專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode Display,OLED)又稱為有機(jī)電致發(fā)光二極管，是自 20世紀(jì)中期發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光二極管具有全固態(tài)、主動(dòng)發(fā)光、高亮度、高對(duì)比度、超薄、低成本、低功耗、快速響應(yīng)、寬視角、工作溫度范圍寬、易于柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)一般包括基板、陽極、陰極和有機(jī)功能層，其發(fā)光原理是通過陽極和陰極間蒸鍍的非常薄的多層有機(jī)材料，由正負(fù)載流子注入有機(jī)半導(dǎo)體薄膜后復(fù)合產(chǎn)生發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光二極管的有機(jī)功能層，一般由三個(gè)功能層構(gòu)成，分別為空穴傳輸功能層(HoleTransport Layer, HTL)、發(fā)光功能層(Emissive Layer, EML)、電子傳輸功能層(ElectronTransport Layer, ETL)。每個(gè)功能層可以是一層,或者一層以上,例如空穴傳輸功能層,有時(shí)可以細(xì)分為空穴注入層和空穴傳輸層；電子傳輸功能層，可以細(xì)分為電子傳輸層和電子注入層，但其功能相近，故統(tǒng)稱為空穴傳輸功能層，電子傳輸功能層。目前，全彩有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作方法以紅綠藍(lán)(RGB)三色并列獨(dú)立發(fā)光法、白光加彩色濾光片法、色轉(zhuǎn)換法三種方式為主，其中紅綠藍(lán)三色并列獨(dú)立發(fā)光法最有潛力，實(shí)際應(yīng)用最多。但在以紅綠藍(lán)三色并列獨(dú)立發(fā)光法制作有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作過程中，需要使用金屬掩模板來達(dá)到對(duì)玻璃基板上發(fā)光層的發(fā)光像素部分區(qū)域蒸鍍有機(jī)材料以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。隨著有機(jī)電致發(fā)光二極管的發(fā)展，尤其是主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode, AM0LED)的發(fā)展,有機(jī)電致發(fā)光二極管產(chǎn)品尺寸及玻璃基板尺寸都在不斷增加，這就要求蒸鍍金屬掩模板的尺寸不斷增大，金屬掩模板一般都很薄(一般不超過50um)，而且有機(jī)電致發(fā)光二極管蒸鍍工藝要求金屬掩模板和玻璃基板之間要有很高的對(duì)位精度(金屬掩模板單元器件與玻璃基板的像素單元之間對(duì)位誤差在-3um +3um)。隨著有機(jī)電致發(fā)光二極管大尺寸化的生產(chǎn),往往會(huì)產(chǎn)生由于金屬掩模板與玻璃基板之間對(duì)位不準(zhǔn)導(dǎo)致有機(jī)材料蒸鍍到其他區(qū)域，造成產(chǎn)品不良，極大影響了生產(chǎn)效率和生產(chǎn)成本。因此，金屬掩模板的大尺寸化及其大尺寸化后與玻璃基板之間的精確對(duì)位等技術(shù)問題，限制了有機(jī)電致發(fā)光二極管大尺寸化的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其通過數(shù)張分掩模板拼接于掩模板框架上，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模的大尺寸化，同時(shí)有利于大尺寸有機(jī)電致發(fā)光二極管的有機(jī)材料的蒸鍍。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩模板框架、及數(shù)張安裝在該掩模板框架上的分掩模板；所述分掩模板之間設(shè)有間隙，每兩個(gè)相鄰的分掩模板之間的間隙相同，所述掩模板框架呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口，所述分掩模板沿容置口的寬度方向進(jìn)行排列安裝，其張數(shù)根據(jù)該掩模板框架的容置口的寬度及所述分掩模板的寬度而定，全部分掩模板的寬度加上其之間的間隙寬度的數(shù)值大于或等于容置口的寬度。所述掩模板框架的容置口大小根據(jù)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的大小而定。所述分掩模板具有相同的結(jié)構(gòu)及大 小，每一分掩模板均包括開口有效區(qū)及設(shè)于該開口有效區(qū)兩端的兩無效區(qū)。所述分掩模板開口有效區(qū)的開口與有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置；所述分掩模板無效區(qū)的自由端分別連接在所述掩模板框架上，進(jìn)而安裝該分掩模板于掩模板框架上。所述分掩模板開口有效區(qū)的開口為插槽型開口。所述相鄰的兩分掩模板之間的間隙的寬度大于或等于有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)的寬度。所述像素單元的子像素點(diǎn)為紅、綠、藍(lán)三色子像素點(diǎn)中的任一顏色的子像素點(diǎn)。所述分掩模板開口有效區(qū)的開口為縫隙型開口。所述掩模裝置還包括數(shù)張?jiān)O(shè)置于相鄰兩分掩模板之間的間隙上的掩蓋板，該掩蓋板的寬度大于相鄰兩分掩模板之間的間隙的寬度，且小于相鄰兩開口有效區(qū)之間的距離。所述掩蓋板安裝在所述掩模板框架上。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其通過數(shù)張分掩模板拼接于掩模板框架上，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模的大尺寸化，解決了主動(dòng)矩陣式有機(jī)電致發(fā)光二極管蒸鍍技術(shù)無法突破的問題；所述蒸鍍裝置避免了有機(jī)材料蒸鍍時(shí)附著于玻璃基板的其他區(qū)域，減少封裝不良，及實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光二極管大尺寸化的可能性；降低有機(jī)電致發(fā)光二極管生產(chǎn)成本，提高其生產(chǎn)效率。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。


下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖I為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I中分掩模板開口有效區(qū)的局部放大示意圖；圖3為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的另一實(shí)施例的掩?？蚣芎头盅谀０宓慕M裝示意圖；圖4為圖3所述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。請(qǐng)參閱圖I及圖2，本發(fā) 明所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩模板框架(mask frame) 20、及數(shù)張安裝在該掩模板框架20上的分掩模板(divide shadow mask) 22,分掩模板22之間設(shè)有間隙(gap) 24,每兩個(gè)分掩模板22之間的間隙24相同，該數(shù)張分掩模板22拼接出整張蒸鍍用的大尺寸的掩模板。所述掩模板框架20呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口 200。所述分掩模板22沿容置口 200的寬度方向進(jìn)行排列安裝，其張數(shù)根據(jù)該掩模板框架20的容置口 200的寬度及所述分掩模板22的寬度而定，全部分掩模板22的寬度加上其之間的間隙24寬度的數(shù)值大于或等于容置口 200的寬度。所述掩模板框架20的容置口 200大小根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層(未圖示)的大小而定，通常兩者的尺寸是一致的。在本實(shí)施例中,所述分掩模板22具有相同的結(jié)構(gòu)及大小,每一分掩模板22包括開口有效區(qū)220及設(shè)于該開口有效區(qū)220兩端的兩無效區(qū)222。所述分掩模板22開口有效區(qū)220設(shè)有數(shù)個(gè)開口 221，其與有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置，進(jìn)而在蒸鍍制程中實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位；所述分掩模板22兩無效區(qū)222的自由端分別連接在所述掩模板框架20上，進(jìn)而安裝該分掩模板22于掩模板框架20上。所述分掩模板22的開口 221大小相同，在本實(shí)施例中，所述開口 221為插槽型(slot type)開 P。所述分掩模板22拼接時(shí)間隔設(shè)置，且相鄰的分掩模板22之間的間隙24寬度大于或等于有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)的寬度。所述像素單元的子像素點(diǎn)為紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三色子像素點(diǎn)中的任一顏色的子像素點(diǎn)。請(qǐng)參見圖3及圖4，為本發(fā)明另一實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，該有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩模板框架20、數(shù)張安裝在該掩模板框架20上的分掩模板22’及設(shè)置于相鄰兩分掩模板22’之間的間隙24’上的掩蓋板26 ;每兩個(gè)相鄰的分掩模板22’之間的間隙24’相同，即是將數(shù)張分掩模板22’拼接出整張蒸鍍用的大尺寸的掩模板；所述掩模板框架20呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口 200。所述分掩模板22’沿容置口 200的寬度方向排列安裝，其張數(shù)根據(jù)該掩模板框架20的容置口 200的寬度及所述分掩模板22’的寬度而定，全部分掩模板22’的寬度加上其之間的間隙24’寬度的數(shù)值大于或等于容置口 200的覽度。所述掩模板框架20的容置口 200大小根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層(未圖示)的大小而定，通常兩者的尺寸是一致的。所述分掩模板22’具有相同的結(jié)構(gòu)及大小，每一分掩模板22’均包括開口有效區(qū)220’及環(huán)繞該開口有效區(qū)220’設(shè)置的無效區(qū)222’。
所述分掩模板22’開口有效區(qū)220’的開口 221’與有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置，進(jìn)而在蒸鍍制程中實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位；所述分掩模板22’無效區(qū)222’的自由端分別連接在所述掩模板框架20上，進(jìn)而安裝該分掩模板22’于掩模板框架20上。所述分掩模板22’的開口 221’具有相同大小，在本實(shí)施例中，所述開口 221’為縫隙型(slit type)開口。所述分掩模板22’拼接時(shí)間隔設(shè)置，且相鄰的兩分掩模板22’之間的間隙24’寬度大于或等于有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素 單元的子像素點(diǎn)的寬度。所述像素單元的子像素點(diǎn)為紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三色子像素點(diǎn)中的任一顏色的子像素點(diǎn)。所述掩蓋板26安裝在所述掩模板框架20上，該掩蓋板26的寬度大于相鄰兩分掩模板22’之間的間隙24’的寬度，且小于相鄰兩分掩模板22’開口有效區(qū)220’之間的距離進(jìn)而將相鄰兩分掩模板22’之間的間隙24’完全覆蓋，但不會(huì)影響到開口有效區(qū)220’的開
口 221，。綜上所述，本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其通過數(shù)張分掩模板拼接于掩模板框架上，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模的大尺寸化，解決了主動(dòng)矩陣式有機(jī)電致發(fā)光二極管蒸鍍技術(shù)無法突破的問題；所述蒸鍍裝置避免了有機(jī)材料蒸鍍時(shí)附著于玻璃基板的其他區(qū)域，減少封裝不良，及實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光二極管大尺寸化的可能性；降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，包括一掩模板框架、及數(shù)張安裝在該掩模板框架上的分掩模板；所述分掩模板之間設(shè)有間隙，每兩個(gè)相鄰的分掩模板之間的間隙相同，所述掩模板框架呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口，所述分掩模板沿容置口的寬度方向進(jìn)行排列安裝，其張數(shù)根據(jù)該掩模板框架的容置口的寬度及所述分掩模板的寬度而定，全部分掩模板的寬度加上其之間的間隙寬度的數(shù)值大于或等于容置口的寬度。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩模板框架的容置口大小根據(jù)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的大小而定。
3.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述分掩模板具有相同的結(jié)構(gòu)及大小，每一分掩模板均包括開口有效區(qū)及設(shè)于該開口有效區(qū)兩端的兩無效區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述分掩模板開口有效區(qū)的開口與有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置；所述分掩模板無效區(qū)的自由端分別連接在所述掩模板框架上，進(jìn)而安裝該分掩模板于掩模板框架上。
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述分掩模板開口有效區(qū)的開口為插槽型開口。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述相鄰的兩分掩模板之間的間隙的寬度大于或等于有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)光層的像素單元的子像素點(diǎn)的寬度。
7.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述像素單元的子像素點(diǎn)為紅、綠、藍(lán)三色子像素點(diǎn)中的任一顏色的子像素點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述分掩模板開口有效區(qū)的開口為縫隙型開口。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，還包括數(shù)張?jiān)O(shè)置于相鄰兩分掩模板之間的間隙上的掩蓋板，該掩蓋板的寬度大于相鄰兩分掩模板之間的間隙的寬度，且小于相鄰兩開口有效區(qū)之間的距離。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩蓋板安裝在所述掩模板框架上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩模板框架、及數(shù)張安裝在該掩模板框架上的分掩模板；所述分掩模板之間設(shè)有間隙，每兩個(gè)相鄰的分掩模板之間的間隙相同，所述掩模板框架呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口，所述分掩模板的張數(shù)根據(jù)該掩模板框架的容置口的寬度及所述分掩模板的寬度而定，全部分掩模板的寬度加上其之間的間隙寬度的數(shù)值大于或等于容置口的寬度。所述有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置通過數(shù)張分掩模板拼接于掩模板框架上，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模的大尺寸化，同時(shí)有利于大尺寸有機(jī)電致發(fā)光二極管的有機(jī)材料的蒸鍍。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102766844SQ20121028490
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者吳泰必, 王宜凡 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司