專利名稱：發(fā)光元件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及將半導體作為構成材料進行發(fā)光的發(fā)光元件的結構。
背景技術：
半導體的發(fā)光二極管(LED)用于各種目的。例如，與現有的白熾燈泡和熒光燈相t匕，使用發(fā)光二極管的照明設備的消耗功率低且發(fā)熱性低，所以，期待將來用其代替白熾燈泡和熒光燈。這里，LED中的P型半導體層和η型半導體層通常通過外延生長和離子注入等而形成。因此，Pn結面與半導體晶片的表面平行形成，與P側連接的電極和與η側連接的電極被分配給該半導體層的上表面和下表面。通過在這些電極間流過ρη結的順向電流，能夠使該發(fā)光元件發(fā)光。此時，電極一般由遮擋該光的金屬構成，所以，難以從形成電極之處取出光。并且，當該電流在發(fā)光元件內不均勻時，無法得到均勻的發(fā)光。
圖14示出解決這種課題的發(fā)光元件的具體結構的剖面圖。在該發(fā)光元件90中進行發(fā)光的半導體發(fā)光功能層91采用在下側具有P型半導體層92、在上側具有η型半導體層93的雙層結構。在半導體發(fā)光功能層91的下表面(P型半導體層92的下表面)整體形成有由金屬構成的P側電極94，在半導體發(fā)光功能層91的上表面(η型半導體層93的上表面)的一部分形成有由金屬構成的η側電極95。進而,在上表面整體以覆蓋η側電極95的方式形成有透明電極96。作為透明電極96的材料，例如有ITO(Indium-Tin-Oxide)或ZnO(Zinc-Oxide)等，這些材料是導電性的，同時相對于該發(fā)光元件90發(fā)出的光是透明的。相對于透明電極96, P側電極94和η側電極95的電阻低,但是不透明。在該結構中，對P側電極94與η側電極95之間施加用于使該發(fā)光元件90進行動作(發(fā)光)的電壓。此時，P側電極94形成在下表面整面，η側電極95與形成在上表面整面的透明電極96連接。P型半導體層92的下表面整面由P側電極94覆蓋，所以電位相同。并且，由于存在透明電極96，η型半導體層93的上表面整體中的電位也大致相同，所以，半導體發(fā)光功能層91中的電流在其上下方向(ρη結方向)大致相同地流動。因此，在面內得到均勻的發(fā)光。此時，在圖14中的上側發(fā)出的光在半導體發(fā)光功能層91的左端部由η側電極95遮擋，但是，在大部分區(qū)域中，未被遮擋而透過過透明電極96。因此，如圖14中的點劃線箭頭所示，能夠取出均勻的發(fā)光。這里，透明電極96的電阻一般比η側電極95和P側電極94的電阻高。因此，無法忽略圖14的結構中的透明電極96的電阻，僅在表面設置透明電極96，難以使其正下方的電位均勻。在圖14的結構的情況下，通過利用P側電極94覆蓋下表面整面，使電流分布均勻，能夠得到均勻的發(fā)光。這樣，使用透明電極作為與一個極連接的電極，并且在半導體發(fā)光功能層中的透明電極的相反側的整面設置與另一個極連接的電極，由此，能夠使半導體發(fā)光功能層中流動的電流相同，能夠得到進行均勻發(fā)光的發(fā)光元件。但是，例如在使用GaN系的半導體(氮化物半導體)的情況下，為了得到優(yōu)質的晶體，一般采用在絕緣性的襯底上外延生長η型半導體層、在該η型半導體層上外延生長P型半導體層的結構。在這種情況下，只要不去除襯底，則難以如實現圖14的結構那樣分別在半導體發(fā)光功能層的不同側設置P側電極和η側電極的結構。因此，在使用氮化物半導體的情況下，通常，多數情況下從半導體發(fā)光功能層中的同一主面?zhèn)热〕鯬側電極和η側電極。在這種情況下，難以使用如圖14中的P側電極94那樣覆蓋半導體發(fā)光功能層的一個主面整面的電阻低的電極。該情況下，在面積大的發(fā)光二極管中，特別難以得到均勻的發(fā)光。進而，一般地，在氮化物半導體中，與η型半導體層相t匕，P型半導體層的電阻高，所以，還產生由于P型半導體層的電阻而引起的不均勻。為了改善這點，對P型半導體層、透明電極、P側電極、η側電極的結構、P側電極與透明電極之間的連接部分的結構進行研究，由此，提出了在大面積中也能夠得到均勻發(fā)光的結構。
在專利文獻I所記載的技術中，在矩形形狀的發(fā)光二極管中，在矩形的對置的頂部分別設置η側電極和P側電極。在P側電極上形成有沿著以形成有η側電極的一側的頂部為中心的大致圓周的2條延伸部，在該延伸部的正下方與透明電極連接。并且，透明電極不是圖14所示的平面狀，而是以二維排列的方式設置多個孔部的網格狀。并且，在P型半導體層中也設置與透明電極的孔部對應的凹部。根據該結構，在面方向上使流過ρη結的電流均勻化，能夠得到均勻的發(fā)光。并且，在專利文獻2所記載的技術中，為了實現同樣的目的，記載了如下結構在半導體發(fā)光功能層的一個主面上，使用多個從η側焊盤電極延伸的線狀的η側電極和從P側焊盤電極延伸的線狀的P側電極。這里，在發(fā)光元件的一個側面?zhèn)扰渲忙莻群副P電極，在另一個側面?zhèn)扰渲肞側焊盤電極，并且，η側電極和P側電極被配置成交替平行的梳子形的形狀。在該結構中，在平行鄰接的η側電極與P側電極之間同樣流過電流，所以，能夠在發(fā)光元件的整面得到均勻的發(fā)光。專利文獻I :日本特開2005-39264號公報專利文獻2 :日本特開2005-328080號公報在專利文獻I所記載的技術中，使用網格狀的透明電極。如上所述，透明電極的電阻高，所以，該網格狀的部位中的電阻更高。因此，產生由此引起的局部電流的不均勻。并且，由此，容易產生局部的發(fā)熱、發(fā)光二極管中的順向下降電壓VF的局部變動等。在P型半導體層設置凹部的情況下，該傾向更加顯著。即，在專利文獻I所記載的結構中，也由于電流不均勻而引起的發(fā)光不均勻的消除不充分。在專利文獻2所記載的技術中，設置多條相對于光為不透明的P側電極和η側電極，所以，發(fā)光效率大幅降低。并且，電流僅集中在被P側電極和η側電極夾著的狹窄的區(qū)域中，所以，局部進行觀察時，產生由于發(fā)光不均勻或電流集中而引起的發(fā)熱問題。S卩，在半導體發(fā)光功能層的一個面上形成有2個電極的結構的發(fā)光元件中，難以得到高發(fā)光效率，并且難以在面內得到均勻的發(fā)光強度。在發(fā)光面積大的情況下，這種問題特別顯著。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于這種問題而完成的，其目的在于，提供解決上述問題的發(fā)明。為了解決上述課題，本發(fā)明采用以下所示的結構。
本發(fā)明的發(fā)光元件使用在具有第I導電類型的第I半導體層上形成具有第2導電類型的第2半導體層而成的半導體發(fā)光功能層，該第2導電類型是與所述第I導電類型相反的導電類型，在所述半導體發(fā)光功能層中的形成有所述第2半導體層的一側的主面上具有與所述第2半導體層直接接觸的透明電極、形成于該透明電極上的絕緣層、形成于該絕緣層上且在設于前記絕緣層中的第I開口部中與所述第I半導體層直接接觸的第I電極層、以及形成于所述絕緣層上且在設于所述絕緣層中的第2開口部中與所述透明電極直接接觸的第2電極層，該發(fā)光元件俯視觀察為大致矩形形狀，該發(fā)光元件的特征在于，所述第I開口部和所述第2開口部具有分別沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分，在所述透明電極中，在所述2條直線之間形成有在與所述2條直線垂直的方向上延伸的多個透明電極開口部。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I電極層和所述第2電極層分別具有分別與所述2條直線平行延伸的呈線狀形態(tài)的線狀部、以及寬度比該線狀部寬的焊盤部。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述2邊是沿著所述大致矩形形狀的長度 方向的2邊，所述第I開口部和所述第2開口部分別形成于所述2邊側的端部側。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I開口部和所述第2開口部中的一方形成于被所述2邊夾著的中央部，所述第I開口部和所述第2開口部中的另一方形成于所述2邊側的兩端部側。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部形成于所述第I開口部和所述第2開口部中的一方延伸的線上。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部分別形成于所述第I開口部和所述第2開口部中的一方延伸的線上的與所述2邊垂直的2邊側的兩端部側，所述第I開口部和所述第2開口部中的另一方在與所述第I電極層和所述第2電極層的一方中的設有所述焊盤部的一側對置的邊側，具有沿著該對置的邊側的彎曲部，其中，所述第I電極層和所述第2電極層的一方與所述第I開口部和所述第2開口部中的一方直接連接。本發(fā)明的發(fā)光元件的特征在于，所述第I開口部和所述第2開口部中的一方的前端部與所述彎曲部的前端部之間的距離，與從設有所述彎曲部的所述第I開口部和所述第2開口部中的另一方中的沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分到所述第I開口部和所述第2開口部的中的一方的間隔大致相等。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I半導體層通過外延生長而形成于襯底上。本發(fā)明的發(fā)光元件的特征在于，在所述線狀部延伸的一個方向的延長線上的所述襯底上，隔著所述襯底上的局部地去除半導體層后的元件分離區(qū)域形成有二極管，所述第I電極層和所述第2電極層跨越所述元件分離區(qū)域而在形成有所述二極管的區(qū)域上延伸，使用所述半導體發(fā)光功能層形成的發(fā)光二極管和所述二極管以順向變?yōu)榉聪虻姆绞讲⒙撨B接。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述焊盤部在形成有所述二極管的區(qū)域上形成。
在本發(fā)明的發(fā)光元件中，其特征在于，所述第I半導體層由η型氮化物半導體構成，所述第2半導體層由P型氮化物半導體構成。
構成，所以，在半導體發(fā)光功能層的一個面上形成2個電極的結構的發(fā)光元件中，得到高發(fā)光效率，并且在面內得到均勻的發(fā)光強度。


圖I是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光元件的從上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。圖2是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光元件的A-A方向(a)、B_B方向(b)、C_C方向(c)、D-D方向(d)中的剖面圖。圖3是示出本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光元件中的η型GaN層(a)、ρ型GaN層(b)、透明電極(C)、絕緣層⑷、電極(e)的結構的俯視圖。圖4是示意地示出本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光元件中的電流路徑的圖。圖5是示意地示出未設置透明電極開口部的發(fā)光元件中的電流路徑的圖。圖6是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光元件的變形例的從上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。圖7是本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光元件的從上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。圖8是本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光兀件的E-E方向(a)、F_F方向(b)、G_G方向(C)、H-H方向(d)、I-I方向(e)中的剖面圖。圖9是示出本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光元件中的η型GaN層(a)、ρ型GaN層
(b)、透明電極(C)、絕緣層⑷、電極(e)的結構的俯視圖。圖10是示意地示出本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光元件中的電流路徑的圖。圖11是示出本發(fā)明的第3實施方式的發(fā)光元件的電路結構的圖。圖12是本發(fā)明的第3實施方式的從發(fā)光元件的上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。圖13是本發(fā)明的第3實施方式的發(fā)光元件的J-J方向(a)、K-K方向(b)、L-L方向(C)中的剖面圖。圖14是現有的發(fā)光元件的一例的剖面圖。標號說明10、90、110、210 :發(fā)光元件；11 :襯底;20、91 :半導體發(fā)光功能層；21 :n型GaN層(第I半導體層)；22 :p型GaN層(第2半導體層);23 =MQff層(發(fā)光層)；30、96 :透明電極；31 :透明電極開口部；40:絕緣層；41 :p側觸點開口(第2開口部)；42:n側觸點開口(第I開口部)；43 :保護二極管第I觸點開口部；44 :保護二極管第2觸點開口部；51、94 p側電極(第2電極層)；52、95 :n側電極(第I電極層)；60 :凹陷區(qū)域；92 p型半導體層；93 :n型半導體層；220 :發(fā)光二極管；230 :保護二極管(二極管)；300 :元件分離區(qū)域；411 上部P側觸點開口部(P側觸點開口)；412 :上部P側觸點開口部上邊部；413 :上部P側觸點開口部彎曲部(彎曲部)；416:下部ρ側觸點開口部(P側觸點開口)；417:下部觸點開口部下邊部；418 :下部ρ側觸點開口部彎曲部(彎曲部)；511 :p側電極線狀部(線狀部)；512,516 p側焊盤區(qū)域(焊盤部)；513 p側電極上邊線狀部(線狀部)；514 p側電極左邊線狀部；515 :p側電極下邊線狀部(線狀部)；521 :n側電極線狀部(線狀部);522 n側焊盤區(qū)域(焊盤部)。
具體實施例方式下面，說明本發(fā)明的實施方式的發(fā)光元件。在該發(fā)光元件中，P側電極(陽極)和η側電極(陰極)均形成在半導體發(fā)光功能層中的一個主面?zhèn)?。并且，半導體發(fā)光功能層中的發(fā)光面呈矩形形狀。(第I實施方式)圖I是第I實施方式的發(fā)光元件10的從上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。并且，該俯視圖中的A-A方向、B-B方向、C-C方向、D-D方向的剖面圖分別為圖2(a) (d)。進而，分別從上表面(一個主面主要取出發(fā)光的一側)觀察該結構中的η型GaN層(第I半導體層)21、ρ型GaN層22、透明電極30、絕緣層40、電極(ρ側電極51、η側電極52)的俯視圖為圖3(a) (e)。在俯視觀察時，在圖I中，該發(fā)光元件10為左右方向長的矩形形狀。在該發(fā)光元件10中進行發(fā)光的半導體發(fā)光功能層20形成在襯底11上，具有由η型GaN層(第I半導體層、以下簡稱為η型層)21、MQW(Multi Quantum Well)層23、ρ型 GaN層(第2半導體層、以下簡稱為ρ型層)22構成的層疊結構。該結構中的主要發(fā)光層是MQW層23。并且，作為襯底11，例如可以使用藍寶石、SiC、Si等、能夠使η型GaN層21在該襯底11上異質外延生長的材料。這里，如圖3(a)所示，襯底11上的η型層21形成在圖I的結構的整面上。襯底11也同樣。在沿著圖I、圖2 (C)、圖3 (b)中的上邊側的凹陷區(qū)域60中，局部地去除P型層22。MQW層23也同樣。因此，在凹陷區(qū)域60中，在半導體發(fā)光功能層20的上表面?zhèn)嚷冻靓切蛯?1。另外，如上所述，η型層21在整面上形成，但是，在凹陷區(qū)域60中，η型層21也成為局部被蝕刻而挖下的形態(tài)。另外，如圖2(c)所示，其截面形狀為錐形形狀。在ρ型層22的表面(一個主面)的大部分分割形成有7個透明電極30。透明電極30之間的空隙(透明電極開口部31)比各個透明電極30的寬度小。并且，如圖3(c)所示，在凹陷區(qū)域60中不形成透明電極30。根據該結構，透明電極30與ρ型層22電連接。在形成有該透明電極30的半導體發(fā)光功能層20上形成絕緣層40。在絕緣層40中，如圖3(d)所示，ρ側觸點開口(第2開口部)41沿著圖I、圖3(d)中的下邊側，按照各個透明電極30的每一個形成在7個部位。根據該結構，在由絕緣層40覆蓋的表面，在ρ側觸點開口 41中露出透明電極30。η側觸點開口(第I開口部)42在圖3(b)中的凹陷區(qū)域60中沿著上邊形成。因此，在由絕緣層40覆蓋的表面，在η側觸點開口 42中露出η型層
21。另外，絕緣層40呈覆蓋由凹陷區(qū)域60和透明電極30的形狀而產生的段差部的形態(tài)。如圖I、圖3(e)所示，ρ側電極(第2電極層)51具有P側電極線狀部(線狀部)511，該ρ側電極線狀部511沿著下邊以包含全部ρ側觸點開口(第2開口部)41的方式線狀形成在絕緣層40上。并且，在ρ側電極51中，在左端部的區(qū)域中形成有寬度朝向上側變寬的P側焊盤區(qū)域(焊盤部)512。根據該結構，ρ側電極51經由絕緣層40中的ρ側觸點開口 41而與透明電極30連接，間接地與ρ型層22連接。如圖I、圖3(e)所示，η側電極(第I電極層)52具有η側電極線狀部(線狀部)521，該η側電極線狀部521沿著上邊以包含η側觸點開口(第I開口部)42的方式線狀形成在絕緣層40上。并且，在η側電極52中，在右端部形成有寬度朝向下側變寬的η側焊盤區(qū)域(焊盤部)522。根據該結構，η側電極52經由絕緣層40中的η側觸點開口 42而與η型層21直接連接。另外，由于存在絕緣層40，ρ側電極51與η型層21、η側電極52與ρ型層22等之間被電絕緣。這里，在使用Si作為襯底11的材料的情況下，特別是在使用硅的單晶襯底的情況下，可以摻雜雜質而具有高導電性，也可以不摻雜而具有高電阻率。適當設定其面方位，使得在該襯底上能夠異質外延生長優(yōu)質的半導體發(fā)光功能層20 (η型層21、MQW層23、ρ型層22)。η 型層 21、MQff 層 23、ρ 型層 22 能夠通過 MBE (Molecular Beam Epitaxy)法或MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法在襯底 11 上外延生長。在 η 型層21內適當摻雜成為施主的雜質，在P型層22內適當摻雜成為受主的雜質。η型層21的厚度例如可以設為5. O μ m左右，ρ型層22的厚度例如可以設為0. 2 μ m左右。并且，MQW層23例如具有層疊了多個厚度為幾nm 幾IOnm的InGaN、GaN薄膜的結構，InGaN、GaN的各層 與η型層21、ρ型層22同樣通過外延生長而形成。為了針對該半導體發(fā)光功能層20形成凹陷區(qū)域60，在凹陷區(qū)域60以外的區(qū)域形成光致抗蝕膜，將其作為掩模進行干蝕刻等。通過調整此時的光致抗蝕膜的形狀和干蝕刻等的條件，能夠調整凹陷區(qū)域60的截面的錐形形狀(角度)。作為能夠與ρ型層22歐姆接觸、且相對于半導體發(fā)光功能層20發(fā)出的光為透明的材料，透明電極30例如由ITO(Indium-Tin-Oxide)或ZnO (Zinc-Oxide)等構成。另外，為了提高與P型GaN層22之間的歐姆性和密合性等，可以在它們之間插入薄到光充分透過的程度的鈦(Ti)層或鎳(Ni)層。透明電極30的構圖可以使用以下任意一種方法在整面對上述透明電極材料進行成膜，在期望的部位形成光致抗蝕膜等掩模后進行蝕刻，去除期望部位以外的透明電極材料(蝕刻法)；在期望部位以外形成光致抗蝕膜等掩模后，在整面對上述透明電極材料進行成膜，然后通過去除掩模來去除期望部位以外的透明電極材料(剝離法)。另外，構成透明電極30的材料要求高的光透過率，所以，其導電率比構成ρ側電極51和η側電極52的材料的導電率低。因此，透明電極30的電阻一般比ρ側電極51和η側電極52的電阻高。絕緣層40由具有充分的絕緣性、且相對于該發(fā)光元件10(半導體發(fā)光功能層20)發(fā)出的光為透明的材料構成，例如由氧化硅(SiO2)構成。關于其形成，通過使用例如CVD(Chemical Vapor Deposition)法等,能夠在由于透明電極開口部31和凹陷區(qū)域60而產生的段差部，也以覆蓋性良好的方式形成該絕緣層40。ρ側觸點開口 41和η側觸點開口42能夠通過所述蝕刻法形成?；蛘撸{整半導體發(fā)光功能層20中的凹陷區(qū)域60的截面的錐形角度，使得利用絕緣層40充分覆蓋該截面。ρ側電極51由金(Au)等導電性高的金屬形成。η側電極52由與η型GaN層21進行歐姆接觸的材料構成。能夠與透明電極30的構圖同樣地進行ρ側電極51和η側電極52的構圖。構成ρ側電極51和η側電極52的材料不要求高的光透過率。因此，能夠使它們的導電率比構成透明電極30的透明電極材料的導電率高，能夠忽略ρ側電極51和η側電極52中的電阻(或者由于它們而引起的電壓下降)。另一方面，半導體發(fā)光功能層20發(fā)出的光不透過過P側電極51和η側電極52。另外,P側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522形成為分別比P側電極線狀部511和η側電極線狀部521粗，以便能夠分別針對ρ側電極51和η側電極52進行線鍵合。根據上述結構，如果在半導體發(fā)光功能層20中對ρ側電極51與η側電極52之間施加成為順向的電壓，則能夠使半導體發(fā)光功能層20發(fā)光。這里，主要的發(fā)光層是與圖I、圖3(b)中示出的ρ型層22相同形狀的MQW層23。因此，有助于發(fā)光的區(qū)域是圖3 (b)中的凹陷區(qū)域60以外的區(qū)域。從凹陷區(qū)域60以外的區(qū)域發(fā)出的光主要朝向設有透明電極30等的上表面?zhèn)劝l(fā)出。此時，透明電極30和絕緣層40相對于該光為透明的，但是，ρ側電極51和η側電極52相對于該光不是透明的,所以,在ρ側電極51和η側電極52存在的部位，該光被遮擋。與此相對，在圖I的結構中，使P側電極51和η側電極52的大部分(P側電極線狀部511和η側電極線狀部521)為左右方向細長的形態(tài)，從而減小被遮光的面積。并且，特別地，通過在發(fā)光區(qū)域的上下邊配置P側電極線狀部511和η側電極線狀部521，能夠減少基于P側電極51和η側電極52的遮光的影響。下面，說明在該發(fā)光元件10得到均勻發(fā)光的理由。這里，發(fā)光的不均勻性是由于透明電極30和ρ型層22的電阻高而引起的，所以，在它們長的方向中的不均勻性特別成為 問題。在圖I的結構中，該方向是左右方向。因此，下面對圖I中的特別是左右方向中的均勻性進行說明。為了提高該發(fā)光元件10的發(fā)光的均勻性，要求由P側電極51和η側電極52遮光的部位以外的部位中的發(fā)光強度均勻。該發(fā)光強度主要由圖I、圖3(b)中的面內各點的MQff層23、或者ρ型層22與η型層21之間流過的電流決定。即，在該各點中，需要使P型層22與η型層21之間流過的電流均勻化。此時，特別地，P型層22和透明電極30的電阻以及它們中的電壓下降的影響無法忽略，所以，該電流分布大大依賴于P側電極51、η側電極52、透明電極30等的形狀。從η型層21向η側電極52注入電流的部位是η側觸點開口 42的正下方。并且，從P側電極51向ρ型層22注入電流的部位是透明電極30整體的正下方，但是，透明電極30的電阻高，所以，其中電流密度最高的部位是ρ側觸點開口 41的正下方。因此，主要的電流路徑是從P側觸點開口 41到η側觸點開口 42之間。在上述結構中，難以從透明電極30之間的空隙(透明電極開口部31)向P型層22注入電流，所以，在透明電極30之間的空隙的正下方，在ρ型層22中也難以流過電流。因此，在P側觸點開口 41/η側觸點開口 42之間流過的電流的方向受到限制，在透明電極30的正下方的區(qū)域中，電流容易主要沿著透明電極30流動。圖4示意地示出該電流路徑。該電流路徑從左側起，如Dl D7所示，按照每個透明電極30從下側(P側觸點開口 41)朝向上側(η側觸點開口 42)流動。在上述結構中，電流路徑Dl D7的長度是ρ側觸點開口 41與η側觸點開口 42之間的距離，P側觸點開口 41與η側觸點開口 42平行，所以是相同的。并且，在與Dl D7對應的區(qū)域中，僅在左右端部(D1、D7)的區(qū)域中分別設置ρ側焊盤區(qū)域512、n側焊盤區(qū)域522，僅這點不同，但是，透明電極30的更下層的結構相同。因此，Dl D7中的電流分布也相同。即，能夠得到左右方向中的均勻的發(fā)光。在專利文獻2所記載的技術中，交替并聯設置多個P側電極和η側電極，從而使發(fā)光在面內均勻化。但是，P側電極和η側電極相對于發(fā)光是不透明的，所以，根據該結構，發(fā)光效率低下。與此相對，在該發(fā)光元件10中，透明電極30或它們之間的空隙并聯設置多個。由此，來自其下部的發(fā)光不會被遮擋。發(fā)光被大幅遮擋的部位是圖I中左下方的P側焊盤區(qū)域512和右上方的η側焊盤區(qū)域522所在的部位，但是，ρ側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522是鍵合所需要的最低限度的區(qū)域，而與結構無關。并且，與圖4同樣，圖5示出不將透明電極30分割成7個而使7個透明電極30 —體化的結構(比較例)時的電流分布。該情況下，在中央部存在沿傾斜方向流動的電流成分，與此相對，在左右端部附近沿傾斜方向流動的電流成分減少。因此，成為中央部電流大、左右端部的區(qū)域中電流小的分布，發(fā)光強度分布也同樣。
與此相對，在上述發(fā)光元件10中，(I) η側觸點開口(第I開口部)42和ρ側觸點開口(第2開口部)41分別沿著與矩形中對置的2邊(上邊、下邊)平行延伸的2條直線形成，(2)在這2條直線之間，形成多個沿與這2條直線垂直的方向延伸的透明電極30之間的空隙(透明電極開口部31)，由此，實現圖4的電流分布。因此，在上述結構中，進行電流的均勻化而不增加遮光面積，實現了發(fā)光的均勻化。另外，在上述例子中，作為遮光區(qū)域的P側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522分別形成在左下方和右上方。但是，只要P側電極51和η側電極52中的電阻能夠忽略，則與ρ側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522的位置無關，能夠得到ρ側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522以外的區(qū)域中的發(fā)光的均勻化效果。例如，如圖6所示，也可以將ρ側焊盤區(qū)域512設置在中央部的稍微靠左的下側，將η側焊盤區(qū)域522設置在中央部的稍微靠右側的上側。這樣，能夠根據發(fā)光元件的使用方式等，適當設定P側焊盤區(qū)域512和η側焊盤區(qū)域522。(第2實施方式)圖7是第2實施方式的發(fā)光元件110的從上表面?zhèn)扔^察的俯視圖。并且，該俯視圖中的E-E方向、F-F方向、G-G方向、H-H方向、I-I方向的剖面圖分別為圖8 (a) (e)。進而，分別從上表面(一個主面主要取出發(fā)光的一側)觀察該結構中的η型層21、p型層
22、透明電極30、絕緣層40、電極(P側電極51、n側電極52)的俯視圖為圖9(a) (e)。在俯視觀察時，該發(fā)光元件110呈圖7所示的大致正方形(I邊L)。與所述同樣，在該發(fā)光元件110中進行發(fā)光的半導體發(fā)光功能層20形成在襯底11上，具有由η型層21、MQW層23、ρ型層22構成的層疊結構。這里，如圖9(a)所示，襯底11上的η型層(第I半導體層)21成為在圖7的結構的整面形成的一邊長度為L的正方形。在圖7、圖8(c)、圖9(b)中的凹陷區(qū)域60中局部去除ρ型層(第2半導體層)22。這里，凹陷區(qū)域60形成在上下方向的中央部。在ρ型層22的表面(一個主面)的大部分形成有透明電極30。在透明電極30中，如圖7、圖9(c)所示，以等間隔的方式形成上下6條將圖中上下方向作為長度方向的透明電極開口部31。在透明電極開口部31中，ρ型層22局部露出。并且，如圖9(c)所示，不形成在凹陷區(qū)域60中。根據該結構，透明電極30與ρ型層22電連接，而不與η型層21連接。在形成有該透明電極30的半導體發(fā)光功能層20上形成絕緣層40。在絕緣層40中，如圖9(d)所示，形成有ρ側觸點開口(第2開口部)41和η側觸點開口(第2開口部)42。
ρ側觸點開口(第2開口部)41被分割成上部ρ側觸點開口部411和下部ρ側觸點開口部416。上部ρ側觸點開口部411呈在圖中左上方頂點彎曲的形狀，由上部ρ側觸點開口部上邊部412和上部ρ側觸點開口部彎曲部(彎曲部)413構成。下部ρ側觸點開口部416呈與其上下對稱的結構，由下部觸點開口部下邊部417和下部ρ側觸點開口部彎曲部(彎曲部)418構成。在絕緣層40中的ρ側觸點開口 41中露出透明電極30。另一方面，η側觸點開口 42形成在圖9(b)中的凹陷區(qū)域60中。因此，在絕緣層40中的η側觸點開口 42中露出η型層21。另外，絕緣層40呈覆蓋由凹陷區(qū)域60和透明電極30的形狀而產生的段差部的形態(tài)。如圖7、圖9(e)所示，P側電極51形成于在左邊和上下邊中包含P側觸點開口 41的區(qū)域上。并且，P側電極51由P側電極上邊線狀部(線狀部)513、ρ側電極左邊線狀部514、ρ側電極下邊線狀部(線狀部)515、在左邊中央部的區(qū)域中朝向右側變粗的ρ側焊盤區(qū)域(焊盤部)516構成。根據該結構，P側電極51經由絕緣層40中的2個部位的ρ側觸點開口 41 (上部ρ側觸點開口部411、下部ρ側觸點開口部416)與透明電極30連接，間接 地與P型層22連接。并且，根據該結構，上部ρ側觸點開口部411和下部ρ側觸點開口部416中的透明電極30在單一的連續(xù)的ρ側電極51連接,作為遮光部的P側焊盤區(qū)域516僅在必要最低限度的I個部位進行設置。設有P側焊盤區(qū)域516的部位為上下方向的中央部，以便維持發(fā)光元件110中的上下方向的對稱性。如圖7、圖9(e)所示，η側電極52具有η側電極線狀部(線狀部)521，該η側電極線狀部521在上下方向的中央部從左側朝向右側在包含η側觸點開口 42的區(qū)域上延伸。并且，在η側電極52中，在右側端部形成有朝向上下側變寬的η側焊盤區(qū)域(焊盤部)522。根據該結構，η側電極52經由絕緣層40中的η側觸點開口 42而與η型層21直接連接。另夕卜，在上下方向的中央部的左端存在有所述P側焊盤區(qū)域516，所以，η側觸點開口 42和η側電極52向左側延伸到未到達ρ側焊盤區(qū)域516的位置。即，η側觸點開口 42未到達ρ側焊盤區(qū)域516。在上述結構中，如圖9(b)所示，有助于發(fā)光的區(qū)域是凹陷區(qū)域60以外的區(qū)域。凹陷區(qū)域60是位于圖9(b)所示的上下方向中央部的細長區(qū)域，所以，在發(fā)光元件110整體的面積中所占的比例小。即，在該發(fā)光元件110中，能夠增大有助于發(fā)光的面積。并且，遮擋該光的區(qū)域是圖9(e)所示的ρ側電極51和η側電極52。其中，P側電極51中的ρ側電極上邊線狀部(線狀部)513、ρ側電極左邊線狀部514、ρ側電極下邊線狀部(線狀部)515是沿著上邊、左邊、下邊的細長區(qū)域，它們對遮光的影響小。η側電極52中的η側電極線狀部(線狀部)521是與無助于發(fā)光的凹陷區(qū)域60大致相等的區(qū)域。因此，遮光的影響最大的區(qū)域是P側焊盤區(qū)域516和η側焊盤區(qū)域522。但是，它們是實施線鍵合所需要的最小限度的區(qū)域。在上述結構中，分別沿著上下邊線狀設置上部ρ側觸點開口部上邊部412和下部觸點開口部下邊部417，在夾在它們之間的中央部，以與它們平行的方式線狀設置η側觸點開口 42。根據該結構，在I邊為L的正方形的發(fā)光元件110中，將圖7中的上下方向中的ρ側觸點開口 41 (上部ρ側觸點開口部上邊部412、下部觸點開口部下邊部417)與η側觸點開口 42的間隔減小為大約L/2。S卩，在該發(fā)光元件110中，在被上下2邊夾著的中央部形成η側觸點開口(第I開口部)42，在這些2邊側的兩端部側形成ρ側觸點開口(第2開口部)，由此，與采用與第I實施方式相同的結構的情況相比，它們之間的電流路徑的長度大約為1/2。由此，能夠使該方向中的電流分布均勻化。進而，在圖7中的上半部分和下半部分的區(qū)域中的透明電極30中，分別形成6條透明電極開口部31。該透明電極開口部31與第I實施方式中的透明電極30之間的空隙相
坐寸ο因此，可以考慮在圖7中的各個上半部分和下半部分中，在最左側的透明電極開口部31的右側分別形成第I實施方式的發(fā)光元件10。S卩，能夠在圖7中的各個上半部分和下半部分中的大部分區(qū)域中得到均勻的發(fā)光。并且，在η側觸點開口(第I開口部)42延伸的線上的兩端部側形成η側焊盤區(qū)域522和ρ側焊盤區(qū)域516，實現從η側觸點開口觀察為上下對稱的結構。因此，上半部分和下半部分中的發(fā)光也對稱。因此，在圖7中的最左側的透明電極開口部31的右側，在無助于發(fā)光的凹陷區(qū)域60和遮光區(qū)域(ρ側電極51所在的區(qū)域和η側焊盤區(qū)域522所在的區(qū)域)以外的面內，能夠得到均勻的發(fā)光。但是，與第I實施方式的發(fā)光元件10大大不同之處在于，由于存在P側焊盤區(qū)域516，η側觸點開口 42未到達左端部。因此，圖7中的最左側的透明電極開口部31的左側區(qū)域與第I實施方式的發(fā)光元件10不同?？紤]以上方面，圖10利用箭頭示出電流從P側觸點開口 41流到η側觸點開口 42的路徑。如上所述，上半部分中的最左側的透明電極開口部31的右側的電流路徑與第I實施方式相同，成為Dll D16。在下半部分中，以朝向和它們上下逆轉的形態(tài)成為D17 D22。與第I實施方式同樣，Dll D16、D17 D22中的電流分布分別相同。并且，該發(fā)光元件110具有從η側觸點開口 42觀察為上下對稱的結構，結果，沿著電流路徑Dll D22的電流分布也對稱。因此，在最左側的透明電極開口部31的右側，在面內得到均勻的發(fā)光。另一方面，在最左側的透明電極開口部31的左側區(qū)域中的上半部分中，支配性的電流路徑為D31，同樣地，在下半部分中，支配性的電流路徑為D32。它們均是從ρ側觸點開口 41到η側觸點開口 42的最短距離的路徑。D31從上部ρ側觸點開口部彎曲部413的前端部(下端部)到η側觸點開口 42的左端部，D32從下部ρ側觸點開口部彎曲部418的前端部(上端部)到η側觸點開口 42的左端部。D31、D32的電流路徑的方向與Dll等不同，成為從圖10中的上下方向傾斜的角度。在上述發(fā)光元件10中，設D31、D32的路徑長度與Dll等相等，成為L/2。S卩，使η側觸點開口 42的前端部到彎曲部(上部ρ側觸點開口部彎曲部413、下部ρ側觸點開口部彎曲部418)的前端部的距離和上部ρ側觸點開口部上邊部412與η側觸點開口 42的間隔、下部觸點開口部下邊部417與η側觸點開口 42的間隔相等。通過在ρ側觸點開口 41 (上部P側觸點開口部411、下部ρ側觸點開口部416)中設置彎曲部(上部P側觸點開口部彎曲部413、下部ρ側觸點開口部彎曲部418)，能夠實現該結構?；蛘?，在D31、D32的路徑長度不與Dll等嚴格相等的情況下，通過在ρ側觸點開口 41設置這種彎曲部，也能夠使D31、D32的路徑長度接近Dll等。根據該結構，能夠使圖10中的最左側的透明電極開口部31的左側區(qū)域中的發(fā)光強度與其右側區(qū)域中的發(fā)光強度相同。由此，能夠使無助于發(fā)光的凹陷區(qū)域60、由ρ側電極、41、n側電極42遮光的狹窄區(qū)域以外的整面中的發(fā)光元件10的發(fā)光強度在面內均勻。S卩，該發(fā)光元件110的發(fā)光效率高，并且發(fā)光強度中的面內均勻性高。另外，在上述結構中，可知，即使使η側觸點開口和η側電極等與ρ側觸點開口和P側電極等逆轉，也能夠發(fā)揮同樣的效果。即，即使在上下方向的中央部設置P側觸點開口等，沿著上下邊、左邊設置凹陷區(qū)域、η側觸點開口等，也是同樣的。即，如果在被上下邊夾著的中央部形成第I開口部和第2開口部中的一方，在上下邊側的兩端部側形成第I開口部和第2開口部中的另一方，也能夠發(fā)揮同樣的效果。并且，在第I、第2實施方式中，可知，半導體發(fā)光功能層不形成在襯底上，也能夠發(fā)揮上述效果。并且，在使用襯底的情況下，也可以在襯底與半導體發(fā)光功能層之間插入用于提高半導體發(fā)光功能層的結晶性的緩沖層。只要在半導體發(fā)光功能層的同一主面?zhèn)刃纬?個電極，襯底和緩沖層可以是絕緣性的，也可以是導電性的。(第3實施方式) 第3實施方式的發(fā)光元件210具有如下結構在襯底上利用單片連接具有與第I實施方式的發(fā)光元件10類似的結構的發(fā)光二極管和保護二極管(二極管)。圖11是該結構的發(fā)光元件210的電路圖。這里，發(fā)光二極管220和保護二極管230反向連接。該情況下，在對發(fā)光二極管220施加過大的電壓的情況下，保護二極管230通過齊納效應而成為導通狀態(tài)，使電流旁通，由此，保護發(fā)光二極管220。圖12是與圖I同樣地示出該發(fā)光元件210的結構的俯視圖。并且，圖13(a)
(c)分別是該發(fā)光元件210中的保護二極管部周邊的J-J方向、K-K方向、L-L方向的剖面圖。這里，發(fā)光二極管220中的半導體發(fā)光功能層20利用與第I、第2實施方式相同的材料形成在襯底上。并且，構成保護二極管230的材料也利用同樣的材料形成在同一襯底上。它們形成在同一襯底11上。圖12中的X所示的區(qū)域是具有與第I實施方式的發(fā)光元件10類似的結構的區(qū)域。在該結構中，P側焊盤區(qū)域511在第I實施方式中位于左側，與此相對，這里配置在右側，僅這點不同。因此，這里省略其詳細說明。另一方面，圖12中的Y所示的區(qū)域是形成有保護二極管230的區(qū)域。該保護二極管利用與發(fā)光二極管220中的發(fā)光功能層20相同的結構，所以，能夠在同一襯底11上形成發(fā)光二極管220和保護二極管230。S卩，在襯底11上依次形成η型層21、MQW層23、ρ型層22，對它們進行構圖，由此，在圖12中的X所示的區(qū)域中形成發(fā)光二極管220，在Y所示的區(qū)域中形成保護二極管230。在它們之間的區(qū)域(元件分離區(qū)域300)中，利用蝕刻來去除ρ型層22、MQff層23、η型層21，由此，能夠使發(fā)光二極管220和保護二極管230電分離。然后，連接P側電極51和η側電極52以構成圖11的電路，由此得到發(fā)光元件210。如圖12、圖13所示，絕緣層40跨越元件分離區(qū)域300而形成在包含區(qū)域Y的發(fā)光元件210的整面。此時,成為如下形態(tài)在元件分離區(qū)域300中，對ρ型層22、MQW層23、η型層21進行蝕刻后的槽的側面由絕緣層40覆蓋，并且，利用絕緣層40埋入該槽。并且，下側的P側電極51和上側的η側電極52跨越元件分離區(qū)域300而延伸到區(qū)域Y。如圖12中的J-J方向的剖面圖即圖13(a)所示，在區(qū)域Y中，P側電極51在絕緣層40中的保護二極管第I觸點開口部43中與η型層21連接。由此，ρ側電極51與區(qū)域Y中的η型層21連接。并且，η側電極52在絕緣層40中的保護二極管第2觸點開口部44中與透明電極30連接。由此，η側電極52與區(qū)域Y中的ρ型層22間接地連接。通過區(qū)域Y中的η型層21、MQW層23、ρ型層22形成保護二極管230。因此，根據上述結構，實現圖11的電路結構。即，根據該結構，在區(qū)域X中由半導體發(fā)光功能層20構成的發(fā)光二極管與在區(qū)域Y中形成的保護二極管以順向變?yōu)榉聪虻姆绞讲⒙撨B接。在該發(fā)光元件210中，在右側形成具有與第I實施方式的發(fā)光元件10相同的結構的發(fā)光二極管220，所以，得到發(fā)光強度的高均勻性。另一方面，保護二極管230形成在同一襯底11上，所以，難以由于電涌等而破損，得到高可靠性。并且，同時得到發(fā)光二極管220和保護二極管230，所以，能夠實現該發(fā)光元件210的低成本化。另外，在上述結構中，將ρ側焊盤區(qū)域511和η側焊盤區(qū)域521配置在區(qū)域X中的右側，但是，設置它們的場所是任意的。例如，如果在區(qū)域Y中形成它們，則在區(qū)域X中遮光面積減小，所以，得到高發(fā)光效率。相反，如果將P側焊盤區(qū)域511和η側焊盤區(qū)域521配置在區(qū)域X中，則能夠增大保護二極管230的面積，所以，能夠進一步提高針對電涌等的耐 受性。并且，在上述例子中，使用Si襯底，在區(qū)域Χ、Υ中使用由η型層21、MQW層23、ρ型層22構成的同一層疊結構，但是，例如通過僅在區(qū)域Y中實施離子注入等，也能夠使這些層的特性在區(qū)域X、Y中不同。由此，能夠得到作為保護二極管230的更加良好的特性。并且，在上述結構中，作為半導體發(fā)光功能層20，記載了在襯底11上形成作為第I半導體層的η型GaN層21、作為發(fā)光層的MQW層23、作為第2半導體層的ρ型GaN層22的例子。但是，可知，在不使用MQW層23的情況下，還作為單純使用ρη結的發(fā)光二極管(LED)進行動作?；蛘?，作為發(fā)光層，也可以使用上述結構的MQW層以外的結構的層。并且，可以利用GaN以外的材料構成半導體發(fā)光功能層。該情況下，可以根據發(fā)光波長來設定半導體材料。并且，在上述例子中，在襯底11側形成η型半導體層(第I半導體層)，在該η型半導體層上形成P型半導體層(第2半導體層)，但是，可知，在上側的半導體層中的導電率低的情況下，即使它們的導電類型相反，也能夠發(fā)揮同樣的效果。即，如果構成為第I半導體層與第2半導體層的導電類型相反、與這些半導體層連接的2個電極形成在半導體發(fā)光功能層的一個主面?zhèn)?，則上述結構是有效的。并且，在外延生長中，首先，最初在襯底上形成導電性高的η型層，在該η型層上形成導電性低的P型層和透明電極，在該結構中，可知上述結構特別有效。這種結構在以上述GaN為首的氮化物半導體中特別顯著，所以，上述結構在使用該材料的發(fā)光元件中特別有效。并且，可知，在使用由Si以外的材料構成的襯底的情況下，也發(fā)揮同樣效果。并且，在上述例子中，設半導體發(fā)光功能層等的端部和元件分離區(qū)域中的槽的截面為錐形形狀，成為隔著絕緣層利用η側電極和ρ側電極覆蓋它們的形態(tài)。但是，在這些部位中，如果是通過絕緣層確保η側電極、ρ側電極與ρ型層、η型層之間的絕緣性的情況，則不需要為錐形形狀。并且，在上述例子中，設發(fā)光元件為矩形形狀，但是，只要能夠發(fā)揮上述效果，則不需要為嚴格的矩形形狀。
權利要求
1.ー種發(fā)光元件，其使用在具有第I導電類型的第I半導體層上形成具有第2導電類型的第2半導體層而成的半導體發(fā)光功能層，其中，該第2導電類型是與所述第I導電類型相反的導電類型，在所述半導體發(fā)光功能層中的形成有所述第2半導體層的一側的主面上具有與所述第2半導體層直接接觸的透明電極、形成于該透明電極上的絕緣層、形成于該絕緣層上且在設于前記絕緣層中的第I開ロ部中與所述第I半導體層直接接觸的第I電極層、以及形成于所述絕緣層上且在設于所述絕緣層中的第2開ロ部中與所述透明電極直接接觸的第2電極層，該發(fā)光元件俯視觀察為大致矩形形狀，該發(fā)光元件的特征在干， 所述第I開ロ部和所述第2開ロ部具有分別沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分，在所述透明電極中，在所述2條直線之間形成有在與所述2條直線垂直的方向上延伸的多個透明電極開ロ部。
2.根據權利要求I所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I電極層和所述第2電極層分別具有分別與所述2條直線平行延伸的呈線狀形態(tài)的線狀部、以及寬度比該線狀部寬的焊盤部。
3.根據權利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述2邊是沿著所述大致矩形形狀的長度方向的2邊，所述第I開ロ部和所述第2開ロ部分別形成于所述2邊側的端部側。
4.根據權利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的一方形成于被所述2邊夾著的中央部，所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的另一方形成于所述2邊側的兩端部側。
5.根據權利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部形成于所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的一方延伸的線上。
6.根據權利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部分別形成于所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的一方延伸的線上的與所述2邊垂直的2邊側的兩端部側， 所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的另一方在與所述第I電極層和所述第2電極層的一方中的設有所述焊盤部的一側對置的邊側，具有沿著該對置的邊側的彎曲部，其中，所述第I電極層和所述第2電極層的一方與所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的一方直接連接。
7.根據權利要求6所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的一方的前端部與所述彎曲部的前端部之間的距離，與從設有所述彎曲部的所述第I開ロ部和所述第2開ロ部中的另一方中的沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分到所述第I開ロ部和所述第2開ロ部的中的一方的間隔大致相等。
8.根據權利要求2 7中的任意一項所述的發(fā)光兀件,其特征在于， 所述第I半導體層通過外延生長而形成于襯底上。
9.根據權利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在干， 在所述線狀部延伸的ー個方向的延長線上的所述襯底上，隔著所述襯底上的局部地去除半導體層后的元件分離區(qū)域形成有ニ極管，所述第I電極層和所述第2電極層跨越所述元件分離區(qū)域而在形成有所述ニ極管的區(qū)域上延伸，使用所述半導體發(fā)光功能層形成的發(fā)光二極管和所述ニ極管以順向變?yōu)榉聪虻姆绞讲⒙撨B接。
10.根據權利要求9所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述焊盤部在形成有所述ニ極管的區(qū)域上形成。
11.根據權利要求I 10中的任意ー項所述的發(fā)光元件，其特征在干， 所述第I半導體層由n型氮化物半導體構成，所述第2半導體層由p型氮化物半導體構成。
全文摘要
在半導體發(fā)光功能層的一個面上形成2個電極的結構的發(fā)光元件中，得到高發(fā)光效率，并且在面內得到均勻的發(fā)光強度。在發(fā)光元件(10)中，(1)n側觸點開口(第1開口部)(42)和p側觸點開口(第2開口部)(41)分別沿著與矩形中對置的2邊(上邊、下邊)平行延伸的2條直線形成，(2)在這2條直線之間，形成多個沿與這2條直線垂直的方向延伸的透明電極(30)之間的空隙(透明電極開口部(31))，由此，進行電流的均勻化而不增加遮光面積，實現了發(fā)光的均勻化。
文檔編號H01L33/38GK102738343SQ20121007469
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月20日 優(yōu)先權日2011年3月30日
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