專(zhuān)利名稱：四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法及封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法及封裝體。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，終端消費(fèi)品到系統(tǒng)設(shè)備，PCB (Printed Circuit Board,印制電路板)上的電子元器件的密度越來(lái)越高，要求在同樣甚至更小的空間內(nèi)安裝更多的電子元器件，對(duì)電子元器件小型化的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。QFN (Quad Flat Non-Ieaded package,四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝)由于尺寸小、體積小及良好的熱、電氣性能近年來(lái)逐步得到廣泛應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)中，存在兩種QFN封裝體,一種是PiP(Package in Package,封裝體內(nèi)堆疊封裝)的QFN封裝形式，其采用兩次塑封的方式，實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)封裝體內(nèi)部堆疊多個(gè)器件 的封裝結(jié)構(gòu)；另一種是PoP (Packageon Package,封裝體上堆疊封裝體)的QFN封裝形式，其采用研磨等手段在下封裝體上部形成裸露的可焊接的引腳表面，實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)封裝體上部堆疊其他封裝體的封裝結(jié)構(gòu)。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題現(xiàn)有技術(shù)雖然也實(shí)現(xiàn)了兩層堆疊，但堆疊的器件層數(shù)仍然有限，具有一定的局限性，且由于堆疊的器件均內(nèi)置于封裝體內(nèi)，導(dǎo)致內(nèi)部焊點(diǎn)的可靠性較差，且結(jié)構(gòu)不夠簡(jiǎn)潔。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法及封裝體，以解決器件堆疊的局限性，內(nèi)部焊點(diǎn)的可靠性較差，結(jié)構(gòu)不夠簡(jiǎn)潔的問(wèn)題。所述技術(shù)方案如下—方面，提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，所述方法包括在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，并在所述器件臺(tái)上組裝器件，連接所述器件及所述焊線臺(tái)；塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳；在所述封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。其中，所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體為采用電鍍工藝在所述凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)。可選地，所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體為采用電鍍工藝在所述凸點(diǎn)表面形成焊接表面，并在所述焊接表面印刷錫膏后，通過(guò)所述錫膏焊接金屬柱，使所述凸點(diǎn)達(dá)到預(yù)設(shè)高度?？蛇x地，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)所述加工后的金屬板進(jìn)行塑封，形成封裝體，并在塑封之后去除所述保護(hù)膜，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳?？蛇x地，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為塑封所述加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕所述封裝體的上表面，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露；采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，在所述焊接表面種植錫球，并利用高溫回流技術(shù)使所述錫球在所述封裝體的上表面形成頂部引腳。可選地，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所 述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為塑封所述加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕所述封裝體的上表面，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露；采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，通過(guò)鋼網(wǎng)印錫技術(shù)在所述焊接表面印刷錫膏，并利用高溫回流技術(shù)使所述錫膏在所述封裝體的上表面形成頂部引腳?？蛇x地，在所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度之前，還包括在除凸點(diǎn)表面之外的金屬板的上表面形成保護(hù)層，使所述凸點(diǎn)的表面裸露?？蛇x地，所述在所述器件臺(tái)上組裝器件，并連接器件及所述焊線臺(tái)之前，還包括采用電鍍工藝在金屬板上電鍍預(yù)設(shè)厚度的用于裝片和打線的金屬層。另一方面，還提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體，所述封裝體包括金屬板、器件、焊線、塑封體、用于焊接電子元器件的頂部引腳和底部引腳；其中，所述塑封體將所述金屬板、器件、焊線、頂部引腳和底部引腳塑封于一體；所述器件和所述焊線相連接，且焊接于所述封裝體內(nèi)的金屬板上；所述頂部引腳外露于所述封裝體的上表面；所述底部引腳外露于所述封裝體的下表面。其中，所述器件包括芯片、無(wú)源器件或倒裝芯片。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法流程圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法流程圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝過(guò)程示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法流程圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝過(guò)程示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法流程圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝過(guò)程示意圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法流程圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝過(guò)程示意圖； 圖10是本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。實(shí)施例一本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，參見(jiàn)圖1，本實(shí)施例提供的方法流程具體如下101 :在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；102 :將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；可選地，將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度之前，還包括在除凸點(diǎn)表面之外的金屬板的上表面形成保護(hù)層，使凸點(diǎn)的表面裸露。其中，將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體包括但不限于采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)。可選地，將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體包括但不限于采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面形成焊接表面，并在焊接表面印刷錫膏后，通過(guò)錫膏焊接金屬柱，使凸點(diǎn)達(dá)到預(yù)設(shè)高度?？蛇x地，在器件臺(tái)上組裝器件，并連接器件及焊線臺(tái)之前，還包括采用電鍍工藝在金屬板上電鍍預(yù)設(shè)厚度的用于裝片和打線的金屬層。103 :塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳；針對(duì)該步驟，塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體包括但不限于采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)加工后的金屬板進(jìn)行塑封，形成封裝體，并在塑封之后去除保護(hù)膜，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳。可選地,塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體包括但不限于塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕封裝體的上表面，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露；采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，在焊接表面種植錫球，并利用高溫回流技術(shù)使錫球在封裝體的上表面形成頂部引腳。
可選地,塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體包括但不限于塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕封裝體的上表面，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露；采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，通過(guò)鋼網(wǎng)印錫技術(shù)在焊接表面印刷錫膏，并利用高溫回流技術(shù)使錫膏在封裝體的上表面形成頂部引腳。104:在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。本實(shí)施例提供的方法，通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體， 在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。為了更加清楚地闡述上述實(shí)施例提供的方法，結(jié)合上述內(nèi)容，以如下實(shí)施例二至實(shí)施例五為例，對(duì)四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，詳見(jiàn)如下實(shí)施例二至五實(shí)施例二本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，為了便于說(shuō)明，結(jié)合上述實(shí)施例一的內(nèi)容，本實(shí)施例以采用電鍍工藝將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，且采用有保護(hù)膜的封裝工藝進(jìn)行塑封為例，對(duì)封裝方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。參見(jiàn)圖2，本實(shí)施例提供的方法流程具體如下201 :在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；針對(duì)該步驟，在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽時(shí)，可利用現(xiàn)有的光刻膠程序在金屬板的上表面形成一個(gè)圖案化的光刻膠圖形，再利用適當(dāng)?shù)奈g刻液，在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，如圖3 (A)所示。圖3 (A)中，I為凸點(diǎn)，2為焊線臺(tái)，3為器件臺(tái)。202:采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；具體地，為了便于該步驟采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)，本實(shí)施例提供的方法在該步驟202之前，還包括在凸點(diǎn)表面之外的金屬板的上表面形成保護(hù)層的過(guò)程。具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，可利用光刻膠程序在圖3中(A)所示的凸點(diǎn)表面之外的金屬板的上表面形成保護(hù)層，僅僅使凸點(diǎn)的表面金屬裸露，便于后續(xù)電鍍。利用現(xiàn)有的選擇電鍍工藝在凸點(diǎn)表面繼續(xù)電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)時(shí)，本實(shí)施例不對(duì)預(yù)設(shè)高度的具體大小進(jìn)行限定，具體可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。凸點(diǎn)生長(zhǎng)至預(yù)設(shè)高度后的金屬板可如圖3 (B)所示。在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)之前，可利用現(xiàn)有選擇電鍍技術(shù)在圖3(B)的金屬板上電鍍指定厚度的用于裝片和打線的金屬層(未畫(huà)出)。利用現(xiàn)有的裝片，在器件臺(tái)上組裝好器件，并利用現(xiàn)有的打線技術(shù)打線連接器件和焊線臺(tái)，如圖3 (C)所示。203:采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)加工后的金屬板進(jìn)行塑封，形成封裝體，并在塑封之后去除保護(hù)膜，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳；
針對(duì)該步驟，采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)加工后的金屬板進(jìn)行塑封時(shí)，可利用現(xiàn)有的有保護(hù)膜的塑封工藝，將如圖3 (C)的組合體塑封，塑封后的封裝體如圖3 (D)0由于有保護(hù)膜的保護(hù)，在塑封之后，由電鍍生長(zhǎng)的凸點(diǎn)將暴露在封裝體塑封的表面，因此，可使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳，如圖3 (E)0204:在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。具體地，在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳時(shí)，同樣可利用現(xiàn)有的光刻膠程序在上述圖3 (E)封裝體的下表面蝕刻加工出所需形狀的圖形，利用適當(dāng)?shù)奈g刻液蝕刻，形成最終所需的底部引腳，如圖3 (F)所示。本實(shí)施例提供的方法，通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò) 頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。實(shí)施例三本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，為了便于說(shuō)明，結(jié)合上述實(shí)施例一的內(nèi)容，本實(shí)施例以采用電鍍工藝將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，且通過(guò)利用高溫回流技術(shù)在封裝體表面形成頂部引腳的方式為例，對(duì)封裝方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。參見(jiàn)圖4，本實(shí)施例提供的方法流程具體如下401 :在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟201的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖5 (A)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟201的相關(guān)描述，此處不再贅述。402:采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟202的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖5 (B)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟202的相關(guān)描述，此處不再贅述。403:塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕封裝體的上表面，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露，并采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面；針對(duì)該步驟，可利用現(xiàn)有的封裝塑封工藝，將如圖5 (B)所示的組合體進(jìn)行塑封，形成如圖5 (C)所示的封裝體。之后再利用現(xiàn)有的激光刻蝕技術(shù)，刻蝕掉特定位置的一定厚度的封裝體，使內(nèi)部的引腳裸露出來(lái)，得到如圖5 (D)所示結(jié)構(gòu)。且為了后續(xù)能夠得到預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)，利用清潔、選擇電鍍技術(shù)在露處的頂部引腳上形成一個(gè)可焊接的表面(未畫(huà)出)。404 :在焊接表面種植錫球或通過(guò)鋼網(wǎng)印錫技術(shù)在焊接表面印刷錫膏，并利用高溫回流技術(shù)使錫球或錫膏在封裝體的上表面形成頂部引腳；具體地，利用現(xiàn)有的種植錫球技術(shù)，在裸露的頂部引腳處種植錫球，如圖5 (E)所示。或者，利用現(xiàn)有的高溫回流技術(shù)使錫球在露處的頂部引腳的上表面形成可用于和其他外部器件焊接的頂部引腳，如圖5 (E)所示?；蚶矛F(xiàn)有的鋼網(wǎng)印錫技術(shù)，在上述如圖5
(D)所示的組合體頂部的引腳印刷錫膏，經(jīng)過(guò)現(xiàn)有的高溫回流技術(shù)，使錫膏在露處的頂部引腳的上表面形成可用于和其他外部模塊焊接的頂部引腳，如圖5 (E)所示。
405:在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟204的實(shí)現(xiàn)方式，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟204的相關(guān)描述，此處不再贅述。本實(shí)施例提供的方法，通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。實(shí)施例四 本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，為了便于說(shuō)明，結(jié)合上述實(shí)施例一的內(nèi)容，本實(shí)施例以采用電鍍工藝及通過(guò)焊接金屬柱的方式將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，且采用有保護(hù)膜的封裝工藝進(jìn)行塑封為例，對(duì)封裝方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。參見(jiàn)圖6，本實(shí)施例提供的方法流程具體如下601 :在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟201的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖7 (A)所示的結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟201的相關(guān)描述，此處不再贅述。602:采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面形成焊接表面，并在焊接表面印刷錫膏后，通過(guò)錫膏焊接金屬柱，使凸點(diǎn)達(dá)到預(yù)設(shè)高度，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；針對(duì)該步驟，利用選擇電鍍技術(shù)在圖7 (A)所示的凸點(diǎn)上形成可焊的表面，利用現(xiàn)有的鋼網(wǎng)印刷技術(shù)，在可焊的表面印刷一層錫膏，再利用SMT(Surface Mount Technology,表面裝配技術(shù))在凸點(diǎn)上裝配特定高度的金屬柱，得到預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)，如圖7 (B)所示。之后采用如上述實(shí)施例二中步驟202描述的組裝器件及連接器件與焊線的方式，在器件臺(tái)上組裝器件，并連接器件及焊線臺(tái)，得到如圖7 (C)所示的結(jié)構(gòu)。603:采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)加工后的金屬板進(jìn)行塑封，形成封裝體，并在塑封之后去除保護(hù)膜，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳；該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟203的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖7 (D)至圖7
(E)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟203的相關(guān)描述，此處不再贅述。604:在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟204的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖7 (F)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟204的相關(guān)描述，此處不再贅述。本實(shí)施例提供的方法，通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。實(shí)施例五本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，為了便于說(shuō)明，結(jié)合上述實(shí)施例一的內(nèi)容，本實(shí)施例以采用電鍍工藝及通過(guò)焊接金屬柱的方式將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，且通過(guò)利用高溫回流技術(shù)在封裝體表面形成頂部引腳的方式為例，對(duì)封裝方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。參見(jiàn)圖8，本實(shí)施例提供的方法流程具體如下801 :在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟201的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖9 (A)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟201的相關(guān)描述，此處不再贅述。802:采用電鍍工藝在凸點(diǎn)表面形成焊接表面，并在焊接表面印刷錫膏后，通過(guò)錫膏焊接金屬柱，使凸點(diǎn)達(dá)到預(yù)設(shè)高度，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；該步驟具體可采用上述實(shí)施例四中步驟602的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖9 (B)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例四中步驟602的相關(guān)描述，此處不再贅述。803:塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕封裝體的上表面，使加工后的凸點(diǎn)表面裸露，并采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面； 該步驟具體可采用上述實(shí)施例三中步驟403的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖9 (C)至圖9(D)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例三中步驟403的相關(guān)描述，此處不再贅述。804:在焊接表面種植錫球或通過(guò)鋼網(wǎng)印錫技術(shù)在焊接表面印刷錫膏，并利用高溫回流技術(shù)使錫球或錫膏在封裝體的上表面形成頂部引腳；該步驟具體可采用上述實(shí)施例三中步驟404的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖9 (E)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例三中步驟404的相關(guān)描述，此處不再贅述。805:在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。該步驟具體可采用上述實(shí)施例二中步驟204的實(shí)現(xiàn)方式，得到如圖9 (F)所示結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)上述實(shí)施例二中步驟204的相關(guān)描述，此處不再贅述。本實(shí)施例提供的方法，通過(guò)形成具有頂部引腳的可用于器件堆疊的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。實(shí)施例六本實(shí)施例提供了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體，參見(jiàn)圖10，該封裝體包括金屬板1001、器件1002、焊線1003、塑封體1004、用于焊接電子元器件的頂部引腳1005和底部引腳1006 ；其中，塑封體1004將金屬板1001、器件1002、焊線1003、頂部引腳1005和底部引腳1006塑封于一體；器件1002和焊線1003相連接，且焊接于封裝體內(nèi)的金屬板1001上；頂部引腳1005外露于封裝體的上表面；底部引腳1006外露于封裝體的下表面。需要說(shuō)明的是，圖10僅為本實(shí)施例提供的封裝體的一種結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例提供的封裝體還可如圖5中(F)、圖7中(F)和圖9中(F)所示，除此之外，還可以有其它形狀及內(nèi)部結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例不對(duì)封裝體的具體形狀及內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定。另外，本實(shí)施例及上述各實(shí)施例提及到的器件包括芯片，無(wú)源器件，或倒裝芯片等等，本實(shí)施例不對(duì)具體為哪種器件進(jìn)行限定，且器件臺(tái)的形狀除如上述各圖所示的形狀外，還可以有其他形狀，本實(shí)施例對(duì)此不作具體限定。本實(shí)施例提供的封裝體，通過(guò)外露于封裝體表面的頂部引腳可用于器件堆疊，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，還可簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；另外，由于通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，進(jìn)而克服了器件堆疊的局限性。上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)硬件來(lái)完成，也可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤(pán)或光盤(pán)等。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法，其特征在于，所述方法包括 在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)； 將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，并在所述器件臺(tái)上組裝器件，連接所述器件及所述焊線臺(tái)； 塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳； 在所述封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體為 采用電鍍工藝在所述凸點(diǎn)表面電鍍生長(zhǎng)出預(yù)設(shè)高度的凸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，具體為 采用電鍍工藝在所述凸點(diǎn)表面形成焊接表面，并在所述焊接表面印刷錫膏后，通過(guò)所述錫膏焊接金屬柱，使所述凸點(diǎn)達(dá)到預(yù)設(shè)高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的方法，其特征在于，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為 采用有保護(hù)膜的封裝工藝對(duì)所述加工后的金屬板進(jìn)行塑封，形成封裝體，并在塑封之后去除所述保護(hù)膜，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的方法，其特征在于，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為 塑封所述加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕所述封裝體的上表面，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露； 采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，在所述焊接表面種植錫球，并利用高溫回流技術(shù)使所述錫球在所述封裝體的上表面形成頂部引腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的方法，其特征在于，所述塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在所述封裝體的上表面，形成頂部引腳，具體為 塑封所述加工后的金屬板，形成封裝體，并刻蝕所述封裝體的上表面，使所述加工后的凸點(diǎn)表面裸露； 采用電鍍工藝在裸露的凸點(diǎn)表面形成焊接表面，通過(guò)鋼網(wǎng)印錫技術(shù)在所述焊接表面印刷錫膏，并利用高溫回流技術(shù)使所述錫膏在所述封裝體的上表面形成頂部引腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述將所述凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度之前，還包括 在除凸點(diǎn)表面之外的金屬板的上表面形成保護(hù)層，使所述凸點(diǎn)的表面裸露。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述在所述器件臺(tái)上組裝器件，并連接器件及所述焊線臺(tái)之前，還包括 采用電鍍工藝在金屬板上電鍍預(yù)設(shè)厚度的用于裝片和打線的金屬層。
9.一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體，其特征在于，所述封裝體包括金屬板、器件、焊線、塑封體、用于焊接電子元器件的頂部引腳和底部引腳； 其中，所述塑封體將所述金屬板、器件、焊線、頂部引腳和底部引腳塑封于一體；所述器件和所述焊線相連接，且焊接于所述封裝體內(nèi)的金屬板上； 所述頂部引腳外露于所述封裝體的上表面； 所述底部引腳外露于所述封裝體的下表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝體，其特征在于，所述器件包括芯片、無(wú)源器件或倒裝芯片。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體的封裝方法及封裝體，屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域。方法包括在金屬板的上表面蝕刻加工出所需的凹槽，形成焊線臺(tái)、器件臺(tái)及凸點(diǎn)；將凸點(diǎn)加工至預(yù)設(shè)高度，并在器件臺(tái)上組裝器件，連接器件及焊線臺(tái)；塑封加工后的金屬板，形成封裝體，并使加工后的凸點(diǎn)表面裸露在封裝體的上表面，形成頂部引腳；在封裝體的下表面蝕刻加工出所需的底部引腳，得到四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝體。本發(fā)明通過(guò)形成具有頂部引腳的QFN封裝體，在利用QFN封裝的良好電氣性能、散熱性能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)將大的無(wú)源器件堆疊在QFN封裝體之上，在有效提高內(nèi)部、外部焊點(diǎn)可靠性的同時(shí)，簡(jiǎn)化封裝體結(jié)構(gòu)；通過(guò)頂部引腳可實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的堆疊，克服了器件堆疊的局限性。
文檔編號(hào)H01L23/488GK102832139SQ20121028482
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者陳鍇, 劉志華, 蔣然 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司