專(zhuān)利名稱(chēng)：一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器及其制備方法，特別適用于非揮發(fā)非破壞性讀出高密度存儲(chǔ)器以及集成鐵電器件，屬于微電子新材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
金屬/鐵電薄膜/半導(dǎo)體(MFS)電容器是鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Ferroelectric field effect transistor, FFET)的基本存儲(chǔ)單元。鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管以鐵電薄膜作為柵介質(zhì)層材料，利用鐵電薄膜的極化狀態(tài)控制半導(dǎo)體表面電導(dǎo)來(lái)完成存儲(chǔ)功能的器件。寫(xiě)入數(shù)據(jù)的操作為通過(guò)外加大于矯頑電壓的正或負(fù)柵壓使鐵電薄膜處于正或負(fù)極化狀態(tài)，分別代表“0”和“1”。由于除去外加?xùn)艍汉螅F電薄膜仍存在剩余極化，所以鐵電存儲(chǔ)單元不需外加電壓的維持，仍能保持原有的存儲(chǔ)信息，為非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。讀出數(shù)據(jù)的操作為通過(guò)比較所加源漏電壓而形成的溝道電流的大小確定“0”和“1”，讀出存儲(chǔ)信息的過(guò)程中鐵電薄膜的極化狀態(tài)并未發(fā)生改變，為非破壞性的讀出。FFET器件具有非揮發(fā)性、非破壞性讀出、功耗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、集成度高等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是一種近乎理想的存儲(chǔ)器件，在信息存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用前景。目前廣泛應(yīng)用的性能比較優(yōu)越的多為鉛基薄膜材料，如1 (Zr, Ti) O3, Pb (Mg, Nb) O3 等，其中氧化鉛的含量高達(dá)6(Γ70%。而鉛為不可降解性化學(xué)品，這勢(shì)必會(huì)在生產(chǎn)、使用及廢棄后的處理過(guò)程中給人類(lèi)和生態(tài)環(huán)境造成嚴(yán)重的危害。所以，探索高品質(zhì)的無(wú)鉛鐵電薄膜材料已經(jīng)成為一大研究熱點(diǎn)。本世紀(jì)初眾多研究者報(bào)道了鐵酸鉍(BiFeO3)基薄膜具有非常優(yōu)異的鐵電、壓電、以及鐵磁性能，新興的BWeO3基薄膜被認(rèn)為是一種很有希望取代鉛基壓電鐵電及鐵磁材料的候選材料。目前報(bào)道的金屬-BiFeO3基薄膜-(緩沖層)-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電容器，存在的主要問(wèn)題是界面缺陷較多，工作電壓高，從而導(dǎo)致界面陷阱密度大、漏電流大、不符合硅基集成電路工作電壓的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器，該電容器具有存儲(chǔ)性能優(yōu)良、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，在未來(lái)的鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器中具有良好的應(yīng)用前景。本發(fā)明還提供了該電容器的制備方法，此方法操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)施，所得電容器性能優(yōu)良。發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有的金屬-BiFeO3基薄膜_(緩沖層)_半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電容器存在的界面陷阱密度大、漏電流大、不符合硅基集成電路工作電壓的要求等缺點(diǎn)，進(jìn)行了進(jìn)一步探索和研究，試圖通過(guò)對(duì)電容器結(jié)構(gòu)、鐵電薄膜組成和介電薄膜的組成的變化來(lái)克服這些缺點(diǎn)。 經(jīng)過(guò)大量的相關(guān)實(shí)驗(yàn)，通過(guò)選用鑭系元素?fù)诫s的BWeO3薄膜作為鐵電層、并選用與之具有較好的晶格匹配的高介電錳元素?fù)诫s的Baa6Sra4TiO3作為緩沖層，大大降低了漏電流。進(jìn)一步的，通過(guò)優(yōu)化緩沖層與BWeO3基薄膜的厚度，有效地降低了電容器的工作電壓。這樣，得到的無(wú)鉛BWeO3基薄膜電容器具有漏電流小、存儲(chǔ)性能優(yōu)良、工作電壓低的優(yōu)點(diǎn)，在未來(lái)的鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器中具有良好的應(yīng)用前景。下面具體介紹實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的具體技術(shù)方案
一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器，從下到上依次包括底電極、襯底、緩沖層、鐵電薄膜層和金屬點(diǎn)電極，其特征是所述緩沖層為摻錳鈦酸鍶鋇薄膜，化學(xué)式為B^6Sra4Ti(1_x) MnxO3，χ為元素錳的摩爾當(dāng)量，x=0. 005-0. 05 ；所述鐵電薄膜層為鐵酸鉍基薄膜，化學(xué)式為 Bia_y)LnyFe03，其中，Ln為鑭系元素中的一種，y為鑭系元素的摩爾當(dāng)量，y=0. 01- 0. 2。上述電容器中，緩沖層的厚度為40 50nm，鐵電薄膜層的厚度為200 250nm。上述電容器中，所述襯底材料為ρ型或η型的單晶硅襯底。
上述電容器中，所述底電極和點(diǎn)電極均為Au。一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器的制備方法，其特征是包括以下步驟
(1)采用金屬有機(jī)分解法制備Ba(l.6Sr(l.4Tia_x)Mnx03薄膜緩沖層
a.按照B^^SruTidyMr^A的化學(xué)計(jì)量比，選取鋇、鍶、錳的醋酸鹽和鈦酸四異丙脂為原料，選取冰醋酸為溶劑，乙酰丙酮為穩(wěn)定劑，乙二醇甲醚為粘度調(diào)節(jié)劑，配制濃度為 0. 02 0. lmol/L的前驅(qū)體溶液；
b.將上述前軀體溶液旋涂到襯底上，然后將其在加熱板上于250 300。C下烘干，再在 700 750°C的退火溫度下晶化5 10分鐘；
c.重復(fù)上述步驟b的旋涂、烘干、退火步驟，直至B^^Si^Ti^MnA薄膜的厚度達(dá)到 40 50nm ；
(2)采用金屬有機(jī)分解法制備Bia_y)LnyFe03薄膜
a.按照Bia_y)Ln/e03的化學(xué)計(jì)量比，選取硝酸鉍、硝酸鐵以及某種鑭系元素的硝酸鹽為原料，選取乙二醇和冰醋酸為溶劑，配制濃度為0. 05 0. 3mol/L的前軀體溶液；
b.將上述前軀體溶液旋涂在緩沖層上，然后將其在加熱板上于250 300V下烘干，再在500 550°C的退火溫度下晶化5 10分鐘；
c.重復(fù)上述步驟b的旋涂、烘干、退火步驟，直至膜的厚度達(dá)到200 250nm ；
d.Bi(H)LnyFeO3 薄膜達(dá)到厚度后，將得到的 Bi(H)LnyFeO3ZBEici. Ara4Ti(^)MnxO3ZSi 在 550 600°C溫度下退火0. 5小時(shí)，得到致密的雙層膜；
(3)濺射金屬電極，制備電容器
將有小孔的掩模板覆蓋在薄膜上，再將金屬利用真空濺射法沉積到薄膜的表面，得金屬點(diǎn)電極(也可叫做頂電極或上電極)，然后將金屬濺射到襯底背面，得到底電極，最終得到本發(fā)明的鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器。上述方法中，沉積底電極時(shí)，利用蘸有稀釋氫氟酸的棉簽擦拭硅襯底的背面，除去襯底因退火等原因而增加的SiO2層，以保證電極和單晶硅直接接觸，再利用真空濺射將Au 沉積到硅襯底的背面，就得到了測(cè)試所需的底電極。上述方法中，制備BEia6Sra4Tia_x)Mnx03薄膜緩沖層時(shí)，旋涂轉(zhuǎn)速2000 7000轉(zhuǎn)/ 分鐘，時(shí)間20 40秒；制備Bi(H)LnyFeO3薄膜時(shí)，旋涂轉(zhuǎn)速2000 7000轉(zhuǎn)/分鐘，時(shí)間 20 40秒。上述方法中，制備Biia6Sra4Ti(1_x)Mnx03薄膜緩沖層時(shí)，在氧氣氣氛下退火；制備Bi(H)LnyFeO3薄膜時(shí)，在氮?dú)鈿夥障峦嘶?。上述方法中，制備B^l6Sra4Ti(1_x)Mnx03薄膜時(shí)，冰醋酸與乙二醇甲醚的體積用量之比為1:1 5:1 ；乙酰丙酮與鈦酸四異丙脂的體積比為1:1。上述方法中，制備Bi(1_y)Ln/e03薄膜時(shí)，冰醋酸和乙二醇的用量為1:1 10:1。上述方法中，制備Bi(1_y)Ln/e03薄膜時(shí)，原料硝酸鉍加入時(shí)過(guò)量2 5md%。本發(fā)明的鐵酸鉍基薄膜鐵電電容器，是在單晶硅襯底上生長(zhǎng)作為緩沖層的錳摻雜 Ba0.6Sr0. JiO3高介電薄膜和作為鐵電層的Bii^eO3基薄膜。所述緩沖層為B^^Si^Tih) MnxO3，該薄膜與BWeO3同結(jié)構(gòu)且具有較好的晶格匹配關(guān)系、具有良好的絕緣性、具有較大的介電常數(shù)，且結(jié)晶溫度較低。進(jìn)一步的，本發(fā)明所述的Bii^eO3基薄膜電容器的制備方法采用以下步驟 (1) BEia6Sra4Ti (1_χ)Μηχ03 (0 . 00 5 ￡ χ ￡0. 05)薄膜的制備
采用金屬有機(jī)分解法，分別稱(chēng)取一定量的鋇、鍶、錳的醋酸鹽，并放入冰醋酸溶液中，在 60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，依次加入適量乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，最后加入適量乙二醇甲醚調(diào)節(jié)粘度，充分?jǐn)嚢?；濃度范圍?. 02 0. lmol/L ；用孔徑為0. 2Mfli的注射式過(guò)濾器過(guò)濾后得到穩(wěn)定的B^^Sr^I^h)MnxO3前驅(qū)體溶液。將Biia6Srci.4Ti(1_x)Mnx03溶液以一定的轉(zhuǎn)速旋涂于單晶硅襯底上；在加熱板上于250 300°C溫度下烘干；再在快速退火爐氧氣氣氛下700 750°C溫度下晶化5 10分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使BEia6Sra4Tia_x)Mnx03結(jié)晶膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bi a_y)LnyFe03 薄膜的制備
采用金屬有機(jī)分解法，按化學(xué)計(jì)量比準(zhǔn)確稱(chēng)取硝酸鉍、硝酸鐵以及某種鑭系元素的硝酸鹽，將其溶于冰醋酸溶液中，并加入乙二醇充分?jǐn)嚢瑁粷舛确秶鸀?. 05 0. 3mol/L ；用孔徑為0. 2Mm的注射式過(guò)濾器過(guò)濾后得到穩(wěn)定的[Bi(1_y)Lny]!^03前驅(qū)體溶液。將Bi(1_y)Ln/e03 溶液以一定的轉(zhuǎn)速旋涂于BEia6Sra4Tia_x)Mnx03/Si襯底上；在加熱板上于250 300°C溫度下烘干；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?00 550°C溫度下晶化5 10分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使[Bi(1_y)Lny]i^03結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 BidyLn/eCVBE^Si^TidyMnA/Si 在氮?dú)鈿夥障?550 600°C溫度下退火0. 5小時(shí)，得到致密薄膜；
(4)沉積電極。本發(fā)明將極薄的高介電Baa6Sra4Tia_x)Mnx03薄膜作為緩沖層。低價(jià)Mn離子的受主摻雜，能使(BqSr)TiO3的費(fèi)米能級(jí)降低，勢(shì)壘高度增加，絕緣性能變得更好，這可以有效的阻止電荷的注入^EtuSr^TidyMr^A與[Bi(1_y))Lny]!^03具有相同的結(jié)構(gòu)，晶格失配僅為
左右，避免了界面缺陷的產(chǎn)生，而且已晶化的Biia6Sra4Ti(1_x)Mnx03薄膜也能促進(jìn)[Bi(1_y) LnyJFeO3的結(jié)晶，起到了種子層的作用。本發(fā)明采用高介電高阻抗的6Sr0.4Ti (1_χ)Μηχ03作為緩沖層，無(wú)鉛強(qiáng)鐵電性的 Bi(1_y)LnyFe03作為鐵電層制備了金屬/鐵電薄膜/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所制備的 Bia_y)LnyFe03/ Ba0.6Sr0.4Ti(1_x)Mnx03/Si疊層結(jié)構(gòu)電容器具有低功耗、良好的鐵電存儲(chǔ)性和長(zhǎng)時(shí)間保持性等優(yōu)點(diǎn)，在未來(lái)的高密度、非破壞性讀出的鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件中具有良好的應(yīng)用前景。本發(fā)明采用金屬有機(jī)分解法制備薄膜，操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，所得電容器性能良
6好。


圖1為本發(fā)明鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器的示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例1得到薄膜的X射線(xiàn)衍射圖譜，其中，(a)為 Baa6Sr0 4Ti0.97Mn0 0303/Si，(b)為 Bi0 9La0 !FeO3ZBa0 6Sr0 4Ti0 97Mn0 0303/Si。圖3為本發(fā)明實(shí)施例1得到的Bitl.^EtaiFeCVBEici. Ara4Tia97Mnatl3CVSi的斷面形貌圖。圖4 為本發(fā)明實(shí)施例 1 得到的 Bitl.^EtaiFeCVBEici. Ara4Tia97Mnatl3CVSi 的電容一電壓曲線(xiàn)。圖5為本發(fā)明實(shí)施例1得到的Bitl.^EtaiFeCVBEici. Ara4Tia97Mnatl3CVSi的時(shí)間保持特性曲線(xiàn)。圖6為本發(fā)明實(shí)施例2得到的薄膜的X射線(xiàn)衍射圖譜，其中，(a)為 Baa6Sr0 4Ti0 955Mn0 045O3, (b)為 Bi0 95Ce0.05Fe03/Ba0.6Sr0.4Ti0.955Mn0 04503/Si。圖7為本發(fā)明實(shí)施例2得到的Bia95Cq J^CVBEta6Sra4Tia 955Mnaci45CVSi的斷面形貌圖。圖8 為本發(fā)明實(shí)施例 2 得到的 Bia95Cq J^CVBEta6Sra4Tia 955Mnaci45CVSi 的電容一電壓曲線(xiàn)。圖9 為本發(fā)明實(shí)施例 2 得到的 Bitl. 95Ce0.05Fe03/Ba0.6Sr0.4Ti0.955Mn0.04503/Si 的介電頻譜圖。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的闡述，應(yīng)該明白的是，下述說(shuō)明僅是為了解釋本發(fā)明，并不對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行限定。本發(fā)明所用的襯底為硅襯底，具體的為ρ型或η型的單晶硅襯底。實(shí)施例1
制備 AuZBia9LEiaiFeO3ZBEia6Sra4Tia97Mnaci3O3ZSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.97Mn0.03O3 薄膜的制備
分另U 稱(chēng)取 0. 3096g Ba(CH3C00)2、0. 0163g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 1744g Sr(CH3COO)2 ·0. 5H20溶于19. 41ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入0. 59ml乙酰丙酮，再逐滴加入0. 59ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入19. 41ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0.05mol/L的40ml BEta6Sra4Tia97Mnaci3O3溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia97Mnatl3O3溶液以2000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板250°C下保溫10分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及700°C下晶化5分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^6Sra4Tia97Mnatl3O3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia9LEiaPeO3 薄膜的制備稱(chēng)取 1. 7992g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 2mol%)、0· 1750g La(NO3)3 · 6Η20、1· 6406g Fe (NO3)3 ·9Η20，溶于30ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫， 并往溶液中加入IOml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0. 2Mffl的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. lmol/L的40ml Bi0.^1FeO3溶液。將Bia9LEtaiFeO3溶液以3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒旋涂于B^6Sra4Tia97Mnatl3CVSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上280°C溫度保溫5分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?50°C溫度下晶化 5分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia9Liia fe03結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 Bitl. AaaJeCVBiici.J5Sra4Tia97Mnatl3CVSi 在氮?dú)鈿夥障?550°C溫度下退火0. 5小時(shí)，得到致密雙層薄膜。(4)在步驟(3)所得的致密雙層薄膜的上端濺射Au點(diǎn)電極，在襯底背面濺射Au底電極，得電容器。如圖2，所制備的BEta6Sra4Tia97Mnaci3O3和Bia9LEtaiFeO3呈現(xiàn)純鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無(wú)第二雜相。(Iio)向擇優(yōu)的BEta6Sra4Tia97Mnaci3O3緩沖層作為Bia9LEtaiFeO3生長(zhǎng)的種子層，促進(jìn)了 Bia9LiiaiFeO3 (110)方向的生長(zhǎng)。圖3是用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀察到的Bia9IAllFeO3/ Ba0.6Sr0.4Ti0.97Mn0.0303/Si的斷面形貌。可以看出，各個(gè)界面比較清晰，不存在擴(kuò)散現(xiàn)象，薄膜生長(zhǎng)致密，結(jié)晶性較好。Bia9LEtaiFeO3和BEta6Sra4Tia97Mnaci3O3薄膜的厚度各約為44nm和 210nm。圖4所示電容一電壓曲線(xiàn)的測(cè)試頻率為1MHz，掃描速度為每秒0. 5伏?；鼐€(xiàn)的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?，表明存?chǔ)方式為電極化型存儲(chǔ)。記憶窗口基本上無(wú)偏移，是對(duì)稱(chēng)的，大小約為2. 2伏特。在不同的掃描速度和頻率下所得到的電容一電壓曲線(xiàn)基本一致。如圖5所示，在Bitl.^EtaiFeCVBEia Ara4Tia97Mnaci3CVSi上施加+5V的電壓，去掉外加電場(chǎng)IO3秒的時(shí)間范圍內(nèi)，在零電場(chǎng)下“開(kāi)”態(tài)電容降低了 9.1%。薄膜加上-5V等待10秒鐘后，在零電場(chǎng)下“關(guān)”態(tài)電容增長(zhǎng)了 2. 9%。表明Bia9LEtaiFeCVBEia6Sra4Tia97Mnaci3O3薄膜具有穩(wěn)定的存儲(chǔ)性能。實(shí)施例2
制備 AuZBia95Ceaci5FeO3ZBiia6Sra4Tia 955Mnaci45O3ZSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.955Mn0.045O3 薄膜的制備
分另U 稱(chēng)取 0. 2477g Ba(CH3C00)2、0. 0195g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 1395g Sr(CH3COO)2 · 0. 5H20溶于26. 04ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入0. 47ml乙酰丙酮，再逐滴加入0. 47ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入13. 02ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 04mol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.955Mn0.04503溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia 955Mnatl45O3溶液以4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板270°C下保溫9分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及710°C下晶化7分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^l6Sra4Tia 955Mnatl45O3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia95Ceatl5FeO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 2. 8487g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 2mol%)、0· 1316g Ce(NO3)3 · 6Η20、2· 4609g Fe (NO3)3 ·9Η20，溶于32ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫，并往溶液中加入8ml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0. 2Mffl的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 15mol/L Bia95Ceac^eO3溶液。將Bia95Ceatl5FeO3溶液以4000 轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒旋涂于B^l6Sra4Tia 955Mnatl45O3ZSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上300°C溫度下保溫10分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?20°C溫度下晶化8分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia95Ceac^eO3結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 Bia JeaJ^CVBEia6Sra Jia 955Mnatl45CVSi 在氮?dú)鈿夥障?580°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密雙層薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。如圖6，所制備的BEta6Sra4Tia 955Mnaci45O3和Bia95Cqtl5FeO3呈現(xiàn)純鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無(wú)雜相產(chǎn)生。圖7是用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀察到的Bia95CeaJ^CVBEia6Sra4Tia 955Mnaci45O3ZSi 的斷面形貌?？梢钥闯觯鱾€(gè)界面間無(wú)擴(kuò)散現(xiàn)象，BEta6Sra4Tia 955Mnaci45OjP Bia95Ceac^eO3 的厚度各約為50nm和230nm。圖8所示電容一電壓曲線(xiàn)的測(cè)試頻率為1MHz，掃描速度為每秒0.5伏。回線(xiàn)的方向?yàn)槟鏁r(shí)針?lè)较?，表明存?chǔ)方式為電極化型存儲(chǔ)。記憶窗口呈對(duì)稱(chēng)狀，大小約為1.6伏特。在不同的掃描速度和頻率下所得到的電容一電壓曲線(xiàn)基本一致。 圖9顯示了 Bia Jeaci5FeCVBEici. Jra4Tia 955MnaC145O3ZiSi結(jié)構(gòu)的相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗因子隨頻率變化的關(guān)系，所加偏壓為5伏特。在低于IOOkHz的頻率范圍內(nèi)薄膜的介電常數(shù)和介電損耗均比較穩(wěn)定，在IOOkHz時(shí)，其典型值分別為72和0. 04。表明Bia95Ceatl5FeO3/ Ba0.6Sr0.4Ti0.955Mn0.04503/Si結(jié)構(gòu)具有較好的介電穩(wěn)定性。實(shí)施例3
制備 AuziBia85SmaiPeCVBiici.J5Sra4Tia98Mnatl2CVSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.98Mn0.02O3 薄膜的制備
分另O 稱(chēng)取 0. 1239g Ba(CH3C00)2、0. 0040g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 0698g Sr(CH3COO)2 · 0. 5H20溶于23. 71ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入0. 24ml乙酰丙酮，再逐滴加入0. 24ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入15. 81ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 02mol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.98Mn0.02 03溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia98Mnatl2O3溶液以3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)20秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板250°C下保溫8分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及720°C下晶化5分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^6Sra4Tia98Mnatl2O3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia85Smai5FeO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 3. 4651g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 4mol%)、0· 5388g Sm(NO3)3 · 6Η20、3· 2812g Fe (NO3)3 · 9Η20，溶于34. 3ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫，并往溶液中加入5.7ml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0.2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 2mol/L的40ml Bia85Smai5I^O3溶液。將Bia85Sma 15狗03 溶液以6000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒旋涂于B^l6Sra4Tia98Mnatl2CVSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上280°C溫度下保溫9分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?40°C溫度下晶化6分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia85Sma 15Fe03結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 BiaS5Smai5FeCVBEici. Ara4Tia98Mnatl2CVSi 在氮?dú)鈿夥障?550°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密雙層薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。所制備的Au/BiQ.85SmQ. JeCVBEta6Sra4Tia98Mncici2CVSi 電容器具有良好的結(jié)晶性、 存儲(chǔ)性和介電穩(wěn)定性。實(shí)施例4
制備 AuziBia93Pratl疋GCVBEta6Sra4Tia96Mnaci4CVSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.96Mn0.04O3 薄膜的制備
分另U 稱(chēng)取 0. 5573g Ba(CH3C00)2、0. 0390g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 3139g Sr (CH3COO) 2 · 0. 5H20溶于31ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂， 即先加入1. 06ml乙酰丙酮，再逐滴加入1. 06ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻；最后加入6. 88ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 09mol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.96Mn0.0403溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia96Mnatl4O3溶液以5000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)40秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板280°C下保溫7分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及740°C下晶化10分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^l6Sra4Tia96Mnatl4O3薄膜的厚度達(dá)到 40 50nmo(2) Bia93Pratl7FeO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 2. 8161g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 3mol%)、0· 1846g Pr(NO3)3 · 6Η20、2· 4609g Fe (NO3)3 · 9Η20，溶于33. 3ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫，并往溶液中加入6.7ml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0.2ΜΠ1的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 15mol/L Bia93Pratl7FeO3溶液。將Bia93Pratl7FeO3溶液以5000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)20秒旋涂于Biia6Sra4Tia96Mnaci4O3ZSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上290°C溫度下保溫6分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?0(TC溫度下晶化7分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia9Jratl7FeO3結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 Bia93Prtl.。7Fe03/B￡i。.6Sr。.4Ti。.96Mn。.。403/Si 在氮?dú)鈿夥障?600°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密雙層薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。所制備的AuziBia93Pratl疋Θθ3/Βεια Ara4Tia96Mncici4CVSi 電容器具有良好的結(jié)晶性、 存儲(chǔ)性和介電穩(wěn)定性。實(shí)施例5
制備 AuziBia99Euac^eCVBiici.J5Sra4Tia95MnaJVSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.95Mn0.05O3 薄膜的制備
分另U 稱(chēng)取 0. 3716g Ba (CH3COO) 2、0. 03250g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 2093g Sr(CH3COO)2 · 0. 5H20溶于28. 95ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入0. 70ml乙酰丙酮，再逐滴加入0. 70ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入9. 65ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 06mol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.95Mn0.0503溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia95Mnatl5O3溶液以5000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)30秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板290°C下保溫6分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及730°C下晶化9分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^6Sra4Tia95Mnatl5O3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia99Euac^eO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 5. 9955g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 3mol%)、0· 0541g Eu(NO3)3 · 6Η20、4· 9218g Fe (NO3)3 · 9Η20，溶于36. 4ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫，并往溶液中加入3.6ml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0.2ΜΠ1的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 3mol/L Bi0.99Eu0.01FeO3溶液。將Bi0.99Eu0.01Fe03溶液以7000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)20秒旋涂于B^6Sra4Tia95MnaJVSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上270°C溫度下保溫7分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?10°C溫度下晶化9分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia99Euac^eO3結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 Bia Juac^eCVBEia6Sra Jia95MnaJVSi 在氮?dú)鈿夥障?590°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密雙層薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。所制備的AuziBia99Euac^eCVBEia Ara4Tia95Mnaci5CVSi 電容器具有良好的結(jié)晶性、 存儲(chǔ)性和介電穩(wěn)定性。實(shí)施例6
制備 AuZBia82Gdai8FeO3ZBEia6Sra4Tia99MnacilO3ZSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.99Mn0.01O3 薄膜的制備
分另O 稱(chēng)取 0. 4954g Ba(CH3C00)2、0. 0087g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 2790g Sr(CH3COO)2 · 0. 5H20溶于30. 45ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入0. 97ml乙酰丙酮，再逐滴加入0. 97ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入7. 61ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 08mol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.99Mn0.0103溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia99MnatllO3溶液以7000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)20秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板260°C下保溫6分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及720°C下晶化8分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^l6Sra4Tia99MnatllO3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia82Gdai8FeO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 4. 2186g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 5mol%)、0· 8207g Gd(NO3)3 · 6Η20、4· 1015g Fe (NO3)3 · 9Η20，溶于35. 6ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫，并往溶液中加入4.細(xì)1的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0.2ΜΠ1的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 25mol/L Bia82Gdai8FeO3溶液。將Bia82Gdai8FeO3溶液以6000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)40秒旋涂于B^6Sra4Tia99MnatllCViSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上250°C溫度下保溫8分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?30°C溫度下晶化10分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia82Gdai8FeO3結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 BiaS2Gdai8FeCVBEici. Ara4Tia99MnacilCVSi 在氮?dú)鈿夥障?560°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。所制備的Bia Jdai8FeCVBEici. Ara4Tia99MnatllCVSi電容器具有良好的結(jié)晶性、存儲(chǔ)性和介電穩(wěn)定性。
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實(shí)施例7
制備 Au/BiaSHoa2FeO3ZBEta6Sra4Tia 995Mnacici5O3ZSi 電容器，步驟如下 (1) Ba0.6Sr0.4Ti0.995Mn0. OO5O3 薄膜的制備
分另O 稱(chēng)取 0.6193g Ba(CH3C00)2、0. 0054g Mn (CH3COO) 3 · 2H20、0. 3488g Sr(CH3COO)2 · 0. 5H20溶于31. 30ml冰醋酸中，在60°C的溫度下磁力攪拌，當(dāng)完全溶解后停止加熱；待溶液冷卻至室溫時(shí)，往上述溶液中分別加入體積比為1:1乙酰丙酮和鈦酸四異丙脂，即先加入1. 22ml乙酰丙酮，再逐滴加入1. 22ml鈦酸四異丙脂，繼續(xù)攪拌至分布均勻； 最后加入6. 26ml乙二醇甲醚，并在室溫下持續(xù)攪拌6小時(shí)。用孔徑為0. 2Mm的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. lmol/L的40ml Ba0.6Sr0.4Ti0.995Mn0.00503溶液。利用勻膠機(jī)將上述配好的B^l6Sra4Tia 995Mnatltl5O3溶液以6000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)40秒均勻地涂覆在單晶硅襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，在電熱板300°C下保溫5分鐘；然后在快速退火爐氧氣氣氛及750°C下晶化6分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，直至B^l6Sra4Tia 995Mnatltl5O3薄膜的厚度達(dá)到40 50nm。(2) Bia8HoaPeO3 薄膜的制備
稱(chēng)取 0. 8290g Bi(NO3)3 · 5H20(過(guò)量 5mol%)、0· 1782g Ho(NO3)3 · 5Η20、0· 8203g Fe (NO3)3 ·9Η20，溶于20ml冰醋酸中，在80°C的溫度下磁力攪拌，待完全溶解后冷卻至室溫， 并往溶液中加入20ml的乙二醇。在室溫下充分?jǐn)嚢?0小時(shí)。用孔徑為0. 2Mffl的濾頭把溶液濾入滴瓶，得到均勻透明的0. 05mol/L Bia8Hoa2FeO3溶液。將Bia8Hoa2FeO3溶液以2000 轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速經(jīng)20秒旋涂于B^l6Sra4Tia 995Mnacici5O3ZSi襯底上；然后進(jìn)行熱處理工藝，先在加熱板上260°C溫度下保溫6分鐘；再在快速退火爐氮?dú)鈿夥障?20°C溫度下晶化6分鐘。重復(fù)該層層退火工藝，使Bia8HoaJeO3結(jié)晶膜的厚度達(dá)到200 250nm。(3)最終將 BiaSHoaPeCVBEia6Sra Jla 995MnaciJVSi 在氮?dú)鈿夥障?570°C溫度下退火0.5小時(shí)，得到致密薄膜，濺射上頂電極和底電極，即得電容器。所制備的BiaSH0c^eCVBEia6Sra Jla 995MnaciJVSi電容器具有良好的結(jié)晶性、存儲(chǔ)性和介電穩(wěn)定性。本發(fā)明在采用鑭系元素?fù)诫s鐵酸鉍薄膜時(shí)，所制得的電容器均具有良好的存儲(chǔ)性能和介電性能，性質(zhì)相差不明顯。所以，所有鑭系元素均可以用于摻雜鐵酸鉍薄膜。
權(quán)利要求
1.一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器，從下到上依次包括底電極、襯底、緩沖層、鐵電薄膜層和金屬點(diǎn)電極，其特征是所述緩沖層為摻錳鈦酸鍶鋇薄膜，化學(xué)式為 Ba0.6Sr0.4Ti(1_x)Mnx03' x為元素錳的摩爾當(dāng)量，x=0. 005-0. 05 ；所述鐵電薄膜層為鐵酸鉍基薄膜，化學(xué)式為Bi(1_y)Ln/e03，其中，Ln為鑭系元素中的一種，y為鑭系元素的摩爾當(dāng)量， y=0. 01-0. 2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征是所述緩沖層的厚度為40 50nm，鐵電薄膜層的厚度為200 250nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容器，其特征是所述襯底材料為ρ型或η型的單晶硅襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容器，其特征是所述的底電極和金屬點(diǎn)電極均為Au。
5.一種權(quán)利要求1所述的鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器的制備方法，其特征是包括以下步驟(1)采用金屬有機(jī)分解法制備Ba(l.6Sr(l.4Tia_x)Mnx03薄膜緩沖層a.按照B^^SruTidyMr^A的化學(xué)計(jì)量比，選取鋇、鍶、錳的醋酸鹽和鈦酸四異丙脂為原料，選取冰醋酸為溶劑，乙酰丙酮為穩(wěn)定劑，乙二醇甲醚為粘度調(diào)節(jié)劑，配制濃度為 0. 02 0. lmol/L的前驅(qū)體溶液；b.將上述前軀體溶液旋涂到襯底上，然后將其在加熱板上于250 300。C下烘干，再在 700 750°C的退火溫度下晶化5 10分鐘；c.重復(fù)上述步驟b的旋涂、烘干、退火步驟，直至B^^Si^Ti^MnA薄膜的厚度達(dá)到 40 50nm ；(2)采用金屬有機(jī)分解法制備Bia_y)LnyFe03薄膜a.按照Bia_y)Ln/e03的化學(xué)計(jì)量比，選取硝酸鉍、硝酸鐵以及某種鑭系元素的硝酸鹽為原料，選取乙二醇和冰醋酸為溶劑，配制濃度為0. 05 0. 3mol/L的前驅(qū)體溶液；b.將上述前驅(qū)體溶液旋涂在緩沖層上，然后將其在加熱板上于250 300V下烘干，再在500 550°C的退火溫度下晶化5 10分鐘；c.重復(fù)上述步驟b的旋涂、烘干、退火步驟，直至膜的厚度達(dá)到200 250nm ；d.Bi(H)LnyFeO3 薄膜達(dá)到厚度后，將得到的 Bi(H)LnyFeO3ZBEici. Ara4Ti(^)MnxO3ZSi 在 550 600°C溫度下退火0. 5小時(shí)，得到致密的雙層膜；(3)濺射金屬電極，制備電容器將有小孔的掩模板覆蓋在薄膜上，再將金屬沉積到薄膜的表面，得到金屬點(diǎn)電極，然后將金屬濺射到襯底背面，得到底電極，最終得到本發(fā)明的鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是制備Biia6Sra4Ti(1_χ)Μηχ03薄膜緩沖層時(shí)，旋涂轉(zhuǎn)速2000 7000轉(zhuǎn)/分鐘，時(shí)間20 40秒；制備Bi(1_y)Ln/e03薄膜時(shí)，旋涂轉(zhuǎn)速 2000 7000轉(zhuǎn)/分鐘，時(shí)間20 40秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是制備Biia6Sra4Ti(1_χ)Μηχ03薄膜緩沖層時(shí)，在氧氣氣氛下退火；制備Bia_y)LnyFe03薄膜時(shí)，在氮?dú)鈿夥障峦嘶稹?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是制備Baa6Sra4Ti(1_x)Mnx03薄膜時(shí)，冰醋酸與乙二醇甲醚的體積用量之比為1:1 5:1 ；乙酰丙酮與鈦酸四異丙脂的體積比為
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是制備Bi(1_y)Ln/e03薄膜時(shí)，冰醋酸和乙二醇的用量為1:1 10:1。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是制備Bi(1_y)Ln/e03薄膜時(shí)，原料硝酸鉍過(guò)量2 5mol%。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種鐵酸鉍基薄膜層疊結(jié)構(gòu)電容器及其制備方法，該電容器從下到上依次包括底電極、襯底、緩沖層、鐵電薄膜層和金屬點(diǎn)電極，所述緩沖層為摻錳鈦酸鍶鋇薄膜，化學(xué)式為Ba0.6Sr0.4Ti(1-x)MnxO3，x為元素錳的摩爾當(dāng)量，x=0.005-0.05；所述鐵電薄膜層為鐵酸鉍基薄膜，化學(xué)式為Bi(1-y)LnyFeO3，其中，Ln為鑭系元素中的一種，y為鑭系元素的摩爾當(dāng)量，y=0.01-0.2。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，所得的電容器是鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的存儲(chǔ)單元，該電容器克服了一般硅襯底上鐵酸鉍基薄膜電容器界面性能差、工作電壓高的缺點(diǎn)，具有良好的存儲(chǔ)性能。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102222672SQ201110123820
公開(kāi)日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者吳海濤, 楊長(zhǎng)紅, 胡廣達(dá), 趙媛媛 申請(qǐng)人:濟(jì)南大學(xué)