專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，尤其涉及提高畫質(zhì)特性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
最近，可攜帶的薄型平板顯示裝置代替顯示裝置成為了趨勢。在平板顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為自發(fā)光型顯示裝置，不僅具有廣視角、高對比度、而且還具有響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)，因此其作為下一代顯示裝置而備受矚目。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層、第一電極以及第二電極。中間層具有有機(jī)發(fā)光層，當(dāng)向第一電極和第二電極施加電壓，則在有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生可視光。
在現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，從中間層的有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的可視光在到達(dá)至用戶處之前損耗較多，從而減少了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光效率，最終限制了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的畫質(zhì)特性的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明可以提供簡單地提高畫質(zhì)特性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。本發(fā)明公開了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板；形成于所述基板上部的第一電極；具有在所述第一電極的上面相互間隔地形成的多個(gè)粒子的粒子部；形成于所述第一電極和所述粒子部上并且具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；以及形成于所述中間層上的第二電極。在本發(fā)明中，所述粒子部的粒子尺寸可以為3 00 A至1000 A。在本發(fā)明中，所述粒子部的粒子可以包含Ag。在本發(fā)明中，還包括設(shè)置于所述第一電極上且具有與所述第一電極重疊的開口部的像素限定膜，所述粒子部的粒子可以形成于所述像素限定膜的所述開口部的內(nèi)部和所述開口部的外部。在本發(fā)明中，所述第一電極可以包含透射型導(dǎo)電物。在本發(fā)明中，所述透射型導(dǎo)電物可以包括選自ΙΤΟ、IZO、ZnO, In2O3> IGO以及AZO的至少一種以上。在本發(fā)明中，所述第二電極可以與所述粒子部的所述多個(gè)粒子中的至少一個(gè)粒子接觸。在本發(fā)明中，所述第二電極可以與所述粒子部的所述多個(gè)粒子中與所述中間層不對應(yīng)的粒子接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一面，公開有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括在基板上部形成第一電極；在所述第一電極的上面形成具有互相間隔的多個(gè)粒子的粒子部；在所述第一電極和所述粒子部上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；以及在所述中間層上形成第二電極。在本發(fā)明中，形成所述粒子部的步驟可以包括形成包含Ag的導(dǎo)電層；以及熱處理所述導(dǎo)電層以使所述Ag得以凝聚。在本發(fā)明中，可以以IO A至200 A的厚度形成所述導(dǎo)電層。在本發(fā)明中，可以在氮環(huán)境下進(jìn)行所述熱處理步驟。在本發(fā)明中，可以在250°C至300°C下進(jìn)行所述熱處理步驟。在本發(fā)明中，在形成所述第一電極之后，在形成所述粒子部之前，還可以包括在所述第一電極上形成具有與所述第一電極重疊的開口部的像素限定膜。在本發(fā)明中，可以將所述粒子部形成于所述像素限定膜的開口部的內(nèi)部和所述開 口部的外部。在本發(fā)明中，形成所述粒子部的步驟可以包括將包含Ag的導(dǎo)電層形成于所述第一電極和所述像素限定膜上；以及熱處理所述導(dǎo)電層以使所述Ag得以凝聚。涉及本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法可以簡單地提高畫質(zhì)特性。


圖I為圖示本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖；圖2為圖示本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖；圖3為圖示本發(fā)明再一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖；圖4a至圖4f為依次圖示本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法的截面圖。附圖標(biāo)記說明100、200、300 :有機(jī)發(fā)光顯示裝置 101、201、301 :基板110、210、310 :第一電極120、220、320 :粒子部121、221、321 :粒子130、230、330 :中間層140、240、340 :第二電極115、215、315 :像素限定膜
具體實(shí)施例方式下面，參考附圖所示的本發(fā)明實(shí)施例，對本發(fā)明的構(gòu)成和作用進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖I為圖示本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖。如圖I所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括基板101、第一電極110、粒子部120、中間層130以及第二電極140。粒子部120具有互相間隔的多個(gè)粒子121。基板101可以由以SiO2作為主要成分的透明的玻璃材質(zhì)形成。基板101并不限于此，其還可以由透明的塑料材質(zhì)形成。塑料基板可以由絕緣性有機(jī)物形成，其可以由選自聚醚砜(polyethersulphone,簡稱為PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,簡稱為PAR)、聚醚酰亞胺(polyetherimide,簡稱為 PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenen naphthalate,簡稱為PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,簡稱為PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,簡稱為PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亞胺(polyimide)、聚碳酸脂(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetatepropionate,簡稱為CAP)的有機(jī)物形成。并且，基板101還可以由金屬形成，其還可以為金屬薄片形態(tài)。在基板101上設(shè)置有第一電極110。第一電極110可以通過光刻法形成為預(yù)定的圖案。雖未圖示，但是在基板101和第一電極110之間可以形成緩沖層(未圖示)，通過該緩沖層使基板101上部平坦化，并且可以阻斷雜質(zhì)元素滲透至基板101。緩沖層(未圖示)可以由SiO2和/或SiNx等形成。第一電極110的圖案可以由互相間隔有預(yù)定距離的條(stripe)狀的線條構(gòu)成?！鯬，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100為無源驅(qū)動(dòng)型(passive matrix type,簡稱為PM)。針對有源驅(qū)動(dòng)型(active matrix type，簡稱為AM)有機(jī)發(fā)光顯示裝置將在后面予以說明。第一電極110包含多種導(dǎo)電物，具體地，其可以包含透射型導(dǎo)電物。例如，第一電極110可以包含選自氧化銦錫(indium tin oxide,簡稱為ΙΤΟ)、氧化銦鋅(indiumzinc oxide,簡稱為 IZO)、氧化鋅(zinc oxide,簡稱為 ZnO)、氧化銦(indium oxide,簡稱·為 In2O3)、氧化鎵銦(indium gallium oxide,簡稱為 IG0)以及氧化鋅招(aluminum zincoxide，簡稱為AZ0)中的至少一種以上物質(zhì)。在第一電極110上設(shè)置有像素限定膜115。具體而言，像素限定膜115包括開口部115a。開口部115a與第一電極110相對應(yīng)。即，像素限定膜115覆蓋第一電極110的邊緣，開口部115a與第一電極110上面的預(yù)定區(qū)域重疊。像素限定膜115可以利用多種絕緣物質(zhì)得以形成。將粒子部120設(shè)置成與第一電極110的上面接觸。粒子部120包括多個(gè)粒子121。各個(gè)粒子包含Ag。并且，不僅在第一電極110的上面形成有多個(gè)粒子121，而且在像素限定膜115的上部也形成有多個(gè)粒子121。粒子部120的粒子121具有預(yù)定的尺寸，其尺寸為300 A至1000人。當(dāng)粒子121的尺寸未滿300 A時(shí)，在中間層130產(chǎn)生的可視光中朝向粒子部120的可視光無法在粒子部120有效地被散射和反射，從而減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的光效率。S卩，在中間層130產(chǎn)生的可視光被粒子部120的各個(gè)粒子121散射，因此具有將在中間層130產(chǎn)生的可視光的特定波長的光予以過濾的效果。并且，產(chǎn)生于中間層130的可視光在粒子部120和第二電極140之間被反射，從而在粒子部120和第二電極140之間的空間發(fā)生光共振效果。若粒子121的尺寸未滿300人，則不產(chǎn)生有效的反射和散射，因此需要使粒子121的尺寸保持在300 A以上。當(dāng)粒子121的尺寸超過1000A時(shí)，減少產(chǎn)生于中間層130的可視光在基板101方向上的透射率。即，針對用戶在基板101方向上識(shí)別出產(chǎn)生于中間層130的可視光的背面發(fā)光結(jié)構(gòu)，當(dāng)粒子121的尺寸超過1000 A時(shí)，在中間層130產(chǎn)生的可視光的透射率因粒子121而減小。因此，需要使粒子121的尺寸保持在1000A以下。此時(shí)，粒子121的尺寸可以為各個(gè)粒子121的寬度。例如，當(dāng)粒子121為球形時(shí)，以粒子121的直徑定義粒子121的尺寸。另外，當(dāng)粒子121不是球形的情況下，將以粒子121的中心為準(zhǔn)進(jìn)行測量時(shí)的粒子121最大寬度定義為粒子121的尺寸。在粒子部120上設(shè)置有中間層130。中間層130包括有機(jī)發(fā)光層。具體而言，與像素限定膜115的開口部115a對應(yīng)地設(shè)置中間層130。中間層130設(shè)置于粒子部120的各個(gè)粒子121上，并且中間層130通過粒子121之間的間隔空間還與第一電極110接觸。中間層130的有機(jī)發(fā)光層作為產(chǎn)生可視光的層，其可以呈現(xiàn)多種顏色，例如可以產(chǎn)生紅色、綠色以及藍(lán)色等可視光。在中間層130上設(shè)置有第二電極140。第二電極140可以是與第一電極110的圖案垂直的條狀。第二電極140可以形成為包含六8、1%、六1、？扒？(1、六11、祖、恥、11'、0、1^、〇&以及這些物質(zhì)的化合物等。將第二電極140形成為與粒子部120的粒子121接觸。即，第二電極140和在多個(gè)粒子121中與中間層130不對應(yīng)的粒子121中的預(yù)定的粒子121接觸。由于第二電極140和包含Ag的粒子121接觸，因此防止在向第二電極140施加電壓時(shí)可能會(huì)在第二電極140發(fā)生的電壓下降(IR drop)，尤其是防止在大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的第二電極140發(fā)生的電壓下降。
雖未圖示，但是可以在第二電極140的上部設(shè)置有密封部件(未圖示)，以使其與基板101的一面相對。為了保護(hù)中間層130免受于外部的水分或者氧等的影響而形成密封部件(未圖示)，其可以由玻璃或者塑料形成，或者其還可以為有機(jī)物和無機(jī)物的多重重疊結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括粒子部120。在產(chǎn)生于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的中間層130的可視光中朝向基板101的部分到達(dá)粒子部120之后在粒子部120被反射。被粒子部120反射的這種可視光朝向第二電極140的方向，并在第二電極140被反射。依此,可視光在粒子部120和第二電極140之間的空間中產(chǎn)生共振，并且這種光共振將提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的光效率。結(jié)果，提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫質(zhì)特性。尤其，針對用戶在基板101方向上識(shí)別出產(chǎn)生于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的中間層130的可視光的背面發(fā)光結(jié)構(gòu)，將會(huì)進(jìn)一步提高光效率。換言之，由于粒子部120具有互相間隔的多個(gè)粒子121，即由于粒子部120并非為延伸的薄膜形態(tài)，因此可視光在發(fā)生共振之后最終經(jīng)由多個(gè)粒子121之間的空間向基板101方向傳播，從而到達(dá)用戶處，因此降低了光損失。并且，在中間層130產(chǎn)生的可視光到達(dá)粒子部120之后被粒子121散射。通過這種光散射效果提高了光效率。尤其，這種光散射引發(fā)特定波長的可視光的濾化(filtering)。依此，簡單地提高在中間層130產(chǎn)生的藍(lán)色可視光的光特性，結(jié)果提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫質(zhì)特性。并且，由于第二電極140和粒子121接觸，因此通過防止第二電極140的電壓下降提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的電特性和畫質(zhì)特性。圖2為圖示本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖。如圖2所示,有機(jī)發(fā)光顯示裝置200包括基板201、薄膜晶體管TFT、第一電極210、粒子部220、中間層230以及第二電極240。薄膜晶體管TFT包括活性層203、柵電極205、源電極207以及漏電極208。下面，對各個(gè)部件的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。在基板201上形成有緩沖層202。緩沖層202可以包含SiO2或者SiNx。并且，緩沖層202可以為疊層有多個(gè)層的形態(tài)。緩沖層202使基板201的上部平坦化，并且防止水分或者雜質(zhì)向基板201方向滲透。
在緩沖層202上以預(yù)定圖案形成活性層203?；钚詫?03可以由如非晶硅或者多晶硅等無機(jī)半導(dǎo)體或者有機(jī)半導(dǎo)體形成，并且其包括源區(qū)域、漏區(qū)域以及溝道區(qū)域。在活性層203的上部形成有柵絕緣膜204。柵絕緣膜204可以包含多種絕緣物質(zhì)。在柵絕緣膜204上部的預(yù)定區(qū)域形成有柵電極205。柵電極205與施加TFT導(dǎo)通/斷開信號的柵線(未圖示)連接。柵電極205可以由如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo，或者Al :Nd、Mo:W合金等金屬或者金屬合金形成；但并不限于此。在柵電極205的上部形成層間絕緣膜206，其中將層間絕緣膜206形成為使活性層203的源區(qū)域及漏區(qū)域露出。另外，將源電極207和漏電極208形成為分別與活性層203的露出的源區(qū)域及漏區(qū)域接觸。將鈍化層209形成為覆蓋薄膜晶體管TFT。 在鈍化層209上形成有第一電極210。具體而言，將鈍化層209形成為使漏電極208露出，并且第一電極210與露出的漏電極208連接。第一電極210可以包括選自氧化銦錫(indium tin oxide,簡稱為ΙΤΟ)、氧化銦鋒(indium zinc oxide,簡稱為 IZO)、氧化鋒(zinc oxide,簡稱為 ZnO)、氧化銦(indiumoxide,簡稱為In2O3)、氧化鎵銦(indium gallium oxide,簡稱為IG0)以及氧化鋅招(aluminum zinc oxide,簡稱為ΑΖ0)的至少一種以上物質(zhì)。在第一電極210上形成有像素限定膜215。像素限定膜215包含多種絕緣物質(zhì)，并且其具有開口部215a。將開口部215a形成為與第一電極210對應(yīng)。即，與第一電極210上面的預(yù)定的區(qū)域重疊地形成開口部215a。將粒子部220設(shè)置為與第一電極210的上面接觸。粒子部220包括多個(gè)粒子221。各個(gè)粒子221包含Ag。并且還將粒子221形成于第一電極210的上面和像素限定膜215的上部。粒子部220的粒子221具有預(yù)定的尺寸，其尺寸為300 A至1000人。關(guān)于粒子221結(jié)構(gòu)的具體內(nèi)容與前述的實(shí)施例相同，因此將省略說明。在粒子部220上設(shè)置有中間層230。中間層230包括有機(jī)發(fā)光層。具體而言，將中間層230設(shè)置為與像素限定膜215的開口部215a對應(yīng)。在粒子部220的各個(gè)粒子221上也設(shè)置中間層230，并且中間層230經(jīng)由粒子221之間的間隔的空間與第一電極210接觸。中間層230的有機(jī)發(fā)光層作為產(chǎn)生可視光的層，其可以呈現(xiàn)多種顏色，例如，可以產(chǎn)生紅色、綠色以及藍(lán)色可視光。在中間層230上設(shè)置有第二電極240。第二電極240在沒有額外的圖案的情況下統(tǒng)一地形成于所有子像素(未圖示)上。可以將第二電極240形成為包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca以及這些物質(zhì)的化合物等。雖未圖示，但是可以在第二電極240的上部設(shè)置有密封部件(未圖示)，以使其與基板201的一面相對。為了保護(hù)中間層230等免受于外部的水分或者氧等的影響而形成密封部件(未圖示)，其可以由玻璃或者塑料形成，或者其還可以為有機(jī)物和無機(jī)物的多重重
疊結(jié)構(gòu)。如圖3所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置300包括基板301、薄膜晶體管TFT、第一電極310、中間層330、第二電極340、粒子部320以及電容器318。
薄膜晶體管TFT包括活性層303、柵電極307、源電極311以及漏電極312。電容器318包括第一電容器電極313以及第二電容器電極317。在基板301上形成有緩沖層302。在緩沖層302上形成有活性層303。并且，緩沖層302上形成有第一電容器電極313。優(yōu)選地,第一電容器電極313由與活性層303相同的材料形成。在緩沖層302上形成柵絕緣膜304以使其覆蓋活性層303和第一電容器電極313。在柵絕緣膜304上形成有柵電極307、第一電極310以及第二電容器電極317。柵電極307包括第一導(dǎo)電層305以及第二導(dǎo)電層306。第一導(dǎo)電層305包含透射型導(dǎo)電物質(zhì)，具體而言，其可以包括選自氧化銦錫(indium tin oxide,簡稱為ΙΤΟ)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,簡稱為IZO)、氧化鋅(zinc oxide,簡稱為ZnO)、氧化銦(indium oxide,簡稱為 In2O3)、氧化鎵銦(indium gallium oxide,簡稱為 IG0)、以及氧化鋅招(aluminum zinc oxide,簡稱為AZ0)的至少一種以上物質(zhì)。第二導(dǎo)電層306可以形成 于第一導(dǎo)電層305上，且其可以包括如Mo、MoW、Al類合金等金屬或者金屬的合金，但是并不限于此。第一電極310包含透射型導(dǎo)電物質(zhì),其可以由與第一導(dǎo)電層305相同的物質(zhì)形成。在第一電極310上部的預(yù)定區(qū)域設(shè)置有導(dǎo)電部310a,導(dǎo)電部310a由與第二導(dǎo)電層306相同的材質(zhì)形成。第二電容器電極317包括第一層314和第二層316，第一層314由與第一導(dǎo)電層305相同的材質(zhì)形成,第二層316由與第二導(dǎo)電層306相同的材質(zhì)形成。在第一電極310、柵電極307以及第二電容器電極317上形成有層間絕緣膜308。層間絕緣膜308可以包含有機(jī)物或者無機(jī)物等多種材質(zhì)的絕緣物質(zhì)。在層間絕緣膜308上形成有源電極311和漏電極312。源電極311和漏電極312形成為與活性層303連接。并且，在源電極311和漏電極312中的某一個(gè)電極將與第一電極310電連接，圖3圖示了漏電極312與第一電極310電連接的示例。具體而言，漏電極312與導(dǎo)電部310a接觸。在層間絕緣膜308上形成像素限定膜315以使其覆蓋薄膜晶體管TFT和電容器318。像素限定膜315具有開口部315a，開口部315a形成為與第一電極310上面的預(yù)定的
區(qū)域重疊。將粒子部320設(shè)置為與第一電極310的上面接觸。粒子部320具有多個(gè)粒子321。各個(gè)粒子321包含Ag。并且，粒子321還形成于第一電極310的上面和像素限定膜315的上部。粒子部320的粒子321具有預(yù)定的尺寸，其尺寸為300 A至1000人。關(guān)于粒子321構(gòu)成的具體內(nèi)容和前述的實(shí)施例相同，因此將省略說明。在粒子部320上設(shè)置有中間層330。中間層330包括有機(jī)發(fā)光層。具體而言，中間層330設(shè)置為與像素限定膜315的開口部315a對應(yīng)。中間層330還設(shè)置于粒子部320的各個(gè)粒子321上，并且中間層330經(jīng)由粒子321之間的間隔的空間與第一電極310接觸。在中間層330上形成有第二電極340。當(dāng)通過第一電極310和第二電極340施加電壓時(shí)，在中間層330的有機(jī)發(fā)光層呈現(xiàn)可視光。
在第二電極340上可以設(shè)置有密封部件(未圖示)。為了保護(hù)中間層330和其他層免受于外部的水分或者氧等的影響而形成密封部件(未圖示)，密封部件(未圖示)由透明的材質(zhì)形成。為此，密封部件可以由玻璃、塑料、有機(jī)物、無機(jī)物，或者有機(jī)物和無機(jī)物的重疊結(jié)構(gòu)形成，或者形成為其他多種類型。圖4a至圖4f為依次圖示本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法的截面圖。具體而言，本實(shí)施例為制造圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的方法。雖未圖示，本發(fā)明還適用于圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200和圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300的制造方法。如圖4a所示，在基板101上形成第一電極110?？梢酝ㄟ^光刻法，以預(yù)定的圖案形成第一電極110。雖未圖示，但是無疑地，在基板101上形成第一電極110之前可以預(yù)先形成緩沖層(未圖示)。
使用導(dǎo)電物形成第一電極110，第一電極110可以包含選自氧化銦錫(indium tinoxide,形成為 IT0)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,形成為 IZO)、氧化鋅(zinc oxide,形成為 ZnO)、氧化銦(indium oxide,形成為 In2O3)、氧化鎵銦(indium gallium oxide,形成為IG0)、以及氧化鋅招(aluminum zinc oxide,形成為AZ0)的至少一種以上物質(zhì)。然后，如圖4b所示，在第一電極110上形成像素限定膜115。具體而言，將像素限定膜115形成為包括以預(yù)定圖案形成的開口部115a。像素限定膜115可以包括高分子物質(zhì)。此時(shí)，將開口部115a形成為與第一電極110對應(yīng)。即，將像素限定膜115形成為覆蓋第一電極Iio的邊緣，將開口部115a形成為露出第一電極110上面的預(yù)定的區(qū)域。然后，如圖4c所示，將用于形成粒子部120的導(dǎo)電層120a形成于第一電極110的露出的表面和像素限定膜115的表面上部。即，在沒有額外的圖案的情況下將導(dǎo)電層120a形成于第一電極110和像素限定膜115上。導(dǎo)電層120a包含Ag。并且，導(dǎo)電層120a具有預(yù)定的厚度，具體而言，優(yōu)選為具有10人至200A的厚度。若以這種厚度形成導(dǎo)電層120a，則通過后續(xù)的熱處理工序可以形成尺寸為300 A至1000 A的粒子121。如圖4d所示，實(shí)施熱處理工序，以使在導(dǎo)電層120a發(fā)生凝聚現(xiàn)象以形成粒子121。具體而言，將基板101輸入到熱處理室500，以實(shí)施熱處理工序。在250°C至300°C范圍下進(jìn)行這種熱處理工序，實(shí)施溫度優(yōu)選為250°C。若在小于250°C下進(jìn)行熱處理工序，則在導(dǎo)電層120a不發(fā)生凝聚現(xiàn)象，從而不會(huì)生成粒子121。另外，若熱處理工序溫度超過30(TC，則第一電極110和像素限定膜115受損或者導(dǎo)電層120a的特性會(huì)降低。另外，熱處理工序的進(jìn)行時(shí)間為50分鐘至I小時(shí)30分鐘，優(yōu)選為I小時(shí)。另外，在氮環(huán)境下進(jìn)行這種熱處理工序。經(jīng)過這種熱處理工序，則形成如圖4e所示的粒子部120。S卩，以上述的條件對導(dǎo)電層120a進(jìn)行熱處理，則在導(dǎo)電層120a發(fā)生凝聚現(xiàn)象，并且形成具有預(yù)定尺寸的、相互間隔的粒子121。然后，如圖4f所示，在第一電極110上形成中間層130和第二電極140，最終制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置100。中間層130至少包括有機(jī)發(fā)光層。中間層130包括有機(jī)發(fā)光層。具體而言，將中間層130設(shè)置為與像素限定膜115的開口部115a對應(yīng)。還將中間層130設(shè)置于粒子部120的各個(gè)粒子121上，并且中間層130經(jīng)由粒子121之間的間隔的空間與第一電極110接觸。在中間層130上設(shè)置第二電極140。第二電極140形成為與粒子部120的粒子121接觸。S卩，第二電極140和在多個(gè)粒子121中與中間層130未接觸的粒子121中的預(yù)定粒子121接觸。 雖未圖示，但是在第二電極140的上部可以設(shè)置有密封部件(未圖示)，以使其與基板101的一面相對。為了保護(hù)中間層130等免受于外部的水分或者氧等的影響而形成密封部件(未圖示)，其可以由玻璃或者塑料形成，或者還可以是有機(jī)物和無機(jī)物的多重重疊結(jié)構(gòu)。通過本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法，可以在第一電極110上簡單地形成具有多個(gè)粒子121的粒子部120。結(jié)果，可以簡單地提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的光效率。本發(fā)明參考附圖所示的實(shí)例進(jìn)行了說明，但是這僅是示例性的，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解依此可以有多種變型和等效的其他實(shí)施例。從而，本發(fā)明所要保護(hù)的技術(shù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求書的技術(shù)方案所定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 基板； 第一電極，形成于所述基板上部； 粒子部，具有多個(gè)粒子，所述多個(gè)粒子相互間隔地形成在所述第一電極的上面； 中間層，形成于所述第一電極和所述粒子部上，并且具有有機(jī)發(fā)光層；以及 第二電極，形成于所述中間層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述粒子部的粒子尺寸為300 A至1000 A。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述粒子部的粒子包含Ag。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括 像素限定膜，設(shè)置于所述第一電極上，并且具有與所述第一電極重疊的開口部， 其中所述粒子部的粒子形成于所述像素限定膜的所述開口部的內(nèi)部和所述開口部的外部。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極包含透射型導(dǎo)電物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述透射型導(dǎo)電物包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO, In2O3> IGO以及AZO的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第二電極與所述粒子部的所述多個(gè)粒子中的至少一個(gè)粒子接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第二電極與所述粒子部的所述多個(gè)粒子中與所述中間層不對應(yīng)的粒子接觸。
9.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上部形成第一電極； 在所述第一電極的上面形成具有互相間隔的多個(gè)粒子的粒子部； 在所述第一電極和所述粒子部上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；以及 在所述中間層上形成第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述粒子部的步驟包括 形成包含Ag的導(dǎo)電層；以及 熱處理所述導(dǎo)電層以使所述Ag得以凝聚。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，以10A至200 A的厚度形成所述導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求 ο所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在氮環(huán)境下進(jìn)行所述熱處理步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在250°C至300°C下進(jìn)行所述熱處理步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在形成所述第一電極之后，在形成所述粒子部之前，還包括在所述第一電極上形成具有與所述第一電極重疊的開口部的像素限定膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 將所述粒子部形成于所述像素限定膜的開口部的內(nèi)部和所述開口部的外部。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述粒子部的步驟包括 將包含Ag的導(dǎo)電層形成于所述第一電極和所述像素限定膜上；以及 熱處理所述導(dǎo)電層以使所述Ag得以凝聚。
全文摘要
本發(fā)明公開了有機(jī)發(fā)光顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板；形成于所述基板上部的第一電極；具有在所述第一電極的上面相互間隔地形成的多個(gè)粒子的粒子部；形成于所述第一電極和所述粒子部上并且具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；以及形成于所述中間層上的第二電極。
文檔編號H01L21/77GK102867838SQ201110291368
公開日2013年1月9日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月4日
發(fā)明者李大宇, 趙秀范, 崔鐘炫 申請人:三星顯示有限公司