本發(fā)明涉及一種高性能選擇性發(fā)射極元件及其制造方法，尤其涉及一種光效率以及電氣性能優(yōu)秀的光電元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：最近伴隨人們對環(huán)境問題和能源枯竭的日益重視，太陽能作為能源豐富無環(huán)境污染問題且能源效率較高的替代能源備受人們的關(guān)注。太陽能包括利用太陽熱生成驅(qū)動渦輪機旋轉(zhuǎn)所需蒸汽的太陽熱電池和利用半導(dǎo)體性質(zhì)將太陽光轉(zhuǎn)換為電能的太陽光電池。為了構(gòu)建太陽光電池，將光轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)為電的光電元件是必需品。作為光電元件的一種，光電二極管(photodiode)使用Si或GaAsP等的單結(jié)晶，并采用p-n結(jié)或pin結(jié)。對于上述光電二極管，提升將所入射的太陽光轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率(efficiency)尤為重要。因此，人們不懈地進行著對其結(jié)構(gòu)和材質(zhì)的研究。光電元件的轉(zhuǎn)換效率收到光學(xué)方面以及電氣方面等兩種方面的影響。在光學(xué)方面主要取決于如何將更多光能提供給光吸收體，而在電氣方面主要取決于如何在將再結(jié)合損失將至最低的同時捕獲更多載流子從而降低其電氣損失。先行技術(shù)文獻專利文獻(專利文獻1)大韓民國公開專利第10-2014-0020372號技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的課題在于，提供一種能夠克服如上所述的光學(xué)及電氣方面的問題并改善其轉(zhuǎn)換效率的高性能選擇性發(fā)射極元件。本發(fā)明要解決的另一課題在于，提供一種能夠克服如上所述的光學(xué)及電氣方面的問題并改善其轉(zhuǎn)換效率的高性能選擇性發(fā)射極元件的制造方法。本發(fā)明要解決的課題并不局限如上述課題，相關(guān)從業(yè)人員將能夠通過下述記載進一步明確理解未被提及的其他課題。技術(shù)方案為了解決上述課題，適用本發(fā)明之一實施例的選擇性發(fā)射極(selectiveemitter)元件包括：半導(dǎo)體基板；發(fā)射極層，包括位于上述基板上方并具有一定的周期的第1區(qū)域和位于上述第1區(qū)域之間的第2區(qū)域，其中上述第1區(qū)域的上表面的高度大于或等于第2區(qū)域的上表面的高度；以及透明導(dǎo)電層，形成于上述發(fā)射基層上方。上述第1區(qū)域的摻雜濃度能夠大于或等于上述第2區(qū)域的摻雜濃度。上述發(fā)射極層的摻雜濃度能夠從上述發(fā)射極層的表面向深度方向逐漸減小。上述第1區(qū)域的上表面的摻雜濃度能夠等于上述第2區(qū)域的表面的摻雜濃度。上述第1區(qū)域能夠采取向上凸起的形狀(oonvex-shape)。上述第1區(qū)域能夠包括與上述半導(dǎo)體基板的上表面呈銳角的傾斜部。上述透明導(dǎo)電體圖案能夠包括ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)、AZO(鋁鋅氧化物，Aluminum-zinc-oxide)、氧化錫(tin-oxide)、氧化銦(In2O3)、Pt、Au或IZO(銦鋅氧化物，Indium-zinc-oxide)中的至少一種。其中，還能夠包括：正面電極，位于上述透明電極層的上方并包括第1導(dǎo)電體；以及背面電極，位于上述半導(dǎo)體基板的下方并包括第2導(dǎo)電體。上述正面電極能夠包括Al、W、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Pt、Au、In、Sn、CoW、CoWP以及NiB中的至少一種。上述半導(dǎo)體基板能夠包括Si、Ge或GaAs中的至少一種。其中，還能夠包括：第1反射防止層，位于上述發(fā)射極層和上述透明導(dǎo)電層之間，用于減少入射光的反射。其中，還能夠包括：第2反射防止層，位于上述導(dǎo)電層的上方，用于減少入射光的反射。上述第1或第2反射防止層能夠包括SiNX或TiOX(其中，x為自然數(shù))中的至少一種。為了解決上述另一課題，適用本發(fā)明之一實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法包括：在半導(dǎo)體基板的上方形成以特定周期反復(fù)的虛擬圖案的步驟；在上述半導(dǎo)體基板以及上述虛擬圖案上方形成遮罩的步驟；通過移除上述虛擬圖案以及上述虛擬圖案上方的遮罩使上述半導(dǎo)體基板中的一部分裸露的步驟；對上述裸露的半導(dǎo)體基板進行蝕刻的步驟；以及在上述蝕刻后的半導(dǎo)體基板上方形成透明導(dǎo)電層的步驟。上述蝕刻能夠包括濕法蝕刻(wetetching)。其中，在上述形成虛擬圖案的步驟之前，還能夠包括：對上述半導(dǎo)體基板進行摻雜的步驟。其中，在上述對半導(dǎo)體基板進行蝕刻的步驟之后，還能夠包括：對上述半導(dǎo)體基板進行摻雜的步驟。關(guān)于其他實施例相關(guān)的具體事項，請參閱詳細說明以及附圖。有益效果通過適用本發(fā)明的一實施例，至少能夠?qū)崿F(xiàn)如下所述的效果。即，適用本發(fā)明之一實施例的選擇性發(fā)射極元件能夠使入射光更加集中從而提升其光學(xué)性能。此外，適用本發(fā)明之一實施例的選擇性發(fā)射極元件能夠提供在降低光反射率的同時提升其導(dǎo)電性能的裝置。即，適用本發(fā)明之一實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法能夠通過蝕刻方式自然地實現(xiàn)摻雜濃度變化的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的效果并不局限于上面的示例性內(nèi)容，本說明書中還包括其他各種效果。附圖說明圖1是用于對適用本發(fā)明之多個實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念圖。圖2是用于對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明的概念性截面圖。圖3是用于對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明的概念性截面圖。圖4是用于對適用本發(fā)明之第3實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念性截面圖。圖5是用于對適用本發(fā)明之第4實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念性截面圖。圖6至圖11是用于對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明的中間步驟示意圖。圖12是用于對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明的中間步驟示意圖。圖13是用于對具有比較例1的紋理(textured)結(jié)構(gòu)的光電元件進行說明的斜視圖。圖14是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中在沒有透明導(dǎo)電層的情況下對不同波長下的反射度進行測定的圖表。圖15是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中對不同波長下的反射度進行測定的圖表。圖16是用于對適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中在不同電壓下的電流特性進行說明的圖表。圖17是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中對不同電壓下的電流密度進行測定的圖表。圖18是適用本發(fā)明之一實施例中對不同深度下的摻雜濃度進行測定的圖表。圖19是用于對適用本發(fā)明之實施例1中選擇性發(fā)射極元件的耗盡區(qū)的形成進行說明的概念圖。圖20是適用本發(fā)明之實施例1中對選擇性發(fā)射極元件的不同深度下的電場進行測定的圖表。圖21是適用本發(fā)明之實施例1和比較例1以及比較例2中對不同波長下的外部量子效率進行測定的圖表。具體實施方式本發(fā)明的優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法將通過結(jié)合附圖詳細說明的后述實施例得到進一步明確。但是本發(fā)明并不限定于下面所公開的實施例，能夠以多種不同的形態(tài)實現(xiàn)，本說明書中的實施例僅用于更加完整地公開本發(fā)明，以便于具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域之一般知識的人員能夠更加完整地理解本發(fā)明的范疇，本發(fā)明應(yīng)由權(quán)利要求書的范疇做出定義。在整個說明書中，相同的參考符號代表相同的構(gòu)成要素。雖然在對各種元件、構(gòu)成要素和/或部分進行說明時使用了如第1、第2等術(shù)語，但上述元件、構(gòu)成要素和/或部分并不受到上述術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、構(gòu)成要素或部分與其他元件、構(gòu)成要素或部分進行區(qū)分。因此，下面所提及的第1元件、第1構(gòu)成要素或第1部分在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)也可能是第2元件、第2構(gòu)成要素或第2部分。元件(elements)或?qū)游挥谄渌驅(qū)拥摹吧蟼?cè)(on)”或“上方(on)”不僅包括直接位于其他元件或?qū)拥纳蟼?cè)的情況，還包括在兩者之間包括其他層或其他元件的情況。與此相反，元件“直接位于上側(cè)(directlyon)”或“直接位于上方”表示兩者之間不包括其他元件或?qū)?。作為空間上的相對方位術(shù)語，“下面(below)”、“下方(beneath)”、“下部(lower)”、“上面(abobe)”、“上部(upper)”等僅用于對附圖中所示的一個元件或構(gòu)成要素和其他元件或構(gòu)成要素之間的相關(guān)關(guān)系進行簡單的描述?？臻g上的相對方位術(shù)語除了附圖中所示的方向之外，還應(yīng)理解為包括使用時或工作時元件的不同方向。例如，當對附圖中所圖示的元件進行反轉(zhuǎn)時，被描述為位于其他元件“下面(below或beneath)”的元件可能會移動到其他元件的“上面(above)”。因此，作為示例性術(shù)語使用的“下面”能夠包括上和下兩個方向。元件還能夠以其他方向排列，在這種情況下空間上的相對方位術(shù)語還能夠被解釋為其排列方向。在本說明書中所使用的術(shù)語僅用于對實施例進行說明，并不是對本發(fā)明做出的限制。在本說明書中，除非另有說明，否則單數(shù)型語句包括復(fù)數(shù)型含義。在說明書中所使用的“包括(comprises)”和/或“包括...的(comprising)”不排除所提及的構(gòu)成要素、步驟、動作和/或元件中還包括一個以上的其他構(gòu)成要素、步驟、動作和/或元件的存在或追加的可能性。除非另有定義，否則本說明書中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)及科學(xué)術(shù)語)能夠作為具有本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
之一般知識的人員所普遍理解的含義使用。而且除非另有定義，已在通常所使用的詞典中做出定義的術(shù)語不應(yīng)被解釋為理想化或過度化的含義。下面，將結(jié)合圖1對適用本發(fā)明之多個實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是用于對適用本發(fā)明之多個實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念圖。如圖1所示，適用本發(fā)明之多個實施例的選擇性發(fā)射極元件包括半導(dǎo)體基板100、發(fā)射極層200、透明導(dǎo)電層300、正面電極400以及背面電極500。具體來講，半導(dǎo)體基板100能夠是如硅(Si)基板、鍺(Ge)基板等單元素半導(dǎo)體基板，也能夠是如砷化鎵(GaAs)基板等化合物半導(dǎo)體基板。為了將再結(jié)合損失將至最低，半導(dǎo)體基板100的高度較薄為宜。但是，當半導(dǎo)體基板100的厚度過薄時會造成制造工程方面的困難，而半導(dǎo)體基板100的厚度過厚則會造成經(jīng)濟性方面的問題。半導(dǎo)體基板100能夠是P型或N型半導(dǎo)體基板。半導(dǎo)體基板100的導(dǎo)電型能夠根據(jù)載流子是空穴(hole)或是電子(electron)而有所不同。發(fā)射極層200能夠形成于半導(dǎo)體基板100的上方。發(fā)射極層200能夠構(gòu)成半導(dǎo)體基板100的一部分。發(fā)射極層200能夠具有與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型。例如，發(fā)射極層200能夠在半導(dǎo)體基板100為P型時為N型，而半導(dǎo)體基板100為N型時則為P型。半導(dǎo)體基板100和發(fā)射極層200能夠形成PN結(jié)。在半導(dǎo)體基板100和發(fā)射極層200之間能夠有耗盡區(qū)存在。耗盡區(qū)能夠形成于PN結(jié)的結(jié)合面，代表沒有載流子(電子或空穴)存在的區(qū)域。在半導(dǎo)體基板100和發(fā)射極層200內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)電子的非對稱性存在。在熱平衡狀態(tài)下，會因為載流子濃度梯度的擴散而造成電荷的不均衡現(xiàn)象，并因此形成電場。因此，當所包含的能量大于構(gòu)成半導(dǎo)體基板100的物質(zhì)的導(dǎo)電帶(conductionband)和價帶(valenceband)之間的能量差異即帶隙能量(bandgapenergy)的光線照射到半導(dǎo)體基板100的內(nèi)部時，接收到光能的電子將被激發(fā)并從價帶躍遷到導(dǎo)電帶，而躍遷到導(dǎo)電帶中的電子將能夠自由移動。同時，價帶中發(fā)生電子躍遷的位置將形成空穴。通過上述過程生成的自由電子和空穴被稱之為過剩(excess)載流子，而過剩載流子在導(dǎo)電帶或價帶內(nèi)部將通過濃度差異而得到擴散。此時，過剩載流子，即在p型區(qū)域中躍遷的電子和在n型區(qū)域中形成的空穴被定義為各自的少數(shù)載流子(minoritycarrier)，而結(jié)合之前的原n型或p型半導(dǎo)體層內(nèi)的載流子(即p型的空穴以及n型的電子)為了便于區(qū)分而被定義為多數(shù)載流子(majoritycarrier)。此時，多數(shù)載流子的流動會因為電場所造成的能障(energybarrier)而受到阻礙，但p型區(qū)域中屬于少數(shù)載流子的電子可以移動到n型區(qū)域。因此，當通過少數(shù)載流子的擴散而在半導(dǎo)體基板100的內(nèi)部形成電勢差(potentialdifference)時，通過將位于半導(dǎo)體基板100兩側(cè)的電極連接到外部回路，能夠利用其電動勢將半導(dǎo)體基板100作為電池使用。借此，通過使大量光線入射到元件內(nèi)部并改善其入射光線的路徑，能夠改善太陽能電池的光吸收率并提升其能源轉(zhuǎn)換效率，從而加大半導(dǎo)體基板內(nèi)部的電勢差(potentialdifference)，最終實現(xiàn)提升太陽能電池的效率的目的。發(fā)射極層200能夠包括多個區(qū)域。具體來講，發(fā)射極層200能夠包括第1區(qū)域I和第2區(qū)域II。第1區(qū)域能夠采取向上凸起的形狀(convex-shpae)，而第2區(qū)域II能夠是位于上述圖案之間的區(qū)域。第1區(qū)域I和第2區(qū)域II能夠分別是高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域。但并不局限于此，也能夠是第1區(qū)域I為低摻雜區(qū)域而第2區(qū)域II為高摻雜區(qū)域。對于第1區(qū)域I中凸起形狀的高度并不做特別的限定，能夠是50nm至1000nm的范圍。當凸起形狀的高度小于50nm時，因為高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域之間的區(qū)分會變得不夠充分，所以不太適宜。此外，當凸起形狀的高度大于1000nm時，因為圖案可能會超出摻雜區(qū)域的限界，所以也不太適宜。對于第1區(qū)域I中凸起形狀的寬度并不做特別的限定，能夠是200nm至1000nm的范圍。當凸起形狀的寬度小于200nm時，因為高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域之間的區(qū)分會變得不夠充分且元件的光控制能力的降低會造成光的散射(scattering)效果大于光的集中(focusing)效果，所以不太適宜。此外，當凸起形狀的寬度大于1000nm時，因為高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域之間會相隔較遠的距離而難以實現(xiàn)選擇性發(fā)射極元件，所以也不太適宜。對于第1區(qū)域I中凸起形狀的周期并不做特別的限定，能夠是寬度的1.2倍至5倍的范圍。當凸起形狀的周期小于寬度的1.2倍時，因為相互分離的各個圖案可能會因為工程方面的原因而發(fā)生相互接觸的現(xiàn)象并因此導(dǎo)致結(jié)構(gòu)方面的問題，所以不太適宜。此外，當凸起形狀的寬度大于5倍時，因為圖案可能會超出摻雜區(qū)域的限界，所以也不太適宜。透明導(dǎo)電層300能夠形成于半導(dǎo)體基板100的上方。透明導(dǎo)電層300能夠采用透明的導(dǎo)電體物質(zhì)形成。透明導(dǎo)電層能夠包括如ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)、AZO(鋁鋅氧化物，Aluminum-zinc-oxide)、氧化錫(tin-oxide)、氧化銦(In2O3)、Pt、Au或IZO(銦鋅氧化物，Indium-zinc-oxide)中的至少一種。透明導(dǎo)電層300的高度能夠是10nm至200nm。當透明導(dǎo)電層300的高度小于10nm時，因為電氣傳導(dǎo)性會變得不夠充分，所以不太適宜。此外，當透明導(dǎo)電層300的高度大于200nm時，因為會降低入射光線的透過率，所以也不太適宜。正面電極400能夠形成于透明導(dǎo)電層300的上方。正面電極400能夠采用導(dǎo)電體形成。正面電極400能夠包括金屬。正面電極400能夠包括Al、Ag、W、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Pt、Au、In、Sn、CoW、CoWP以及NiB中的至少一種。但，并不局限于此。正面電極400能夠與透明導(dǎo)電層300實現(xiàn)電氣接觸。背面電極500能夠形成于半導(dǎo)體基板的下方。背面電極500能夠采用導(dǎo)電體形成。背面電極500能夠包括金屬。背面電極500能夠包括Al、Ag、W、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Pt、Au、In、Sn、CoW、CoWP以及NiB中的至少一種。但，并不局限于此。背面電極500能夠與透明導(dǎo)電層300實現(xiàn)電氣接觸。下面，將結(jié)合圖2對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明。圖2是用于對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明的概念性截面圖。如圖2所示，在適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件1中，發(fā)射極層200的摻雜濃度能夠根據(jù)與半導(dǎo)體基板100之間的距離而有所不同。具體來講，發(fā)射極層200分為第1區(qū)域I和第2區(qū)域II，而在第1區(qū)域I中能夠形成凸起形狀的圖案。第2區(qū)域II能夠是第1區(qū)域I的凸起形狀之間的平坦部分。關(guān)于發(fā)射極層200的摻雜濃度，能夠是在與半導(dǎo)體基板100之間的距離最大的部分最高，而越向下就越低。此時，上述濃度能夠是在與半導(dǎo)體基板100之間的距離變小時逐漸降低。在圖2中是通過不連續(xù)的虛線區(qū)域圖示了在虛線密度變疏時其摻雜濃度隨之降低的結(jié)構(gòu)，但實際上能夠是一種越向下方時其摻雜濃度連續(xù)降低的結(jié)構(gòu)。即，即使是相同的虛線區(qū)域，越向下方時其摻雜濃度能夠連續(xù)降低，且在相互不同的虛線區(qū)域的邊界，其摻雜濃度也能夠是并非不連續(xù)的逐漸降低的結(jié)構(gòu)。因為第1區(qū)域I的中心部與半導(dǎo)體基板100之間的距離最大，所以其摻雜濃度能夠最高。上述摻雜濃度能夠從上述中心部向邊緣方向逐漸降低。第1區(qū)域I能夠具有周期性排列的多個凸起圖案且相互間隔一定距離。因為在第1區(qū)域I之間形成有第2區(qū)域II，所以第1區(qū)域I的側(cè)面能夠與第2區(qū)域II相接。第1區(qū)域I與半導(dǎo)體基板100之間的距離能夠大于或等于第2區(qū)域II與半導(dǎo)體基板100之間的距離。即，第1區(qū)域1中的邊緣部分能夠是第1區(qū)域1中與半導(dǎo)體基板100之間的距離最小的部分，而上述邊緣部分與半導(dǎo)體基板100之間的距離能夠等于第2區(qū)域II與半導(dǎo)體基板100之間的距離。因為第2區(qū)域II為平坦的部分，所以能夠全部位于相同的平面上。即，第2區(qū)域II與半導(dǎo)體基板100之間的距離能夠全部相同。但，并不局限于此。其中，上述“相同”是包括細微段差的概念。因此，第2區(qū)域II的摻雜濃度能夠小于或等于第1區(qū)域I的摻雜濃度。具體來講，第1區(qū)域I的側(cè)面的摻雜濃度能夠在第1區(qū)域I內(nèi)最低，并能夠與第2區(qū)域II的摻雜濃度相同。選擇性發(fā)射極元件包括高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域。低摻雜發(fā)射極能夠有效減少光電元件中光生載流子(Photo-generatedcarrier)的再結(jié)合。但是，低摻雜發(fā)射極因為其與正面電極400的金屬之間的電阻較高而可能導(dǎo)致光電元件性能下降的問題。高摻雜發(fā)射極能夠降低光電元件的電阻。但是高摻雜發(fā)射極會導(dǎo)致光生載流子的再結(jié)合的增加，從而降低光電元件的效率。即，高摻雜發(fā)射極會因為較低的電阻而在電氣方面表現(xiàn)出較佳的性能，而低摻雜發(fā)射極能夠緩解載流子的再結(jié)合問題。適用本實施例的選擇性發(fā)射極是一種同時包括具有上述優(yōu)缺點的低摻雜發(fā)射極和高摻雜發(fā)射極的發(fā)射極。借此，能夠在減少載流子的再結(jié)合的同時降低電阻，從而提升光電元件的效率。適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件1能夠采取第1區(qū)域I為高摻雜區(qū)域而第2區(qū)域II為低摻雜區(qū)域的結(jié)構(gòu)，從而形成選擇性發(fā)射極元件。借此，適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件1能夠在減少載流子的再結(jié)合的同時降低電阻，從而提供較高的效率。下面，將結(jié)合圖3對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明。圖3是用于對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的摻雜濃度進行說明的概念性截面圖。適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件與適用第1實施例的選擇性發(fā)射極元件相比，除了發(fā)射極層200的摻雜濃度分布不同之外，其他全部相同。所以，在此將省略或簡化重復(fù)部分的說明。如圖3所示，在適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件2中，發(fā)射極層200的摻雜濃度能夠根據(jù)發(fā)射極層200的上表面的高度而有所不同。具體來講，越是接近發(fā)射極層200的上表面時其摻雜濃度能夠逐漸升高，而越是遠離發(fā)射極層200的上表面時其摻雜濃度能夠逐漸降低。在圖3中是通過不連續(xù)的虛線區(qū)域圖示了在虛線密度變疏時其摻雜濃度隨之降低的結(jié)構(gòu)，但實際上能夠是一種越向下方時其摻雜濃度連續(xù)降低的結(jié)構(gòu)。即，即使是相同的虛線區(qū)域，越向下方時其摻雜濃度能夠連續(xù)降低，且在相互不同的虛線區(qū)域的邊界，其摻雜濃度也能夠是并非不連續(xù)的逐漸降低的結(jié)構(gòu)。適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件2的發(fā)射極層200包括第1區(qū)域I和第2區(qū)域II，而在第1區(qū)域I中能夠形成凸起形狀的圖案。第1區(qū)域I中能夠包括與發(fā)射極層200的上表面之間的距離相對較遠的較大的區(qū)域。與此相反，第2區(qū)域II中的大部分區(qū)域與發(fā)射極層200的上表面之間的距離相對較近。所以，第2區(qū)域II中摻雜濃度較高部分的比例能夠比第1區(qū)域I更多。因此，按照摻雜密度，適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件2能夠采取第1區(qū)域I為低摻雜區(qū)域而第2區(qū)域II為高摻雜區(qū)域的結(jié)構(gòu)，從而形成選擇性發(fā)射極元件。借此，適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件2能夠在減少載流子的再結(jié)合的同時降低電阻，從而提供較高的效率。下面，將結(jié)合圖4對適用本發(fā)明之第3實施例的選擇性發(fā)射極元件進行說明。與上述第1及第2實施例重復(fù)的部分將簡化或省略其說明。圖4是用于對適用本發(fā)明之第3實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念性截面圖。如圖4所示，適用本發(fā)明之第3實施例的選擇性發(fā)射極元件還包括第1反射防止層250。第1反射防止層250能夠形成于發(fā)射極層200的上方。第1反射防止層250能夠形成于透明導(dǎo)電層300的下方。即，第1反射防止層250能夠位于發(fā)射極層200及透明導(dǎo)電層300之間。第1反射防止層250能夠減少光線的反射，從而使更多的光線到達發(fā)射極層200。第1反射防止層250能夠包括SiNX、TiOX。其中，x代表自然數(shù)。適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件還包括第1反射防止層250，從而降低入射光線的反射度，并借此進一步提升其轉(zhuǎn)換效率。下面，將結(jié)合圖5對適用本發(fā)明之第4實施例的選擇性發(fā)射極元件進行說明。與上述第1至第3實施例重復(fù)的部分將簡化或省略其說明。圖5是用于對適用本發(fā)明之第4實施例的選擇性發(fā)射極元件的結(jié)構(gòu)進行說明的概念性截面圖。如圖5所示，適用本發(fā)明之第4實施例的選擇性發(fā)射極元件還包括第2反射防止層350。第2反射防止層350能夠形成于透明導(dǎo)電層300的上方。第2反射防止層350能夠減少光線的反射，從而使更多的光線到達發(fā)射極層200。第2反射防止層350能夠包括SiNY、TiOY。其中，y代表自然數(shù)。適用本實施例的選擇性發(fā)射極元件還包括第2反射防止層350，從而降低入射光線的反射度，并借此進一步提升其轉(zhuǎn)換效率。下面，將結(jié)合圖2、圖4至圖9對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明。圖4至圖9是用于對適用本發(fā)明之第1實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明的中間步驟示意圖。如圖4所示，通過在半導(dǎo)體基板100中擴散摻雜物而形成發(fā)射極層200。半導(dǎo)體基板100能夠是n型或p型，而發(fā)射極層200能夠是與其相反的p型或n型。即，發(fā)射極層200能夠具有與半導(dǎo)體基板100不同的導(dǎo)電型。例如，半導(dǎo)體基板100能夠是p型的半導(dǎo)體薄片基板，而發(fā)射極層200能夠通過將磷(phosphorus)擴散到半導(dǎo)體基板100中而形成。但，并不局限于此。因為發(fā)射極層200的上表面會摻雜進摻雜物，所以其上表面的摻雜濃度能夠較高。越是向發(fā)射極層200的深度方向時，發(fā)射極層200的上表面的摻雜濃度能夠逐漸降低。在圖4中是通過不連續(xù)的虛線區(qū)域圖示了在虛線密度變疏時其摻雜濃度隨之降低的結(jié)構(gòu)，但實際上能夠是一種越向下方時其摻雜濃度連續(xù)降低的結(jié)構(gòu)。即，即使是相同的虛線區(qū)域，越向下方時其摻雜濃度能夠連續(xù)降低，且在相互不同的虛線區(qū)域的邊界，其摻雜濃度也能夠是并非不連續(xù)的逐漸降低的結(jié)構(gòu)。接下來如圖5所示，在發(fā)射極層200的上表面形成虛擬圖案150。虛擬圖案150能夠包括PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，polymethylmethacrylate)。但，并不局限于此。虛擬圖案150能夠是用于形成具有特定周期的小孔的圖案。即，虛擬圖案150中能夠包括在后續(xù)步驟形成第1遮罩160a的小孔。形成虛擬圖案150的部分中能夠包括在后續(xù)步驟形成第2區(qū)域II的部分。接下來如圖6所示，在虛擬圖案150及發(fā)射極層200上方形成第1遮罩160a及第2遮罩160b。遮罩160a、160b包括第1遮罩160a和第2遮罩160b。第1遮罩160a能夠形成于半導(dǎo)體基板100的上表面。第2遮罩160a能夠形成于虛擬圖案150的上表面。第1遮罩160a和第2遮罩160b能夠形成于不同的水平面而構(gòu)成不連續(xù)的形態(tài)。即，如圖所示，第2遮罩160b能夠形成于虛擬圖案150的上表面，而第1遮罩160a能夠形成于因為未形成虛擬圖案150而裸露的發(fā)射極層200即虛擬圖案150之間的位置。雖不做特殊限制，但第1遮罩160a及第2遮罩160b能夠包括氧化物系列的物質(zhì)。例如，第1遮罩160a及第2遮罩160b能夠包括SiO2。第1遮罩160a及第2遮罩160b能夠以相對較薄的厚度形成。例如，上述第1及第2遮罩160b能夠以約20nm的厚度形成。接下來如圖7所示，移除虛擬圖案150和第2遮罩160b。通過移除虛擬圖案150以及虛擬圖案150上表面的第2遮罩160b，能夠保留在虛擬圖案150的側(cè)面形成的第1遮罩160a。第1遮罩160a能夠位于移除虛擬圖案150之后的發(fā)射極層200的上表面。通過后續(xù)步驟，能夠在第1遮罩160a的下部形成第1區(qū)域I的圖案。借此，能夠使其按照與第1區(qū)域I的圖案相同的周期相互間隔一定的距離形成。接下來如圖8所示，以第1遮罩160a作為遮罩對發(fā)射極層200進行蝕刻處理。對發(fā)射極層200進行蝕刻時，能夠使用濕法蝕刻方式。如果半導(dǎo)體基板100及發(fā)射極層200中包含硅，則能夠按照硅的結(jié)晶方向進行蝕刻。例如，當發(fā)射極層200的平面為(100)方向的硅結(jié)晶方向時，通過蝕刻形成的圖案之傾斜部能夠具有(111)方向平面的表面。具體來講，當利用濕法蝕刻對硅半導(dǎo)體薄片進行蝕刻時，因為受到硅的結(jié)合能的影響，各個結(jié)晶平面的蝕刻率將有所不同。當對(100)方向平面的半導(dǎo)體薄片進行蝕刻時(100)方向平面會比較容易被蝕刻，而(111)方向平面則能夠起到蝕刻防止膜的作用。通過上述蝕刻處理，能夠定義形成突起形狀圖案的第1區(qū)域I和平坦區(qū)域即第2區(qū)域II。如圖所示，凸起形狀的圖案之間的平坦部分能夠被定義為第2區(qū)域II。借此，在后續(xù)步驟中，第1區(qū)域I能夠起到搞摻雜區(qū)域的作用而第2區(qū)域II能夠起到低摻雜區(qū)域的作用。接下來如圖9所示，移除第1遮罩160a。在移除第1遮罩之后，在第1區(qū)域I中將只保留發(fā)射極層200中被蝕刻后的形態(tài)圖案，而在第2區(qū)域II中將保留上述圖案之間的平坦部分即被完全蝕刻的部分。接下來如圖2所示，在發(fā)射極層200的上方形成透明導(dǎo)電層300。透明導(dǎo)電層300能夠通過原子層沉積(atomiclayerdeposition,ALD)或物理氣相沉積(PhysicalvaporDeposition,PVD)方式形成。上述物理氣相沉積方式能夠是如濺射(sputtering)方式。但，并不局限于此。透明導(dǎo)電層300能夠由透明的導(dǎo)電體構(gòu)成。例如，能夠由氧化錫(tin-oxide)、氧化銦(In2O3)、Pt、Au、IZO(銦鋅氧化物，Indium-zinc-oxide)、AZO(鋁鋅氧化物，Aluminum-zinc-oxide)或ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)構(gòu)成。但，并不局限于此。能夠在形成透明導(dǎo)電層之前或之后形成反射防止層。如上所述的反射防止層能夠形成于透明導(dǎo)電層的下部或上部。能夠包括SiNX、TiOX。其中，x代表自然數(shù)。下面，將結(jié)合圖3、圖10對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明。本實施例與上述實施例相比，出了進行摻雜的時間不同之外，其他全部相同。所以，在此將省略或簡化重復(fù)部分的說明。圖10是用于對適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法進行說明的中間步驟示意圖。在本實施例中，不會首先對半導(dǎo)體基板100進行摻雜，即，能夠在未形成發(fā)射極層200的情況下形成凸起圖案。即，首先形成虛擬圖案150，然后形成第1遮罩160a及第2遮罩160b，接下來移除虛擬圖案150及第2遮罩160b，最后利用第1遮罩160a對半導(dǎo)體基板進行蝕刻，從而形成凸起圖案。首先，如圖10所示，通過進行摻雜形成發(fā)射極層200。半導(dǎo)體基板100能夠是n型或p型，而發(fā)射極層200能夠是與其相反的p型或n型。即，發(fā)射極層200能夠具有與半導(dǎo)體基板100不同的導(dǎo)電型。例如，半導(dǎo)體基板100能夠是p型的半導(dǎo)體薄片基板，而發(fā)射極層200能夠通過將磷(phosphorus)擴散到半導(dǎo)體基板100中而形成。但，并不局限于此。因為發(fā)射極層200的上表面會摻雜進摻雜物，所以其上表面的摻雜濃度能夠較高。越是向發(fā)射極層200的深度方向時，發(fā)射極層200的上表面的摻雜濃度能夠逐漸降低。在圖10中是通過不連續(xù)的虛線區(qū)域圖示了在虛線密度變疏時其摻雜濃度隨之降低的結(jié)構(gòu)，但實際上能夠是一種越向下方時其摻雜濃度連續(xù)降低的結(jié)構(gòu)。即，即使是相同的虛線區(qū)域，越向下方時其摻雜濃度能夠連續(xù)降低，且在相互不同的虛線區(qū)域的邊界，其摻雜濃度也能夠是并非不連續(xù)的逐漸降低的結(jié)構(gòu)。本實施例與上述實施例之間的不同之處在于，因為已經(jīng)形成了具有突出圖案的第1區(qū)域I及第2區(qū)域II，所以其摻雜濃度并不取決于與半導(dǎo)體基板100之間的距離，而是主要取決于與發(fā)射極層200的上表面之間的距離。因此，因為第2區(qū)域II均位于與發(fā)射極層200的上表面相對較近的位置而全部具有較高的摻雜濃度，同時因為第1區(qū)域I中具有與發(fā)射極層200的上表面相對較遠的部分如凸起圖案部分，所以具有較高的摻雜濃度的部分相對較少，從而具有相對較低的摻雜濃度。因此，在適用本發(fā)明之第2實施例的選擇性發(fā)射極元件2的高摻雜區(qū)域能夠是第2區(qū)域II，而低摻雜區(qū)域能夠是第1區(qū)域I。接下來如圖3所示，在發(fā)射極層200的上方形成透明導(dǎo)電層300。透明導(dǎo)電層300能夠通過原子層沉積(atomiclayerdeposition,ALD)或物理氣相沉積(PhysicalvaporDeposition,PVD)方式形成。上述物理氣相沉積方式能夠是如濺射(sputtering)方式。但，并不局限于此。透明導(dǎo)電層300能夠由透明的導(dǎo)電體構(gòu)成。例如，能夠由氧化錫(tin-oxide)、氧化銦(In2O3)、Pt、Au、IZO(銦鋅氧化物，Indium-zinc-oxide)、AZO(鋁鋅氧化物，Aluminum-zinc-oxide)或ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)構(gòu)成。但，并不局限于此。能夠在形成透明導(dǎo)電層之前或之后形成反射防止層。如上所述的反射防止層能夠形成于透明導(dǎo)電層的下部或上部。能夠包括SiNX、TiOX。其中，x代表自然數(shù)。適用本發(fā)明之第1及第2實施例的選擇性發(fā)射極元件1、2通過蝕刻方式實現(xiàn)納米級單位的選擇性發(fā)射極元件，能夠自然地實現(xiàn)具有高摻雜區(qū)域和低摻雜區(qū)域的結(jié)構(gòu)。此外，上述納米級結(jié)構(gòu)能夠有效捕獲入射光線，從而提升其光電元件的光學(xué)性能。下面，將結(jié)合試驗例對其進行詳細的說明。實施例1使用(100)平面方向的p型硅薄片作為半導(dǎo)體基板使用。對半導(dǎo)體基板進行摻雜工程之后，利用納米壓印方法(nanoimprintmethod)(如上所述的適用本發(fā)明之第1及第2實施例的選擇性發(fā)射極元件的制造方法)及濕法蝕刻形成了包括相同高度凸起圖案的發(fā)射極層。作為上述蝕刻處理中使用的蝕刻液，對NaOH(2.5wt％)、異丙醇(isopropylalcohol)(5wt％)及去離子水(de-ionizedwater)(92.5wt％)進行混合制造。利用上述蝕刻液進行8分鐘的蝕刻處理。上述凸起圖案的高度約為240nm，寬度約為400nm。上述凸起圖案的周期為500nm。在上述發(fā)射極層中形成80nm厚度ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)材質(zhì)的透明導(dǎo)電層。比較例1除了采取沒有在p型硅薄片中形成圖案的平面(planar)結(jié)構(gòu)之外，其他與上述實施例1相同。比較例2圖11是用于對具有比較例1的紋理(textured)結(jié)構(gòu)的光電元件進行說明的斜視圖。如圖11所示，即使是在上述蝕刻過程中使用相同的蝕刻液，也可能會因為(100)平面的蝕刻率的不同而導(dǎo)致凸起圖案的大小的不同。在這種情況下，一個凸起圖案的傾斜面為(111)平面。即，雖然凸起圖案的大小不同，但傾斜面能夠相同。將如上所述的紋理樣本作為比較例2。比較例2中的文理樣本除了沒有經(jīng)過實施例1中的納米壓印工程而直接進行蝕刻處理之外，其他與實施例1相同。試驗例1對形成ITO(銦錫氧化物，Indium-tin-oxide)材質(zhì)的透明導(dǎo)電層之前和之后上述實施例1及比較例1至2的反射度分別進行了測定。圖12是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中在沒有透明導(dǎo)電層的情況下對不同波長下的反射度進行測定的圖表。圖12中的反射度是在300nm至1100nm的波長范圍內(nèi)進行測定。在比較例1呈現(xiàn)出了平均34.42％的較高的反射度，在比較例2則呈現(xiàn)出了較低的平均20.68％的反射度。而在實施例1中測定出了非常低的平均8.55％的反射度。圖13是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中對不同波長下的反射度進行測定的圖表。如圖13所示，上述實施例1及比較例1至2相對于沒有透明導(dǎo)電層時均呈現(xiàn)出了大幅度的減少。在比較例1呈現(xiàn)出了平均16.99的反射度，在比較例2則呈現(xiàn)出了平均12.5％的反射度。而在實施例1中測定出了平均2.68％的最低的反射度。此外，在實施例1中，在大多數(shù)波長下均測定出了幾乎接近于0的反射度。在實施例1中，反射度小于1％的波長區(qū)間為472nm至826nm。借此，能夠確認透明導(dǎo)電層會對反射度造成影響。如上所述，透明導(dǎo)電層在對光學(xué)方面造成影響的同時，還能夠?qū)﹄姎夥矫嬖斐捎绊?。因為透明?dǎo)電層的折射率介于硅和空氣(air)之間，所以能夠降低其反射度。根公式d＝λ/4n(其中，n為ITO的折射率)可以得知，透明導(dǎo)電層的厚度為80nm為宜。試驗例2對上述實施例1及比較例1至2在黑暗條件(darkcondition)下的I-V特性進行了測定。圖14是用于對適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中在不同電壓下的電流特性進行說明的圖表。如圖14所示，上述實施例1及比較例1均呈現(xiàn)出了較佳的整流特性。比較例1呈現(xiàn)出了最低的反向飽和電流(reversesaturationcurrent)值。反向飽和電流與在蝕刻工程中出現(xiàn)的硅的表面缺陷有直接關(guān)系。硅的表面缺陷會導(dǎo)致漏電流的增加。實施例1呈現(xiàn)出了略低于比較例2的反向飽和電流。借此，能夠確認比較例2的紋理結(jié)構(gòu)可能會導(dǎo)致缺陷問題。在0.8V電壓條件下，在實施例1中測定到了最大的正向電流即4.12A。與此相反，在比較例2中測定到了小于比較例1的最低的正向電流。通過如上所述的黑暗條件下的傾向性進行測定，能夠得出-0.8V至+0.8V條件下的整流率數(shù)據(jù)。表1比較例1比較例2實施例1理想因子(Idealityfactor)1.521.611.57整流率(Rectifyingratio)15152.51499.54367.3表面積增大(Surfaceenhancement)100％N/A133.9％Voc[mV]584586583Jsc[mA/cm2]32.0532.8636.25電池效率(Cellefficiency)[％]14.515.016.3圖15是適用本發(fā)明之一實施例和比較例1以及比較例2中對不同電壓下的電流密度進行測定的圖表。如圖15及表1所示，在比較例1中呈現(xiàn)出了最高的整流率即15152.5，這主要源于最低的反向飽和電流。實施例1呈現(xiàn)出了略高于比較例2的整流率。為了對PN結(jié)合的質(zhì)量進行測定，對二極管異常系數(shù)n進行了測定。比較例1呈現(xiàn)出了1.52的較佳的PN結(jié)合質(zhì)量。經(jīng)過蝕刻處理的實施例1及比較例2也分別呈現(xiàn)出了1.57及1.61的較佳的PN結(jié)合質(zhì)量。這與再結(jié)合問題相關(guān)。這是因為，表面缺陷能夠通過表面積的增大而得到緩解。異常系數(shù)n能夠通過下述公式計算。公式1其中，kT及q分別為熱能和電荷。實施例1中表面積的增大能夠有效提升電流，這與上述n值相關(guān)。為了掌握作為太陽能電池的效率，對上述實施例1及比較例1至2的轉(zhuǎn)換效率進行了測定。在實施例1中，測定到了高于比較例1的14.5％和比較例2的15.0％的最高的轉(zhuǎn)換效率即16.3％。Voc(開路電壓，opencircuitvoltage)是決定納米級太陽能電池的效率的非常重要的因素。通常，在納米級的太陽能電池中，Voc值會呈現(xiàn)出隨著耗盡區(qū)(depletionregion)的陷阱密度(trapdensity)而減少的趨勢。通過上述結(jié)果可以得知，上述實施例1及比較例1至2具有類似的Voc值，并沒有嚴重的VoC降低的問題。上述效率的提升源于電流的增加。實施例1的電流密度(Jsc)為36.25mA/cm2。這相對于比較例1的32.05mA/cm2是非常高的數(shù)值。電流比(currentratio，光生電流/反向飽和電流)也能夠通過下述公式2直接對Voc進行控制。公式2其中，Ilight是光生電流。在實施例1中，因為缺陷而導(dǎo)致的后果能夠通過Ilight的大量增加而大幅度減少。與此相反，在比較例2(32.86mA/cm2)中則因為其表面小于實施例1而無法實現(xiàn)如上所述的效果。為了對電流特性進行確認，對實施例1的表面積增加進行了計算。在實施例1中，圖案的周期約為500nm，各個凸起圖案的寬度為400nm，高度為240nm。在將比較例1作為基準定為100％時，實施例1的表面積為133,9％。這還會使硅和ITO之間的接觸面增加。借助于ITO表面積的增加，實施例1能夠提供最低的1.546Ωcm2的串聯(lián)電阻。這遠低于納米線的值5Ωcm2，接近于理論值1.5Ωcm2。在電氣方面，透明導(dǎo)電層能夠促進載流子從硅到金屬電極的躍遷。其結(jié)果，實施例1中的強化表面將對光生電流(Ilight)及正向電流等電流特性造成影響。試驗例3對上述實施例1在不同深度下的摻雜密度、電場強度及外部量子效率進行了測定。圖16是適用本發(fā)明之一實施例中對不同深度下的摻雜濃度進行測定的圖表。如圖16所示，在第2區(qū)域II即互連(interconnect)區(qū)域中供體的濃度約為1018/cm3?；趐型硅基板的受體濃度1016/cm3考慮，在PN結(jié)合部中能夠形成耗盡區(qū)(spacechargeregion,SCR)。這是多數(shù)載流子的擴散機制。電子會從N型硅移動到P型硅，而空穴(hole)會向相反的方向移動。在耗盡區(qū)中，電子和空穴將被電場固定。電場(E)是收集光生載流子的原動力。圖17是用于對適用本發(fā)明之實施例1中選擇性發(fā)射極元件的耗盡區(qū)的形成進行說明的概念圖。如圖17所示，能夠形成漸變的摻雜輪廓。最高的摻雜濃度(1021/cm3)能夠位于實施例1的發(fā)射極層的上表面。距離實施例1的上表面越遠，其摻雜濃度能夠越低。如上所述的漸變的摻雜濃度能夠形成額外的電場，并借此拓寬耗盡區(qū)(h1,h2,h3)。圖18是適用本發(fā)明之一實施例中對選擇性發(fā)射極元件的不同深度下的電場進行測定的圖表。如圖17及18所示，第2區(qū)域即互連區(qū)域(interconnect)中的電場沿著耗盡區(qū)形成，且在耗盡區(qū)的中心呈現(xiàn)出峰值37kV/cm。這是第1區(qū)域和第2區(qū)域中均存在的摻雜濃度為1018/cm3的共同區(qū)域中所形成的電場值。如上所述的共同區(qū)域(h3,SCRcom)的耗盡區(qū)是在如上所述的共同區(qū)域的電場作用下形成，與此相反，在第1區(qū)域中將形成比共同區(qū)域更寬的耗盡區(qū)(SCRcone)。這是通過漸變的摻雜所造成的額外電場形成。借此，能夠分別形成高摻雜區(qū)域及低摻雜區(qū)域(第1區(qū)域、第2區(qū)域)并實現(xiàn)選擇性發(fā)射極。圖19是適用本發(fā)明之實施例1和比較例1以及比較例2中對不同波長下的外部量子效率進行測定的圖表。如圖19所示，為了對載流子收集性能進行比較，對外部量子效率(externalquantumefficiencies,EQE)進行了測定。實施例1在較寬的波長范圍內(nèi)呈現(xiàn)出了大幅提升的載流子收集效率。與此相反，比較例1及比較例2的效率遠低于此。在較長波長范圍內(nèi)，量子效率的改善尤為重要。在1100nm波長下，實施例1相對于比較例1呈現(xiàn)出了約50.6％的量子效率的提升。實施例1在較短波長范圍內(nèi)也比較高效。在440nm的波長下，實施例1相對于比較例1也呈現(xiàn)出了約29.3％的量子效率的提升。上面結(jié)合試驗例及附圖對適用本發(fā)明的實施例進行了說明，具有本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
之一般知識的人員能夠在不對本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征進行變更的情況下以其他具體形態(tài)實施。因此，上述實施例在所有方面僅為示例性目的而非限制。當前第1頁1 2 3