專利名稱：光傳感器、光傳感器制造方法及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光傳感器、光傳感器制造方法及顯示裝置，更具體地，涉及能夠簡(jiǎn)便地提高電學(xué)特性以及感光特性的光傳感器、光傳感器制造方法及顯示裝置。
背景技術(shù)：
光傳感器具有受光部，用于執(zhí)行感測(cè)射入的光的功能。近來，這種光傳感器被廣泛地應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。尤其，顯示裝置中也使用光傳感器。近來，攜帶方便、可以在多種外部環(huán)境中使用的平板顯示裝置替代傳統(tǒng)顯示裝置已成為了趨勢(shì)。而且，在這種平板顯示裝置中，根據(jù)外部的光照度，影像的可視性產(chǎn)生變化。在平板顯示裝置上形成光傳感器，光傳感器感測(cè)從外部射入的光。通過此感測(cè)外部的光照度，由此調(diào)整在顯示平板顯示裝置的影像的多個(gè)像素部中所產(chǎn)生光的亮度，從而使影像的可視性達(dá)到最佳。但是，在提高光傳感器的光感測(cè)效率、制造工序等特性時(shí)受到一定的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明可提供簡(jiǎn)便地提高電學(xué)特性以及感光特性的光傳感器，光傳感器制造方法及顯示裝置。本發(fā)明公開了一種光傳感器，其包括基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)；第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成為一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接； 以及光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)。本發(fā)明中所述受光部可含有非晶硅。本發(fā)明中所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面可處于同一平面上。本發(fā)明中所述第一鄰接部以及第二鄰接部可含有晶化硅，所述第一鄰接部可摻雜有P型雜質(zhì)，所述第二鄰接部可摻雜有N型雜質(zhì)。本發(fā)明中所述第一鄰接部可含有晶化硅，所述第二鄰接部可含有非晶硅。本發(fā)明中可以以P型雜質(zhì)摻雜所述第一鄰接部，可以以N型雜質(zhì)摻雜所述第二鄰接部。本發(fā)明中可以以N型雜質(zhì)摻雜所述第一鄰接部，可以以P型雜質(zhì)摻雜所述第二鄰接部。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開了一種光傳感器制造方法，包括在所述基板上形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部，其中，受光部含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部與所述受光部成為一體并由所述受光部相互隔離；以及形成與所述第一鄰接部電連接的光傳感器第一電極以及與所述第二鄰接部電連接的光傳感器第二電極， 其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶化半導(dǎo)體物質(zhì)。本發(fā)明中所述形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟，可以包括在所述基板上形成非晶半導(dǎo)體物質(zhì)層；所述半導(dǎo)體物質(zhì)層選擇性地結(jié)晶化至少一個(gè)區(qū)域，其中所述至少一個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)。本發(fā)明中進(jìn)行所述結(jié)晶化步驟后，可進(jìn)行一次構(gòu)圖工序形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部。本發(fā)明中所述受光部可含有非晶硅。本發(fā)明中所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面可被形成為處于同一平面上。本發(fā)明中所述第一鄰接部以及第二鄰接部可含有晶化硅，可以以P型雜質(zhì)摻雜所述第一鄰接部，可以以N型雜質(zhì)摻雜所述第二鄰接部。本發(fā)明中，所述半導(dǎo)體物質(zhì)層含有硅，形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟可包括在所述基板上形成半導(dǎo)體物質(zhì)層；以及所述半導(dǎo)體物質(zhì)層的區(qū)域中，可選擇性地結(jié)晶化所述第一鄰接部的區(qū)域。本發(fā)明中，可以以P型雜質(zhì)摻雜所述第一鄰接部，可以以N型雜質(zhì)摻雜所述第二鄰接部。 本發(fā)明中，可以以N型雜質(zhì)摻雜所述第一鄰接部，可以以P型雜質(zhì)摻雜所述第二鄰接部。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種含有光傳感器的顯示裝置，所述光傳感器包括基板；顯示器件；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)；第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接，以及光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)。本發(fā)明中，所述顯示器件可以為有機(jī)發(fā)光器件或者液晶顯示器件。根據(jù)本發(fā)明的光傳感器，光傳感器制造方法及顯示裝置可簡(jiǎn)便地提高電性能以及感光特性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光傳感器的簡(jiǎn)要示意截面圖；圖加至圖2f是依次顯示制造圖1的光傳感器的方法示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光傳感器的簡(jiǎn)要示意截面圖；圖如至圖4f是依次顯示制造圖3的光傳感器的方法示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置簡(jiǎn)要示意截面圖。附圖標(biāo)記說明100、200 光傳感器；101、201、301 基板；111、211、311 受光部;
112、212、312 第一鄰接部;113、213、313 第二鄰接部;118、218、318 光傳感器第一電極；119、219、319 光傳感器第二電極；300 顯示裝置；327 有機(jī)發(fā)光器件。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖中圖示的本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及作用進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光傳感器100的簡(jiǎn)要示意截面圖。如圖1所示，本實(shí)施例的光傳感器100包括基板101、受光部111、第一鄰接部 112、第二鄰接部113、光傳感器第一電極118以及光傳感器第二電極119?；?01可以由以SiO2*主要成分的玻璃材質(zhì)形成。但是基板101不限于此，即，也可以由塑料材質(zhì)形成。此時(shí)，形成基板101的塑料材質(zhì)可以為選自聚醚砜膜(Polyethersulfone，簡(jiǎn)稱PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，簡(jiǎn)稱PAR)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide，簡(jiǎn)稱 PEI)、聚鄰苯二甲酸酯(Polyethylene naphthalate,簡(jiǎn)稱PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate，簡(jiǎn)稱PET)、聚苯硫醚 (polyphenylenesulfide，簡(jiǎn)稱 PPS)、聚芳酯(Polyarylate)、聚酰亞胺(Polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate，簡(jiǎn)稱PC)、三醋酸纖維素(Cellulose Triacetate，簡(jiǎn)稱TAC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate，簡(jiǎn)稱CAP)的絕緣有機(jī)物。并且，基板101也可以由金屬薄膜形成。在基板101上形成緩沖層102。由緩沖層102在基板101的上部提供平坦的面，并防止水分以及異物向基板101方向滲透。在緩沖層102上，形成受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113。尤其，將受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113形成為一體。以非晶硅形成受光部111。非晶硅對(duì)外部光反應(yīng)敏感。通過此，光傳感器100可精密地感測(cè)光。第一鄰接部112及第二鄰接部113含有晶化硅。由于將受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113形成為一體，因此受光部 111的一側(cè)面以及與此相接的第一鄰接部112的一側(cè)面之間沒有缺陷以及雜質(zhì)地相互完美連接；受光部111的另一側(cè)與第二鄰接部113的一側(cè)面之間沒有缺陷以及雜質(zhì)地相互完美連接。由此，提高了光傳感器100的效率及電學(xué)特性。受光部111的各個(gè)面中的上表面(即面向所述基板101的面的反面)、第一鄰接部 112的上表面以及第二鄰接部113的上表面處于同一平面上。通過此，第一絕緣層115可有效地與受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113緊密接合。并且，提高第一絕緣層 115以及第二絕緣層117的階梯覆蓋(step coverage)特性?？煞謩e以P型雜質(zhì)、N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部112以及第二鄰接部113。但是本發(fā)明不限于此，即，也可以不摻雜第一鄰接部112及第二鄰接部113。在受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113上形成第一絕緣層115，在第一絕緣層115上形成第二絕緣層117。在第二絕緣層117上形成光傳感器第一電極118以及光傳感器第二電極119。具體地，形成與第一鄰接部112區(qū)域連接的光傳感器第一電極118，所述第一鄰接部112區(qū)域?yàn)槲幢坏谝唤^緣層115以及第二絕緣層117所覆蓋并且露出的區(qū)域；形成與第二鄰接部113 區(qū)域連接的光傳感器第二電極119，所述第二鄰接部113區(qū)域?yàn)槲幢坏谝唤^緣層115以及第二絕緣層117所覆蓋并且露出的區(qū)域。形成光傳感器第一電極118以及光傳感器第二電極119的物質(zhì)可以為如金(Au)、 鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、鋨(Os)、鋁(Al)、鉬(Mo)等金屬，也可以使用這些金屬的合金，但不限于此。雖未圖示，但是還可以形成保護(hù)膜，用于覆蓋光傳感器第一電極118及光傳感器第二電極119。簡(jiǎn)單說明光傳感器100的工作如下。向光傳感器第一電極118和光傳感器第二電極119施加彼此不同的電壓，光射入至受光部111，由入射光在受光部111產(chǎn)生電子及空穴。在受光部111產(chǎn)生的電子以及空穴，向光傳感器第一電極118或者光傳感器第二電極119移動(dòng)，由此電流向一方向流動(dòng)。通過此，光傳感器100可感測(cè)有無入射光以及入射光的強(qiáng)度。本實(shí)施例的光傳感器100，因?yàn)槭芄獠?11含有非晶硅，對(duì)光的反應(yīng)敏感，所以具有精密的感光特性。并且，在光傳感器100中，由于將受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113 形成為一體，因此受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113不會(huì)因沖擊而分離，從而提高整體的耐久性能。并且能夠減少制造工序，提高工序的便利性。而且，受光部111與第一鄰接部112的接觸特性以及受光部111與第二鄰接部113 的接觸特性得到了提高，從而提高了光傳感器100的電學(xué)特性。受光部111的上表面、第一鄰接部112的上表面及第二鄰接部113的上表面處于同一平面上，因此提高第一絕緣層115與受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113 的結(jié)合力，提高第一絕緣層115以及第二絕緣層117的階梯覆蓋特性。并且，受光部111、第一鄰接部112及第二鄰接部113形成同一平面，因此可簡(jiǎn)便地縮小光傳感器100的厚度。圖加至圖2f是依次顯示制造圖1光傳感器的方法示意圖。首先，如圖加及圖2b所示，在基板101上形成緩沖層102以及半導(dǎo)體物質(zhì)層110a。 圖2b是從A方向觀看圖加的平面圖。緩沖層102以及半導(dǎo)體物質(zhì)層IlOa可以不具有另外的圖案。半導(dǎo)體物質(zhì)層IlOa可含有多種半導(dǎo)體物質(zhì)，但優(yōu)選為含有硅。具體地，半導(dǎo)體物質(zhì)層IlOa可以含有非晶硅。此后，如圖2c所示，進(jìn)行結(jié)晶化工序。在半導(dǎo)體物質(zhì)層IlOa上，選擇地對(duì)Cl區(qū)域以及C2區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶化工序?？衫枚喾N方法進(jìn)行結(jié)晶化工序，例如可利用激光進(jìn)行結(jié)晶化工序。尤其，利用掩模(mask)對(duì)Cl區(qū)域以及C2區(qū)域可選擇地進(jìn)行結(jié)晶化工序。圖2c中，Cl區(qū)域以及C2區(qū)域包括在后續(xù)工序中將要形成第一鄰接部112以及第二鄰接部113的區(qū)域。并且，Cl區(qū)域和C2區(qū)域之間的區(qū)域是沒有進(jìn)行結(jié)晶化工序的區(qū)域， 該區(qū)域包括在后續(xù)工序中將要形成受光部111的區(qū)域。
如圖2d以及圖加所示，進(jìn)行結(jié)晶化工序后，進(jìn)行諸如光刻(photolithography) 的構(gòu)圖(patterning)工序，形成受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113。圖加是沿圖2d的IIE-IIE線獲取的截面圖。具體地，受光部111含有非晶硅，第一鄰接部112以及第二鄰接部113含有晶化硅。由于通過進(jìn)行一次光刻可形成受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113， 因此提高了光傳感器100制造工序的便利性。并且，通過減少制造工序，可輕易地減少對(duì)受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113構(gòu)圖的過程中產(chǎn)生的不良。雖未圖示，但可分別以P型雜質(zhì)、N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部112以及第二鄰接部 113?？梢栽诙鄠€(gè)階段進(jìn)行這種摻雜工序，進(jìn)行完如圖2c所示的結(jié)晶化工序后，可進(jìn)行摻雜工序。但是本發(fā)明不限于此。即，第一鄰接部112以及第二鄰接部113可以不被摻雜。此后，如圖2f所示，在受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113上形成第一絕緣層115以及第二絕緣層117，在第二絕緣層117上形成光傳感器第一電極118以及光傳感器第二電極119。通過此，最終制造光傳感器100。受光部111的上表面、第一鄰接部112的上表面以及第二鄰接部113的上表面處于同一平面上，因此可提高第一絕緣層115與受光部111、第一鄰接部112與第二鄰接部 113的結(jié)合力。并且，可提高第一絕緣層115以及第二絕緣層117的階梯覆蓋特性。雖未圖示，但還可以形成保護(hù)膜，以覆蓋光傳感器第一電極118以及光傳感器第二電極119。本實(shí)施例中只是對(duì)第一鄰接部112以及第二鄰接部113選擇性地進(jìn)行結(jié)晶化工序，受光部111仍由非晶硅形成。通過此，光傳感器100可精密地感測(cè)光。本實(shí)施例中，將受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113形成為一體，因此在受光部111的一側(cè)面和第一鄰接部112的一側(cè)面之間沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接；在受光部111的另一側(cè)面和第二鄰接部113的一側(cè)面之間沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接。通過此，可提高光傳感器100的光感測(cè)效率以及電學(xué)特性。并且，本實(shí)施例中制造光傳感器100時(shí)，利用半導(dǎo)體物質(zhì)層110a，受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113形成為一體結(jié)構(gòu)。通過此，簡(jiǎn)化了形成受光部111、第一鄰接部112以及第二鄰接部113的工序，從而可減少工序時(shí)間以及減少進(jìn)行工序時(shí)所產(chǎn)生的不良。并且，受光部111與第一鄰接部112的接觸特性以及受光部111與第二鄰接部113 的接觸特性得到了提高，從而提高了光傳感器100的電學(xué)特性。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光傳感器200的簡(jiǎn)要示意截面圖。為方便說明， 主要說明與前述實(shí)施例不同的部分。如圖3所示，本實(shí)施例的光傳感器200包括基板201、受光部211、第一鄰接部 212、第二鄰接部213、光傳感器第一電極218以及光傳感器第二電極219。具體說明如下。在基板201上形成緩沖層202。在緩沖層202上形成受光部211、 第一鄰接部212以及第二鄰接部213。尤其，將受光部211、第一鄰接部212、第二鄰接部213 形成為一體。以非晶硅形成受光部211。非晶硅對(duì)外光反應(yīng)敏感。通過此，光傳感器200可精密地感測(cè)光。第一連接部212含有晶化硅，第二鄰接部213含有非晶硅。將受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213形成為一體，因此受光部211 的一側(cè)面與第一鄰接部212的一側(cè)面之間沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接；受光部211的一側(cè)面與第二鄰接部213的一側(cè)面可沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接。通過此，提高了光傳感器200 的光感測(cè)效率以及電性能。受光部211的各個(gè)面中的上表面、即面向所述基板201的面的反面、第一連接部 212的上表面以及第二鄰接部213的上表面處于同一平面上。通過此，第一絕緣層215可有效地附著于受光部211、第一鄰接部212、第二鄰接部213。并且可提高第一絕緣層215以及第二絕緣層217的階梯覆蓋特性?？煞謩e以P型雜質(zhì)、N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部212以及第二鄰接部213。S卩，以P 型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部212，以N型雜質(zhì)摻雜第二鄰接部213。但是本發(fā)明不限于此，即，也可以以N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部212，以P型雜質(zhì)摻雜第二鄰接部213。并且，也可以不摻雜第一鄰接部212以及第二鄰接部213。受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213上形成第一絕緣層215，在第一絕緣層215上形成第二絕緣層217。第二絕緣層217上形成光傳感器第一電極218以及光傳感器第二電極219。具體地，形成與第一鄰接部212區(qū)域連接的光傳感器第一電極218，所述第一鄰接部212區(qū)域?yàn)槲幢坏谝唤^緣層215以及第二絕緣層217所覆蓋并且露出的區(qū)域；形成與第二鄰接部213 區(qū)域連接光傳感器第二電極219，所述第二鄰接部213區(qū)域?yàn)槲幢坏谝唤^緣層215以及第二絕緣層217所覆蓋并且露出的區(qū)域。雖未圖示，但是還可以形成保護(hù)膜，以覆蓋光傳感器第一電極218以及光傳感器第二電極219。在本實(shí)施例的光傳感器200中，受光部211含有非晶硅，對(duì)光的反應(yīng)敏感，從而具有精密地感測(cè)光的特性。并且，光傳感器200，由于將受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213形成為一體，因此受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213不會(huì)因沖擊而分離，從而提高其整體的耐久性能。并且可減少制造工序，提高工序的便利性。而且，受光部211與第一鄰接部212的接觸特性以及受光部211與第二鄰接部213 的接觸特性得到了提高，從而可提高光傳感器200的電學(xué)特性。受光部211的上表面、第一鄰接部212的上表面以及第二鄰接部213的上表面處于同一平面上，因此可提高第一絕緣層215與受光部211、第一鄰接部212與第二鄰接部 213的結(jié)合力。并且，提高第一絕緣層215以及第二絕緣層217的階梯覆蓋特性。并且，將受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213形成為同一平面，因此可輕易地減少光傳感器200的厚度。圖如至圖4f是按順序顯示制造圖3的光傳感器方法示意圖。首先，如圖如以及圖4b所示，基板201上形成緩沖層202以及半導(dǎo)體物質(zhì)層210a。 圖4b是從A方向觀看圖如的平面圖。緩沖層202以及半導(dǎo)體物質(zhì)層210a可以不具有另外的圖案。半導(dǎo)體物質(zhì)層210a可含有多種半導(dǎo)體物質(zhì)，但優(yōu)選為含有硅。具體地，半導(dǎo)體物質(zhì)層2IOa可含有非晶硅。此后，如圖如所示，進(jìn)行結(jié)晶化工序。在半導(dǎo)體物質(zhì)層210a上，對(duì)Cl區(qū)域選擇性地進(jìn)行結(jié)晶化工序。可利用多種方法進(jìn)行結(jié)晶化工序，例如可利用激光進(jìn)行結(jié)晶化工序。尤其，利用掩模對(duì)Cl區(qū)域選擇性地進(jìn)行結(jié)晶化工序。圖如中，Cl區(qū)域包括在后續(xù)工序中將要形成第一鄰接部212的區(qū)域。并且，與Cl 區(qū)域鄰接且沒有進(jìn)行結(jié)晶化工序的非結(jié)晶狀態(tài)的區(qū)域包括在后續(xù)工序中將要形成受光部 211的區(qū)域。并且，與Cl區(qū)域隔離且沒有進(jìn)行結(jié)晶化工序的非結(jié)晶狀態(tài)的區(qū)域包括在后續(xù)工序中將要形成第二鄰接部213的區(qū)域。進(jìn)行結(jié)晶化工序后，如圖4d以及圖如所示，進(jìn)行諸如光刻的構(gòu)圖工序，形成受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213。圖如是沿圖4d的IVE-IVE獲取的截面圖。 具體地，受光部211、第二鄰接部213含有非晶硅，第一鄰接部212含有晶化硅。由于通過進(jìn)行一次光刻可形成受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213， 因此提高了光傳感器200制造工序的便利性。并且，通過減少制造工序，可輕易地減少對(duì)受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213構(gòu)圖的過程中產(chǎn)生的不良。雖未圖示，但是可分別以P型雜質(zhì)、N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部212以及第二鄰接部 213。但是本發(fā)明不限于此，即，也可以以N型雜質(zhì)摻雜第一鄰接部212，以P型雜質(zhì)摻雜第二鄰接部213?？梢栽诙鄠€(gè)階段進(jìn)行這種摻雜工序，進(jìn)行完如圖如所示的結(jié)晶化工序后，可進(jìn)行摻雜工序。并且，也可以不摻雜第一鄰接部212及第二鄰接部213。此后，如圖4f所示，在受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213上形成第一絕緣層215以及第二絕緣層217，在第二絕緣層217上形成光傳感器第一電極218以及光傳感器第二電極219。通過此，最終制造光傳感器200。形成第一絕緣層215時(shí)，受光部211的上表面、第一鄰接部212的上表面以及第二鄰接部213的上表面處于同一平面上，從而可提高第一絕緣層215與受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213的結(jié)合力。并且，可提高第一絕緣層215以及第二絕緣層217 的階梯覆蓋特性。雖未圖示，但是還可以形成保護(hù)膜，以覆蓋光傳感器第一電極218以及光傳感器第二電極219。本實(shí)施例中，對(duì)第一鄰接部212選擇性地進(jìn)行結(jié)晶化工序，受光部211由非晶硅形成。通過此，光傳感器200可精密地感測(cè)光。本實(shí)施例中，受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213形成一體，因此在受光部211的一側(cè)面和第一鄰接部212的一側(cè)面之間沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接；在受光部211的另一側(cè)面與第二鄰接部213的一側(cè)面沒有缺陷及雜質(zhì)地完美連接。通過此，可提高光傳感器200的光感測(cè)效率以及電學(xué)特性。并且，本實(shí)施例中，制造光傳感器200時(shí)，利用半導(dǎo)體物質(zhì)層2 IOa將受光部211、第一鄰接部212以及第二鄰接部213形成一體。通過此，簡(jiǎn)化了形成受光部211、第一鄰接部 212以及第二鄰接部213的工序，從而可減少工序時(shí)間以及進(jìn)行工序時(shí)所產(chǎn)生的不良。并且，受光部211與第一鄰接部212的接觸特性及受光部211與第二鄰接部213的接觸特性得到了提高，從而提高了光傳感器200的電學(xué)特性。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置簡(jiǎn)要示意截面圖。本實(shí)施例的顯示裝置300是具有有機(jī)發(fā)光器件327的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。但是本發(fā)明不限于此，即，還可以是具有如液晶顯示器件等的其它顯示器件。如圖5所示，對(duì)顯示裝置300進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，基板301上形成有緩沖層302。緩沖層302上形成預(yù)定圖案的活性層314?；钚詫?14可以由非晶硅(amorphous silicon)或者多晶硅(poly silicon)等無機(jī)半導(dǎo)體或者有機(jī)半導(dǎo)體形成，其包括源區(qū)域、 漏區(qū)域以及溝道區(qū)。以雜質(zhì)摻雜由非晶硅或者晶化硅形成的活性層314，從而可以形成源區(qū)域以及漏區(qū)域。以三族元素硼等進(jìn)行摻雜，即可形成P型半導(dǎo)體；以五族元素氮等進(jìn)行摻雜，即可形成N型半導(dǎo)體。在緩沖層302上，與活性層314相隔離地形成受光部311、第一鄰接部312以及第二鄰接部313。尤其，將受光部311、第一鄰接部312以及第二鄰接部313形成為一體。受光部311由非晶硅形成。非晶硅對(duì)外部光反應(yīng)敏感。本實(shí)施例中受光部311、第一鄰接部 312以及第二鄰接部313可以具有與如圖1至圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，所以在此省略詳細(xì)說明。在形成活性層314時(shí)，由一次結(jié)晶化工序可選擇地結(jié)晶化第一鄰接部312以及第二鄰接部313?；钚詫?14、受光部311、第一鄰接部312以及第二鄰接部313的上部形成柵絕緣膜315，在柵絕緣膜315的上部的預(yù)定區(qū)域形成柵電極316。柵電極316 可由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬 (Mo)或者鋁釹、鉬鎢合金等金屬或者金屬合金形成，但不限于此，考慮緊密性、平坦性、電阻以及加工性等，可使用多種材料。柵電極316與施加電信號(hào)的柵線(未圖示)連接。柵電極316的上部形成層間絕緣膜317。層間絕緣膜317以及柵絕緣膜315被形成為露出源區(qū)域以及漏區(qū)域，源電極320以及漏電極321被形成為與活性層314的露出區(qū)域相接觸。并且，層間絕緣膜317以及柵絕緣膜315被形成為露出第一鄰接部312的預(yù)定區(qū)域以及第二鄰接部313的預(yù)定區(qū)域。光傳感器第一電極318被形成為與該第一鄰接部312 的露出區(qū)域相接觸，光傳感器第二電極319被形成為與第二鄰接部313的露出區(qū)域相接觸。
可使用與光傳感器第一電極318以及光傳感器第二電極319相同的材料形成源電極320以及漏電極321。形成鈍化層322，以覆蓋源電極320、漏電極321、光傳感器第一電極318以及光傳感器第二電極319。可使用無機(jī)絕緣膜或有機(jī)絕緣膜形成鈍化層322。并且，也可以以無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜的復(fù)合層疊體形成鈍化層322。鈍化層322被形成為露出漏電極321。形成有機(jī)發(fā)光器件327以與露出的漏電極 321電連接。有機(jī)發(fā)光器件327包括像素電極323、相對(duì)電極326以及中間層325。具體地，像素電極323與漏電極321接觸。具體地，像素電極323上以絕緣物形成像素限定層324(pixel definelayer)。像素限定層3M上形成預(yù)定的開口，以露出像素電極323。露出的像素電極323上形成中間層 325。然后，形成第二電極326以與中間層325連接。
中間層325具有有機(jī)發(fā)光層，通過像素電極323和相對(duì)電極3 施加電壓，顯示可視光。像素電極323、相對(duì)電極3 分別具有正極性、負(fù)極性。當(dāng)然，像素電極323、相對(duì)電極326的極性可變換。雖未圖示，但相對(duì)電極3 上還可以設(shè)置密封部件。本實(shí)施例的顯示裝置300具有受光部311、第一鄰接部312、第二鄰接部313、光傳感器第一電極318以及光傳感器第二電極319，從而可簡(jiǎn)便地感測(cè)光。通過此，可根據(jù)外光的照度簡(jiǎn)便地調(diào)節(jié)有機(jī)發(fā)光器件327產(chǎn)生的可視光的亮度。本發(fā)明以附圖所示的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是這種說明僅為示例性的說明，應(yīng)理解為本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員由此可獲得多種變型及等同的其它實(shí)施例。由此，應(yīng)由權(quán)利要求書的技術(shù)思想來限定本發(fā)明真正的技術(shù)保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器，包括 基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)；第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成為一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接；以及光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中， 所述受光部含有非晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中，所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面、以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面處于同一平面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中， 所述第一鄰接部以及第二鄰接部含有晶化硅，所述第一鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中，所述第一鄰接部含有晶化硅，所述第二鄰接部含有非晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光傳感器，其中，所述第一鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光傳感器，其中，所述第一鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)。
8.一種光傳感器的制造方法，包括在基板上形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部，其中，受光部含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部與所述受光部成為一體并由所述受光部相互隔離；以及形成與所述第一鄰接部電連接的光傳感器第一電極以及與所述第二鄰接部電連接的光傳感器第二電極，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶化半導(dǎo)體物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中所述形成受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟，包括在所述基板上形成非晶半導(dǎo)體物質(zhì)層；以及所述半導(dǎo)體物質(zhì)層中選擇性地結(jié)晶化至少一個(gè)區(qū)域，其中所述區(qū)域?qū)?yīng)于所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光傳感器的制造方法，其中，進(jìn)行所述結(jié)晶化步驟后，進(jìn)行一次構(gòu)圖工序以形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中， 所述受光部含有非晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中，所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一鄰接部面向所述基板的面的反面以及所述第二鄰接部面向所述基板的面的反面被形成為處于同一平面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中， 所述第一鄰接部以及第二鄰接部含有晶化硅，所述第一鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)體物質(zhì)層含有硅，形成所述受光部、第一鄰接部以及第二鄰接部的步驟，包括 在所述基板上形成半導(dǎo)體物質(zhì)層；以及在所述半導(dǎo)體物質(zhì)層的區(qū)域中，選擇性地結(jié)晶化所述第一鄰接部的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光傳感器的制造方法，其中，所述第一鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光傳感器的制造方法，其中，所述第一鄰接部摻雜有N型雜質(zhì)，所述第二鄰接部摻雜有P型雜質(zhì)。
17.—種顯示裝置，含有光傳感器，所述光傳感器包括 基板；顯示器件；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)；第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接；以及光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)。
18.權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中，所述顯示器件為有機(jī)發(fā)光器件或者液晶顯示器件。
全文摘要
本發(fā)明提供簡(jiǎn)便地提高電性能以及感光特性的光傳感器、光傳感器制造方法及顯示裝置。本發(fā)明包括基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半導(dǎo)體物質(zhì)；第一鄰接部以及第二鄰接部，與所述受光部形成一體，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部由所述受光部相互隔離；光傳感器第一電極，與所述第一鄰接部電連接；以及光傳感器第二電極，與所述第二鄰接部電連接，其中，所述第一鄰接部以及所述第二鄰接部中的至少一個(gè)含有結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L31/0376GK102386250SQ20111004415
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月6日
發(fā)明者吳在煥, 崔宰凡, 張榮真, 李源規(guī), 陳圣鉉 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社