專利名稱:臥式圓片式電子元件的制作方法
技術(shù)領域:
本實用新型公開一種圓片式電子元件,按國際專利分類表(IPC)劃分屬于電子元器件制造技術(shù)領域,尤其是涉及一種臥式圓片式電子元件,例如陶瓷電容器、壓敏電阻、NTC 熱敏電阻、PTC熱敏電阻等圓片式電子元件。
背景技術(shù):
圓片式電子元件,一般是由芯片主體及其兩個引腳(引線)組成,且引腳(引線)與芯片主體兩側(cè)面延伸成型,電路板裝配時,芯片垂直于電路板,因此對裝配空間的高度要求較高,不利于電路的小型化。例如圖I所示為一種圓板陶瓷電容器示意圖,圖中的兩引腳 A1、A2為立式焊接于芯片B的兩側(cè)面,各側(cè)引腳在所處的芯片側(cè)彎折120度向外延伸成型, 裝配時芯片與電路板相垂直,占用的立體空間較大,不符合現(xiàn)代電子行業(yè)集成化及小型化的發(fā)展趨勢。
發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型提供了一種結(jié)構(gòu)合理、降低高度的臥式圓片式電子元件。為達到上述目的,本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種臥式圓片式電子元件,包括芯片主體及與焊接于芯片兩側(cè)面的兩引線,其中, 所述兩引線的其中一引線從芯片的一側(cè)面向另一側(cè)面彎折并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳。進一步,所述的芯片主體是由芯片及其外的包封層組成,兩引線位于芯片及其外的包封層之間。進一步,所述的引線臥式焊接于芯片的兩側(cè)面,其中一側(cè)的引線向芯片另側(cè)折彎 90度并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳。進一步,所述的芯片主體為陶瓷電容器芯片主體、壓敏電阻芯片主體、NTC熱敏電阻芯片主體、PTC熱敏電阻芯片主體。本實用新型通過變更引線的成型方式,在引線成型階段,將引線的折彎角度由120 度變更為90度,將芯片由立式焊接改變?yōu)榕P式焊接,使產(chǎn)品高度得到有效降低,具有結(jié)構(gòu)合理、使用方便等優(yōu)點。
圖I是現(xiàn)有普通陶瓷電容器示意圖。圖2是本實用新型示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明[0013]實施例請參閱圖2所示,一種臥式圓片式電子元件,包括芯片主體及與焊接于芯片兩側(cè)面的兩引線2,其中,所述兩引線的其中一引線從芯片的一側(cè)面向另一側(cè)面彎折并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳4。芯片主體是由芯片3及其外的包封層I組成, 兩引線位于芯片及其外的包封層之間。引線臥式焊接于芯片3的兩側(cè)面,其中一側(cè)的引線向芯片另側(cè)折彎90度并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳4。本實用新型的芯片主體可心是陶瓷電容器芯片主體、壓敏電阻芯片主體、NTC熱敏電阻芯片主體、PTC熱敏電阻芯片主體。本實用新型通過變更引線的成型方式,在引線成型階段,將引線的折彎角度由120 度變更為90度,并將芯片由立式焊接改變?yōu)榕P式焊接,使產(chǎn)品高度得到有效降低,具體降低的程度由芯片半徑?jīng)Q定。以上所記載,僅為利用本創(chuàng)作技術(shù)內(nèi)容的實施例,任何熟悉本項技藝者運用本創(chuàng)作所做的修飾、變化,皆屬本創(chuàng)作主張的專利范圍,而不限于實施例所揭示者。
權(quán)利要求1.一種臥式圓片式電子元件,包括芯片主體及與焊接于芯片兩側(cè)面的兩引線,其特征在于所述兩引線的其中一引線從芯片的一側(cè)面向另一側(cè)面彎折并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的臥式圓片式電子元件,其特征在于所述的芯片主體是由芯片及其外的包封層組成,兩引線位于芯片及其外的包封層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的臥式圓片式電子元件,其特征在于所述的引線臥式焊接于芯片的兩側(cè)面,其中一側(cè)的引線向芯片另側(cè)折彎90度并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的臥式圓片式電子元件,其特征在于所述的芯片主體為陶瓷電容器芯片主體、壓敏電阻芯片主體、NTC熱敏電阻芯片主體、PTC熱敏電阻芯片主體。
專利摘要本實用新型公開一種臥式圓片式電子元件,例如陶瓷電容器、壓敏電阻、NTC熱敏電阻、PTC熱敏電阻等圓電式電子元件,包括芯片主體及與焊接于芯片兩側(cè)面的兩引線,其中一引線從芯片的一側(cè)面向另一側(cè)面彎折并與另一引線向芯片主體外延伸成型為兩引腳。本實用新型通過變更引線的成型方式,在引線成型階段,將引線的折彎角度由120度變更為90度,將芯片由立式焊接改變?yōu)榕P式焊接,使產(chǎn)品高度得到有效降低,具有結(jié)構(gòu)合理、使用方便等優(yōu)點。
文檔編號H01C7/02GK202307532SQ201120350399
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者黃景明 申請人:廈門萬明電子有限公司