專利名稱：晶圓存放槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種晶圓存放槽。
背景技術(shù)：
多層金屬技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造中的應(yīng)用使晶圓表面變得不平整，不平整的晶圓表面形貌是不理想的，它導(dǎo)致了一些其他的問題，例如，受光學(xué)光刻中步進(jìn)透鏡焦距深度的限制，無法在不平整的晶圓表面進(jìn)行圖形制作。因此，業(yè)界引入化學(xué)機(jī)械平坦化(chemical mechanical polish, CMP)技術(shù)來平坦化晶圓表面?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化通過晶圓與拋光墊之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來平坦化晶圓表面，在晶圓和拋光墊之間有磨料，并同時(shí)施加壓力。晶圓表面研磨后會(huì)殘留一些物質(zhì)，因此，進(jìn)入下一工藝流程前需要清洗晶圓，以去除掉晶圓表面的殘留物。一般的，化學(xué)機(jī)械平坦化設(shè)備包括研磨裝置和清洗裝置，研磨裝置用于平坦化晶圓表面，清洗裝置用于清洗研磨后的晶圓，當(dāng)研磨裝置的工作效率比清洗裝置的工作效率快，或者清洗裝置出現(xiàn)故障時(shí)，研磨好的晶圓不能立即送到清洗裝置中去清洗，此時(shí)，將這些等待清洗的晶圓暫時(shí)存放在晶圓存放槽中。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓存放槽11，該晶圓存放槽11內(nèi)盛裝有去離子水 (DIff) 12，晶舟13設(shè)置在所述晶圓存放槽11內(nèi)，等待清洗的晶圓14放置在所述載晶舟13 內(nèi)。存放在所述晶圓存放槽11內(nèi)的晶圓14都是研磨后的晶圓，其表面有殘留物，這些殘留物會(huì)污染所述晶圓存放槽11內(nèi)的去離子水12，例如，殘留物中的金屬離子將會(huì)影響所述晶圓存放槽11內(nèi)去離子水12的pH值，受污染的去離子水反過來又腐蝕、損傷所述晶圓14，影響所述晶圓14的質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)表明，所述晶圓存放槽11內(nèi)去離子水12的pH值等于7時(shí)，所述晶圓14處于最佳的液體環(huán)境中；所述晶圓存放槽11內(nèi)去離子水12的pH值偏離7時(shí)，所述晶圓14就會(huì)受到腐蝕。目前，為了節(jié)約成本，所述晶圓存放槽11內(nèi)的去離子水12通常是研磨好、清洗好一批(25片)晶圓之后才會(huì)更換，而隨著時(shí)間的推移，去離子水12受污染的程度越來越嚴(yán)重，因此，在同一批晶圓中，后完成研磨的晶圓會(huì)受到很嚴(yán)重的腐蝕，其質(zhì)量無法滿足后續(xù)工藝的要求，導(dǎo)致產(chǎn)率降低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶圓存放槽，該晶圓存放槽內(nèi)的液體不斷更新， 處于最佳狀態(tài)，避免被污染的液體腐蝕晶圓。為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型提供一種晶圓存放槽，包括第一槽和第二槽；所述第一槽設(shè)有第一噴射器，向所述第一槽輸送液體；所述第二槽設(shè)有第二噴射器，向所述第二槽輸送液體。上述晶圓存放槽，其中，所述第一槽包括第一內(nèi)槽和第一外槽，所述第一內(nèi)槽設(shè)置在所述第一外槽內(nèi)，所述第一噴射器設(shè)置于所述第一內(nèi)槽的底部；所述第二槽包括第二內(nèi)槽和第二外槽，所述第二內(nèi)槽設(shè)置在所述第二外槽內(nèi)，所述第二噴射器設(shè)置于所述第二內(nèi)槽的底部。上述晶圓存放槽，其中，所述第一外槽的底部設(shè)有第一排液口，所述第二外槽的底部設(shè)有第二排液口。上述晶圓存放槽，其中，所述第一噴射器包括多個(gè)第一去離子水噴嘴、與所述多個(gè)第一去離子水噴嘴均相連的第一去離子水輸送管、以及設(shè)置在所述第一去離子水輸送管上的第一閥門。上述晶圓存放槽，其中，所述第一噴射器還包括多個(gè)第一化學(xué)抑制劑噴嘴、與所述多個(gè)第一化學(xué)抑制劑噴嘴均相連的第一化學(xué)抑制劑輸送管、以及設(shè)置在所述第一化學(xué)抑制劑輸送管上的第一液體閥門。上述晶圓存放槽，其中，所述第二噴射器包括多個(gè)第二去離子水噴嘴、與所述多個(gè)第二去離子水噴嘴均相連的第二去離子水輸送管、以及設(shè)置在所述第二去離子水輸送管上的第二閥門。上述晶圓存放槽，其中，所述第二噴射器還包括多個(gè)第二化學(xué)抑制劑噴嘴、與所述多個(gè)第二化學(xué)抑制劑噴嘴均相連的第二化學(xué)抑制劑輸送管、以及設(shè)置在所述第二化學(xué)抑制劑輸送管上的第二液體閥門。上述晶圓存放槽，其中，所述第一內(nèi)槽的容積小于所述第二內(nèi)槽的容積；所述第一外槽的容積小于所述第二外槽的容積。本實(shí)用新型的晶圓存放槽設(shè)有第一槽和第二槽，研磨后的晶圓放入第一槽一段時(shí)間后再放入第二槽，兩個(gè)槽內(nèi)均設(shè)有噴射器，使用噴射器向槽內(nèi)不斷輸送液體，使兩個(gè)槽內(nèi)的液體均處于不斷更新的狀態(tài)，可有效防止槽內(nèi)的液體被污染，使槽內(nèi)保持著最佳的液體環(huán)境，從而避免槽內(nèi)的液體腐蝕晶圓。

本實(shí)用新型的晶圓存放槽由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的晶圓存放槽的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的晶圓存放槽的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型中噴射器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合圖2 3對(duì)本實(shí)用新型的晶圓存放槽作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。本實(shí)用新型晶圓存放槽包括第一槽和第二槽；所述第一槽設(shè)有第一噴射器，向所述第一槽輸送液體；所述第二槽設(shè)有第二噴射器，向所述第二槽輸送液體。待清洗的晶圓先放置于所述第一槽內(nèi)進(jìn)行快速清洗，沖洗掉晶圓表面的部分殘留物，再放置于所述第二槽內(nèi)進(jìn)行柔和清洗，所述第一槽的噴射器噴射出液體，當(dāng)所述液體盛滿所述第一槽，便從所述第一槽溢出，使所述第一槽內(nèi)的液體處于不斷更新的狀態(tài)，同理， 所述第二槽內(nèi)的液體也處于不斷更新的狀態(tài)，不斷更新槽內(nèi)的液體可有效防止液體被污染，使槽內(nèi)保持著最佳的液體環(huán)境，從而避免槽內(nèi)的液體腐蝕晶圓。[0025]現(xiàn)以一具體實(shí)施例詳細(xì)說明本實(shí)用新型晶圓存放槽參見圖2，本實(shí)施例的晶圓存放槽包括第一槽21和第二槽22 ；所述第一槽包括第一內(nèi)槽212和第一外槽211 ；所述第一內(nèi)槽212設(shè)置在所述第一外槽211內(nèi)；所述第一內(nèi)槽212的底部設(shè)有第一噴射器215，該第一噴射器215用于向所述第一內(nèi)槽212內(nèi)噴射液體；所述第一外槽211的底部設(shè)有第一排液口 214 ；所述第一內(nèi)槽212內(nèi)設(shè)有晶舟213，所述晶舟213用于放置待清洗的晶圓30 ；所述第一內(nèi)槽212的第一噴射器215的噴射流量較大，對(duì)放置于所述第一內(nèi)槽212 內(nèi)的晶圓30進(jìn)行快速清洗，沖洗掉所述晶圓30表面的部分殘留物；所述第二槽22包括第二內(nèi)槽222和第二外槽221 ；所述第二內(nèi)槽222設(shè)置在所述第二外槽221內(nèi)；所述第二內(nèi)槽222的底部設(shè)有第二噴射器225，該第二噴射器225用于向所述第二內(nèi)槽222內(nèi)噴射液體；所述第二外槽221的底部設(shè)有第二排液口 2 ；所述第二內(nèi)槽222內(nèi)設(shè)有晶舟223，所述晶舟223用于放置待清洗的晶圓30 ；所述晶圓30在送入清洗裝置清洗之前，主要存放在所述第二內(nèi)槽222內(nèi)，所述第二內(nèi)槽222的第二噴射器225的噴射流量較小，對(duì)放置于所述第二內(nèi)槽222內(nèi)的晶圓30進(jìn)行柔和清洗，有利于安全存放所述晶圓30 ；所述第一內(nèi)槽212底部的第一噴射器215噴射出去離子水和化學(xué)抑制劑，當(dāng)去離子水和化學(xué)抑制劑盛滿所述第一內(nèi)槽212便從所述第一內(nèi)槽212溢出，流入所述第一外槽 211，并通過所述第一外槽211底部的第一排液口 214排出，使所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的液體處于不斷更新的狀態(tài)，可有效防止液體被污染，從而避免液體腐蝕晶圓；同理，所述第二內(nèi)槽222內(nèi)的液體也處于不斷更新的狀態(tài)，可有效防止液體被污染，從而避免液體腐蝕晶圓。參見圖3，所述第一噴射器215包括多個(gè)去離子水噴嘴216、多個(gè)化學(xué)抑制劑噴嘴 217、一去離子水輸送管218和一化學(xué)抑制劑輸送管219 ；所述多個(gè)去離子水噴嘴216均與所述去離子水輸送管218相連，該去離子水輸送管218上設(shè)有閥門(圖3中未示)，所述閥門用于控制去離子水的流量，所述去離子水輸送管218向所述第一內(nèi)槽212輸送去離子水，所述去離子水輸送管218輸送的去離子水通過所述多個(gè)去離子水噴嘴216噴射出去；所述多個(gè)化學(xué)抑制劑噴嘴217均與所述化學(xué)抑制劑輸送管219相連，該化學(xué)抑制劑輸送管219上設(shè)有液體閥門(圖3中未示)，所述液體閥門用于控制化學(xué)抑制劑的流量， 所述化學(xué)抑制劑輸送管219向所述第一內(nèi)槽212輸送化學(xué)抑制劑，所述化學(xué)抑制劑輸送管 219輸送的化學(xué)抑制劑通過所述多個(gè)化學(xué)抑制劑噴嘴217噴射出去；本實(shí)施例中，所述第一噴射器215不僅向所述第一內(nèi)槽212輸送去離子水，還向所述第一內(nèi)槽212輸送化學(xué)抑制劑，化學(xué)抑制劑有利于使所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的液體的pH值維持在7 ；當(dāng)然，所述第一噴射器215也可只輸送去離子水；[0046]較佳的，所述第二內(nèi)槽222底部的第二噴射器225的結(jié)構(gòu)與所述第一噴射器215 相同，在此不再贅述；優(yōu)選的，所述第一內(nèi)槽212的第一噴射器215的噴射流量遠(yuǎn)大于所述第二內(nèi)槽222 的第二噴射器225的噴射流量。優(yōu)選的，所述第一內(nèi)槽212的容積小于所述第二內(nèi)槽222的容積；所述第一外槽 211的容積小于所述第二外槽221的容積；所述第一內(nèi)槽212內(nèi)可存放晶圓1 3片，所述第二內(nèi)槽222內(nèi)可存放晶圓1 25片。本實(shí)施例晶圓存放槽的工作原理研磨后的晶圓30先放入所述第一內(nèi)槽212內(nèi)， 所述晶圓30在所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的存放時(shí)間為2 3分鐘，所述晶圓30在所述第一內(nèi)槽212內(nèi)存放2 3分鐘后取出，再放入所述第二內(nèi)槽222內(nèi)；所述第一內(nèi)槽212的第一噴射器215的噴射流量較大，一是有助于加快所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的液體更新，從而有助于所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的液體處于最佳狀態(tài)，二是有助于沖刷所述晶圓30表面的殘留物，使放入所述第二內(nèi)槽222的晶圓30攜帶的殘留物顯著減少，從而減少對(duì)所述第二內(nèi)槽222內(nèi)液體的污染；所述晶圓30在所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的存放時(shí)間不宜長(zhǎng)，2 3分鐘即可，因?yàn)檠心ズ蟮木A30先放入所述第一內(nèi)槽212，所述第一內(nèi)槽212內(nèi)的液體比較容易受污染，減少所述晶圓30的存放時(shí)間有利于減少受污染的液體對(duì)所述晶圓30的腐蝕；因?yàn)榉湃胨龅诙?nèi)槽222的晶圓30攜帶的殘留物顯著減少，所以所述第二內(nèi)槽 222的第二噴射器225的噴射流量可以遠(yuǎn)小于所述第一內(nèi)槽212的第一噴射器215的噴射流量，這樣有利于節(jié)約液體用量，另外，所述晶圓30存放在所述第二內(nèi)槽222內(nèi)的時(shí)間比較長(zhǎng)，液體的沖刷力太大會(huì)對(duì)所述晶圓30產(chǎn)生其他不利影響，這樣有利于所述晶圓30在所述第二內(nèi)槽222內(nèi)的安全存放；本實(shí)施例的晶圓存放槽中，所述第一內(nèi)槽212和所述第二內(nèi)槽222內(nèi)的液體均處于不斷更新的狀態(tài)，可有效防止槽內(nèi)的液體被污染，使槽內(nèi)保持著最佳的液體環(huán)境，從而避免槽內(nèi)的液體腐蝕晶圓，提高了晶圓的質(zhì)量，提高了半導(dǎo)體器件的產(chǎn)率。
權(quán)利要求1.一種晶圓存放槽，其特征在于，包括第一槽和第二槽；所述第一槽設(shè)有第一噴射器， 向所述第一槽輸送液體；所述第二槽設(shè)有第二噴射器，向所述第二槽輸送液體。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第一槽包括第一內(nèi)槽和第一外槽，所述第一內(nèi)槽設(shè)置在所述第一外槽內(nèi)，所述第一噴射器設(shè)置于所述第一內(nèi)槽的底部；所述第二槽包括第二內(nèi)槽和第二外槽，所述第二內(nèi)槽設(shè)置在所述第二外槽內(nèi)，所述第二噴射器設(shè)置于所述第二內(nèi)槽的底部。
3.如權(quán)利要求2述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第一外槽的底部設(shè)有第一排液口， 所述第二外槽的底部設(shè)有第二排液口。
4.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第一噴射器包括多個(gè)第一去離子水噴嘴、與所述多個(gè)第一去離子水噴嘴均相連的第一去離子水輸送管、以及設(shè)置在所述第一去離子水輸送管上的第一閥門。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第一噴射器還包括多個(gè)第一化學(xué)抑制劑噴嘴、與所述多個(gè)第一化學(xué)抑制劑噴嘴均相連的第一化學(xué)抑制劑輸送管、以及設(shè)置在所述第一化學(xué)抑制劑輸送管上的第一液體閥門。
6.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第二噴射器包括多個(gè)第二去離子水噴嘴、與所述多個(gè)第二去離子水噴嘴均相連的第二去離子水輸送管、以及設(shè)置在所述第二去離子水輸送管上的第二閥門。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第二噴射器還包括多個(gè)第二化學(xué)抑制劑噴嘴、與所述多個(gè)第二化學(xué)抑制劑噴嘴均相連的第二化學(xué)抑制劑輸送管、以及設(shè)置在所述第二化學(xué)抑制劑輸送管上的第二液體閥門。
8.如權(quán)利要求2所述的晶圓存放槽，其特征在于，所述第一內(nèi)槽的容積小于所述第二內(nèi)槽的容積；所述第一外槽的容積小于所述第二外槽的容積。
專利摘要本實(shí)用新型的晶圓存放槽包括第一槽和第二槽；所述第一槽設(shè)有第一噴射器，向所述第一槽輸送液體；所述第二槽設(shè)有第二噴射器，向所述第二槽輸送液體，第一槽和第二槽內(nèi)的液體不斷更新，處于最佳狀態(tài)，避免了槽內(nèi)的液體腐蝕晶圓。
文檔編號(hào)H01L21/673GK201966184SQ20112004131
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月18日
發(fā)明者許金海 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司