jī)發(fā)光二極管2的陰極，第二電極22為有機(jī)發(fā)光二極管2的陽(yáng)極也是可行的。優(yōu)選的，上述半反半透層6 (第二電極22或單獨(dú)的半反半透層6)由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率在5、5%之間，厚度在10 200A之間。優(yōu)選的，發(fā)光層23為用于發(fā)出白光的發(fā)光層23 ;其可通過(guò)多種不同的方式實(shí)現(xiàn)發(fā)白光的功能。進(jìn)一步優(yōu)選的，發(fā)出白光的發(fā)光層包括交疊的發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料層；或由發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料混合成的有機(jī)電致發(fā)光材料層。由于白光OLED的技術(shù)比較成熟，同時(shí)白光在經(jīng)過(guò)彩膜3后可直接成為該彩膜3顏色的光，因此用發(fā)白光的發(fā)光層23最容易進(jìn)行顯示。當(dāng)然，如果發(fā)光層23發(fā)出的是有顏色的光也是可行的，只要相應(yīng)改變各彩膜3的顏色，保證最終能實(shí)現(xiàn)顯示即可。優(yōu)選的，第一電極21可通過(guò)位于彩膜3和樹(shù)脂層5上的過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極電連接(當(dāng)然反射層4和薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的鈍化層14中也應(yīng)有相應(yīng)開(kāi)口)；同時(shí)，在該過(guò)孔處還有位于第一電極21和發(fā)光層23間的絕緣的像素限定層 91 (PDL, Pixel Defining Layer)。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管2與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I間設(shè)有彩膜3和樹(shù)脂層5，故第一電極21需要通過(guò)過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I電連接。同時(shí)，由于過(guò)孔處沒(méi)有彩膜3和反射層4，因此這部分的發(fā)光層23不應(yīng)發(fā)光(或者說(shuō)這一部分不是有機(jī)發(fā)光二極管2)，故需要設(shè)置絕緣的像素限定層91以阻斷該位置處的第一電極21與發(fā)光層23間的電流。當(dāng)然，像素限定層91只要起到阻止有機(jī)發(fā)光二極管2發(fā)光的目的即可(或者說(shuō)限定像素單元的顯示區(qū)域)，因此其也可為其他的形式，如可位于第二電極22與發(fā)光層23之間。當(dāng)然，第一電極21也可通過(guò)其他的方式與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I電連接，例如可通過(guò)各像素單元之間的位置與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I相連。當(dāng)然，本實(shí)施例的陣列基板中還可具有其他的常規(guī)結(jié)構(gòu)，例如在各像素單元的邊緣處也可具有像素限定層91等。實(shí)施例3 本實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法，其包括以下步驟在基板上形成包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層的圖形；在完成前述步驟的基板上形成樹(shù)脂層的圖形，并在樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)； 在完成前述步驟的基板上形成包括反射層的圖形，反射層上表面具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；在完成前述步驟的基板上形成包括彩膜的圖形；在完成前述步驟的基板上形成包括有機(jī)發(fā)光二極管的圖形，使反射層與有機(jī)發(fā)光二極管相對(duì)，彩膜位于反射層與有機(jī)發(fā)光二極管之間；其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管的靠近基板的電極透明；有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極為半反半透層，或有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極透明且其上還要形成半反半透層。本實(shí)施例的陣列基板制備方法制備的是上述陣列基板，其彩膜位于微腔中，故只要在形成不同顏色的彩膜時(shí)分別控制各彩膜的厚度即可調(diào)整微腔厚度，而不必增加新的步驟，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低；又由于其微腔中具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，故其發(fā)光效率高。實(shí)施例4 本實(shí)施例提供一種上述陣列基板制備方法，如圖5至圖9所示，其包括以下步驟S01、在基板7上形成薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的圖形，得到如圖5所示的結(jié)構(gòu)。其中，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I中包括多個(gè)層結(jié)構(gòu)，這些層結(jié)構(gòu)可在多次構(gòu)圖工藝中依次形成。通常構(gòu)圖工藝包括先形成(通過(guò)沉積、涂布、濺射等方式)由特定材料構(gòu)成的完整膜層，之后通過(guò)光刻工藝(通常包括光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟)去掉該完整膜層中的一部分，使剩余部分形成所需圖形。由于構(gòu)圖工藝是已知的工藝，且薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的結(jié)構(gòu)可與現(xiàn)有技術(shù)相同，故在此不再對(duì)其具體過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。S02、形成樹(shù)脂層5，并通過(guò)印花工藝或使用雙色調(diào)掩膜板的構(gòu)圖工藝在樹(shù)脂層5上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，通過(guò)構(gòu)圖工藝(可為單獨(dú)的構(gòu)圖工藝，也可為形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖工藝)在樹(shù)脂層5上形成連通薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I的過(guò)孔，得到如圖6所示的結(jié)構(gòu)。其中，使用雙色調(diào)掩膜板的構(gòu)圖工藝主要指利用雙色調(diào)掩膜板(包括半色調(diào)掩膜板和灰度掩膜板)控制光刻膠不同位置的曝光量，使部分光刻膠發(fā)生部分曝光，由此在之后的刻蝕步驟中使其下的層發(fā)生部分刻蝕，從而產(chǎn)生表面凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；當(dāng)然，樹(shù)脂層5也可以用感光樹(shù)脂材料形成，這樣構(gòu)圖工藝中只要直接進(jìn)行曝光、顯影就可得到如圖6所示的結(jié)構(gòu)，無(wú)需與光刻膠相關(guān)的工序。S03、通過(guò)構(gòu)圖工藝形成反射層4的圖形，由于樹(shù)脂層5上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，故反射層4也自然形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)，該凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)能使射到其上的光線發(fā)生漫反射(如圖7所示)。S04、通過(guò)印刷工藝或構(gòu)圖工藝在各像素中分別形成所需顏色的彩膜3，得到彩膜3的圖形；其中，彩膜3中具有連通樹(shù)脂層5中的過(guò)孔的過(guò)孔(即總過(guò)孔連通薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I)，得到如圖8所示的結(jié)構(gòu)。S05、形成包括有機(jī)發(fā)光二極管2的圖形，其包括S051、通過(guò)構(gòu)圖工藝形成透明的第一電極21的圖形，第一電極21通過(guò)過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層I電連接。
S052、通過(guò)構(gòu)圖工藝形成至少位于過(guò)孔上方的絕緣的像素限定層91的圖形，得到如圖9所示的結(jié)構(gòu)。S053、形成發(fā)光層23。S054、形成半反半透的第二電極22?；蛘?，本步驟也可為先形成透明的第二電極22，之后在第二電極22上形成半反半透層6。S06、形成封閉層8，得到如圖3所示的陣列基板。此時(shí)的陣列基板也可作為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，或者可再對(duì)其進(jìn)行封裝等處理后得到有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。實(shí)施例5 本實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以包括0LED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中具有上述陣列基板，故其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高。當(dāng)然，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中還可具有其他的常規(guī)結(jié)構(gòu)，如與陣列基板對(duì)盒的封閉基板、電源單元、顯示驅(qū)動(dòng)單元等?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，其特征在于，所述像素單元包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層；比所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機(jī)發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，所述第二電極為半反半透層，或所述第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層；反射層，其位于所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層與有機(jī)發(fā)光二極管間，并與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)，且所述反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；位于所述反射層與有機(jī)發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括交疊的發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料層；或由發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料混合成的有機(jī)電致發(fā)光材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)像素單元中的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，每組薄膜晶體管包括一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接電源電壓線，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)于所述反射層與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層間的樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層與反射層相接觸的面上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜和樹(shù)脂層中設(shè)有過(guò)孔，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層電連接，且所述過(guò)孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述樹(shù)脂層的厚度在彳000 30000A之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述反射層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且反射率在8(Γ100%之間，厚度在j 00 10000 A之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率在5、5%之間，厚度在〗0-200 A之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜厚度在5000 40000A之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極；或所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。
13.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括在基板上形成包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層的圖形；在完成前述步驟的基板上形成樹(shù)脂層的圖形，并在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；在完成前述步驟的基板上形成包括反射層的圖形，所述反射層上表面具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；在完成前述步驟的基板上形成包括彩膜的圖形；在完成前述步驟的基板上形成包括有機(jī)發(fā)光二極管的圖形，使所述反射層與有機(jī)發(fā)光二極管相對(duì)，所述彩膜位于反射層與有機(jī)發(fā)光二極管之間；其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管的靠近基板的電極透明；所述有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極為半反半透層，或所述有機(jī)發(fā)光二極管的遠(yuǎn)離基板的電極透明且其上還要形成半反半透層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)包括通過(guò)印花工藝或使用雙色調(diào)掩膜板的構(gòu)圖工藝在所述樹(shù)脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述樹(shù)脂層的圖形中包括連通薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層的過(guò)孔，所述彩膜的圖形中包括與樹(shù)脂層中的過(guò)孔相連的過(guò)孔；且所述在基板上形成包括有機(jī)發(fā)光二極管的圖形包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成透明的第一電極的圖形，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層電連接；通過(guò)構(gòu)圖工藝形成至少位于所述過(guò)孔上方的絕緣的像素限定層的圖形；在完成前述步驟的基板上形成發(fā)光層；本步驟為以下兩者中的任意一個(gè)在完成前述步驟的基板上形成半反半透的第二電極；或，在完成前述步驟的基板上形成透明的第二電極，并在第二電極上形成半反半透層。
16.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，屬有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，可解決現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制備工藝復(fù)雜、成本高的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板的像素單元包括薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層；比薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中第二電極為半反半透層，或第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層；位于薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層與有機(jī)發(fā)光二極管間的反射層，其與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)，且反射層上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)；位于反射層與有機(jī)發(fā)光二極管間的彩膜。本發(fā)明特別適用于白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103022079SQ20121053668
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司