專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，更特別涉及內(nèi)裝有方向性耦合器的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為以往的電子元器件，公知的有例如專利文獻I中所記載的耦合器。下面，參照附圖對專利文獻I中所記載的耦合器進行說明。圖3是專利文獻I中所記載的耦合器500 的透視圖。
耦合器500具有介質(zhì)基體502、第I導(dǎo)體線路504、第2導(dǎo)體線路506、通孔導(dǎo)體 BI B4、以及第I端子508至第4端子514。
介質(zhì)基體502是通過層疊長方形的多個介質(zhì)層而構(gòu)成的。第I導(dǎo)體線路504以及第2導(dǎo)體線路506是設(shè)置于介質(zhì)層上的線狀導(dǎo)體，且相互之間進行電磁耦合。第I端子508 至第4端子514是設(shè)置于介質(zhì)基體的底面的外部電極。通孔導(dǎo)體BI B4沿著層疊方向貫穿介質(zhì)層。通孔導(dǎo)體BI、B2分別與第I導(dǎo)體線路504的兩端、以及第I端子508和第2端子510相連接，通孔導(dǎo)體B3、B4分別與第2導(dǎo)體線路506的兩端、以及第3端子512和第4 端子514相連接。
專利文獻I中所記載的耦合器500如下所說明的那樣，能夠?qū)崿F(xiàn)元件的小型化。在一般的耦合器中，第I端子至第4端子設(shè)置于介質(zhì)基體的側(cè)面。在這種情況下，就需要用于將第I導(dǎo)體線路的兩端和第I端子及第2端子之間進行電連接的引出導(dǎo)體、以及用于將第 2導(dǎo)體線路的兩端和第3端子及第4端子之間進行電連接的引出導(dǎo)體。引出導(dǎo)體從第I導(dǎo)體線路的兩端以及第2導(dǎo)體線路的兩端向著介質(zhì)層的外邊緣延伸。因此，為了在介質(zhì)層上確保用于設(shè)置引出導(dǎo)體的區(qū)域，必須增大該介質(zhì)層。結(jié)果，使得耦合器大型化。
另一方面，在專利文獻I所記載的耦合器500中，利用通孔導(dǎo)體BI、B2將第I導(dǎo)體線路504的兩端、和第I端子508及第2端子510相連接。同樣地，利用通孔導(dǎo)體B3、B4將第2導(dǎo)體線路506的兩端、和第3端子512及第4端子514相連接。通孔導(dǎo)體BI B4在層疊方向上延伸。因此，在耦合器500中，在介質(zhì)層上并不需要確保用于設(shè)置通孔導(dǎo)體BI B4的區(qū)域。結(jié)果，在專利文獻I所記載的耦合器500中，能夠?qū)崿F(xiàn)元件的小型化。
然而，專利文獻I中所記載的耦合器500如下所說明的那樣，存在著在介質(zhì)基體 502上會發(fā)生彎曲的問題。更詳細地說，在對介質(zhì)基體502進行燒成時，介質(zhì)層、以及第I端子508至第4端子514以不同的收縮率進行收縮。另外，將第I端子508至第4端子514 設(shè)置在介質(zhì)基體502的底面,而在介質(zhì)基體502的上表面并未設(shè)置端子。這樣，由于僅在介質(zhì)基體502的底面上設(shè)置第I端子508至第4端子514，因此，介質(zhì)基體502的上表面和底面的收縮率是不同的。結(jié)果，在介質(zhì)基體502上會發(fā)生彎曲。
專利文獻
專利文獻I :日本專利特開2005-12559號公報發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制在層疊體上發(fā)生彎曲的電子元器件。
本發(fā)明的一個實施形態(tài)所涉及的電子元器件，包括層疊體，該層疊體通過層疊多個絕緣體層而構(gòu)成；主線路，該主線路設(shè)置于所述層疊體內(nèi)；副線路，該副線路設(shè)置于所述層疊體內(nèi)，且通過與所述主線路進行電磁耦合以與該主線路一起構(gòu)成方向性耦合器；第I 外部電極及第2外部電極，該第I外部電極及該第2外部電極設(shè)置于所述層疊體的下表面， 且分別與所述主線路的兩端相連接；第3外部電極及第4外部電極，該第3外部電極及該第4外部電極設(shè)置于所述層疊體的下表面，且分別與所述副線路的兩端相連接；以及防止彎曲用導(dǎo)體，該防止彎曲用導(dǎo)體設(shè)置在位于所述層疊體的上表面一側(cè)的所述絕緣體層上， 而非設(shè)置在設(shè)置有所述主線路的所述絕緣體層及設(shè)置有所述副線路的所述絕緣體層上，且當(dāng)從層疊方向進行俯視時，與所述第I外部電極至所述第4外部電極重合，在設(shè)置于所述層疊體的下表面一側(cè)的所述絕緣體層上，而非在設(shè)置有所述防止彎曲用導(dǎo)體的所述絕緣體層上，并未設(shè)置不與所述主線路及所述副線路中的任何一種線路相連接的導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在層疊體上發(fā)生彎曲。


圖I是實施形態(tài)所涉及的電子元器件的立體圖。
圖2是實施形態(tài)所涉及的電子元器件的分解立體圖。
圖3是專利文獻I所記載的耦合器的透視圖。
標號說明
ML主線路
SI 上表面
S2下表面
SL副線路
bl b6、bll b20通孔導(dǎo)體
10電子兀器件
12層疊體
14a 14d外部電極
15方向識別標記
16a 16h絕緣體層
18a、18b、22a、22b 線路導(dǎo)體
20a 20c、24a 24g 連接導(dǎo)體
26防止彎曲用導(dǎo)體具體實施方式
下面，對本發(fā)明的實施形態(tài)所涉及的電子元器件進行說明。
(電子元器件的結(jié)構(gòu))
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施形態(tài)所涉及的電子元器件的結(jié)構(gòu)進行說明。是實施形態(tài)所涉及的電子元器件10的立體圖。圖2是實施形態(tài)所涉及的電子元器件10的分解立體圖。下面，將電子元器件10的層疊方向定義為z軸方向，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，將沿著電子元器件10的短邊的方向定義為X軸方向，將沿著電子元器件10的長邊的方向定義為y軸方向。X軸、y軸以及z軸互相垂直。另外，在圖2中，以與z軸方向相反的狀態(tài)來圖示電子元器件10。
如圖I及圖2所示，電子元器件10具有層疊體12、外部電極14(14a 14d)、方向識別標記15、防止彎曲用導(dǎo)體26 (參照圖2)、主線路ML(參照圖2)以及副線路SL(參照圖 2)。
如圖I所示，層疊體12形成為長方體形狀。在層疊體12中，將位于z軸方向的正方向一側(cè)的面、以及位于z軸方向的負方向一側(cè)的面分別設(shè)為上表面SI、以及下表面S2。這里，下表面S2是安裝面。也就是說，當(dāng)將電子元器件10安裝到電路基板上時，下表面S2與電路基板相對。
如圖2所示，通過層疊絕緣體層16 (16a 16h)以使其按照從z軸方向的負方向一側(cè)向著正方向一側(cè)的順序來排列，從而構(gòu)成層疊體12。絕緣體層16分別形成為長方形狀，且分別利用介質(zhì)材料來制作。下面，將絕緣體層16的z軸方向的負方向一側(cè)的面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的正方向一側(cè)的面稱為背面。
如圖I及圖2所示，方向識別標記15設(shè)置于層疊體12的上表面SI上(S卩、絕緣體層16h的背面上)，是形成為圓形的導(dǎo)體。在將電子元器件10安裝到電基板上時，方向識別標記15用于識別該電子元器件10的朝向。
外部電極14分別利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖I及圖2所示，該外部電極14設(shè)置于層疊體12的下表面S2上(即、絕緣體層16a的表面上)，且形成為長方形狀。在下表面 S2上，將外部電極14a設(shè)置于X軸方向的正方向一側(cè)且y軸方向的負方向一側(cè)的角落。在下表面S2上，將外部電極14b設(shè)置于X軸方向的正方向一側(cè)且y軸方向的正方向一側(cè)的角落。在下表面S2上，將外部電極14c設(shè)置于X軸方向的負方向一側(cè)且y軸方向的負方向一側(cè)的角落。在下表面S2上，將外部電極14d設(shè)置于X軸方向的負方向一側(cè)且y軸方向的正方向一側(cè)的角落。另外，外部電極14不從下表面S2露出，且并未設(shè)置在層疊體12的側(cè)面上。
將主線路ML設(shè)置于層疊體12內(nèi)，如圖2所示，連接在外部電極14a和外部電極14b 之間。也就是說，主線路ML的兩端分別與外部電極14a和外部電極14b相連接。如圖2所示，主線路ML利用線路導(dǎo)體18 (18a、18b)、連接導(dǎo)體20 (20a 20c)、以及通孔導(dǎo)體bl b6 來構(gòu)成。
線路導(dǎo)體18a、18b分別利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，且設(shè)置于絕緣體層16c、16d的表面上，當(dāng)從z軸方向的負方向一側(cè)進行俯視時，該線路導(dǎo)體18a、18b是沿著順時針方向旋轉(zhuǎn)的。下面，當(dāng)從z軸方向的負方向一側(cè)進行俯視時，將線路導(dǎo)體18a、18b的順時針方向的上流側(cè)的端部稱為上流端，將線路導(dǎo)體18a、18b的順時針方向的下流側(cè)的端部稱為下流端。
通孔導(dǎo)體bl、b2利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層 16a、16b,相互連接以構(gòu)成I個通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體bl的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與外部電極14a相連接。也就是說，通孔導(dǎo)體bl構(gòu)成主線路ML的端部。通孔導(dǎo)體62的2軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體18a的上流端相連接。
通孔導(dǎo)體b3利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層 16c。通孔導(dǎo)體b3的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體18a的下流端相連接。通孔導(dǎo)體b3的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體18b的上流端相連接。
通孔導(dǎo)體b4、b5、b6利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層16c、16b、16a，相互連接以構(gòu)成I個通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b4的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體18b的下流端相連接。通孔導(dǎo)體b6的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與外部電極14b相連接。由此，通孔導(dǎo)體b6構(gòu)成主線路ML的端部。
連接導(dǎo)體20a、20b、20c分別利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，該連接導(dǎo)體20a、 20b,20c是設(shè)置于絕緣體層16b、16c、16b的表面上的矩形上的導(dǎo)體。從z軸方向進行俯視時，設(shè)置連接導(dǎo)體20a以使其與通孔導(dǎo)體bl、b2重合。由此，即使在層疊絕緣體層16a和 16b時偏離X軸方向或者y軸方向，導(dǎo)致在從z軸方向進行俯視時，通孔導(dǎo)體bl和通孔導(dǎo)體 b2變得不一致，但也能夠通過連接導(dǎo)體20a將通孔導(dǎo)體bl和通孔導(dǎo)體b2進行電連接。由于連接導(dǎo)體20b、20c的功能與連接導(dǎo)體20a的功能相同，因此省略說明。
如上所述構(gòu)成的主線路ML如圖2所示，從外部電極14a到外部電極14b之間，先一邊沿著順時針方向旋轉(zhuǎn)、一邊向著z軸方向的正方向一側(cè)前進,然后向著z軸方向的負方向一側(cè)、直線地前進。
將副線路SL設(shè)置于層疊體12內(nèi)，如圖2所示，連接在外部電極14c和外部電極14d 之間。也就是說，副線路SL的兩端分別與外部電極14c和外部電極14d相連接。如圖2所示，副線路SL利用線路導(dǎo)體22 (22a、22b)、連接導(dǎo)體24 (24a 24g)、以及通孔導(dǎo)體bll b20來構(gòu)成。線路導(dǎo)體22a、22b分別利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，且設(shè)置于絕緣體層16f、16e 上，當(dāng)從z軸方向的負方向一側(cè)進行俯視時，該線路導(dǎo)體22a、22b是沿著順時針方向旋轉(zhuǎn)的。下面，當(dāng)從z軸方向的負方向一側(cè)進行俯視時，將線路導(dǎo)體22a、22b的順時針方向的上流側(cè)的端部稱為上流端，將線路導(dǎo)體22a、22b的順時針方向的下流側(cè)的端部稱為下流端。
通孔導(dǎo)體bll bl5利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層16a 16e，相互連接以構(gòu)成I個通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體bll的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與外部電極14c相連接。也就是說，通孔導(dǎo)體bll構(gòu)成副線路SL的端部。通孔導(dǎo)體 bl5的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體22a的上流端相連接。
通孔導(dǎo)體bl6利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層 16e。通孔導(dǎo)體b 16的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體22a的下流端相連接。通孔導(dǎo)體bl6的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體22b的上流端相連接。
通孔導(dǎo)體b 17、bl8、bl9、b20利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，沿著z軸方向貫穿絕緣體層16d、16c、16b、16a,相互連接以構(gòu)成I個通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體bl7的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線路導(dǎo)體22b的下流端相連接。通孔導(dǎo)體b20的z軸方向的負方向一側(cè)的端部與外部電極14d相連接。也就是說，通孔導(dǎo)體b20構(gòu)成副線路SL的端部。
連接導(dǎo)體24a、24b、24c、24d、24e、24f、24g分別利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，該連接導(dǎo)體24&、2413、24(3、24(1、246、24€、248 是設(shè)置于絕緣體層 16b、16c、16d、16e、16d、 16c、16b的表面上的矩形上的導(dǎo)體。從z軸方向進行俯視時，設(shè)置連接導(dǎo)體24a以使其與通孔導(dǎo)體bll、bl2重合。由此，即使在絕緣體層16發(fā)生層疊偏離，導(dǎo)致在從z軸方向進行俯視時，通孔導(dǎo)體bll與通孔導(dǎo)體bl2變得不一致，但也能夠通過連接導(dǎo)體24a將通孔導(dǎo)體 bll和通孔導(dǎo)體bl2進行電連接。由于連接導(dǎo)體24b 24g的功能與連接導(dǎo)體24a的功能相同，因此省略說明。
如上所述構(gòu)成的副線路SL如圖2所示，從外部電極14c到外部電極14d之間，先向著z軸方向的正方向一側(cè)、直線地前進，然后一邊沿著順時針方向旋轉(zhuǎn)、一邊向著z軸方向的負方向一側(cè)前進。
如上所述構(gòu)成的主線路ML和副線路SL如圖2所示，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，被主線路ML包圍的區(qū)域和被副線路SL包圍的區(qū)域互相重合。因此，主線路ML和副線路SL 之間進行磁耦合。另外，在主線路ML和副線路SL中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，線路導(dǎo)體 18和線路導(dǎo)體22互相重合。此外，通孔導(dǎo)體bl b6和通孔導(dǎo)體bll b20之間相互平行地延伸。。因此，主線路ML和副線路SL之間進行電容耦合。如上所述，主線路ML和副線路 SL之間通過互相進行電磁耦合，從而構(gòu)成方向性耦合器。
防止彎曲用導(dǎo)體26利用導(dǎo)電性材料來構(gòu)成，如圖2所示，該防止彎曲用導(dǎo)體26是設(shè)置于絕緣體層16g的表面上的一層的矩形上的導(dǎo)體。更詳細地說，在設(shè)置于層疊體12的上表面SI—側(cè)(即、Z軸方向的正方向一側(cè))的絕緣體層16g的表面上，而非在設(shè)置有主線路ML的絕緣體層16a 16c以及設(shè)置有副線路SL的絕緣體層16a 16f的表面上，設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26。而且，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26與外部電極 14a 14d相重合。再有，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26還與連接于外部電極14a 14d的通孔導(dǎo)體bl、b6、bll、b20重合。但是，在本實施形態(tài)所涉及的電子元器件 10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，外部電極14a 14d從防止彎曲用導(dǎo)體26露出。
而且，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26與整個主線路ML及整個副線路SL重合。
另外，如圖2所示，在層疊體12內(nèi)，防止彎曲用導(dǎo)體26并未與其他導(dǎo)體進行電連接。
這里，在層疊體12中，在設(shè)置于下表面S2 —側(cè)(即、z軸方向的負方向一側(cè))的絕緣體層16a 16f上，而非在設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26的絕緣體層16g上，并未設(shè)置不與主線路ML及副線路SL相連接的導(dǎo)體層。也就是說，在絕緣體層16a 16f 上，并未設(shè)置主線路ML、副線路SL以及外部電極14以外的結(jié)構(gòu)。
在如上所述構(gòu)成的電子元器件10中，將外部電極14a用作為輸入端口，將外部電極14b用作為主輸出端口，將外部電極14c用作為監(jiān)視輸出端口，將外部電極14d用作為 50 Q終端端口。于是，若向外部電極14a輸入信號,貝U從外部電極14b輸出信號，同時從外部電極14c也輸出信號。
(方向性I禹合器的制造方法)
接著，參照圖I及圖2來說明電子元器件10的制造方法。
首先，準備要成為絕緣體層16的陶瓷生片。接著，在要成為絕緣體層16的陶瓷生片上分別形成通孔導(dǎo)體bl b6、bll b20。在形成通孔導(dǎo)體bl b6、bll b20時，向要成為絕緣體層16的陶瓷生片照射激光以形成通孔。然后，利用印刷涂覆等方法，向該通孔中填充Ag、Pd、Cu、Au或者它們的合金等的導(dǎo)電性糊劑。
再然后，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法，在要成為絕緣體層16a 16g的陶瓷生片的表面上，涂覆以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性糊劑，由此，形成外部電極14、線路導(dǎo)體18和22、連接導(dǎo)體20和24、以及防止彎曲用導(dǎo)體26。另外，在形成外部電極14、線路導(dǎo)體18和22、以及連接導(dǎo)體20和24時，也可以對通孔填充導(dǎo)電性糊劑。
接著，將各陶瓷生片進行層疊。具體而言，對于要成為絕緣體層16a 16h的陶瓷生片，將其一片一片地層疊并壓接，使其按照從z軸方向的負方向一側(cè)到正方向一側(cè)的順序來排列。通過上述工序，形成母層疊體。對該母層疊體，利用靜水壓壓機等來進行正式壓接。
然后，利用轉(zhuǎn)印等方法，在母層疊體的上表面SI上，形成方向識別標記15。
接著，利用切割刀來切割母層疊體，從而得到規(guī)定尺寸的層疊體12。再然后，對未燒成的層疊體12進行除粘合劑處理、以及燒成處理。
通過上述工序，能夠得到被燒成后的層疊體12。對層疊體12實施滾筒拋光加工， 并形成倒角。
最后,對外部電極14的表面實施鍍Ni或鍍Sn。經(jīng)過上述工序,能夠完成圖I所示的電子兀器件10。
(效果)
在如上所述構(gòu)成的電子元器件10中，能夠抑制在層疊體12上發(fā)生彎曲。更詳細地說，在電子元器件10中，在設(shè)置于層疊體12的上表面SI 一側(cè)的絕緣體層16g的表面上，而非在設(shè)置有主線路ML的絕緣體層16a 16c以及設(shè)置有副線路SL的絕緣體層16a 16f 上，設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26。也就是說，在層疊體12的上表面SI的附近設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26。由此，使得層疊體12的上表面SI的收縮率接近層疊體12的下表面S2的收縮率。因此，能夠抑制在層置體12上發(fā)生彎曲。
另外，在電子元器件10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，上表面S I的與外部電極14 重合的區(qū)域的收縮率和下表面S2的設(shè)置有外部電極14的區(qū)域的收縮率之差較大。因此， 在電子元器件10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26與外部電極14a 14d 重合。由此，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，在上表面SI上與外部電極14重合的區(qū)域的收縮率和在下表面S2上設(shè)置有外部電極14的區(qū)域的收縮率之差變小。結(jié)果，能夠抑制在層疊體 12上發(fā)生彎曲。
另外，在電子元器件10中，若在層疊體12的下表面S2的附近設(shè)置有導(dǎo)體層，則由于層疊體12的下表面S2的收縮率與層疊體12的上表面SI的收縮率之差會變大，因此， 在層疊體上會發(fā)生彎曲。因此，在電子元器件10中，在設(shè)置于下表面S2—側(cè)的絕緣體層 16a 16f上，而非在設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26的絕緣體層16g上，并未設(shè)置不與主線路 ML及副線路SL相連接的導(dǎo)體層。也就是說，在層疊體12的下表面S2的附近，并未設(shè)置主線路ML、副線路SL以及外部電極14以外的導(dǎo)體層。由此，使得層疊體12的上表面SI的收縮率接近層疊體12的下表面S2的收縮率。因此，在對層疊體12進行燒成時，能夠抑制在層疊體12上發(fā)生彎曲。
另外，在電子元器件10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26還與分別連接于外部電極14a 14d的通孔導(dǎo)體bl、b6、bll、b20重合。由此，使得層疊體12的上表面SI的收縮率接近層疊體12的下表面S2的收縮率。因此，在對層疊體12進行燒成時，能夠抑制在層置體12上發(fā)生彎曲。
另外，本申請的發(fā)明人制作了設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26的電子元器件10(下面稱為第I樣品)、以及沒有設(shè)置防止彎曲用導(dǎo)體26的電子元器件(下面稱為第2樣品)，并對在第I樣品和第2樣品上發(fā)生的彎曲進行了測定。
對于第I樣品及第2樣品的各部分的尺寸進行說明。如圖I所示，將第I樣品及第 2樣品的X軸方向的寬度W定為450 y m，將y軸方向的長度L定為600 y m，將z軸方向的高度定為250 iim。另外，如圖2所示，將第I樣品及第2樣品的外部電極14的x軸方向的寬度Dl定為175 y m，將y軸方向的長度D2定為250 u m。而且，在第I樣品中，將防止彎曲用導(dǎo)體26的外邊緣與絕緣體層16g的外邊緣之間的間隔D3定為75iim。此外，在圖I中，雖然防止彎曲用導(dǎo)體26的外邊緣與絕緣體層16的外邊緣之間的間隔不均勻，但是在第I樣品中，將防止彎曲用導(dǎo)體26的外邊緣與絕緣體層16g的外邊緣之間的間隔設(shè)置為均勻。
根據(jù)本實驗，在第I樣品中未發(fā)生彎曲，與此相反，在第2樣品中發(fā)生了大小為 17um的彎曲。所謂大小為17 y m的彎曲，表示主面的最上部與主面的最下部之間的距離為 17 u m0如上所述可知，根據(jù)本發(fā)明的電子元器件10，能夠抑制在層疊體12上發(fā)生彎曲。
另外，在電子元器件10中，將與主線路ML的兩端及副線路SL的兩端相連接的外部電極14設(shè)置在層疊體12的下表面S2上，而且，主線路ML及副線路SL的兩端利用通孔導(dǎo)體bl、b6、bll、b20來構(gòu)成。也就是說，并未從層疊體12的側(cè)面引出主線路ML及副線路 SL。因此，在層疊體12中，因為不需要用于從層疊體12的側(cè)面引出主線路ML及副線路SL 的引出導(dǎo)體，因此，在絕緣體層16中也不需要用于設(shè)置引出導(dǎo)體的區(qū)域。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)電子元器件10的小型化。
而且，在電子元器件10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26與整個主線路ML及整個副線路SL重合。由此，能夠抑制從主線路ML及副線路SL發(fā)射出的噪聲泄露到電子元器件10的外部，同時能夠抑制來自電子元器件10以外的噪聲侵入到主線路 ML及副線路SL內(nèi)。
此外，在電子元器件10中，利用一層的矩形的防止彎曲用導(dǎo)體26來與外部電極14 重合。由此，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26能夠覆蓋層疊體12內(nèi)部的較大范圍。結(jié)果，在電子元器件10中，能夠抑制從主線路ML及副線路SL發(fā)射出的噪聲泄露到電子元器件10的外部，同時能夠抑制來自電子元器件10以外的噪聲侵入到主線路ML及副線路SL內(nèi)。
(其他實施形態(tài))
另外，電子元器件10并不僅限于上述實施形態(tài)所示的結(jié)構(gòu)，在符合本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)能夠變更設(shè)計。例如，雖然僅設(shè)置一層防止彎曲用導(dǎo)體26，但是也可以在多層絕緣體層16的表面上設(shè)置多層防止彎曲用導(dǎo)體26。此外，也可以在一層的絕緣體層16的表面上設(shè)置多個防止彎曲用導(dǎo)體26。
另外，在電子元器件10中，雖然防止彎曲用導(dǎo)體26設(shè)置在層疊體12內(nèi)，但是也可以從層疊體12向外部露出。也就是說，防止彎曲用導(dǎo)體26也可以設(shè)置在層疊體12的上表面SI上。由此，能夠?qū)⒎乐箯澢脤?dǎo)體26用作為方向識別標記。在將防止彎曲用導(dǎo)體26 用作為方向識別標記的情況下，為了使防止彎曲用導(dǎo)體26具有方向性，最好對其設(shè)置切口或孔等。
另外，在電子元器件10中，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，外部電極14的一部分從防止彎曲用導(dǎo)體26露出。然而，當(dāng)從z軸方向進行俯視時，整個外部電極14也可以與防止彎曲用導(dǎo)體26重合。
工業(yè)上的實用性
如上所述，本發(fā)明適用于電子元器件，特別具有能夠抑制在層疊體上發(fā)生彎曲的優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體通過層疊多個絕緣體層而構(gòu)成；主線路，該主線路設(shè)置于所述層疊體內(nèi)；副線路，該副線路設(shè)置于所述層疊體內(nèi)，且通過與所述主線路進行電磁耦合以與該主線路一起構(gòu)成方向性I禹合器；第I外部電極及第2外部電極，該第I外部電極及該第2外部電極設(shè)置于所述層疊體的下表面，且分別與所述主線路的兩端相連接；第3外部電極及第4外部電極，該第3外部電極及該第4外部電極設(shè)置于所述層疊體的下表面，且分別與所述副線路的兩端相連接；以及防止彎曲用導(dǎo)體，該防止彎曲用導(dǎo)體設(shè)置在位于所述層疊體的上表面一側(cè)的所述絕緣體層上，而非設(shè)置在設(shè)置有所述主線路的所述絕緣體層及設(shè)置有所述副線路的所述絕緣體層上，且當(dāng)從層疊方向進行俯視時，與所述第I外部電極至所述第4外部電極重合，在設(shè)置于所述層疊體的下表面一側(cè)的所述絕緣體層上，而非在設(shè)置有所述防止彎曲用導(dǎo)體的所述絕緣體層上，并未設(shè)置不與所述主線路及所述副線路中的任何一種線路相連接的導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求I所述的電子元器件，其特征在于，在所述層疊體內(nèi)，所述防止彎曲用導(dǎo)體不與其他導(dǎo)體進行電連接。
3.如權(quán)利要求I或2中的任一項所述的電子元器件，其特征在于，當(dāng)從層疊方向進行俯視時，所述防止彎曲用導(dǎo)體與所述主線路及所述副線路重合。
4.如權(quán)利要求I至3中的任一項所述的電子元器件，其特征在于，當(dāng)從層疊方向進行俯視時，所述防止彎曲用導(dǎo)體形成為一個與所述第I外部電極至所述第4外部電極重合的矩形。
5.如權(quán)利要求I至4中的任一項所述的電子元器件，其特征在于，利用設(shè)置于所述絕緣體層上的線路導(dǎo)體及沿著層疊方向貫穿所述絕緣體層的通孔導(dǎo)體，構(gòu)成所述主線路及所述副線路，所述主線路的兩端及所述副線路的兩端利用所述通孔導(dǎo)體與所述外部電極相連接。
6.如權(quán)利要求I至5中的任一項所述的電子元器件，其特征在于，所述防止彎曲用導(dǎo)體設(shè)置在所述層疊體的上表面。
全文摘要
提供一種能夠抑制在層疊體上發(fā)生彎曲的電子元器件。外部電極14a、14b以及外部電極14c、14d分別設(shè)置在層疊體12的下表面S2上，且分別與主線路ML的兩端以及副線路SL相連接。在設(shè)置于層疊體12的上表面S1一側(cè)的絕緣體16上，而非在設(shè)置有主線路ML的絕緣體層16以及設(shè)置有副線路SL的絕緣體層16上，設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26。當(dāng)從z軸方向進行俯視時，防止彎曲用導(dǎo)體26與外部電極14重合。在設(shè)置于層疊體12的下表面S2一側(cè)的絕緣體層16上，而非在設(shè)置有防止彎曲用導(dǎo)體26的絕緣體層16上，并未設(shè)置不與主線路ML或者副線路SL相連接的導(dǎo)體層。
文檔編號H01P5/18GK102544676SQ201110280268
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者增田博志, 森隆浩 申請人:株式會社村田制作所