專利名稱：晶圓測(cè)試方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體產(chǎn)品測(cè)試技術(shù)，尤其涉及一種晶圓測(cè)試方法及裝置。
背景技術(shù)：
近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展，大量產(chǎn)品投入市場(chǎng)，不僅刺激了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，芯片的封裝測(cè)試領(lǐng)域也隨之不斷進(jìn)行技術(shù)革新。半導(dǎo)體測(cè)試包括CP(Circuit Probe) 測(cè)試和FT (Final Test), CP (Circuit Probe)測(cè)試也稱晶圓測(cè)試(wafer test)，是半導(dǎo)體產(chǎn)品后道封裝測(cè)試的第一步，目的是將硅片中的不良芯片挑選出來。晶圓通常指制作集成電路所用的硅片，在晶圓上的集成電路全部制作完成之后， 晶圓上包含若干個(gè)芯片(Die)。如圖1所示是已經(jīng)完成集成電路制作的晶圓的錫球面，晶圓上有序排列著芯片， 以CSP封裝為例，芯片分為管腳墊(pad)面和錫球面，在錫球面上每個(gè)芯片上有圓形的凸起錫球。每個(gè)芯片中都包含一個(gè)獨(dú)立的能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)定功能的集成電路，芯片是進(jìn)行封裝和測(cè)試的基本單元。晶圓測(cè)試需要用到的設(shè)備包括測(cè)試機(jī)、探針等。

現(xiàn)有技術(shù)中通過將待測(cè)晶圓固定在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上，管腳墊(pad)面向上，承片臺(tái)向上移動(dòng)使得承片臺(tái)上的芯片接觸探針，探針附著在芯片管腳墊上對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。該方法能夠適用于近年來多數(shù)主流封裝格式的半導(dǎo)體芯片。上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn)因?yàn)閷?duì)晶圓進(jìn)行加蓋玻璃處理后，探針就無法接觸到管腳墊，因此該方法僅能夠?qū)ν瓿烧w封裝前的晶圓進(jìn)行測(cè)試，即在晶圓加蓋玻璃和劃片前測(cè)試。這就導(dǎo)致其測(cè)試結(jié)果具有不確定性，通過測(cè)試的芯片在加蓋玻璃后可能由于其他因素的影響成為不良品，降低晶圓測(cè)試的準(zhǔn)確率和效率；許多以芯片在完成電學(xué)測(cè)試之后還需進(jìn)行光學(xué)測(cè)試，但是現(xiàn)有晶圓測(cè)試設(shè)備不能夠同時(shí)完成電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試，需要在完成電學(xué)測(cè)試后將晶圓從承片臺(tái)取下，更換儀器以完成光學(xué)測(cè)試，降低測(cè)試效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種準(zhǔn)確率高、效率高的晶圓測(cè)試方法及裝置。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的晶圓測(cè)試方法，包括以下步驟步驟Ajf晶圓錫球面向上放置在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上；步驟B、承片臺(tái)固定裝置將晶圓固定；步驟C、對(duì)該晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試；步驟D、該待測(cè)芯片測(cè)試完成，對(duì)該晶圓中的下一芯片測(cè)試；所述步驟C具體包括步驟Cl、對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)測(cè)試；
步驟C2、對(duì)晶圓進(jìn)行光學(xué)測(cè)試；所述步驟Cl和步驟Cl同時(shí)或順序進(jìn)行。本發(fā)明的晶圓測(cè)試裝置，包括測(cè)試機(jī)承片臺(tái)，所述承片臺(tái)的上方設(shè)有測(cè)試機(jī)探針卡和探針，所述承片臺(tái)的下方設(shè)有光源模塊。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的晶圓測(cè)試方法及裝置。由于將晶圓錫球面向上進(jìn)行測(cè)試，并能夠同時(shí)對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試，準(zhǔn)確率高、效率高。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中CSP封裝晶圓的平面示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓測(cè)試方法的流程圖； 圖3為本發(fā)明晶圓測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、晶圓，2、承片臺(tái)，3、光源，4、探針，5、錫球。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。本發(fā)明的晶圓測(cè)試方法，其較佳的具體實(shí)施方式
包括以下步驟步驟Ajf晶圓錫球面向上放置在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上；步驟B、承片臺(tái)固定裝置將晶圓固定；步驟C、對(duì)該晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試；步驟D、該待測(cè)芯片測(cè)試完成，對(duì)該晶圓中的下一芯片測(cè)試；所述步驟C具體包括步驟Cl、對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)測(cè)試；步驟C2、對(duì)晶圓進(jìn)行光學(xué)測(cè)試；所述步驟Cl和步驟Cl同時(shí)或順序進(jìn)行。該測(cè)試方法在晶圓加蓋玻璃和劃片后進(jìn)行。所述步驟Cl具體包括步驟C11、承片臺(tái)帶動(dòng)晶圓向上移動(dòng)，使待測(cè)芯片的錫球接觸探針；步驟C12、對(duì)該晶圓中待測(cè)芯片進(jìn)行電學(xué)測(cè)試；步驟C13、該待測(cè)芯片電學(xué)測(cè)試完成。所述步驟C2具體包括步驟C21、光線從測(cè)試機(jī)承片臺(tái)下方入射到晶圓待測(cè)芯片上；步驟C22、對(duì)該晶圓中待測(cè)芯片進(jìn)行光學(xué)測(cè)試；步驟C23、該待測(cè)芯片光學(xué)測(cè)試完成。本發(fā)明的晶圓測(cè)試裝置，其較佳的具體實(shí)施方式
是包括測(cè)試機(jī)承片臺(tái)，所述承片臺(tái)的上方設(shè)有測(cè)試機(jī)探針卡和探針，所述承片臺(tái)的下方設(shè)有光源模塊。下面將通過實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述如圖2所示，晶圓測(cè)試方法包括以下步驟
步驟A將晶圓錫球面向上放置在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上，加蓋玻璃后的管腳墊面向下， 封裝后的管腳墊由于玻璃的阻隔不能接觸到測(cè)試機(jī)探針，因此無法完成晶圓測(cè)試。裸露的錫球在與探針接觸后可以完成與管腳墊相同的功能。步驟B承片臺(tái)通過固定裝置將晶圓固定在承片臺(tái)上，現(xiàn)有技術(shù)中的固定方式包括使用真空吸附的方式對(duì)晶圓進(jìn)行固定，加蓋玻璃后的管腳墊面光滑平整，易于吸附。步驟C如圖3所示，測(cè)試機(jī)對(duì)該晶圓上一個(gè)或者多個(gè)待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試，該測(cè)試包括電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試。其中，電學(xué)測(cè)試步驟包括步驟1承片臺(tái)帶動(dòng)晶圓移動(dòng)到探針下面，將待測(cè)芯片對(duì)準(zhǔn)探針；步驟2承片臺(tái)上升，使得探針與待測(cè)芯片錫球接觸；步驟3測(cè)試機(jī)開始進(jìn)行測(cè)試；步驟4承片臺(tái)下移并移動(dòng)一下待測(cè)芯片到探針下面，使探針與該待測(cè)芯片錫球接觸；步驟5如果探針超出晶圓邊緣，換該晶圓的下一行待測(cè)芯片到探針下面；步驟6重復(fù)上述過程直到整個(gè)晶圓上的芯片都被測(cè)試完畢為止，電學(xué)測(cè)試完成。其中，光學(xué)測(cè)試包括位于承片臺(tái)下方的光源向承片臺(tái)方向出射光線，測(cè)試機(jī)對(duì)該芯片開始光學(xué)測(cè)試。電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試可以同時(shí)進(jìn)行，也可以分步進(jìn)行，現(xiàn)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試再進(jìn)行光學(xué)測(cè)試，但同一代測(cè)芯片的兩種測(cè)試在同一工序內(nèi)完成，不必更換測(cè)試機(jī)來完成不同的測(cè)試，節(jié)省了移動(dòng)時(shí)間，提高效率和準(zhǔn)確率。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟A、將晶圓錫球面向上放置在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上； 步驟B、承片臺(tái)固定裝置將晶圓固定；步驟C、對(duì)該晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試；步驟D、該待測(cè)芯片測(cè)試完成，對(duì)該晶圓中的下一芯片測(cè)試；所述步驟C具體包括步驟Cl、對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)測(cè)試；步驟C2、對(duì)晶圓進(jìn)行光學(xué)測(cè)試；所述步驟Cl和步驟Cl同時(shí)或順序進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試方法，其特征在于，該測(cè)試方法在晶圓加蓋玻璃和劃片后進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述步驟Cl具體包括 步驟Cl 1、承片臺(tái)帶動(dòng)晶圓向上移動(dòng)，使待測(cè)芯片的錫球接觸探針；步驟C12、對(duì)該晶圓中待測(cè)芯片進(jìn)行電學(xué)測(cè)試； 步驟C13、該待測(cè)芯片電學(xué)測(cè)試完成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述步驟C2具體包括 步驟C21、光線從測(cè)試機(jī)承片臺(tái)下方入射到晶圓待測(cè)芯片上；步驟C22、對(duì)該晶圓中待測(cè)芯片進(jìn)行光學(xué)測(cè)試； 步驟C23、該待測(cè)芯片光學(xué)測(cè)試完成。
5.一種晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，包括測(cè)試機(jī)承片臺(tái)，所述承片臺(tái)的上方設(shè)有測(cè)試機(jī)探針卡和探針，所述承片臺(tái)的下方設(shè)有光源模塊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓測(cè)試方法及裝置，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品測(cè)試領(lǐng)域，包括以下步驟將晶圓錫球面向上放置在測(cè)試機(jī)承片臺(tái)上；承片臺(tái)固定裝置將晶圓固定；對(duì)該晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試；該待測(cè)芯片測(cè)試完成，進(jìn)行下一芯片測(cè)試。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在晶圓加蓋玻璃后對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，提高測(cè)試準(zhǔn)確率，并在同一工序內(nèi)完成晶圓的光學(xué)測(cè)試，解決現(xiàn)有技術(shù)的測(cè)試機(jī)不能同時(shí)完成晶圓測(cè)試和光學(xué)測(cè)試，調(diào)高測(cè)試效率。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102222632SQ20111018999
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月7日
發(fā)明者馮建中, 唐冕 申請(qǐng)人:北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司