專利名稱：光電元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種可增進光摘出效率的光電元件結(jié)構(gòu)。
背景技術：
發(fā)光二極管是半導體元件中一種被廣泛使用的光源。相比較于傳統(tǒng)的白熾燈泡或熒光燈管，發(fā)光二極管具有省電及使用壽命較長的特性，因此逐漸取代傳統(tǒng)光源而應用于各種領域，如交通號志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設備等產(chǎn)業(yè)。隨著發(fā)光二極管光源的應用與發(fā)展對于亮度的需求越來越高，如何增加其發(fā)光效率以提高其亮度，便成為產(chǎn)業(yè)界所共同努力的重要方向。圖I描述了現(xiàn)有技術中用于半導體發(fā)光元件的LED封裝10 :包括由封裝體11封裝的半導體LED芯片12，其中半導體LED芯片12具有一 p-η接面13，封裝體11通常是熱固性材料，例如環(huán)氧樹脂(epoxy)或者熱塑膠材料。半導體LED芯片12通過一焊線(wire) 14與兩導電架15、16連接。因為環(huán)氧樹脂(epoxy)在高溫中會有劣化(degrading)現(xiàn)象，因此只能在低溫環(huán)境運作。此外，環(huán)氧樹脂(epoxy)具很高的熱阻(thermal resistance),使得圖I的結(jié)構(gòu)只提供了半導體LED芯片12高阻值的熱散逸途徑，而限制了 LED 10的低功 耗應用。

發(fā)明內(nèi)容
基于上述原因，本發(fā)明提出一覆晶(flip chip)式光電元件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明揭露一種光電元件，包含一半導體疊層，包含一第一半導體層、一有源層、及一第二半導體層；一第一電極與第一半導體層電連接；一第二電極與第二半導體層電連接，其中第一電極與第二電極有一最小距離Dl 第三電極形成在部分第一電極之上且與第一電極電連接；及一第四電極形成在部分第一電極之上及部分第二電極之上且與第二電極電連接，其中第三電極與第四電極有一最小距離D2，且第三電極與第四電極的最小距離D2小于第一延伸電極103及第二電極104的最小距離Dl。


圖I是現(xiàn)有的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)圖；圖2A-圖2D、圖2F-圖2H分別是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光元件上視圖；圖2E是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光兀件剖視圖；圖3A-圖3D是本發(fā)明第二實施例的發(fā)光元件上視圖。主要元件符號說明基板100、200第一半導體層101、201有源層1011第二半導體層1012
第一電極102、202第一延伸電極103、203第二電極104、204
第一絕緣層105、205第三電極106、206第一平面區(qū)1061、2061第一凸出部1062、2062第四電極107、207第二平面區(qū)IO7I第二凸出部IO72第二絕緣層108、208第一焊墊109、209第一區(qū)2O9I第二區(qū)2O92第二焊墊110、110，、210、210’第一電極與第二電極的距離Dl第三電極與第四電極的距離D2第一焊墊與第二焊墊的距離D具體實施例方式為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請參照下列描述并配合圖2A至圖3C的圖示。如圖2A 圖2H所例示，依據(jù)本發(fā)明第一實施例的光電元件的上視圖如下如圖2A所示，本發(fā)明第一實施例的光電元件包含一基板100，一第一半導體層101、一第一電極102及一自第一電極102沿伸出來的第一延伸電極103。在第一半導體層101之上形成一有源層(未顯不)與一第二半導體層(未顯不)，并在第二半導體層(未顯不)之上形成一第二電極 104。此外，如圖2B所示，形成在第二半導體層1012之上的第二電極104’也包含至少一延伸自第二電極104’的第二延伸電極1041。在一實施例中，至少一第二延伸電極1041可形成在兩條第一延伸電極103之間。在一實施例中，也可于未被第二電極104與第二延伸電極1041覆蓋的第二半導體層1012之上選擇性地形成一反射層(未顯示)，以增加反射效率。其中，上述第一延伸電極103與第二延伸電極1041依不同設計，可為一弧形或彎曲形狀。接著延續(xù)圖2A，如圖2C所示，以一第一絕緣層105覆蓋部分的第二電極104及部分的第一延伸電極103,使第一電極102、部分的第一延伸電極103及部分的第二電極104裸露出來。其中可定義一第一延伸電極103及第二電極104的最小距離D1。其中第一延伸電極103及第二電極104的最小距離Dl可介于10 50 μ m、或10 40 μ m、或10 30 μ m、或 10 20 μ m、或 10 15 μ m。最后，如圖2D所示一第三電極106可形成在第一電極102、第一延伸電極103及第一絕緣層105之上,并與第一電極102、第一延伸電極103電連接。一第四電極107可形成在第二電極104及部分第一絕緣層105之上，并與第二電極104電連接。其中第三電極106可包含至少一第一平面區(qū)1061及至少一第一凸出部1062 :第一平面區(qū)1061可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，至少一第一凸出部1062可延伸自第一平面區(qū)1061且覆蓋未被第一平面區(qū)1061覆蓋的裸露出的第一延伸電極103。第四電極107可包含至少一第二平面區(qū)1071及至少一第二凸出部1072 :第二平面區(qū)1071可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，至少一第二凸出部1072可延伸自第二平面區(qū)1071且覆蓋未被第二平面區(qū)1071覆蓋的部分第一絕緣層105。其中第一凸出部1062與第二凸出部1072可定義出一最小距離D2。其中第一凸出部1062與第二凸出部1072的最小距離D2可介于I 10ym、或2 10ym、或4 10ym、或6 10ym、或8 10ym。在本實施例中，上述第一凸出部1062與第二凸出部1072可盡量靠近，以增加第一 延伸電極103被覆蓋的區(qū)域并減少第一絕緣層105未被覆蓋的面積，以增加第三電極106與第一延伸電極103的接觸面積而增加電性可信度，并可減少第一絕緣層105裸露的面積，進而增加反射面積，而將光線反射以增加正向出光。在一實施例中，為達到上述的功能，第一凸出部1062與第二凸出部1072的最小距離D2應盡可能最小化，且第一凸出部1062與第二凸出部1072的最小距離D2距離可小于第一延伸電極103及第二電極104的最小距離Dl。在一實施例中，第一延伸電極103未被第三電極106與第四電極107覆蓋的面積小于第一延伸電極103總面積的2%、或I. 8%、或I. 5%、或I. 3%、或1%、或0. 8%。如圖2E所示,是顯示本實施例圖2D中虛線位置的剖面示意圖,包含一基板100,形成在基板100之上的一第一半導體層101、一有源層1011與一第二半導體層1012，及分別形成在第一半導體層101及第二半導體層1012上的第一電極102與第二電極104。如上述說明，先以第一絕緣層105分隔開第一電極102與第二電極104,并在第一電極102與第二電極104之上分別形成第三電極106與第四電極107。如圖2F所示，在一實施例中，也可形成一第二絕緣層108覆蓋上述第一凸出部1062與第二凸出部1072及部分的第一延伸電極103及部分的第一絕緣層105，用于避免由于第一凸出部1062與第二凸出部1072的最小距離D2的縮小所造成的短路風險。如圖2G所示,在一實施例中，可分別形成一第一焊墊(bonding pad)109及一第二焊墊110于第三電極106及第四電極107之上。第一焊墊109及一第二焊墊110可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，并定義一第一焊墊109及一第二焊墊110的最小距離D3。在一實施例中，第一凸出部1062與第二凸出部1072的最小距離D2距離可小于第一焊墊109及一第二焊墊110的最小距離D3,其中第一焊墊109及一第二焊墊110的最小距離D3可介于40 μ m 600 μ m、或 60 μ m 600 μ m、或 80 μ m 600 μ m、或 100 μ m 600 μ m、或 150 μ m 600 μ m、或 200 μ m 600 μ m、或 250 μ m 600 μ m、或 300 μ m 600 μ m、或 350 μ m 600 μ m、或400 μ m 600 μ m、或 450 μ m 600 μ m、或 500 μ m 600 μ m、或 550 μ m 600 μ m。如圖2H所示，在一實施例中，可形成多數(shù)個第二焊墊110’于第四電極107之上且不覆蓋第一延伸電極103。上述第一電極102、第一延伸電極103、第二電極104、第三電極106、第四電極107、第一焊墊109及一第二焊墊110、110’的材料可選自:鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、錫(Sn)、或銀(Ag)等金屬材料。
如圖3A 圖3C所例示，依據(jù)本發(fā)明第二實施例的光電元件的上視圖如下如圖3A所不,本發(fā)明第二實施例的光電兀件包含一基板200, —第一半導體層201、一第一電極202及一自第一電極202延伸出來的第一延伸電極203。之后,在第一半導體層201之上形成一有源層(未顯不)與一第二半導體層(未顯不)，并在第二半導體層(未顯不)之上形成一第二電極204,且定義一第一延伸電極203及第二電極204的最小距離D1。其中第一延伸電極203及第二電極204的最小距離Dl可介于10 50 μ m、或10 40 μ m、或10 30 μ m、或 10 20 μ m、或 10 15 μ m。此外，第二電極204也可包含至少一延伸自第二電極204的第二延伸電極(未顯示)。在一實施例中，至少一第二延伸電極(未顯示)可形成在兩條第一延伸電極203之間。在一實施例中，也可于未被第二電極204與第二延伸電極(未顯示)覆蓋的第二半導體層(未顯示)之上選擇性地形成一反射層(未顯示)，以增加反射效率。其中，上述第一 延伸電極203與第二延伸電極(未顯示)依不同設計，可為一弧形或彎曲形狀。接著，以一第一絕緣層205覆蓋部分的第二電極204及部分的第一延伸電極203，使第一電極202、部分的第一延伸電極203及部分的第二電極204裸露出來。最后，一第三電極206可形成在第一電極202、第一延伸電極203及第一絕緣層205之上，并與第一電極202、第一延伸電極203電連接。至少一第四電極207可形成在第二電極204及部分第一絕緣層205之上，并與第二電極204電連接。其中第三電極206可為一梳子形狀，包含至少一第一平面區(qū)2061及至少一第一凸出部2062 :第一平面區(qū)2061可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，至少一第一凸出部2062可延伸自第一平面區(qū)2061且覆蓋未被第一平面區(qū)2061覆蓋的裸露出的第一延伸電極203。在本實施例中，上述第一凸出部2062的平行第一延伸電極203長端的邊長大于垂直第一延伸電極203長端的邊長。第四電極207可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，覆蓋在被第一絕緣層205覆蓋的第一延伸電極203之上。其中第一凸出部2062與第四電極207可定義出一最小距離D2。其中第一凸出部2062與第四電極207的最小距離D2可介于I 10 μ m、或2 10 μ m、或4 10 μ m、或6 10 μ m、或8 10 μ m。在本實施例中，通過將第三電極206設計成為梳子形狀且與第一電極202、第一延伸電極203精準對位可達成第三電極206及第四電極207的最小化設計而節(jié)省材料成本。在本實施例中，上述第一凸出部2062與第四電極207可盡量靠近，以增加第一延伸電極203被覆蓋的區(qū)域并減少第一絕緣層205未被覆蓋的面積，以增加第三電極206與第一延伸電極203的接觸面積而增加電性可信度，并可減少第一絕緣層205裸露的面積，進而增加反射面積，而將光線反射以增加正向出光。在一實施例中，為達到上述的功能，第一凸出部2062與第四電極207的最小距離D2應盡可能最小化，且第一凸出部2062與第四電極207的最小距離D2距離可小于第一延伸電極203及第二電極204的最小距離Dl。在一實施例中，第一延伸電極203未被第三電極206與第四電極207覆蓋的面積小于第一延伸電極203總面積的2%、或I. 8%、或I. 5%、或I. 3%、或I %、或O. 8%。如圖3B所示，在一實施例中，也可形成一第二絕緣層208覆蓋上述第一凸出部2062與第四電極207及部分的第一延伸電極203及部分的第一絕緣層205，用于避免由于第一凸出部2062與第四電極207的最小距離D2的縮小所造成的短路風險。如圖3C所示，在一實施例中，可分別形成一第一焊墊(bonding pad)209及一第二焊墊210于第三電極206及第四電極207之上。第一焊墊209可包括至少兩部分，包含一梳子狀的第一區(qū)2091形成在上述第三電極206之上及至少一第二區(qū)2092形成在兩第一延伸電極203之間及第一絕緣層205之上。第二焊墊210可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，并定義一第一焊墊209及一第二焊墊210的最小距離D3，在一實施例中，第一凸出部2062與第四電極207的最小距離D2距離可小于第一焊墊209及一第二焊墊210的最小距離D3。其中第一焊墊209及一第二焊墊210的最小距離D3可介于40 μ m 600 μ m、或60 μ m 600 μ m、或 80 μ m 600 μ m、或 100 μ m 600 μ m、或 150 μ m 600 μ m、或 200 μ m 600 μ m、或 250 μ m 600 μ m、或 300 μ m 600 μ m、或 350 μ m 600 μ m、或 400 μ m 600 μ m、或450 μ m 600 μ m、或 500 μ m 600 μ m、或 550 μ m 600 μ m。在本實施例中，第一焊墊209的第二區(qū)2092未與第一延伸電極203作直接接觸。此設計可使本光電元件于之后的覆晶制作工藝中在承受推力時不會直接拉扯到第一延伸電極203與第三電極206，而可增加元件的強度，減少失效的風險。
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如圖2D所示，在一實施例中，可形成多數(shù)個第二焊墊210 ’于第四電極207之上且不覆蓋第一延伸電極203。上述第一電極202、第一延伸電極203、第二電極204、第三電極206、第四電極207、第一焊墊209及一第二焊墊210、210’的材料可選自:鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、錫(Sn)、或銀(Ag)等金屬材料。具體而言，光電兀件包含發(fā)光二極管(LED)、光電二極管(photodiode)、光敏電阻(photoresister)、激光(laser)、紅外線發(fā)射體(infrared emitter)、有機發(fā)光二極管(organic light-emitting diode)及太陽能電池(solar cell)中至少其一。基板 100、200為一成長及/或承載基礎。候選材料可包含導電基板或不導電基板、透光基板或不透光基板。其中導電基板材料其一可為鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銦化磷(InP)、碳化硅(SiC)、硅
(Si)、鋁酸鋰(LiA102)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、金屬。透光基板材料其一可為藍寶石(Sapphire)、鋁酸鋰(LiA102)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、玻璃、鉆石、CVD 鉆石、與類鉆碳(Diamond-Like Carbon ；DLC)、尖晶石(spinel, MgAl204)、氧化鋁(A1203)、氧化硅(SiOX)及鎵酸鋰(LiGa02)。上述第一半導體層101、201及第二半導體層(未顯示)彼此中至少二個部分的電性、極性或摻雜物相異、或者分別用以提供電子與電洞的半導體材料單層或多層(「多層」指二層或二層以上，以下同。)，其電性選擇可以為P型、η型、及i型中至少任意二者的組合。有源層(未顯不)位于第一半導體層101、201及第二半導體層(未顯不)之間，為電能與光能可能發(fā)生轉(zhuǎn)換或被誘發(fā)轉(zhuǎn)換的區(qū)域。電能轉(zhuǎn)變或誘發(fā)光能者如發(fā)光二極管、液晶顯示器、有機發(fā)光二極管；光能轉(zhuǎn)變或誘發(fā)電能者如太陽能電池、光電二極管。上述第一半導體層101、201、有源層(未顯示)及第二半導體層(未顯示)其材料包含一種或一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所構(gòu)成群組。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的光電元件是一發(fā)光二極管，其發(fā)光頻譜可以通過改變半導體單層或多層的物理或化學要素進行調(diào)整。常用的材料如磷化鋁鎵銦(AlGaInP)系列、氮化鋁鎵銦(AlGaInN)系列、氧化鋅(ZnO)系列等。有源層(未顯示)的結(jié)構(gòu)如單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostructure ；SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ；DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ;DDH)、或多層量子井(multi-quantumwell ;MQW)。再者，調(diào)整量子井的對數(shù)也可以改變發(fā)光波長。在本發(fā)明的一實施例中，第一半導體層101、201與基板100、200間尚可選擇性地包含一緩沖層(buffer layer,圖未示)。此緩沖層介于二種材料系統(tǒng)之間，使基板的材料系統(tǒng)”過渡”至半導體系統(tǒng)的材料系統(tǒng)。對發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)而言，一方面，緩沖層用以降低二種材料間晶格不匹配的材料層。另一方面，緩沖層也可以是用以結(jié)合二種材料或二個分離結(jié)構(gòu)的單層、多層或結(jié)構(gòu)，其可選用的材料如有機材料、無機材料、金屬、及半導體等；其可選用的結(jié)構(gòu)如反射層、導熱層、導電層、歐姆接觸(ohmic contact)層、抗形變層、應力釋放(stress release)層、應力調(diào)整(stress adjustment)層、接合(bonding)層、波長轉(zhuǎn)換層、及機械固定構(gòu)造等。在一實施例中，此緩沖層的材料可為AIN、GaN，且形成方法可為派鍍(Sputter)或原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)。 第二半導體層(未顯示)上更可選擇性地形成一接觸層(未顯示)。接觸層設置于第二半導體層(未顯示)遠離有源層(未顯示)的一側(cè)。具體而言，接觸層可以為光學層、電學層、或其二者的組合。光學層可以改變來自于或進入有源層(未顯示)的電磁輻射或光線。在此所稱之「改變」是指改變電磁輻射或光的至少一種光學特性，前述特性包含但不限于頻率、波長、強度、通量、效率、色溫、演色性(rendering index)、光場(light field)、及可視角(angle of view)。電學層可以使得接觸層的任一組相對側(cè)間的電壓、電阻、電流、電容中至少其一的數(shù)值、密度、分布發(fā)生變化或有發(fā)生變化的趨勢。接觸層的構(gòu)成材料包含氧化物、導電氧化物、透明氧化物、具有50 %或以上穿透率的氧化物、金屬、相對透光金屬、具有50%或以上穿透率的金屬、有機質(zhì)、無機質(zhì)、突光物、磷光物、陶瓷、半導體、摻雜的半導體、及無摻雜的半導體中至少其一。在某些應用中，接觸層的材料為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、與氧化鋅錫中至少其一。若為相對透光金屬，其厚度約為 0. 005 μ m 0. 6 μ m。以上各附圖與說明雖僅分別對應特定實施例，然而，各個實施例中所說明或揭露的元件、實施方式、設計準則、及技術原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實施之外，吾人當可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。雖然本發(fā)明已說明如上，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種光電元件，包含 半導體疊層，包含第一半導體層、有源層及第二半導體層； 第一電極與該第一半導體層電連接； 第二電極與該第二半導體層電連接，其中該第一電極與該第二電極有一最小距離Dl ； 第三電極形成在部分該第一電極之上且與該第一電極電連接；及 第四電極形成在部分該第一電極之上及部分該第二電極之上且與該第二電極電連接，其中該第三電極與該第四電極有一最小距離D2，且該第三電極與該第四電極的最小距離D2小于該第一電極與該第二電極的最小距離Dl。
2.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中還包含基板，蓁形成在該半導體疊層之上，其中該基板與該第一電極形成在該半導體疊層的相對側(cè)。
3.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第一電極包含延伸電極，及/或該第二電極包含第二延伸電極。
4.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第一半導體層、該有源層及該第二半導體層的材料包含一種或一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、砷(As)、磷⑵、氮(N)以及硅(Si)所構(gòu)成群組。
5.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第一電極、第二電極、第三電極及第四電極的材料可選自鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、錫(Sn)、或銀(Ag)等金屬材料。
6.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第三電極可包含第一平面區(qū)及至少一第一凸出部，且該第一平面區(qū)可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，且該第一凸出部可延伸自該第一平面區(qū)且覆蓋未被該第一平面區(qū)覆蓋的裸露出的該第一電極。
7.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第四電極可包含第二平面區(qū)及至少一第二凸出部，且該第二平面區(qū)可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，且該第二凸出部可延伸自該第二平面區(qū)且覆蓋未被該第二平面區(qū)覆蓋的裸露出的該第一電極。
8.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第一電極未被該第三電極與該第四電極覆蓋的面積小于該第一電極總面積的2%。
9.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第三電極可為梳子狀，包含第一平面區(qū)及至少一第一凸出部，且該第一平面區(qū)可大致呈一長方型結(jié)構(gòu)，且該第一凸出部可延伸自該第一平面區(qū)且覆蓋未被該第一平面區(qū)覆蓋的裸露出的該第一電極，且該第四電極可大致為一長方形結(jié)構(gòu)并覆蓋部分的該第一電極。
10.如權(quán)利要求9所述的光電元件，其中該第一凸出部的平行該第一電極長端的邊長大于垂直第一電極長端的邊長。
11.如權(quán)利要求I所述的光電元件，還包含第一焊墊形成在該第三電極之上及至少一第二焊墊形成在該第四電極之上。
12.如權(quán)利要求11所述的光電元件，其中該第一焊墊與該第二焊墊具有一最小距離D3，且該第三電極與該第四電極的最小距離D2小于該第一焊墊與該第二焊墊的最小距離D3。
13.如權(quán)利要求11所述的光電元件，其中該第一焊墊可包含梳子狀結(jié)構(gòu)的第一區(qū)及大致為長方形的第二區(qū)，其中該第一區(qū)覆蓋該第三電極之上且該第二區(qū)形成在兩該第一電極之間。
14.如權(quán)利要求I所述的光電元件，其中該第一電極與該第二電極的最小距離Dl可介于10 50 μ m，及/或該該第三電極與該第四電極的最小距離D2可介于I 10 μ m。
15.如權(quán)利要求12所述的光電元件，其中該第一焊墊與該第二焊墊的最小距離D3可介于 40 μ m 600 μ m。
16.如權(quán)利要求3所述的光電元件，其中該第一電極與第二延伸電極可為一弧形或彎曲形狀。
全文摘要
本發(fā)明公開一種光電元件及其制造方法，該光電元件包含一半導體疊層，包含一第一半導體層、一有源層、及一第二半導體層；一第一電極與第一半導體層電連接；一第二電極與第二半導體層電連接，其中第一電極與第二電極有一最小距離D1；一第三電極形成在部分第一電極之上且與第一電極電連接；及一第四電極形成在部分第一電極之上及部分第二電極之上且與第二電極電連接，其中第三電極與第四電極有一最小距離D2，且第三電極與第四電極的最小距離D2小于第一延伸電極103及第二電極104的最小距離D1。
文檔編號H01L33/62GK102956780SQ20111024071
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者陳昭興, 沈建賦, 洪詳竣, 柯淙凱 申請人:晶元光電股份有限公司