專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
有機發(fā)光顯示裝置
本申請要求于2011年11月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10_2011_0126274號韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請的公開的內(nèi)容通過引用包含于此。技術(shù)領(lǐng)域
實施例涉及一種有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光顯示裝置通過從陽極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合時發(fā)光來顯示顏色。有機發(fā)光顯示裝置具有堆疊結(jié)構(gòu)，在該堆疊結(jié)構(gòu)中，發(fā)射層設(shè)置在作為陽極的像素電極和作為陰極的對電極之間。
有機發(fā)光顯示裝置的單元像素包括組合來顯示期望顏色的紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。更具體地講，每個子像素具有用于發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光的發(fā)射層設(shè)置在兩個電極之間的結(jié)構(gòu)，單元像素通過合適地組合紅光、綠光和藍(lán)光來顯示顏色。
同時，目前在許多情況下，子像素以共振結(jié)構(gòu)形成以增大有機發(fā)光顯示裝置的光提取效率。即，共振結(jié)構(gòu)通過將陽極和陰極中的用于顯示圖像的一個電極形成為透明電極并將另一個電極形成為全反射電極來使光在兩個電極之間發(fā)生相長干涉，從而可以從每個子像素中提取極大增強的光。
然而，如果使用強共振結(jié)構(gòu)，則雖然光提取效率提高，但視角特性會劣化。例如，如果使用強共振結(jié)構(gòu)，則根據(jù)視角會發(fā)生明顯的亮度降低和色移。
因此，為了實現(xiàn)可靠性高的產(chǎn)品，需要能夠提高光提取效率并能夠令人滿意地維持視角特性的新結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容
一個或多個實施例可以提供一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括多個子像素，每個子像素包括:第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸；以及中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層，其中，第一電極的第一部分、第二電極的第一部分和中間層的第一部分在弱共振區(qū)域內(nèi)延伸，弱共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層發(fā)射的光在第一電極和第二電極之間的第一共振，第一電極的第二部分、第二電極的第二部分和中間層的第二部分在強共振區(qū)域內(nèi)延伸，強共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間的第二共振，第二共振比第一共振強。
每個子像素還可以包括使光在第一電極和第二電極之間共振的鏡層，鏡層包括位于弱共振區(qū)域中的第一部分和位于強共振區(qū)域中的第二部分，鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。鏡層可以包括介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振區(qū)域中延伸，介電鏡層的第二部分在強共振區(qū)域中延伸。介電鏡層可以包括交替地堆疊的氧化硅(SiOx)層和氮化硅(SiNx)層，介電鏡層的第二部分可以包括數(shù)量比介電鏡層的第一部分的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。
鏡層可以包括:介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振區(qū)域中延伸，介電鏡層的第二部分在強共振區(qū)域中延伸；以及金屬鏡層，僅在強共振區(qū)域中延伸。金屬鏡層可以包括銀(Ag)層，介電鏡層可以包括交替堆疊的SiOx層和SiNx層。
中間層還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層，空穴注入層用于將空穴注入到發(fā)射層中，空穴傳輸層用于將空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中，電子注入層用于將電子注入到發(fā)射層中，電子傳輸層用于將電子傳輸?shù)桨l(fā)射層中?？昭▊鬏攲拥脑谌豕舱駞^(qū)域中的部分的厚度可以不同于空穴傳輸層的在強共振區(qū)域中的部分的厚度，以便于調(diào)整光在第一電極和第二電極之間的共振。
一個或多個實施例可以提供一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括多個單元像素，每個單元像素包括用于發(fā)射不同顏色的光的多個子像素，所述多個單元像素包括:弱共振單元像素，引起第一共振；以及強共振單元像素，引起第二共振，第二共振比第一共振強。每個子像素可以包括:第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸；中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層；以及鏡層，使由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間共振，鏡層包括在弱共振單元像素中的第一部分和在強共振單元像素中的第二部分，其中，鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。
鏡層可以包括介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振單元像素中，介電鏡層的第二部分在強共振單元像素中。介電鏡層可以包括交替堆疊的氧化硅(SiOx)層和氮化硅(SiNx)層，介電鏡層的第二部分包括數(shù)量比介電鏡層的第一部分的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。鏡層可以包括:介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振單元像素的子像素中，介電鏡層的第二部分在強共振單元像素的子像素中；以及金屬鏡層，僅形成在強共振單元像素的子像素中。金屬鏡層可以包括銀(Ag)層，介電鏡層可以包括交替堆疊的SiOx層和SiNx層。中間層還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層，空穴注入層用于將空穴注入到發(fā)射層中，空穴傳輸層用于將空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中，電子注入層用于將電子注入到發(fā)射層中，電子傳輸層用于將電子傳輸?shù)桨l(fā)射層中?？昭▊鬏攲拥脑谌豕舱駟呜Ｏ袼氐淖酉袼刂械牟糠值暮穸炔煌诳昭▊鬏攲拥脑趶姽舱駟卧袼氐淖酉袼刂械牟糠值暮穸龋员阌谡{(diào)整光在第一電極和第二電極之間的共振。


通過參照附圖對示例性實施例進行詳細(xì)的描述，實施例的以上和其他特征和優(yōu)點將變得更加明顯，在附圖中:
圖1示出了根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置的子像素的剖視圖2示出了圖1中示出的子像素的等效電路圖3示出了根據(jù)另一實施例的由圖1變型得到的子像素的剖視圖4示出了根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置的單元像素的剖視圖；以及
圖5示出了根據(jù)另一實施例的由圖4變型得到的單元像素的剖視圖。
具體實施方式
在下文中，將參照附圖通過解釋實施例來詳細(xì)地描述實施例。
圖1示出了根據(jù)實施例的用于形成有機發(fā)光顯示裝置的單元像素的子像素的剖視圖。圖2示出了圖1中示出的子像素的等效電路圖。單元像素可以包括諸如紅色子像素R、綠色子像素G和藍(lán)色子像素B的三色子像素。圖1示出了一種子像素。綠色子像素G和藍(lán)色子像素B也可以具有圖1中示出的結(jié)構(gòu)。此外，在有機發(fā)光顯示裝置中，均具有三色子像素的多個單元像素可以沿行方向和列方向重復(fù)地排列。
參照圖2，多條信號線(121、171和172)可以連接到子像素PX。
信號線可以包括傳輸柵信號(或掃描信號)的掃描信號線121、傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171以及傳輸驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172。
子像素PX可以包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動晶體管Qd、存儲電容器Cst和有機發(fā)光元件LD。
開關(guān)晶體管Qs可以包括控制端Tl、輸入端T2和輸出端T3，其中，控制端Tl連接到掃描信號線121，輸入端T2連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端T3連接到驅(qū)動晶體管Qd。開關(guān)晶體管Qs可以響應(yīng)從掃描信號121接收的掃描信號將從數(shù)據(jù)線171接收的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管Qd。
驅(qū)動晶體管Qd可以包括控制端T3、輸入端T4和輸出端T5，其中，控制端T3連接到開關(guān)晶體管Qs，輸入端T4連接到驅(qū)動電壓線172，輸出端T5連接到有機發(fā)光元件LD。開關(guān)晶體管Qs的輸出端T3可以用作驅(qū)動晶體管Qd的控制端T3。驅(qū)動晶體管Qd可以提供大小根據(jù)施加在控制端T3和輸 出端T5之間的電壓而改變的輸出電流U。
存儲電容器Cst可以連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制端T3和輸入端T4之間。存儲電容器Cst可以充入施加到驅(qū)動晶體管Qd的控制端T3的數(shù)據(jù)信號，并且即使在開關(guān)晶體管Qs截止之后也保存該數(shù)據(jù)信號。
有機發(fā)光元件LD可以包括:像素電極(在下文中稱作第一電極)，連接到驅(qū)動晶體管Qd的輸出端T5 ;對電極(在下文中稱作第二電極)，連接到共電壓線Vss;以及發(fā)射層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，并因施加在第一電極和第二電極之間的電壓而發(fā)光。
將參照圖1描述有機發(fā)光元件LD的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
參照圖1，首先，驅(qū)動晶體管Qd可以形成在由透明玻璃或塑料形成的絕緣基底110上。雖然未在圖1中示出，但在圖2中示出的開關(guān)晶體管Qs和信號線(121、171和172)也可以形成在絕緣基底110上。
鏡層120可以是形成在驅(qū)動晶體管Qd上的介電鏡層。第一電極130可以通過形成在鏡層120上的接觸孔127連接到驅(qū)動晶體管Qd。
包括發(fā)射層143的中間層140和第二電極150可以順序地堆疊在第一電極130上，在第二電極150上還可以形成防止?jié)駳夂脱鯘B入的密封層(未示出)。例如，第二電極150可以在第一電極130上方延伸。標(biāo)號160表不像素限定層。
鏡層120可以反射由發(fā)射層143產(chǎn)生的光，以使光在第一電極130和第二電極150之間共振。鏡層120可以將每個子像素分成弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102。例如，在圖1中，子像素的左側(cè)區(qū)域可以是弱共振區(qū)域101，子像素的右側(cè)區(qū)域可以是強共振區(qū)域102。鏡層的第一部分可以位于弱共振區(qū)域101中，鏡層的第二部分可以位于強共振區(qū)域102中。鏡層120的第一部分可以具有雙層結(jié)構(gòu),在該雙層結(jié)構(gòu)中,氧化娃(SiOx)層125和氮化娃(SiNx)層126堆疊，例如，氮化硅(SiNx)層126可以堆疊在氧化硅(SiOx)層125上。鏡層120的第二部分可以具有四層結(jié)構(gòu)，在該四層結(jié)構(gòu)中，31隊層121和123以及510!￡層122和124堆疊。此外，弱共振區(qū)域101的SiOx層125和SiNx層126可以延伸到強共振區(qū)域102。這樣，鏡層120的第二部分(位于強共振區(qū)域102中)可以具有六層結(jié)構(gòu)。例如，鏡層120的第二部分(位于強共振區(qū)域102中)可以包括數(shù)量比鏡層120的第一部分(位于弱共振區(qū)域101中)的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。
與堆疊層的數(shù)量相對小的鏡層120相比，堆疊層的數(shù)量相對大的鏡層120可以在第一電極130和第二電極150之間使由發(fā)射層143產(chǎn)生的光更強地共振。因此，其中鏡層120包括數(shù)量更大的堆疊層的強共振區(qū)域102與弱共振區(qū)域101相比可以引起強共振。因此，強共振區(qū)域102可以具有比弱共振區(qū)域101更高的光提取效率。與強共振區(qū)域102相t匕，引起相對弱的共振的弱共振區(qū)域101可以具有相對低的光提取效率，但是可以具有相對大的視角。例如，強共振區(qū)域102可以提高光提取效率，而弱共振區(qū)域101可以確保足夠的視角。
此外，根據(jù)當(dāng)前實施例，除鏡層120之外，中間層140 (包括發(fā)射層143)也可被構(gòu)造成將子像素分成弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102。在中間層140中，空穴注入層141和空穴傳輸層142 (分別用于將空穴注入和傳輸至發(fā)射層143中)、發(fā)射層143、電子注入層144和電子傳輸層145 (分別用于將電子注入和傳輸至發(fā)射層143中)具有根據(jù)弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102而不同的厚度。具體地講，空穴傳輸層142的厚度在弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102之間可以明顯不同。例如，空穴傳輸層140在弱共振區(qū)域101中的厚度可以明顯大于在強共振區(qū)域102中的厚度。通常，共振可以導(dǎo)致光的相長干涉。由發(fā)射層143產(chǎn)生的光可以在第一電極130和第二電極150之間的特定間隙處有效地導(dǎo)致相長干涉。因此，如果調(diào)整間隙，則共振可以被較強地導(dǎo)致或較弱地導(dǎo)致。在當(dāng)前實施例中，也可以通過根據(jù)弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102改變空穴傳輸層142的厚度來將子像素分為弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102。
由一個子像素的發(fā)射層143產(chǎn)生的光可以根據(jù)弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102以不同的強度發(fā)射。例如，強共振區(qū)域102可以發(fā)射光提取效率相對高的光，弱共振區(qū)域101可以發(fā)射光提取效率相對低但確保了足夠的視角的光。因此，由弱共振區(qū)域101發(fā)射的光和由強共振區(qū)域102發(fā)射的光可以在一個子像素中混合。通過混合弱共振的光和強共振的光可以獲得同時改善光提取效率和視角特性二者的效果。
由強共振區(qū)域102發(fā)射的光因強共振而具有提高的強度和方向性。因此，可以提高光提取效率。然而，由于高方向性，即使在視角稍稍在屏幕中心之外時，光的亮度水平或色坐標(biāo)也會極大地改變。另一方面，弱共振區(qū)域101可能提高不了光提取效率，但是會具有比強共振區(qū)域102更好的視角特性。因此，與僅包括弱共振區(qū)域101的子像素相比可以獲得改善光提取效率的效果，同時與僅包括強共振區(qū)域102的子像素相比可以獲得更好的視角特性。
因此，如果使用根據(jù)當(dāng)前實施例的有機發(fā)光顯示裝置，則可以同時提高光提取效率和視角特性二者。
雖然在上述實施例中子像素的弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102具有相似的尺寸，但在某些情況下，弱共振區(qū)域101和強共振區(qū)域102可以不對稱地形成以突出一個效果。根據(jù)一些實施例，強共振區(qū)域102可以具有比弱共振區(qū)域101更大的尺寸，以將光提取效率最大化。根據(jù)一些實施例，弱共振區(qū)域101可以具有比強共振區(qū)域102更大的尺寸，以將視角特性最大化。
圖3示出了根據(jù)另一實施例的由圖1變型得到的子像素的剖視圖。
根據(jù)當(dāng)前實施例(在圖3中示出)的子像素也包括弱共振區(qū)域201和強共振區(qū)域202。
例如，像圖1中示出的子像素一樣，圖3中示出的子像素具有其中鏡層220、第一電極230、中間層240和第二電極250順序地堆疊在基底210上的結(jié)構(gòu)，強共振區(qū)域202的鏡層220比弱共振區(qū)域201的鏡層220相對更厚。
然而，在當(dāng)前實施例中，強共振區(qū)域202的鏡層220還可以包括金屬鏡層(223和224)，而弱共振區(qū)域201的鏡層220可以不包括金屬鏡層(223和224)。弱共振區(qū)域201的鏡層220可以形成為介電鏡層，該介電鏡層具有其中SiNx層221和SiOx層222堆疊的雙層結(jié)構(gòu)。強共振區(qū)域202的鏡層220還可以包括金屬鏡層，其中，金屬鏡層包括順序地堆疊在第一電極230 (形成在介電鏡層上)上的銀(Ag)層223和氧化銦錫(ITO)層224。因上面的增強結(jié)構(gòu)，強共振區(qū)域202與弱共振區(qū)域201相比可以引起更加增強的共振，因此，可以提高光提取效率。如上面參照圖1所描述的，通過弱共振區(qū)域201可以補償使視角變窄的問題。
也可以如上面對前面實施例(圖1中示出的)所描述的來構(gòu)造中間層240。例如，在中間層240中，空穴注入層241、空穴傳輸層242、發(fā)射層243、電子傳輸層244和電子注入層245可以具有根據(jù)弱共振區(qū)域201和強共振區(qū)域202而不同的厚度，使得強共振區(qū)域202引起更強的共振。具體地講，空穴傳輸層242的厚度在弱共振區(qū)域201和強共振區(qū)域202之間可以明顯地不同。例如，空穴傳輸層242在弱共振區(qū)域201中的厚度可以明顯大于在強共振區(qū)域202中的厚度。有機發(fā)光顯示裝置還可以包括像素限定層260。
根據(jù)當(dāng)前實施例的有機發(fā)光顯示裝置可以獲得同時改善光提取效率和視角特性二者的效果。
雖然如上所述，可以將一個子像素分為強共振區(qū)域和弱共振區(qū)域，但可以將上述原理應(yīng)用到像素的單元，如下所述。
圖4示出了根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置的單元像素的剖視圖。圖1中示出的子像素結(jié)構(gòu)包括在圖4的像素的單元中。
通常，像素(即，單元像素)包括三色(紅色、綠色和藍(lán)色)子像素。在圖4中，弱共振單元像素301和強共振單元像素302可以交替地排列。在一個平面上，弱共振單元像素301和強共振單元像素302可以沿行方向和列方向交替地排列。
在弱共振單元像素301中，基底310上的鏡層320具有雙層結(jié)構(gòu)，在該雙層結(jié)構(gòu)中，SiOx層325和SiNx層326堆疊。然而，在強共振單元像素302中，鏡層320具有六層結(jié)構(gòu)，該六層結(jié)構(gòu)包括雙層結(jié)構(gòu)(325和326)和四層結(jié)構(gòu)，在該四層結(jié)構(gòu)中，31隊層321和323以及SiOx層322和324堆疊。還可以設(shè)置像素限定層360和間隙調(diào)節(jié)電極370。間隙調(diào)節(jié)電極可以調(diào)節(jié)第一電極330和第二電極350之間的間隙，以適合于每個子像素的共振條件。
當(dāng)弱共振單元像素301和強共振單元像素302的相同顏色的子像素相比時，第一電極330和第二電極350之間的中間層340可以具有稍微不同的結(jié)構(gòu)。當(dāng)弱共振單元像素301和強共振單元像素302的相同顏色的子像素相比時，在中間層340中，空穴注入層341、空穴傳輸層342、發(fā)射層343、電子傳輸層344和電子注入層345可以具有不同的厚度，具體地講，空穴傳輸層342可以具有不同的厚度。因此，如上面參照圖1所描述的，強共振單元像素302可以引起更強的共振。
因此，從弱共振單元像素301發(fā)射的光和從強共振單元像素302發(fā)射的光可以混合。通過混合弱共振的光和強共振的光可以獲得同時改善光提取效率和視角特性二者的效果O
圖5示出了根據(jù)另一實施例的單元像素的剖視圖。圖3中示出的子像素結(jié)構(gòu)包括在圖5的像素的單元中。
均包括三色(紅色、綠色和藍(lán)色)子像素的弱共振區(qū)域401和強共振區(qū)域402可以交替地排列。在一個平面上，弱共振單元像素401和強共振單元像素402可以沿行方向和列方向交替地排列。
弱共振單元像素401的鏡層420可以形成為具有雙層結(jié)構(gòu)的介電鏡層，在該雙層結(jié)構(gòu)中，SiNx層421和SiOx層422堆疊。強共振單元像素402的鏡層420還可以包括金屬鏡層，該金屬鏡層包括順序地堆疊在第一電極(形成在介電鏡層上)上的Ag層423和ITO層424。因上面的增強結(jié)構(gòu)，強共振單元像素402與弱共振單元像素401相比可以導(dǎo)致極大增強的共振。因此，可以改善光提取效率。如上面參照圖1所描述的，通過弱共振單元像素401可以補償使視角變窄的問題。
當(dāng)弱共振單元像素401和強共振單元像素402的相同顏色的子像素相比時，第一電極430和第二電極450之間的中間層440可以具有稍微不同的結(jié)構(gòu)。當(dāng)弱共振單元像素401和強共振單元像素402的相同顏色的子像素相比時，在中間層440中，空穴注入層441、空穴傳輸層442、發(fā)射層443、電子傳輸層444和電子注入層445可以具有不同的厚度，具體地講，空穴傳輸層442可以具有不同的厚度。因此，如上面參照圖3所描述的，強共振單元像素402可以導(dǎo)致更強的共振。
還可以設(shè)置像素限定層460、間隙調(diào)節(jié)電極470。間隙調(diào)節(jié)電極470可以調(diào)節(jié)第一電極430和第二電極450之間的間隙，以適合于每個子像素的共振條件。
因此，從弱共振單元像素401發(fā)射的光和從強共振單元像素402發(fā)射的光可以混合。通過混合弱共振的光和強共振的光可以獲得同時改善光提取效率和視角特性二者的效果O
如上所述，由于根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置可以包括強共振結(jié)構(gòu)和弱共振結(jié)構(gòu)，所以可以同時改善光提取效率和視角特性二者。因此，通過使用有機發(fā)光顯示裝置可以實現(xiàn)具有聞可罪性的廣品。
雖然已參照實施例的示例性實施例具體地示出和描述了實施例，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以做形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個子像素，每個子像素包括: 第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸；以及 中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層，其中:第一電極的第一部分、第二電極的第一部分和中間層的第一部分在弱共振區(qū)域內(nèi)延伸，弱共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層發(fā)射的光在第一電極和第二電極之間的第一共振，第一電極的第二部分、第二電極的第二部分和中間層的第二部分在強共振區(qū)域內(nèi)延伸，強共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間的第二共振，第二共振比第一共振強。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，每個子像素還包括使光在第一電極和第二電極之間共振的鏡層，鏡層包括位于弱共振區(qū)域中的第一部分和位于強共振區(qū)域中的第二部分，鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層包括介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振區(qū)域中延伸，介電鏡層的第二部分在強共振區(qū)域中延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中: 介電鏡層包括交替地堆疊的氧化硅層和氮化硅層，以及 介電鏡層的第二部分包括數(shù)量比介電鏡層的第一部分的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層包括: 介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振區(qū)域中延伸，介電鏡層的第二部分在強共振區(qū)域中延伸；以及 金屬鏡層，僅在強共振區(qū)域中延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中: 金屬鏡層包括銀層，以及 介電鏡層包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，中間層還包括用于將空穴注入到發(fā)射層中的空穴注入層、用于將空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中的空穴傳輸層、用于將電子注入到發(fā)射層中的電子注入層和用于將電子傳輸?shù)桨l(fā)射層中的電子傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，空穴傳輸層的在弱共振區(qū)域中的部分的厚度不同于空穴 傳輸層的在強共振區(qū)域中的部分的厚度，以便于調(diào)整光在第一電極和第二電極之間的共振。
9.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個單元像素，每個單元像素包括用于發(fā)射不同顏色的光的多個子像素，所述多個單元像素包括: 弱共振單元像素，引起第一共振，以及 強共振單元像素，弓I起第二共振，第二共振比第一共振強。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，每個子像素包括: 第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸； 中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層；以及鏡層，使由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間共振，鏡層包括位于弱共振單元像素中的第一部分和位于強共振單元像素中的第二部分，其中，鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層包括介電鏡層，介電鏡層的第一部分在弱共振單元像素中，介電鏡層的第二部分在強共振單元像素中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中: 介電鏡層包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層，以及 介電鏡層的第二部分包括數(shù)量比介電鏡層的第一部分的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層包括: 介電鏡層，介電鏡層的第一部分位于弱共振單元像素的子像素中，介電鏡層的第二部分位于強共振單元像素的子像素中；以及 金屬鏡層，僅形成在強共振單元像素的子像素中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中: 金屬鏡層包括銀層，以及 介電鏡層包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，中間層還包括用于將空穴注入到發(fā)射層中的空穴注入層、用于將空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中的空穴傳輸層、用于將電子注入到發(fā)射層中的電子注入層和用于將電子傳輸?shù)桨l(fā)射層中的電子傳輸層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，空穴傳輸層的位于弱共振單元像素的子像素中的部分的厚度不同于空穴傳輸層的位于強共振單元像素的子像素中的部分的厚度，以便于調(diào)整光在第一`電極和第二電極之間的共振。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示裝置。一種有機發(fā)光顯示裝置包括多個子像素，每個子像素包括第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸；以及中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層，其中，第一電極的第一部分、第二電極的第一部分和中間層的第一部分在弱共振區(qū)域內(nèi)延伸，弱共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層發(fā)射的光在第一電極和第二電極之間的第一共振，第一電極的第二部分、第二電極的第二部分和中間層的第二部分在強共振區(qū)域內(nèi)延伸，強共振區(qū)域被構(gòu)造成引起由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間的第二共振，第二共振比第一共振強。
文檔編號H01L27/32GK103137650SQ20121038017
公開日2013年6月5日 申請日期2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者張榮真, 吳在煥, 陳圣鉉, 李源規(guī) 申請人:三星顯示有限公司