技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種柱電極的不良品發(fā)生頻率低的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具有：布線（109），配置在半導(dǎo)體基板上；柱狀的柱電極（213），具有與該布線（109）連接的底部、底部的相反側(cè)的頂部、將底部和頂部連結(jié)的側(cè)面，柱電極（213）包括利用電鍍處理形成的第一柱電極（213a）和利用電鍍處理在第一柱電極上形成的第二柱電極（213b），在柱電極（213）的側(cè)面，在比第一柱電極（213a）和第二柱電極（213b）的接合位置（230）高的位置，在圓周方向上形成有長(zhǎng)的外周突起部（240）。

技術(shù)研發(fā)人員：小池理
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201210195885
技術(shù)研發(fā)日：2012.06.14
技術(shù)公布日：2017.06.30