專利名稱：阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
目前氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片屬于新型高科技產(chǎn)業(yè)，取代傳統(tǒng)的不環(huán)保的氧化鈹基板負(fù)載片，而國(guó)際一些公司對(duì)此新型產(chǎn)業(yè)的研究與開發(fā)起步比較早。隨著國(guó)內(nèi)微波通訊行業(yè)的日益發(fā)展，無論是出于價(jià)格因素還是自身發(fā)展的需要上，國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的自主開發(fā)、設(shè)計(jì)研究愈發(fā)顯得的重要，由于上述的情況，作為新興產(chǎn)業(yè)的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)外任然處于產(chǎn)品種類相對(duì)集中、單一性的不足。之前大功率的負(fù)載片會(huì)采用尺寸稍大的氮化化鋁陶瓷基板或者采用有毒的BeO 材料，但是隨著小型化趨勢(shì)的發(fā)展和環(huán)保的要求越來越高，要在小尺寸的氮化鋁基板上做到更高的功率，是市場(chǎng)的趨勢(shì)，而目前氮化鋁陶瓷負(fù)載片品種還比較單一，基本上100W過了就到150W，而中間卻沒有產(chǎn)品能有效銜接。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠承受 125W功率的氮化鋁陶瓷負(fù)載片，在氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的功率選擇上增加了新的方案， 優(yōu)化的設(shè)計(jì)充分體現(xiàn)了大功率微帶電阻器體積小，功率容量大，高頻特性好，性能穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片，其包括一 7*7*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片在7*7*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到125W，同時(shí)優(yōu)化了氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的各項(xiàng)性能指標(biāo)，DC-3G的頻率范圍內(nèi)仍然有良好的VSWR，并將阻抗的公差控制在了正負(fù)3%內(nèi)，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配，充分體現(xiàn)了大功率微帶電阻器體積小，功率容量大，高頻特性好，性能穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)。在功率上的達(dá)到的新指標(biāo)，使得該結(jié)構(gòu)的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片可適用于除通訊外的電力，金融，計(jì)算機(jī)等各行。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片包括一 7*7*1. Omm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線 2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片具有體積小，功率容量大，高頻特性好，性能穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)，在7*7*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到125W，為氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的功率要求上提供了新的備選方案，擴(kuò)大了產(chǎn)品目錄，拓廣了該規(guī)格負(fù)載片的應(yīng)用領(lǐng)域。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 7*7*1. Omm 的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片，其包括一7*7*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板125瓦負(fù)載片對(duì)已有的產(chǎn)品進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，在更小的面積上達(dá)到了更高的功率輸出，同時(shí)獲得了更良好的特性表現(xiàn)阻抗公差控制在+/-3％，并在DC-3G的頻率范圍內(nèi)有著良好的VSWR。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202259634SQ201120350218
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司