一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件及其制備方法。所述大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟：提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定一透明導(dǎo)電基底；提供溶解有空穴注入材料的第一溶液，在所述透明導(dǎo)電基底遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述第一溶液，進(jìn)行第一加熱處理，制備空穴注入層；提供溶解有發(fā)光材料的第二溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述第二溶液，進(jìn)行第二加熱處理，制備活性層；在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面沉積陰極材料，制備陰極層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于發(fā)光電化學(xué)池制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今固態(tài)發(fā)光領(lǐng)域正在發(fā)展的主要技術(shù)為發(fā)光二極管(LED)，特別是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。傳統(tǒng)OLED具有多層結(jié)構(gòu)，其制備方法相對(duì)復(fù)雜。近年來(lái)，發(fā)光電化學(xué)池(LECs)已成為另一種可替代的選擇。與OLED相比，LECs具有以下優(yōu)點(diǎn):LECs器件結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、電極材料要求相對(duì)較低(可選用在空氣中穩(wěn)定的金屬材料)、發(fā)光顏色可調(diào)、驅(qū)動(dòng)電壓低等。LECs憑借其在電致發(fā)光應(yīng)用領(lǐng)域中顯示出的潛在優(yōu)勢(shì)，有望成為新一代顯示技術(shù)的領(lǐng)軍者。
[0003]目前LECs器件主要是采用旋涂工藝和真空蒸鍍相結(jié)合的方式制備獲得。旋涂法雖然可以在小面積基片上制備出高質(zhì)量的均勻薄膜，獲得較高的器件效率，但在旋涂過(guò)程中，各功能材料溶液必須覆蓋基片，導(dǎo)致材料利用率只有3%左右，造成了嚴(yán)重浪費(fèi)，且旋涂無(wú)法應(yīng)用于大面積器件的制備，因而限制了LECs在平面光源及平板顯示中的應(yīng)用，進(jìn)而限制了 LECs的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法材料利用率低、以及不適于大面積器件制備的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件。
[0006]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0007]提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定一透明導(dǎo)電基底；
[0008]提供溶解有空穴注入材料的第一溶液，在所述透明導(dǎo)電基底遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述第一溶液，進(jìn)行第一加熱處理，制備空穴注入層；
[0009]提供溶解有發(fā)光材料的第二溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述第二溶液，進(jìn)行第二加熱處理，制備活性層；
[0010]在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面沉積陰極材料，制備陰極層。
[0011]以及，一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件，所述大面積發(fā)光電化學(xué)池器件由上述方法制備獲得，包括依次層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電基底、空穴注入層、活性層和陰極層。
[0012]本發(fā)明提供的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，通過(guò)刮涂制備所述空穴注入層、活性層甚至陰極層，方法簡(jiǎn)單易行，更重要的是，可以建筑降低各功能層材料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本，且可用于發(fā)光電化學(xué)池器件的大面積生產(chǎn)。此外，本發(fā)明可通過(guò)對(duì)所述第二溶液濃度和刮涂工藝參數(shù)的設(shè)置，實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光電化學(xué)池器件質(zhì)量及性能的調(diào)控，推動(dòng)LECs在顯示照明中的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。本發(fā)明提供的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件，各功能層膜層致密均勻，具有較好的質(zhì)量和性能。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用刮涂方法制備大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的示意圖；
[0014]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0017]SO1.提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定一透明導(dǎo)電基底；
[0018]S02.提供溶解有空穴注入材料的第一溶液，在所述透明導(dǎo)電基底遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述第一溶液，進(jìn)行第一加熱處理，制備空穴注入層；
[0019]S03.提供溶解有發(fā)光材料的第二溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述第二溶液，進(jìn)行第二加熱處理，制備活性層；
[0020]S04.在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面沉積陰極材料，制備陰極層。
[0021]具體的，上述步驟SOl中，所述固定基板為具有加熱功能的支撐基板，一方面，所述固定基板可用于固定所述透明導(dǎo)電基底;另一方面，在制備各功能層的過(guò)程中，可以邊刮涂邊加熱，進(jìn)而提高制備效率。在所述固定基板上固定一透明導(dǎo)電基底的方式不受限制，只需保證所述透明導(dǎo)電基底的固定即可。
[0022]上述步驟S02中，提供溶解有空穴注入材料的第一溶液，其中，所述空穴注入材料具有空穴注入特性，優(yōu)選的，所述空穴注入材料包括但不限于PEDOT: PSS(聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸)。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例中，所述刮涂的方法為:將待沉積的溶液滴加到待沉積面的滴液區(qū)，然后采用刮刀將所述溶液從所述滴液區(qū)刮行，覆蓋所述待沉積面，其中，所述滴液區(qū)為所述待沉積面的一側(cè)。其中，所述刮刀可通過(guò)機(jī)械臂水平推動(dòng)進(jìn)行刮涂。作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施，所述刮刀與所述待沉積面之間的距離為0.2-1.5mm，當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，所述刮刀與所述待沉積面之間的距離根據(jù)各功能層的厚度需要進(jìn)行具體調(diào)節(jié)。具體的，本發(fā)明實(shí)施例若所述空穴注入層的厚度太薄，無(wú)法形成平整的薄膜，太厚則影響載流子迀移，優(yōu)選的，所述空穴注入層的厚度為1-1OOnm，具體的可為40nm。作為另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述刮刀刮行的速度為0.05-5cm/s，該優(yōu)選的速度，可以獲得平整致密的功能層薄膜。
[0024]具體的，結(jié)合圖1，在所述透明導(dǎo)電基底21遠(yuǎn)離所述固定基板I的表面刮涂所述第一溶液的方法為:將所述第一溶液滴加到第一滴液區(qū)211，然后采用刮刀3將所述第一溶液從所述第一滴液區(qū)211刮行，覆蓋所述透明導(dǎo)電基底21，其中，所述滴液區(qū)211為所述透明導(dǎo)電基底21遠(yuǎn)離所述固定基板I面的一側(cè)。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例在沉積所述空穴注入材料的同時(shí)，開(kāi)啟所述固定基板的加熱功能進(jìn)行加熱，進(jìn)一步的，在沉積完所述空穴注入材料后，進(jìn)行第一加熱處理，去除所述第一溶液的溶劑，并形成致密的空穴注入層薄膜。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述第一加熱的加熱溫度為100-180 °C，加熱時(shí)間為10-20min。該優(yōu)選的溫度和時(shí)間，可以較好地獲得上述效果。
[0025]上述步驟S03中，提供溶解有發(fā)光材料的第二溶液，其中，所述發(fā)光材料為具有發(fā)光特性的材料。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光材料為離子型過(guò)渡金屬化合物、聚合物發(fā)光材料、量子點(diǎn)發(fā)光材料中的至少一種。具體優(yōu)選的，所述離子型過(guò)渡金屬化合物包括但不限于釘離子型過(guò)渡金屬化合物、銥離子型過(guò)渡金屬化合物、餓離子型過(guò)渡金屬化合物、銅離子型過(guò)渡金屬化合物中的一種;所述聚合物發(fā)光材料包括但不限于MCP、PPV類(lèi)、PF類(lèi)中的一種；所述量子點(diǎn)發(fā)光材料包括但不限于CdSe-CdS。
[0026]進(jìn)一步的，作為一個(gè)具體優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光材料為離子型過(guò)渡金屬化合物，且所述第二溶液中添加有離子液體，所述離子液體可以改善金屬配合物周?chē)慕橘|(zhì)、提高離子導(dǎo)電性，從而降低光電化學(xué)池器件的開(kāi)啟時(shí)間，也可使所述活性層薄膜的更加平整，進(jìn)而提高器件的發(fā)光效率。具體的，所述離子液體包括但不限于BMnTPF6-、EMnTPF6-、HM HTPF6-中的一種。
[0027]作為另一個(gè)具體優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光材料為聚合物發(fā)光材料，且所述第二溶液中添加有電解質(zhì)，所述電解質(zhì)可以提高所述活性層電導(dǎo)率、縮短p-n結(jié)形成時(shí)間，進(jìn)而降低響應(yīng)時(shí)間。具體的，所述電解質(zhì)包括但不限于LiCF3S03/PE0、LiCF3S03/冠醚、KCF3S03/PE0中的一種。
[0028]作為再一個(gè)具體優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光材料為量子點(diǎn)發(fā)光材料，且所述第二溶液中添加有導(dǎo)電聚合物和離子液體，所述導(dǎo)電聚合物和離子液體形成的混合物可以提高薄膜質(zhì)量，增加載流子傳導(dǎo)能力，進(jìn)而提高光電化學(xué)池器件的發(fā)光效率，縮小響應(yīng)時(shí)間。具體的，所述導(dǎo)電聚合物和離子液體形成的混合物包括但不限于PVK/BM頂+PF6_。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二溶液的濃度為5-100mg/ml。該濃度范圍的所述第二溶液，既不會(huì)由于濃度過(guò)稀導(dǎo)致薄膜不平整，也不會(huì)由于濃度過(guò)稠而影響刮涂。本發(fā)明實(shí)施例中，所述刮涂的方法與制備所述空穴注入層時(shí)相同，具體的:將所述第二溶液滴加到第二滴液區(qū)，然后采用刮刀將所述第而溶液從所述第二滴液區(qū)刮行，覆蓋所述空穴注入層，其中，所述第二滴液區(qū)為所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底面的一側(cè)。所述活性層的厚度可以根據(jù)所述刮刀與所述空穴注入層之間的距離進(jìn)行調(diào)節(jié)，若所述活性層的厚度太薄，則漏電流大，器件容易擊穿且效率低;太厚則啟亮電壓大，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)。具體優(yōu)選的，所述活性層的厚度為1-1 OOnm，具體可為80nm O
[0030]進(jìn)一步的，沉積完所述發(fā)光材料的同時(shí)，所述固定基板的加熱功能開(kāi)啟運(yùn)行，進(jìn)一步的，在沉積完所述發(fā)光材料后，進(jìn)行第二加熱處理，去除所述第二溶液的溶劑，并形成致密的活性層薄膜。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述第二加熱處理的加熱溫度為50-150°C，加熱時(shí)間為30-60min。該優(yōu)選的溫度和時(shí)間，既不會(huì)對(duì)形成的所述空穴注入層造成結(jié)構(gòu)或性能破壞，而且可以較好地獲得上述效果。
[0031]上述步驟S04中，在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面沉積陰極材料，可以采用刮涂方法，也可以采用真空熱蒸鍍方法。當(dāng)采用刮涂方法時(shí)，可以參考其它層的刮涂方法實(shí)現(xiàn)，此時(shí)，所述陰極材料包括但不限于銀納米線(xiàn)或?qū)щ娿y漿；當(dāng)采用真空熱蒸鍍方法時(shí)，在真空度為低于3*10—3Pa的真空環(huán)境中熱蒸發(fā)實(shí)現(xiàn)，此時(shí)，所述陰極材料包括但不限于A(yíng)u、Ag、Al金屬材料。本發(fā)明實(shí)施例中，所述陰極層的厚度為1-1 OOnm。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，通過(guò)刮涂制備所述空穴注入層、活性層甚至陰極層，方法簡(jiǎn)單易行，更重要的是，可以建筑降低各功能層材料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本，且可用于發(fā)光電化學(xué)池器件的大面積生產(chǎn)。此外，本發(fā)明實(shí)施例可通過(guò)對(duì)所述第二溶液濃度和刮涂工藝參數(shù)的設(shè)置，實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光電化學(xué)池器件質(zhì)量及性能的調(diào)控，推動(dòng)LECs在顯示照明中的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
[0033]相應(yīng)地，結(jié)合圖2，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件2，所述大面積發(fā)光電化學(xué)池器件由上述方法制備獲得，包括依次層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電基底21、空穴注入層22、活性層23和陰極層24。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件，各功能層膜層致密均勻，具有較好的質(zhì)量和性能。
[0035]下面，結(jié)合具體實(shí)施了進(jìn)行說(shuō)明。
[0036]實(shí)施例1
[0037]—種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0038]Sll.提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定6英寸透明導(dǎo)電ITO玻璃；
[0039]S12.提供PEDOT: PSS溶液，在所述透明導(dǎo)電ITO玻璃遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述PEDOT: PSS溶液，刮刀與所述導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.5mm，刮刀移動(dòng)速度為0.5cm/s，固定基板的溫度為80°C，刮涂后在150°C下加熱15min，制備空穴注入層；
[°04°] 313.提供[11'(口口7)2(1^2口7-)]??6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述[11'(口口7)2(1^2口7-)]??6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.8mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為40°C，刮涂后在72°C加熱30min，制備活性層；
[0041]S14.在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面刮涂銀納米線(xiàn)的醇溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.6mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為60°C，然后在100°C下加熱5min，制備出藍(lán)綠光二極管器件。
[0042]實(shí)施例2
[0043]—種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0044]S21.提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定6英寸透明導(dǎo)電ITO玻璃；
[0045]S22.提供PEDOT: PSS溶液，在所述透明導(dǎo)電ITO玻璃遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述PEDOT: PSS溶液，刮刀與所述導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.5mm，刮刀移動(dòng)速度為0.5cm/s，固定基板的溫度為80°C，刮涂后在150°C下加熱15min，制備空穴注入層；
[0046]323.提供6011^/1]11的[11^口7)2(1^口7-)!^6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述[Ir(ppy)2(trZpy-)]PF6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.8mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為400C，刮涂后在72°C加熱30min，制備活性層；
[0047]S24.在3*10—3Pa真空腔體中，在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面蒸鍍10nm的Al電極，制備出藍(lán)綠光二極管器件。
[0048]實(shí)施例3
[0049]—種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0050]S31.提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定6英寸透明導(dǎo)電ITO玻璃；
[0051 ] S32.提供PEDOT: PSS溶液，在所述透明導(dǎo)電ITO玻璃遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述PEDOT: PSS溶液，刮刀與所述導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.5mm，刮刀移動(dòng)速度為0.5cm/s，固定基板的溫度為800C，刮涂后在110°C下加熱15min，制備空穴注入層；
[0052]S33.[Ir(dfppyMtrzpy-) ]PF6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述[Ir(dfppy)2(trzpy-)]PF6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.8mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為40°C，刮涂后在72°C加熱30min，制備活性層；
[0053]S34.在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面刮涂銀納米線(xiàn)的醇溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.6mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為60°C，然后在100°C下加熱5min，制備出黃光二極管器件。
[0054]實(shí)施例4
[0055]—種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟:
[0056]S41.提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定6英寸透明導(dǎo)電ITO玻璃；
[0057]S42.提供PEDOT: PSS溶液，在所述透明導(dǎo)電ITO玻璃遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述PEDOT: PSS溶液，刮刀與所述導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.5mm，刮刀移動(dòng)速度為0.5cm/s，固定基板的溫度為800C，刮涂后在110°C下加熱15min，制備空穴注入層；
[0058]343.提供6011^/1111的[11'(口口7)2(1^2口7-)]??6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述[Ir(ppy)2(trZpy-)]PF6(離子型銥金屬化合物)的乙腈溶液，刮刀與導(dǎo)電ITO玻璃板的距離為0.8mm，刮刀移動(dòng)速度為0.8cm/s，加熱基板溫度為400C，刮涂后在72°C加熱30min，制備活性層；
[0059]S44.在3*10—3Pa真空腔體中，在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面蒸鍍10nm的Al電極，制備出黃光二極管器件。
[0060]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有加熱功能的固定基板，在所述固定基板上固定一透明導(dǎo)電基底； 提供溶解有空穴注入材料的第一溶液，在所述透明導(dǎo)電基底遠(yuǎn)離所述固定基板的表面刮涂所述第一溶液，進(jìn)行第一加熱處理，制備空穴注入層； 提供溶解有發(fā)光材料的第二溶液，在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電基底的表面刮涂所述第二溶液，進(jìn)行第二加熱處理，制備活性層； 在所述活性層遠(yuǎn)離所述活性層的表面沉積陰極材料，制備陰極層。2.如權(quán)利要求1所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述刮涂的方法為:將待沉積的溶液滴加到待沉積面的滴液區(qū)，然后采用刮刀將所述溶液從所述滴液區(qū)刮行，覆蓋所述待沉積面，其中，所述滴液區(qū)為所述待沉積面的一側(cè)。3.如權(quán)利要求2所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述刮刀與所述待沉積面之間的距離為0.2-1.5mm;和/或 所述刮刀刮行的速度為0.05-5cm/s。4.如權(quán)利要求1所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述第二溶液的濃度為5-100mg/ml。5.如權(quán)利要求1-4任一所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述第一加熱的加熱溫度為100-180°C，加熱時(shí)間為10-20min;和/或 所述第二加熱處理的加熱溫度為50-150 °C，加熱時(shí)間為30-60min。6.如權(quán)利要求1-4任一所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光材料為離子型過(guò)渡金屬化合物、聚合物發(fā)光材料、量子點(diǎn)發(fā)光材料中的至少一種。7.如權(quán)利要求6所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光材料為離子型過(guò)渡金屬化合物，且所述第二溶液中添加有離子液體;和/或 所述發(fā)光材料為聚合物發(fā)光材料，且所述第二溶液中添加有電解質(zhì);和/或 所述發(fā)光材料為量子點(diǎn)發(fā)光材料，且所述第二溶液中添加有導(dǎo)電聚合物和離子液體。8.如權(quán)利要求1-4任一所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，在所述制備陰極層的步驟中，沉積所述陰極材料的方法為刮涂方法、或真空熱蒸鍍方法。9.如權(quán)利要求1-4任一所述的大面積發(fā)光電化學(xué)池器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為1-1OOnm;和/或 所述活性層的厚度為1-1OOnm;和/或 所述陰極層的厚度為1-1OOnm。10.—種大面積發(fā)光電化學(xué)池器件，其特征在于，所述大面積發(fā)光電化學(xué)池器件由上述權(quán)利要求1-9任一所述方法制備獲得，包括依次層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電基底、空穴注入層、活性層和陰極層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105914303SQ201610301079
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年5月9日
【發(fā)明人】李恩群, 曾群英
【申請(qǐng)人】深圳市百山川科技有限公司