有機(jī)發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于，提供一種在提高空穴注入特性的耐溶解性的同時(shí)，發(fā)揮良好的空穴注入效率，從而可望具有優(yōu)異的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光元件。在基板10的一面上依次層疊陽(yáng)極2、空穴注入層4、緩沖層6A、發(fā)光層6B、陰極8而構(gòu)成有機(jī)EL元件1。發(fā)光區(qū)域被堤5分區(qū)?？昭ㄗ⑷雽?是以規(guī)定條件成膜的、含有氧缺失部分的氧化鎢層，在電子狀態(tài)中在比價(jià)電子帶最低的結(jié)合能還低1.8～3.6eV的結(jié)合能的范圍內(nèi)存在占有能級(jí)。成膜后在200℃以上230℃以下的溫度、空氣中燒成15分鐘以上45分鐘以下，能夠使膜密度增大，提高對(duì)堤形成工序時(shí)中使用的蝕刻液、清洗液等的耐溶解性。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及作為電發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光元件(以下，稱為“有機(jī)EL元件”)，尤其涉及用于在從低輝度(brightness)到作光源用等的高輝度的廣泛的輝度范圍以低電力進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，使用有機(jī)半導(dǎo)體的各種功能元件的研究開(kāi)發(fā)得到不斷進(jìn)展。
[0003]作為代表性的功能元件，有有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件是電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件，具有在由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的電極對(duì)之間設(shè)有包含有機(jī)材料的功能層的結(jié)構(gòu)。功能層包括發(fā)光層、緩沖層等。有時(shí)在功能層與陽(yáng)極之間設(shè)置用于注入空穴的空穴注入層。在電極對(duì)之間施加電壓，利用電致發(fā)光現(xiàn)象進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，電致發(fā)光現(xiàn)象是通過(guò)從陽(yáng)極注入到功能層的空穴和從陰極注入到功能層的電子的再結(jié)合(復(fù)合)而產(chǎn)生的。具有由于進(jìn)行自發(fā)光因而視覺(jué)識(shí)別性高、且由于是完全固體元件因而耐沖擊性優(yōu)異等的特征，因此，有機(jī)EL元件作為各種顯示裝置中的發(fā)光元件或光源的利用受到注目。
[0004]有機(jī)EL元件根據(jù)使用的功能層材料的種類而被大致分為兩類。第一類是蒸鍍型有機(jī)EL元件，其主要以有機(jī)低分子材料作為功能層材料，是用蒸鍍法等真空工藝使該材料成膜而成的。第二類是涂布型有機(jī)EL元件，其以有機(jī)高分子材料或薄膜形成性良好的有機(jī)低分子材料作為功能層材料，是通過(guò)噴墨法或照相凹版(gravure)印刷法等濕式工藝使該材料成膜而成的。
[0005]至今，由于發(fā)光材料的發(fā)光效率高、驅(qū)動(dòng)壽命長(zhǎng)等原因，蒸鍍型有機(jī)EL元件的開(kāi)發(fā)較為領(lǐng)先(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)，在手機(jī)用顯示器、小型電視機(jī)等領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始實(shí)用化。
[0006]蒸鍍型有機(jī)EL元件很適合小型有機(jī)EL面板用途，但例如應(yīng)用于100英寸級(jí)的全色大型有機(jī)EL面板卻非常困難。其主要原因在于制造技術(shù)。在使用蒸鍍型有機(jī)EL元件制造有機(jī)EL面板時(shí),一般在將發(fā)光層按各顏色(例如R、G、B)分開(kāi)成膜時(shí)使用掩模蒸鍍法。但是，當(dāng)面板面積大時(shí)，由于掩模與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)的差異等，難以確保掩模的對(duì)位精度，因此無(wú)法制作正常的顯示器。為了克服這些問(wèn)題，有在整個(gè)面使用白色的發(fā)光層，并設(shè)置RGB濾色器(濾色片)來(lái)避免分別涂布的方法，但在該情況，能夠取出的光為發(fā)光量的1/3，因此在原理上具有功耗增大的缺點(diǎn)。
[0007]于是，對(duì)于該有機(jī)EL面板的大型化，開(kāi)始嘗試使用涂布型有機(jī)EL元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。如上所述，在涂布型有機(jī)EL元件中，通過(guò)濕式工藝制作功能層。在該工藝中，在規(guī)定位置分別涂布功能層時(shí)的位置精度基本上不依賴于基板尺寸，因此具有對(duì)于大型化的技術(shù)障礙低的優(yōu)點(diǎn)。
[0008]另一方面，還盛行著提高有機(jī)EL元件的發(fā)光效率的研究開(kāi)發(fā)。為了使有機(jī)EL元件以高效率、低功耗且高輝度發(fā)光，從電極向功能層高效地注入載流子(空穴和電子)尤為重要。一般來(lái)說(shuō)，要使載流子高效地注入，在各個(gè)電極與功能層之間設(shè)置用于降低注入時(shí)的能壘(注入勢(shì)壘)的注入層很有效。其中，作為空穴注入層，使用以酞菁銅(CuPc)等有機(jī)低分子的蒸鍍膜、由PEDOT:PSS等的有機(jī)高分子溶液形成的涂布膜、或者氧化鑰等無(wú)機(jī)物的蒸鍍膜和濺射膜等。其中有在使用氧化鑰的有機(jī)EL元件中，空穴注入效率得到了改善、壽命得到了改善的報(bào)告(例如參照專利文獻(xiàn)3)。空穴注入層形成于由ITO、IZO等的透明導(dǎo)電膜、或者鋁等的金屬膜、或者它們的疊層構(gòu)成的陽(yáng)極的表面上。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)1:日本專利3369615號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)2:日本專利3789991號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2005-203339號(hào)公報(bào)
[0014]非專利文獻(xiàn)
[0015]非專利文獻(xiàn)1: Jingze Li 等、Synthetic Metalsl51、141 (2005).[0016]非專利文獻(xiàn)2:渡邊寬己等，有機(jī)EL討論會(huì)第7次例會(huì)預(yù)備稿集，17 (2008)
[0017]非專利文獻(xiàn)3:Hyunbok Lee 等、Applied Physics Letters93>043308 (2008).[0018]非專利文獻(xiàn)4:中山泰生等，有機(jī)EL討論會(huì)第7次例會(huì)預(yù)備稿集5(2008).[0019]非專利文獻(xiàn)5:Kaname Kanai 等、Organic ElectronicslK 188 (2010).[0020]非專利文獻(xiàn)6:1.N.Yakovkin 等、Surface Science601、1481 (2007).
【發(fā)明內(nèi)容】

[0021]發(fā)明要解決的課題
[0022]然而，在制造具有上述優(yōu)點(diǎn)的有機(jī)EL元件時(shí)也存在問(wèn)題。
[0023]氧化鎢，雖然空穴注入特性優(yōu)異，但在基板上成膜后，通過(guò)在堤形成工序中暴露于蝕刻液、清洗液中，膜的一部分被溶解，發(fā)生膜厚減少的所謂“失膜”的問(wèn)題。
[0024]若失膜過(guò)度發(fā)生，則不僅作為空穴注入層所需要的膜厚的設(shè)定變得困難，而且空穴注入層的膜表面的狀態(tài)變粗糙，其狀態(tài)整體不均勻，所以有影響空穴注入特性之虞。
[0025]本發(fā)明是鑒于以上課題完成的，是將能夠兼顧空穴注入特性、和相對(duì)于有機(jī)EL面板的量產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性的空穴注入層用于有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)明。
[0026]具體地說(shuō)，本發(fā)明的目的是提供，通過(guò)提高空穴注入特性的耐溶解性的同時(shí)，發(fā)揮良好的空穴注入效率，從而能夠期待優(yōu)異的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光元件和其制造方法。
[0027]解決課題的手段
[0028]為了解決上述課題，本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件具有:由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)，在前述陽(yáng)極和前述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層，在前述陽(yáng)極和前述有機(jī)層之間形成的、膜密度為5.8g/cm3以上6.0g/cm3以下的含有氧化鎢的氧化鎢層，以及用于區(qū)劃前述有機(jī)層的隔壁。發(fā)明效果
[0029]本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件，在陽(yáng)極和有機(jī)層之間設(shè)置有膜密度為5.8g/cm3以上6.0g/cm3以下、含有氧化鎢的氧化鎢層。該氧化鎢層的膜密度范圍是經(jīng)本發(fā)明人進(jìn)行深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)的能夠在保持良好的空穴注入特性的同時(shí)，相對(duì)于堤形成工序中的蝕刻液、清洗液的耐溶解性優(yōu)異的范圍。由此，本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件，能夠在減少失膜量的同時(shí)構(gòu)建作為良好的空穴注入層的氧化鎢層。[0030]進(jìn)而，只要是限定在該膜密度范圍的氧化鎢層，則能夠通過(guò)以規(guī)定的低速率成膜條件成膜，還能夠使膜中的淺結(jié)合能域中存在占有能級(jí)，發(fā)揮良好的空穴注入特性。由此，能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件，同時(shí)能夠期待發(fā)揮優(yōu)異的發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1是表示實(shí)施方案I涉及的有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0032]圖2是表示空穴單載流子元件的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0033]圖3是表示空穴單載流子元件的驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)空穴注入層的成膜條件的依賴性的曲線圖。
[0034]圖4是表示空穴單載流子元件的施加電壓和電流密度的關(guān)系曲線的器件特性圖。
[0035]圖5是表示有機(jī)EL元件的施加電壓和電流密度的關(guān)系曲線的器件特性圖。
[0036]圖6是表示有機(jī)EL元件的電流密度和發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系曲線的器件特性圖。
[0037]圖7是表示光電子能譜測(cè)定用的樣品的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0038]圖8是氧化鎢層的UPS譜圖。
[0039]圖9是氧化鎢層的UPS譜圖。
[0040]圖10是表示圖9的UPS譜圖的微分曲線的圖。
[0041]圖11是在空氣中暴露的氧化鎢層的UPS譜圖。
[0042]圖12 —并示出本發(fā)明的氧化鎢層的UPS譜圖和XPS譜圖。
[0043]圖13是本發(fā)明的氧化鎢層和a -NPD層的界面能圖。
[0044]圖14是用于說(shuō)明空穴注入層和功能層的注入位置的效果的圖。
[0045]圖15是成膜條件C的氧化鎢層與a -NPD層的界面能圖。
[0046]圖16是表示相對(duì)于氧化鎢成膜速率，失膜量與驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的圖線。
[0047]圖17是表示相對(duì)于氧化鎢膜密度，WOx失膜量與驅(qū)動(dòng)電壓之間的關(guān)系的圖線。
[0048]圖18是各成膜條件所涉及的氧化鎢膜的UPS譜圖的比較圖。
[0049]圖19是表示氧化鎢的膜密度和失膜量的關(guān)系的圖線。
[0050]圖20是用于說(shuō)明氧化鎢成膜后導(dǎo)入燒成工序的效果的圖。
[0051]圖21是顯示相對(duì)于氧化鎢膜密度，失膜量與面板面內(nèi)膜厚變動(dòng)之間的關(guān)系的圖線。
[0052]圖22是顯示氧化鎢膜的膜厚變動(dòng)與電流效率的變動(dòng)之間的關(guān)系的圖線。
[0053]圖23是顯示相對(duì)于燒成時(shí)間，失膜量與膜密度的關(guān)系的圖線。
[0054]圖24是表示實(shí)施方案2涉及的有機(jī)EL元件IC的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖(a)、和空穴注入層4A附近的局部放大圖(b)。
[0055]圖25是表示空穴單載流子元件ID的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0056]圖26是說(shuō)明實(shí)施方案2涉及的有機(jī)EL元件IC的制造方法的工序圖。
[0057]圖27是說(shuō)明實(shí)施方案2涉及的有機(jī)EL元件IC的制造方法的工序圖。
[0058]圖28是說(shuō)明實(shí)施方案2涉及的有機(jī)EL元件IC的制造方法的工序圖。
[0059]圖29是說(shuō)明實(shí)施方案2的變形例涉及的有機(jī)EL元件IC的制造方法的工序圖。
[0060]圖30是說(shuō)明實(shí)施方案2的變形例涉及的有機(jī)EL元件IC的制造方法的工序圖。
[0061]圖31是表示空穴單載流子元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的器件特性圖。
[0062]圖32是表示有機(jī)EL元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的器件特性圖。
[0063]圖33是氧化鎢層的通過(guò)HXPS測(cè)定得到的歸屬于W5p3/2、W4f5/2、Mfm的譜圖。
[0064]圖34是表示圖33所示的樣品α的峰擬合(peak fitting)解析結(jié)果的圖(a)、和樣品ε的峰擬合解析結(jié)果的圖(b)。
[0065]圖35是氧化鎢層的UPS譜圖。
[0066]圖36是用于說(shuō)明三氧化鎢結(jié)晶的結(jié)構(gòu)的圖。
[0067]圖37是氧化鎢層的截面TEM照片。
[0068]圖38是圖37所示的TEM照片的二維傅里葉變換圖像。
[0069]圖39是說(shuō)明由圖38所示的二維傅里葉變換圖像制作輝度變化曲線(plot)的過(guò)程的圖。
[0070]圖40是表示樣品α、β、Y的二維傅里葉變換圖像和輝度變化曲線的圖。
[0071]圖41是表示樣品δ、ε的二維傅里葉變換圖像和輝度變化曲線的圖。
[0072]圖42是樣品α、ε的輝度變化曲線((a)、(b))、各輝度變化曲線中的距中心點(diǎn)最近處顯現(xiàn)的峰附近的放大圖((al)、(bl))、和表示(al)以及(bl)的各輝度變化曲線的I次微分的圖((a2)、(b2))。
[0073]圖43是示意地表示氧化鎢層主要以納米晶體結(jié)構(gòu)形成的情況的空穴傳導(dǎo)的圖
(a)、和主要以非晶結(jié)構(gòu)形成的情況的空穴傳導(dǎo)的圖(b)。
[0074]圖44是表示變形例涉及的有機(jī)EL面板的一部分的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0075]<發(fā)明方案>
[0076]作為本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件具有:由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)，在前述陽(yáng)極和前述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層；在前述陽(yáng)極和前述有機(jī)層之間形成的、膜密度為5.8g/cm3以上6.0g/cm3以下的含有氧化鎢的氧化鎢層；以及、用于區(qū)劃前述有機(jī)層的隔壁。
[0077]通過(guò)形成這樣膜密度的氧化鎢層，能夠保持良好的空穴注入特性，并且對(duì)堤形成工序中的蝕刻液、清洗液發(fā)揮耐溶解性。由此，本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件，能夠構(gòu)建作為良好的空穴注入層的氧化鎢層。
[0078]進(jìn)而，該氧化鎢層，通過(guò)以規(guī)定的低速率成膜條件成膜，能夠使膜中的淺結(jié)合能域存在占有能級(jí)，發(fā)揮良好的空穴注入特性。因此，在低電壓驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，還能夠期待發(fā)揮優(yōu)異的發(fā)光效率。
[0079]在此，本發(fā)明的另一方案，可以是所述隔壁在所述氧化鎢層形成之后設(shè)置。
[0080]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是所述氧化鎢層，通過(guò)局部性地除去所述有機(jī)層側(cè)的表面，而具有呈向所述陽(yáng)極側(cè)凹入的結(jié)構(gòu)的洼陷部。
[0081 ] 此外，本發(fā)明的另一方案，可以是在所述氧化鎢層的所述凹入結(jié)構(gòu)中，凹入深度比凹部?jī)?nèi)的底部厚度小。
[0082]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是在所述氧化鎢層的電子狀態(tài)中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域具有占有能級(jí)。[0083]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是在所述氧化鎢層的UPS譜圖或XPS譜圖中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域內(nèi)具有隆起來(lái)的形狀。
[0084]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是在所述氧化鎢層的UPS譜圖的微分譜圖中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域具有以與指數(shù)函數(shù)不同的函數(shù)表現(xiàn)出來(lái)的譜圖形狀。
[0085]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是所述氧化鎢層含有價(jià)數(shù)6價(jià)鎢原子和價(jià)數(shù)5價(jià)鎢原子，所述5價(jià)鎢原子的含量除以所述6價(jià)鎢原子的含量的值W5+ /W6+為3.2%?7.4%。
[0086]此外，本發(fā)明的另一方案，可以是所述氧化鎢層含有氧原子部分性地與鎢原子結(jié)合的氧缺失結(jié)構(gòu)，并且，所述氧化鎢層對(duì)蝕刻處理所述隔壁時(shí)使用的蝕刻液具有耐溶解性。
[0087]此外，本發(fā)明的一方案的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光元件具有:由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)，在所述陽(yáng)極和所述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層，在所述陽(yáng)極和所述有機(jī)層之間形成的氧化鎢層，以及在所述氧化鎢層已經(jīng)形成的狀態(tài)下設(shè)置的、用于區(qū)劃所述有機(jī)層的隔壁，在所述制造方法中，通過(guò)在200?230°C的燒成溫度、經(jīng)15分鐘以上的燒成時(shí)間燒成，而形成所述氧化鎢層。
[0088]下面將對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方案的有機(jī)EL元件和制造方法予以說(shuō)明，講述本發(fā)明的各性能確認(rèn)實(shí)驗(yàn)和考察結(jié)果。
[0089]然而，各附圖中的結(jié)構(gòu)要素的縮小比例，只是為了說(shuō)明而示意性地圖示出，包含與實(shí)際不同的內(nèi)容。
[0090]〈實(shí)施方案I>
[0091](有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu))
[0092]圖1是表示本實(shí)施方案I的有機(jī)EL元件I的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0093]有機(jī)EL元件I為通過(guò)濕法工藝涂布形成功能層的涂布型，具有下述結(jié)構(gòu):空穴注入層4和各種功能層(在此為緩沖層6A和發(fā)光層6B)在相互層疊的狀態(tài)下介于由陽(yáng)極2和陰極8構(gòu)成的電極對(duì)之間，所述各種功能層包含具有規(guī)定功能的有機(jī)材料。
[0094]具體地講，如圖1所示，有機(jī)EL元件I是對(duì)基板10的一側(cè)主面按下述順序?qū)盈B陽(yáng)極2、空穴注入層4、緩沖層6A、發(fā)光層6B、陰極8(鋇層8A和鋁層SB)而構(gòu)成的。陽(yáng)極2和陰極8與電源DC連接，從而能夠從外部向有機(jī)EL元件I供電。
[0095](基板)
[0096]基板10是成為有機(jī)EL元件I的基材的部分，例如，可以采用無(wú)堿玻璃、鈉玻璃、無(wú)滅光玻璃、憐Ife系玻璃、砸Ife系玻璃、石央、丙稀Ife系樹(shù)脂、本乙稀系樹(shù)脂、聚碳Ife酷系樹(shù)脂、環(huán)氧系樹(shù)脂、聚乙烯、聚酯、硅系樹(shù)脂、或氧化鋁等絕緣性材料中的任一種形成。
[0097]雖未圖示，但在基板10的表面形成有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件I的TFT(薄膜晶體管)。
[0098](陽(yáng)極)
[0099]陽(yáng)極2由厚度50nm的ITO透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。陽(yáng)極2的構(gòu)造不限于此，也可以是例如IZO等的透明導(dǎo)電膜、鋁等的金屬膜、APC(銀、鈀、銅的合金)、ARA(銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰與鉻的合金)、NiCr (鎳與鉻的合金)等的合金膜，另外，也可以將這些膜進(jìn)行多個(gè)層疊而構(gòu)成。
[0100](空穴注入層)[0101]空穴注入層4，作為含有氧化鎢(組成式WOx中、X大致是2 < X < 3的范圍的實(shí)數(shù))的、膜厚為2nm以上(這里，作為一例是IOnm)的氧化鎢層而構(gòu)成。當(dāng)膜厚小于2nm時(shí)，難以進(jìn)行均勻成膜，而且，難以形成以下所示的陽(yáng)極2和空穴注入層4之間的肖特基歐姆連接，所以不是優(yōu)選的。上述肖特基歐姆連接，在氧化鎢的膜厚為2nm以上時(shí)能夠穩(wěn)定形成，所以只要以這以上的膜厚形成空穴注入層4，就能夠利用肖特基歐姆連接，能夠期待具有從陽(yáng)極2向空穴注入層4的穩(wěn)定的空穴注入效率。另一方面，設(shè)定為使成膜密度成為在5.Sg/cm3以上6.0g/cm3以下的范圍。這是，通過(guò)在氧化鎢成膜后以規(guī)定條件的燒成工序(在加熱溫度200°C以上230°C以內(nèi)、加熱時(shí)間15分鐘以上45分鐘以內(nèi)的條件下空氣燒成的工序)實(shí)現(xiàn)燒實(shí)，使剛成膜時(shí)(as-cbpo膜狀態(tài))是5.4g/cm3以上5.7g/cm3以下左右的膜密度增加到5.8g/cm3以上6.0g/cm3以下的范圍。這樣通過(guò)使膜密度增大，賦予相對(duì)于制造時(shí)的堤形成工序中使用的蝕刻液和清洗液的耐溶解性，以使失膜抑制在最小限度。
[0102]然而，如圖1所示，在空穴注入層4的表面形成有呈向陽(yáng)極側(cè)凹入的結(jié)構(gòu)的洼陷部(凹部)。這是在堤5形成工序中所使用的堤形成時(shí)的蝕刻液或清洗液局部性地除去了發(fā)光層6B側(cè)的表面所致。在此，凹部的凹入深度比該凹部?jī)?nèi)的低部的空穴注入層4的厚度還小，通過(guò)導(dǎo)入上述燒成工序，與過(guò)去相比，能夠使失膜量得到相當(dāng)程度的抑制。具體地說(shuō)，空穴注入層4，在剛成膜時(shí)是14nm左右的膜厚，即使有失膜，也能維持剛成膜時(shí)的一半以上(7nm以上)的膜厚。
[0103]空穴注入層4優(yōu)選盡量?jī)H由氧化鎢構(gòu)成，但只要是在通常允許混入的程度，也可以包含極微量的雜質(zhì)。
[0104]在此，該空穴注入層4在特定的成膜條件下成膜。由此，膜中具有氧原子部分地與鎢原子結(jié)合的氧缺失結(jié)構(gòu)，在其電子態(tài)中，在價(jià)電子帶的上端、即比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域內(nèi)存在占有能級(jí)。該占有能級(jí)是空穴注入層4的最聞?wù)加心芗?jí)，其結(jié)合能范圍最接近于空穴注入層4的費(fèi)米能級(jí)(費(fèi)米面:Fermi Surface)。因此，以下將該占有能級(jí)稱為“費(fèi)米面附近的占有能級(jí)”。
[0105]然而，本發(fā)明中提及的“占有能級(jí)”，是指至少包括由I個(gè)電子占據(jù)的電子軌道的電子能級(jí)，即包括半占軌道的能級(jí)。
[0106]由于該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)的存在，在空穴注入層4和功能層(在此為緩沖層6A)的層疊界面實(shí)現(xiàn)了所謂的界面能級(jí)連續(xù)，緩沖層6A的最高占據(jù)軌道的結(jié)合能變得與空穴注入層4的上述費(fèi)米面附近的占有能級(jí)的結(jié)合能大致相等。
[0107]再者，在此所說(shuō)的“大致相等”和“實(shí)現(xiàn)了界面能級(jí)連續(xù)”是指，在空穴注入層4和緩沖層6A的界面處，上述費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能與上述最高占據(jù)軌道最低的結(jié)合能之差在±0.3eV以內(nèi)的范圍。
[0108]進(jìn)一步，在此所說(shuō)的“界面”是指，包括空穴注入層4的表面和距該表面0.3nm以內(nèi)的距離的緩沖層6A的區(qū)域。
[0109]另外，上述費(fèi)米面附近的占有能級(jí)優(yōu)選存在于整個(gè)空穴注入層4，但只需至少存在于與緩沖層6A的界面即可。再者，這樣的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，并不是所有的氧化鎢所具有的，是特別在空穴注入層的內(nèi)部或與緩沖層6A的界面處采用后述的規(guī)定的成膜條件才能夠形成的特有的能級(jí)。
[0110]進(jìn)而，空穴注入層4，作為其特征，在與陽(yáng)極2的界面處形成了所謂的肖特基歐姆連接。
[0111]再者，在此所說(shuō)的“肖特基歐姆連接”，是指:陽(yáng)極2的費(fèi)米能級(jí)、與上述的空穴注入層4的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能之差，在從陽(yáng)極2的表面向空穴注入層4側(cè)的距離為2nm的位置，較小地控制在±0.3eV以內(nèi)的連接。另外，在此所說(shuō)的“界面”，是指包含陽(yáng)極2的表面、和從該表面向空穴注入層4側(cè)形成的肖特基勢(shì)壘層的區(qū)域。
[0112]在此，通過(guò)本發(fā)明人的研究究明了:氧化鎢膜相對(duì)于堤形成工序中使用的蝕刻液和清洗液的耐溶解性，與氧化鎢膜的膜密度的提高成正比例地提高。另一方面，氧化鎢膜的空穴注入特性與膜密度的提高成反比例地降低。并究明了空穴注入特性和耐溶解性具有對(duì)立(trade-off)的關(guān)系。因此，本實(shí)施方案I的空穴注入層4，以規(guī)定條件形成氧化鎢膜，形成上述占有能級(jí)，另一方面，在成膜后以嚴(yán)格規(guī)定的條件進(jìn)行燒成工序提高膜密度，賦予耐溶解性。這樣，能夠高度地兼顧實(shí)現(xiàn)良好的空穴注入特性和耐溶解性的雙方。
[0113]而且，通過(guò)如上所述的防止空穴注入層4的失膜，只要設(shè)置多個(gè)有機(jī)EL元件I而構(gòu)成有機(jī)EL面板，就能夠?qū)τ谡麄€(gè)面板抑制空穴注入層4的加工膜厚的參差不齊。由此，還能夠降低各元件I中的發(fā)光效率的變動(dòng)(參差不齊)。
[0114](堤)
[0115]在空穴注入層4的表面，為了區(qū)劃發(fā)光層6B而由絕緣性的有機(jī)材料(例如丙烯酸系樹(shù)脂、聚酰亞胺系樹(shù)脂、酚醛清漆型酚樹(shù)脂等)形成的堤(隔壁)5，形成為具有一定的梯形剖面的線條(stripe)結(jié)構(gòu)或井字形結(jié)構(gòu)。
[0116]再者，堤5不是本發(fā)明中必須的結(jié)構(gòu)，在將有機(jī)EL元件I單獨(dú)使用的情況等時(shí)不需要堤5。
[0117](功能層)
[0118]在被各個(gè)堤5區(qū)劃的空穴注入層3的表面，形成有包含緩沖層6A和與RGB中的任意一種顏色對(duì)應(yīng)的發(fā)光層6B的功能層。功能層,作為含有有機(jī)材料的有機(jī)層而形成。在使用多個(gè)有機(jī)EL元件I而構(gòu)建有機(jī)EL面板時(shí)，將與RGB的各色對(duì)應(yīng)的一連串的3個(gè)元件I作為I個(gè)單位(像素:pixel),在基板10上將其涉及多個(gè)單位而并列設(shè)置。
[0119][緩沖層]
[0120]緩沖層6A是用于將空穴從空穴注入層4側(cè)向發(fā)光層6B側(cè)高效地傳輸?shù)膶樱珊穸?0nm的胺系有機(jī)高分子TFB ( 即、聚(9，9-二正辛基芴)交替共聚(1，4-苯撐-(4-仲丁基苯基亞氨基-1，4-苯撐))構(gòu)成。
[0121][發(fā)光層]
[0122]發(fā)光層6B由厚度70nm的有機(jī)高分子F8BT (聚(9，9_ 二正辛基芴)交替共聚(苯并噻二唑))構(gòu)成。但發(fā)光層6B并不局限于由該材料形成的構(gòu)造，可以含有公知的有機(jī)材料而構(gòu)成?？梢粤信e出例如日本特開(kāi)平5-163488號(hào)公報(bào)中記載的類喔星(oxinoid)化
合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、5惡唑化合物、^惡二唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡
唑啉酮衍生物、若丹明化合物、養(yǎng)' (chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戍二烯化合物、苗化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃銷化合物、噻喃錄' 化合物、硒雜環(huán)己二烯化合物、碲雜
環(huán)己二烯眢^化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚苯化合物、噻噸化合物、蒽化合物、花青苷
化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與第III B族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等突光物質(zhì)等。
[0123]再者，本發(fā)明中的功能層，是指輸送空穴的空穴輸送層、通過(guò)注入來(lái)的空穴和電子進(jìn)行再結(jié)合而發(fā)光的發(fā)光層、用于光學(xué)特性調(diào)整或電子阻礙用途的緩沖層等中的任意一種、或者這些層中2層以上的組合，或所有的層。一般情況，有的有機(jī)EL元件中除了空穴注入層以外，還存在上述空穴輸送層、發(fā)光層等發(fā)揮各自所需要的功能的層。功能層是指設(shè)置在陽(yáng)極和發(fā)光層之間的、空穴注入層以外的有機(jī)EL元件所需要的層。[0124](陰極)
[0125]陰極8由厚度5nm的鋇層8A和厚度IOOnm的招層8B層疊而構(gòu)成。
[0126]再者，也有時(shí)在發(fā)光層6B與陰極8之間設(shè)置電子輸送層。另外，也可以將鋇層8A看作電子輸送層(或者電子注入層)。
[0127](有機(jī)EL元件的作用和效果)
[0128]在具有以上的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件I中，通過(guò)空穴注入層4具有氧缺失結(jié)構(gòu)，在該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)與緩沖層6A的最高占據(jù)軌道之間實(shí)現(xiàn)所謂的界面能級(jí)連續(xù)，空穴注入層4與緩沖層6A之間的空穴注入勢(shì)壘變?yōu)闃O小。
[0129]進(jìn)而，在有機(jī)EL元件I中，在陽(yáng)極2與空穴注入層4之間形成良好的肖特基歐姆連接，在陽(yáng)極2與空穴注入層4之間，空穴注入勢(shì)壘也被抑制得較小。
[0130]由此，在有機(jī)EL元件I中，若在驅(qū)動(dòng)時(shí)對(duì)有機(jī)EL元件I施加電壓，則能以低電壓比較順利地從陽(yáng)極2的費(fèi)米能級(jí)向空穴注入層4的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，以及，從費(fèi)米面附近的占有能級(jí)向緩沖層6A的最高占據(jù)軌道注入空穴，能發(fā)揮高空穴注入效率。而且，在發(fā)光層6B中，通過(guò)空穴與電子再結(jié)合，會(huì)發(fā)揮出良好的發(fā)光特性。具體地講，陽(yáng)極2的費(fèi)米能級(jí)與空穴注入層4的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能之差、以及空穴注入層4的上述占有能級(jí)最低的結(jié)合能與緩沖層6A的最高占據(jù)軌道最低的結(jié)合能之差，均被抑制在±0.3eV以內(nèi)，空穴注入效率得到極大提高。
[0131]在陽(yáng)極2與空穴注入層4之間形成的肖特基歐姆連接，不受陽(yáng)極2的表面狀態(tài)的程度(包括功函數(shù)等特性)較大的影響，具有高穩(wěn)定性。因此，在制造有機(jī)EL元件I時(shí)，不需要嚴(yán)格地控制陽(yáng)極2的表面狀態(tài)，能夠以較低成本高成品率地制造具有高空穴注入效率的有機(jī)EL元件1、或形成有多個(gè)有機(jī)EL元件I而成的大型有機(jī)EL面板。
[0132]再者，在此所說(shuō)的“陽(yáng)極的表面狀態(tài)”，是指有機(jī)EL元件或有機(jī)EL面板的標(biāo)準(zhǔn)的制造工序中的、即將形成空穴注入層前的陽(yáng)極的表面狀態(tài)。
[0133]進(jìn)而，空穴注入層4，通過(guò)提高膜密度而賦予耐溶解性，抑制失膜量。另一方面，通過(guò)以上述嚴(yán)格的規(guī)定條件成膜，能夠使膜中存在占有能級(jí)，由此發(fā)揮良好的空穴注入特性，從而能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的有效降低。
[0134]在此，對(duì)于將氧化鎢用作空穴注入層的結(jié)構(gòu)本身，過(guò)去已經(jīng)有過(guò)報(bào)告(參照非專利文獻(xiàn)I)。但是，該報(bào)告中得到的最佳的空穴注入層的膜厚為0.5nm左右，元件特性的膜厚依賴性也大，沒(méi)有揭示對(duì)量產(chǎn)大型有機(jī)EL面板程度的實(shí)用性。進(jìn)一步，也未揭示在空穴注入層積極地形成費(fèi)米面附近的占有能級(jí)。本發(fā)明，在由化學(xué)性較穩(wěn)定且也耐受大型有機(jī)EL面板的量產(chǎn)工藝的氧化鎢形成的空穴注入層中，存在規(guī)定的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，由此得到優(yōu)異的空穴注入效率，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)EL元件的低電壓驅(qū)動(dòng)。并且，在賦予空穴注入層耐溶解性，能夠穩(wěn)定保持空穴注入特性的方面，與現(xiàn)有技術(shù)大不相同。
[0135]接下來(lái)，例示有機(jī)EL元件I整體的制造方法。
[0136](有機(jī)EL元件的制造方法)
[0137]首先，將基板10載置于濺射成膜裝置的濺射室內(nèi)。然后，向室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體，基于反應(yīng)性濺射法形成由厚度50nm的ITO構(gòu)成的陽(yáng)極2的膜。
[0138]接下來(lái)，在包含前述陽(yáng)極2的基底層上(這里是在陽(yáng)極2上面直接)形成由含有具有氧缺失結(jié)構(gòu)的氧化鎢的氧化鎢膜形成的空穴注入層4的膜。這里優(yōu)選用反應(yīng)性濺射法成膜。特別是在對(duì)需要大面積成膜的大型有機(jī)EL面板應(yīng)用有機(jī)EL元件的情況，用蒸鍍法等成膜有可能會(huì)導(dǎo)致膜厚等產(chǎn)生不均勻。如果用反應(yīng)性濺射法成膜，則容易避免產(chǎn)生這種成膜不均勻。
[0139]具體地講，將靶換成金屬鎢，實(shí)施反應(yīng)性濺射法。向室內(nèi)導(dǎo)入氬氣作為濺射氣體，導(dǎo)入氧氣作為反應(yīng)性氣體。在該狀態(tài)下，通過(guò)高電壓將氬離子化，使其沖撞靶。此時(shí)，通過(guò)濺射現(xiàn)象放出的金屬鎢與氧氣發(fā)生反應(yīng)而變成氧化鎢，在基板10的陽(yáng)極2上成膜。
[0140]再者，該成膜條件設(shè)定成后文所述的、所謂的低速率條件。成膜速率能夠通過(guò)成膜裝置的接入電力密度和氣體流量(分壓)比這兩者進(jìn)行控制。在氧化鎢的成膜中，若增加氣體中的氧氣的流量(分壓)，則成膜速率降低。作為低速率條件，具體地說(shuō)優(yōu)選設(shè)定成以下條件:氣壓(總壓)為大于2.7Pa且7.0Pa以下，并且氧氣分壓相對(duì)于總壓的比為50%以上70%以下，進(jìn)而鈀每單位面積的接入電力(接入電力密度)為lW/cm2以上且小于2.8W/cm2。通過(guò)以低速率進(jìn)行成膜，能夠得到接近蒸鍍膜的多孔的膜質(zhì)。并且至少在氧化鎢的表層形成氧原子部分地與鎢原子結(jié)合的氧缺失結(jié)構(gòu)，能夠在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低
1.8?3.6eV的結(jié)合能域內(nèi)良好地存在占有能級(jí)。由此，能夠確保良好的空穴注入特性。
[0141]接下來(lái)，對(duì)前述成膜后的氧化鎢膜實(shí)施燒成工序。具體地說(shuō)，在200°C以上230°C以下的溫度范圍、以15分鐘以上45分鐘以下的時(shí)間實(shí)施空氣燒成。若加熱溫度過(guò)高，則在基板10的表面設(shè)置層間絕緣膜(平坦化膜)等時(shí)，它們會(huì)有變質(zhì)的可能性，所以要注意。
[0142]經(jīng)該燒成，在使氧化鎢膜固化的同時(shí)，進(jìn)行燒實(shí)。具體地說(shuō)，前述剛成膜時(shí)的膜密度為5.4g/cm3以上5.7g/cm3以下的范圍，但在燒成工序后膜密度變?yōu)?.8g/cm3以上6.0g/cm3以下的范圍的高密度(增大)。進(jìn)而，只要基于上述燒成條件，則即使經(jīng)歷燒成工序、膜中的氧缺失結(jié)構(gòu)也能夠得到保持，所以占有能級(jí)得到保留，空穴注入特性不會(huì)降低。通過(guò)經(jīng)該燒成工序而使空穴注入層4變得高密度化，能夠賦予空穴注入層4對(duì)后述堤材料的蝕刻液、清洗液的耐溶解性為至少剛成膜時(shí)的2倍以上，能夠有效地抑制失膜。
[0143]經(jīng)以上的各工藝就形成了空穴注入層4。
[0144]接著，作為堤材料，準(zhǔn)備例如感光性的抗蝕劑材料，優(yōu)選含有氟系材料的光致抗蝕劑材料。在空穴注入層4上均勻地涂布該堤材料，實(shí)施預(yù)烘焙。在該堤材料膜上放置具有規(guī)定形狀的開(kāi)口部(要形成的堤的圖案)的掩模。然后，從掩模上方使堤材料膜感光，然后將未固化的多余的堤材料用顯影液(蝕刻液)洗出，進(jìn)行圖案形成。作為蝕刻液，可以使用例如四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液等通常的蝕刻液。蝕刻后用清洗液(作為一例，是純水等)清洗，就完成了堤5。
[0145]在此，在本實(shí)施方案I中，經(jīng)前述燒成工序，空穴注入層4變得高密度化，對(duì)堿溶液、水、有機(jī)溶劑等能夠發(fā)揮一定的耐溶解性。因此，在堤形成工序中，即使空穴注入層4與蝕刻液或純水等接觸，與沒(méi)有經(jīng)過(guò)前述燒成工序的膜相比，因蝕刻液、清洗液的溶解造成的失膜得到了抑制。這樣，即使空穴注入層4形態(tài)得到保持，在有機(jī)EL元件I完成后，介由該空穴注入層4，也能夠有效地向緩沖層6A注入空穴，良好地實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)。
[0146]接著，在相鄰的堤5之間露出的空穴注入層4的表面上，通過(guò)例如噴墨法或照相凹版印刷法的濕法工藝，滴加含有胺類有機(jī)分子材料的組合物墨，使溶劑揮發(fā)而將溶劑除去。由此形成緩沖層6A。
[0147]接著，在緩沖層6A的表面用同樣的方法滴加含有有機(jī)發(fā)光材料的組成物墨，使溶劑揮發(fā)而將溶劑除去。由此形成發(fā)光層6B。
[0148]再者，緩沖層6A、發(fā)光層6B的形成方法不限于此，也可以通過(guò)噴墨法、照相凹版印刷法以外的方法、例如分墨法、噴涂法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等公知方法來(lái)滴加、涂布墨。
[0149]接著，在發(fā)光層6B的表面用真空蒸鍍法成膜鋇層8A、鋁層SB。由此，形成陰極8。
[0150]再者，雖然在圖1中未示出，但以抑制有機(jī)EL元件I曝露于空氣為目的，可以在陰極8的表面還設(shè)置封止層，或者設(shè)置在空間上使元件I整體與外部隔離的封止罐。封止層可由例如SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料形成，設(shè)置成內(nèi)部封止元件I。在使用封止罐時(shí)，封止罐可以由例如與基板10同樣的材料形成，在密閉空間內(nèi)設(shè)置吸附水分等的吸濕劑(getter)。
[0151]經(jīng)以上的工序就完成了有機(jī)EL元件I。
[0152]<各種實(shí)驗(yàn)和考察>
[0153](關(guān)于氧化鎢的成膜條件)
[0154]本實(shí)施方案I中，通過(guò)在規(guī)定的成膜條件下成膜構(gòu)成空穴注入層4的氧化鎢，使空穴注入層4中存在上述的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，減少空穴注入層4與緩沖層6A之間的空穴注入勢(shì)壘，使得能夠?qū)τ袡C(jī)EL元件I進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。
[0155]作為用于得到這種性能的氧化鎢的成膜方法，可以考慮優(yōu)選設(shè)定成如下的成膜條件而通過(guò)反應(yīng)性濺射法來(lái)成膜，即:使用DC磁控濺射裝置，靶為金屬鎢，對(duì)基板溫度不進(jìn)行控制，室內(nèi)氣體由IS氣和氧氣構(gòu)成，氣壓(總壓)為大于2.7Pa且在7.0Pa以下,并且,氧氣分壓相對(duì)于總壓的比為50%以上70%以下，進(jìn)一步，靶每單位面積的接入電力(接入電力密度)為lW/cm2以上2.8ff/cm2以下。
[0156]上述成膜條件的有效性通過(guò)以下各實(shí)驗(yàn)得到了確認(rèn)。
[0157]首先，為了切實(shí)地評(píng)價(jià)從空穴注入層4向緩沖層6A注入空穴的空穴注入效率的成膜條件依賴性，作為評(píng)價(jià)器件，制作了空穴單載流子元件。
[0158]在有機(jī)EL元件中，形成電流的載流子是空穴和電子這兩者，因此，有機(jī)EL元件的電特性，除空穴電流以外，還反映著電子電流。但是，在空穴單載流子元件中，由于來(lái)自陰極的電子的注入受阻，所以電子電流幾乎不流動(dòng)，所有電流大致僅由空穴電流構(gòu)成，即載流子可視為大致僅為空穴，適合評(píng)價(jià)空穴注入效率。[0159]具體制作成的空穴單載流子元件，是將圖1的有機(jī)EL元件I中的陰極8如圖2所示的陰極8C那樣置換成金的元件。即，如圖2所示，在基板10上形成由厚度50nm的ITO薄膜形成的陽(yáng)極2，進(jìn)一步在陽(yáng)極2上依次層疊由厚度30nm的氧化鎢形成的空穴注入層4、由厚度20nm的作為胺類有機(jī)高分子的TFB形成的緩沖層6A、由厚度70nm的作為有機(jī)高分子的F8BT形成的發(fā)光層6B、由厚度IOOnm的金形成的陰極SC。再者，由于構(gòu)成評(píng)價(jià)器件，所以省略了堤5。
[0160]在該制作工序中，空穴注入層4使用DC磁控濺射裝置而通過(guò)反應(yīng)性濺射法來(lái)成膜。室內(nèi)氣體由氬氣和氧氣中的至少一種構(gòu)成，靶使用了金屬鎢。對(duì)基板溫度不進(jìn)行控制，氬氣分壓、氧氣分壓、總壓用各氣體的流量來(lái)調(diào)節(jié)。成膜條件如以下的表I所示，使總壓、氧氣分壓以及接入電力的各條件發(fā)生變化，由此得到具備在各成膜條件下成膜的空穴注入層4的空穴單載流子元件IB (元件N0.1?14)。再者，這以后，將氧氣分壓表示成相對(duì)于總壓的比(%)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光兀件,具有: 由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)， 在所述陽(yáng)極和所述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層， 在所述陽(yáng)極和所述有機(jī)層之間形成的、膜密度為5.8?6.0g/cm3的、含有氧化鎢的氧化鎢層，以及 用于區(qū)劃所述有機(jī)層的隔壁。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，所述隔壁是在所述氧化鎢層形成之后設(shè)置的。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，所述氧化鎢層，通過(guò)局部性地除去所述有機(jī)層側(cè)的表面，而具有呈向所述陽(yáng)極側(cè)凹入的結(jié)構(gòu)的洼陷部。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，在所述氧化鎢層的所述凹入結(jié)構(gòu)中，凹入深度比凹部?jī)?nèi)的底部厚度小。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，在所述氧化鎢層的電子狀態(tài)中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域具有占有能級(jí)。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，在所述氧化鎢層的UPS譜圖或XPS譜圖中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域內(nèi)具有隆起來(lái)的形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，在所述氧化鎢層的UPS譜圖的微分譜圖中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能還低1.8?3.6eV的結(jié)合能域具有以與指數(shù)函數(shù)不同的函數(shù)表現(xiàn)出來(lái)的譜圖形狀。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，所述氧化鎢層含有價(jià)數(shù)6價(jià)的鎢原子和價(jià)數(shù)5價(jià)的鎢原子， 所述5價(jià)的鎢原子的含量除以所述6價(jià)鎢的原子的含量的值W5 + /W6 +為3.2%?7.4%。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，所述氧化鎢層含有氧原子部分地與鎢原子結(jié)合的氧缺失結(jié)構(gòu)，并且 所述氧化鎢層對(duì)蝕刻處理所述隔壁時(shí)使用的蝕刻液具有耐溶解性。
10.—種有機(jī)發(fā)光兀件,具有: 由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)， 在所述陽(yáng)極和所述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層， 在所述陽(yáng)極和所述有機(jī)層之間形成的氧化鎢層，以及 在所述氧化鎢層已經(jīng)形成的狀態(tài)下設(shè)置的、用于區(qū)劃所述有機(jī)層的隔壁， 所述氧化鎢層通過(guò)在200?230°C范圍的燒成溫度、經(jīng)15分鐘以上的燒成時(shí)間燒成形成。
11.一種有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光元件具有: 由陽(yáng)極和陰極組成的電極對(duì)， 在所述陽(yáng)極和所述陰極之間形成的、含有有機(jī)材料的有機(jī)層， 在所述陽(yáng)極和所述有機(jī)層之間形成的氧化鎢層，以及 在所述氧化鎢層已經(jīng)形成的狀態(tài)下設(shè)置的、用于區(qū)劃所述有機(jī)層的隔壁， 在所述制造方法中，通過(guò)在200?230°C的燒成溫度、經(jīng)15分鐘以上的燒成時(shí)間燒成，而形成所述氧化鎢層。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103620805SQ201180071939
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月15日
【發(fā)明者】山田隆太, 大內(nèi)曉, 小松隆宏, 藤村慎也, 藤田浩史 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社