專利名稱：一種太陽電池的硅片清洗制絨方法
技術領域：
本發(fā)明屬于硅片清洗制絨領域，特別涉及一種太陽電池的硅片清洗制絨方法。
背景技術：
太陽能被認為是最有發(fā)展前途的一種可再生能源，一方面是因為太陽無所不在，太陽照到的地方就有太陽能，另一方面太陽能是取之不盡用之不竭的。將太陽光轉(zhuǎn)換成電能的太陽電池制造方法在近幾年發(fā)展非常迅速，產(chǎn)生了各種各樣的電池。目前，大規(guī)模開發(fā)利用太陽能光伏發(fā)電的核心在于提升太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低太陽電池的生產(chǎn)成本。帶有本征薄層的非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，即HIT太陽電池，可以用200° C以下的低溫非晶硅沉積技術來替代傳統(tǒng)晶硅電池生產(chǎn)工藝中的高溫過程，因而有望成為另一 種形式的單晶硅電池，在實現(xiàn)低價高效太陽電池方面具有非常重要的應用前景。目前，日本的松下公司在2011年研發(fā)的HIT太陽電池已經(jīng)實現(xiàn)23. 7%的轉(zhuǎn)換效率，而世界上其他研究組均無法達到20%以上。因此，為了能研發(fā)出轉(zhuǎn)換效率超過20%的高效HIT電池，改進太陽電池制造技術，優(yōu)化生產(chǎn)工藝，具有十分重要的意義。經(jīng)對現(xiàn)有HIT太陽電池制造工藝研究調(diào)查發(fā)現(xiàn)，HIT太陽電池是利用晶體硅做襯底材料，在其上沉積非晶硅薄膜。其中非晶硅薄層的均勻性和薄膜質(zhì)量，是影響太陽電池效率的關鍵因素之一。但是由于非晶硅薄層的厚度僅有5-15納米，因此非晶硅薄膜的沉積受到硅片表面形貌的嚴重影響。目前的HIT太陽電池制造工藝中，為了獲得硅片表面較好的減反射效果，往往利用硅本身晶面腐蝕速度的不同做成表面為(111)晶面的四面方錐體結(jié)構(gòu)，即金字塔結(jié)構(gòu)。但是該結(jié)構(gòu)因其尖峰銳利，易于在非晶硅薄膜沉積過程中引起等離子體放電等不利因素，使得難于獲得沉積均勻的非晶硅薄膜，造成薄膜質(zhì)量較差和低電池轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種太陽電池的硅片清洗制絨方法，該方法簡單高效，適用于異質(zhì)結(jié)太陽電池的清洗制絨，也適用于大面積太陽電池的生產(chǎn)，這將為大規(guī)模生產(chǎn)高效異質(zhì)結(jié)電池提供重要參考，應用前景廣闊。本發(fā)明的一種太陽電池的清洗制絨方法，包括如下步驟(I)預清洗將硅片進行預清洗，然后用去離子水漂洗2-5分鐘，得到預清洗后的娃片;(2)堿性溶液下去損傷層將上述預清洗后的硅片放入堿性溶液中進行去損傷層刻蝕處理，去損傷層后用去離子水漂洗2-5分鐘；(3)表面氧化層刻蝕并干燥將步驟(2)得到的去損傷層后的硅片用氫氟酸水溶液進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理，然后用去離子水漂洗2-5分鐘后干燥；(4)預清洗將步驟(3)得到硅片進行預清洗，然后用去離子水漂洗2-5分鐘；(5)制絨形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)將經(jīng)過步驟(4)處理后的硅片放入制絨液中進行制絨，以形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)，制絨后用去離子水漂洗2-5分鐘；(6)清洗以去除有機物將步驟(5)得到的制絨后的硅片進行清洗以去除有機物，然后用去離子水漂洗2-5分鐘；(7)表面拋光圓滑絨面將步驟(6)清洗后的硅片置于含有HF和HNO3的去離子水溶液中進行表面拋光圓滑絨面處理，處理的溫度5-30° C，處理的時間是1-15分鐘；處理后用去離子水漂洗1-5分鐘；其中含有HF和HNO3的去離子水溶液中HF的質(zhì)量百分數(shù)為
O.1-2%，HNO3的質(zhì)量百分數(shù)為40-60%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為38-59. 9% ；(8)清洗去除金屬雜質(zhì)離子將經(jīng)過步驟(7)處理后的硅片進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子，然后用去離子水漂洗1-5分鐘；(9)表面氧化層刻蝕并干燥將經(jīng)過步驟(8)處理后的硅片用氫氟酸水溶液進行
表面氧化層刻蝕腐蝕處理，最后干燥即可。步驟(I)和(4)中所述的預清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液，其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3_6%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89-95%，預清洗的溫度是50-90° C，預清洗的時間為2_12分鐘。步驟(2)中所述的堿性溶液為質(zhì)量百分數(shù)為1-10%的NaOH或KOH水溶液，所述的去損傷層刻蝕處理的處理溫度為50-90° C，處理時間是1-6分鐘。步驟(3)和(9)中所述的氫氟酸水溶液中氫氟酸的質(zhì)量百分數(shù)為1_10%，所述的腐蝕處理中腐蝕溫度為10-30° C，腐蝕時間為1-6分鐘。步驟(3)和(9)中所述的干燥為用熱風干燥，干燥溫度為60-80° C，干燥時間為15-40分鐘。步驟(5)中所述的制絨液的成分為NaOH (Κ0Η)、添加劑和去離子水，其中NaOH(Κ0Η)、添加劑和去離子水所占的質(zhì)量分數(shù)分別為1-10%、0. 1-1. 0%和89-98. 9% ;所述的制絨的溫度為50-90° C，制絨的時間為15-40分鐘。上述的添加劑為含有表面活性劑的甲醇/乙醇/水的混合液。步驟(6沖所述的清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液，其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3_6%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89_95%，清洗的溫度是50-90° C，清洗的時間為2-8分鐘。步驟(8)所述的清洗中所用的清洗液為含有HCl和H2O2的去離子水溶液，其中HCl的質(zhì)量百分數(shù)為1-10%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為1-5%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為85-98% ;所述清洗的溫度為50-90° C，清洗的時間為1-10分鐘。在制絨硅片上沉積非晶硅薄膜時，由于等離子體尖端放電等不利因素導致的非晶硅薄膜沉積不均勻，本發(fā)明提供一種太陽電池，特別是晶體硅/薄膜硅異質(zhì)結(jié)的太陽電池硅片清洗制絨方法，將硅片的清洗制絨分解為損傷層刻蝕和制絨兩個工藝步驟，其中制絨步驟中含有表面拋光圓滑絨面工序的清洗制絨方法。本發(fā)明通過將一種太陽電池的硅片清洗制絨方法分解為損傷層刻蝕和制絨兩個工藝步驟。所述的損傷層刻蝕包括通過對高質(zhì)量硅片的預清洗、堿性溶液下去損傷層、表面氧化層刻蝕、干燥工序。所述的制絨工藝包括預清洗、制絨形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)、清洗去除有機物、表面拋光圓滑絨面、清洗去除金屬雜質(zhì)離子、表面氧化層刻蝕、干燥工序。通過在制絨工藝中增加表面拋光圓滑絨面處理，將硅片表面尖銳金字塔結(jié)構(gòu)刻蝕成圓整光滑絨面，以此解決了在后續(xù)的等離子體沉積工藝中由于等離子體尖端放電等不利因素導致的非晶硅薄膜沉積不均勻，從而使非晶硅成膜質(zhì)量大大上升，解決了異質(zhì)結(jié)硅太陽電池制造工藝上的一大難題。對于獲得高效率的晶體硅/薄膜硅異質(zhì)結(jié)電池提供了重要參考。有益效果(I)本發(fā)明的清洗制絨方法操作簡單，成本低廉，適用于大面積太陽電池的批量生產(chǎn)；(2)運用本發(fā)明的清洗制絨方法，可以使硅片表面清洗得更干凈，同時形成的金字塔絨面的頂部帶有一定的圓滑面，有利于解決在后續(xù)的等離子體沉積中由于尖端放電等不利因素導致的非晶硅薄膜沉積不均勻的問題。(3)本發(fā)明的方法為大規(guī)模生產(chǎn)高效異質(zhì)結(jié)電池提供了重要參考，在光伏制造領 域意義重大。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。以N型硅片為襯底的異質(zhì)結(jié)太陽電池為例，選用的硅片厚度為160-200微米，按照如下的具體實施步驟進行清洗制絨，以下的溶度表述均為質(zhì)量百分數(shù)實施例I(I)將合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中進行預清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為2%和3% ;預清洗的溶液溫度控制在85° C，預清洗的時間為12分鐘，預清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(2)將預清洗后的硅片放入溶度為2%的NaOH水溶液進行去損傷層刻蝕處理，處理溫度為85° C，處理時間是5分鐘，去損傷層后用去離子水漂洗5分鐘；(3)將去損傷層后的硅片置于溶度為10%的HF水溶液，進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25° C，腐蝕時間為5分鐘，腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(4)將表面氧化層刻蝕腐蝕后的硅片用熱風干燥，干燥溫度為60-80° C，干燥時間為40分鐘，確保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；(5)將上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次進行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為2%的和3% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(6)將經(jīng)過上述步驟(5)處理的硅片置于NaOH和添加劑(具體為表面活性劑溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中)的混合溶液中進行制絨處理；NaOH的溶度為2%，添加劑的溶度為O. 1% ;控制制絨處理的溫度為80° C，制絨時間為30分鐘；制絨后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(7 )制絨后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中進行清洗以去除有機物，NH4OH和H2O2的溶度分別為2%和3% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(8)將上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液進行表面拋光圓滑絨面處理；HF的溶度為1%，HNO3的溶度為60%，處理的溫度為25° C，處理的時間是5分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(9)將上述表面拋光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子。HCl的溶度為10%，H2O2的溶度為3%，處理溫度為80° C，處理時間為6分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(10)將經(jīng)過上述步驟(9)處理的硅片再次置于溶度為10%的HF水溶液，再次進行表面氧化層去除處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25。C，腐蝕時間為5分鐘；腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(11)將經(jīng)過上述氧化層去除的硅片再次用熱風干燥，熱風溫度為60 - 80° C，干燥時間為40分鐘，確保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。通過精確優(yōu)化的合適的清洗制絨步驟，可以使得硅片表面態(tài)缺陷密度進一步的下降。硅片經(jīng)過步驟(I) - (4)處理后單面減薄10微米左右，經(jīng)過步驟(5)- (11)處理后單面減薄20微米以上。經(jīng)過上述清洗制絨工藝后，一方面硅片清洗更為干凈，另一方面形成合適的絨面結(jié)構(gòu)，利于后續(xù)的等離子增加化學氣相沉積非晶硅薄膜，從而有利于提高異質(zhì)結(jié)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。實施例2(I)將合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中進行預清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為4%和5% ;預清洗的溶液溫度控制在60° C，預清洗的時間為10分鐘，預清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(2)將預清洗后的硅片放入溶度為5%的NaOH水溶液進行去損傷層刻蝕處理，處理溫度為50° C，處理時間是6分鐘，去損傷層后用去離子水漂洗5分鐘；(3)將去損傷層后的硅片置于溶度為5%的HF水溶液，進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25° C，腐蝕時間為5分鐘，腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(4)將表面氧化層刻蝕腐蝕后的硅片用熱風干燥，干燥溫度為60-80° C，干燥時間為40分鐘，確保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；(5)將上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次進行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為4%和5% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(6)將經(jīng)過上述步驟(5)處理的硅片置于NaOH和添加劑(具體為表面活性劑溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中)的混合溶液中進行制絨處理；NaOH的溶度為5%，添加劑的溶度為O. 5% ;控制制絨處理的溫度為80° C，制絨時間為30分鐘；制絨后的硅片用去離子水漂洗5分鐘； (7 )制絨后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中進行清洗以去除有機物，NH4OH和H2O2的溶度分別為4%和5% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；·
(8)將上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液進行表面拋光圓滑絨面處理；HF的溶度為2%，HNO3的溶度為40%，處理的溫度為15° C，處理的時間是5分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(9)將上述表面拋光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子。HCl的溶度為2%，H2O2的溶度為5%，處理溫度為80° C，處理時間為6分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(10)將經(jīng)過上述步驟(9)處理的硅片再次置于溶度為3%的HF水溶液，再次進行表面氧化層去除處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25。C，腐蝕時間為5分鐘；腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(11)將經(jīng)過上述氧化層去除的硅片再次用熱風干燥，熱風溫度為60 - 80° C，干燥時間為40分鐘，確保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。通過精確優(yōu)化的合適的清洗制絨步驟，可以使得硅片表面態(tài)缺陷密度進一步的下降。硅片經(jīng)過步驟(I) - (4)處理后單面減薄10微米左右，經(jīng)過步驟(5)- (11)處理后單 面減薄20微米以上。經(jīng)過上述清洗制絨工藝后，一方面硅片清洗更為干凈，另一方面形成合適的絨面結(jié)構(gòu)，利于后續(xù)的等離子增加化學氣相沉積非晶硅薄膜，從而有利于提高異質(zhì)結(jié)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。實施例3(I)將合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中進行預清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為5%和6% ;預清洗的溶液溫度控制在70° C，預清洗的時間為8分鐘，預清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(2)將預清洗后的硅片放入溶度為10%的KOH水溶液進行去損傷層刻蝕處理，處理溫度為90° C，處理時間是2分鐘，去損傷層后用去離子水漂洗5分鐘；(3)將去損傷層后的硅片置于溶度為1%的HF水溶液，進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25° C，腐蝕時間為5分鐘，腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(4)將表面氧化層刻蝕腐蝕后的硅片用熱風干燥，干燥溫度為60-80° C，干燥時間為20分鐘，確保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；(5)將上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次進行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分別為5%和6% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(6)將經(jīng)過上述步驟(5)處理的硅片置于NaOH和添加劑(具體為表面活性劑溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中)的混合溶液中進行制絨處理；NaOH的溶度為9%，添加劑的溶度為O. 8% ;控制制絨處理的溫度為80° C，制絨時間為30分鐘；制絨后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(7 )制絨后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中進行清洗以去除有機物，NH4OH和H2O2的溶度分別為3%和4% ;清洗的溶液溫度控制在80° C，清洗的時間為6分鐘；清洗后用去離子水漂洗5分鐘；(8)將上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液進行表面拋光圓滑絨面處理；HF的溶度為O. 5%，HNO3的溶度為50%，處理的溫度為10° C，處理的時間是5分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；
(9)將上述表面拋光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子。HCl的溶度為8%，H2O2的溶度為1%，處理溫度為80° C，處理時間為6分鐘；處理后的硅片用去離子水漂洗5分鐘；(10)將經(jīng)過上述步驟(9)處理的硅片再次置于溶度為8%的HF水溶液，再次進行表面氧化層去除處理以去除氧化硅層，腐蝕溫度為25。C，腐蝕時間為5分鐘；腐蝕后用去離子水漂洗5分鐘；(11)將經(jīng)過上述氧化層去除的硅片再次用熱風干燥，熱風溫度為60 - 80° C，干燥時間為40分鐘，確保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。通過精確優(yōu)化的合適的清洗制絨步驟，可以使得硅片表面態(tài)缺陷密度進一步的下降。硅片經(jīng)過步驟(I) - (4)處理后單面減薄10微米左右，經(jīng)過步驟(5)- (11)處理后單面減薄20微米以上。經(jīng)過上述清洗制絨工藝后，一方面硅片清洗更為干凈，另一方面形成 合適的絨面結(jié)構(gòu)，利于后續(xù)的等離子增加化學氣相沉積非晶硅薄膜，從而有利于提高異質(zhì)結(jié)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。
權(quán)利要求
1.一種太陽電池的清洗制絨方法，包括如下步驟 (1)將硅片進行預清洗，然后用去離子水漂洗，得到預清洗后的硅片； (2)將上述預清洗后的硅片放入堿性溶液中進行去損傷層刻蝕處理，然后用去離子水漂洗； (3)將步驟(2)得到的去損傷層后的硅片用氫氟酸水溶液進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理，然后用去離子水漂洗后干燥； (4)將步驟(3)得到硅片進行預清洗，然后用去離子水漂洗； (5)將經(jīng)過步驟(4)處理后的硅片放入制絨液中進行制絨，制絨后用去離子水漂洗； (6)將步驟(5)得到的制絨后的硅片進行清洗以去除有機物，然后用去離子水漂洗； (7)將步驟(6)清洗后的硅片置于含有HF和HNO3的去離子水溶液中進行表面拋光圓滑絨面處理，處理的溫度5-30° C，處理的時間是1-15分鐘，處理后用去離子水漂洗；其中含有HF和HNO3的去離子水溶液中HF的質(zhì)量百分數(shù)為O. 1-2%, HNO3的質(zhì)量百分數(shù)為40_60%，去尚子水的質(zhì)量百分數(shù)為38-59. 9% ； (8)將經(jīng)過步驟(7)處理后的硅片進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子，然后用去離子水漂洗； (9 )將經(jīng)過步驟(8 )處理后的硅片用氫氟酸水溶液進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理，最后干燥即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(I)和(4)中所述的預清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液，其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3-6%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89-95%，預清洗的溫度是50-90° C，預清洗的時間為2-12分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(2)中所述的堿性溶液為質(zhì)量百分數(shù)為1-10%的NaOH或KOH水溶液，所述的去損傷層刻蝕處理的處理溫度為50-90° C，處理時間是1-6分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(3)和(9)中所述的氫氟酸水溶液中氫氟酸的質(zhì)量百分數(shù)為1_10%，所述的腐蝕處理中腐蝕溫度為10-30° C，腐蝕時間為1-6分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(3)和(9)中所述的干燥為用熱風干燥，干燥溫度為60-80° C，干燥時間為15-40分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(5)中所述的制絨液的成分為NaOH/KOH、添加劑和去離子水，其中NaOH/KOH、添加劑和去離子水所占的質(zhì)量分數(shù)分別為1-10%、0. 1-1. 0%和89-98. 9% ;所述的制絨的溫度為50-90° C，制絨的時間為15-40分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于所述的添加劑為含有表面活性劑的甲醇/乙醇/水的混合液。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(6)中所述的清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液，其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3-6%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89-95%，清洗的溫度是50-90° C，清洗的時間為2-8分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池的清洗制絨方法，其特征在于步驟(8)所述的清洗中所用的清洗液為含有HCl和H2O2的去離子水溶液，其中HCl的質(zhì)量百分數(shù)為1_10%，H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為1_5%，去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為85-98% ;所述清洗的溫度為50-90° c,清洗的時間為1-10分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽電池的清洗制絨方法，包括對硅片的預清洗、堿性溶液下去損傷層、表面氧化層刻蝕、干燥工序、預清洗、制絨形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)、清洗去除有機物、表面拋光圓滑絨面、清洗去除金屬雜質(zhì)、表面氧化層刻蝕、干燥工序。本發(fā)明的清洗制絨方法操作簡單，成本低廉，適用于大面積太陽電池的批量生產(chǎn)；運用本發(fā)明的清洗制絨方法，可以使硅片表面清洗得更干凈，同時形成的金字塔絨面的頂部帶有一定的圓滑面，有利于解決在后續(xù)的等離子體沉積中由于尖端放電等不利因素導致的非晶硅薄膜沉積不均勻的問題。
文檔編號H01L31/18GK102938431SQ20121040236
公開日2013年2月20日 申請日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者彭錚, 李媛媛, 王巍, 楊磊, 李正平, 沈文忠 申請人:上海中智光纖通訊有限公司