專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置，更具體地講，涉及一種透明的有機發(fā)光顯示
直ο
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示裝置在視角、對比度、響應(yīng)速度和功耗方面具有優(yōu)良的特性，因此被廣泛用于TV和諸如MP3播放器或移動電話的個人便攜設(shè)備。與需要光源的液晶顯示(LCD)裝置不同，有機發(fā)光顯示裝置具有自發(fā)射特性，因此不需要光源。因此，可以減小有機發(fā)光顯示裝置的厚度和重量。另外，可通過在顯示裝置中設(shè)置透明的薄膜晶體管(TFT)或透明的有機發(fā)光器件來形成透明的有機發(fā)光顯示裝置。然而，在透明的有機發(fā)光顯示裝置中，在關(guān)斷狀態(tài)下，位于使用者對面的物體或圖像不僅透射穿過有機發(fā)光器件，而且還穿過諸如TFT、各種布線以及它們之間的空間的圖案。此外，即使當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置是透明的顯示裝置時，如上所述的有機發(fā)光器件、TFT和布線的透射率也不高，并且它們之間的空間也非常小。因此，有機發(fā)光顯示裝置的透射率不
尚ο此外，由于上述的圖案，S卩，有機發(fā)光器件、TFT和布線，使用者會看到失真的圖像。 由于圖案之間的距離為幾百納米(與可見光的波長相同)，所以發(fā)生已經(jīng)透射的光的漫射。同時，與IXD裝置相比，可利用有機發(fā)光顯示裝置來容易地制造雙(底部和頂部) 發(fā)射類型的顯示裝置。然而，由于在雙發(fā)射類型的顯示裝置中不能使用反射陽極，所以不能利用光諧振效應(yīng)，這樣造成難以獲得高的出光耦合效率。如果將透明的陽極改為半透明陽極以提供雙發(fā)射類型的顯示裝置的出光耦合效率，則有機發(fā)光顯示裝置的透射率降低。因此，難以制造透明的有機發(fā)光顯示裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有透射率增大的透射區(qū)和雙側(cè)發(fā)光過程中出光耦合效率增大的透明的有機發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明還提供了一種透明的有機發(fā)光顯示裝置，在該有機發(fā)光顯示裝置中，減少了被透射的光的漫射，以防止透射圖像的失真。根據(jù)本發(fā)明的方面，一種有機發(fā)光顯示裝置包括基底；多個TFT，形成在基底的第一表面上；鈍化層，覆蓋所述TFT;多個第一像素電極，形成在鈍化層上并分別電連接到所述多個TFT，所述多個第一像素電極分別與所述多個TFT疊置以覆蓋所述多個TFT，所述
4多個第一像素電極包括由反光導(dǎo)電材料形成的反射層；第二像素電極，由光透射導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在鈍化層上，以分別電連接到所述多個第一像素電極；對向電極，形成為使光通過對向電極被透射和反射，所述對向電極與所述多個第一像素電極和第二像素電極相對地設(shè)置；有機層，設(shè)置在所述多個第一像素電極和第二像素電極與對向電極之間并包括發(fā)射層。對向電極可包括從由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。第二像素電極可由從由ΙΤ0、ΙΖ0, ZnO和In2O3組成的組中選擇的至少一種金屬氧化物形成。所述多個第一像素電極和第二像素電極可相互連接。反射層可包括從由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。根據(jù)本發(fā)明的方面，一種有機發(fā)光顯示裝置包括基底，被劃分成透射區(qū)和多個第一像素區(qū)，所述多個第一像素區(qū)在透射區(qū)之間相互分隔開；多個像素電路單元，形成在基底的第一表面上，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元包括至少一個TFT并形成在所述多個第一像素區(qū)中的每個中；鈍化層，覆蓋所述多個像素電路單元并形成在透射區(qū)和所述多個第一像素區(qū)中；多個第一像素電極，形成在鈍化層上并分別電連接到所述多個像素電路單元，所述多個第一像素電極與所述多個像素電路單元疊置以覆蓋所述多個像素電路單元，并且所述多個第一像素電極包括由反光導(dǎo)電材料形成的反射層；第二像素電極，由光透射導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在鈍化層上，以分別電連接到所述多個第一像素電極；對向電極，形成為使光通過對向電極被透射和反射，對向電極與所述多個第一像素電極和第二像素電極相對地設(shè)置；有機層，設(shè)置在所述多個第一像素電極和第二像素電極與對向電極之間并包括發(fā)射層。對向電極可包括從由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。第二像素電極可由從由ΙΤ0、ΙΖ0, ZnO和In2O3組成的組中選擇的至少一種金屬氧化物形成。所述多個第一像素電極和第二像素電極可相互連接。反射層可包括從由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。有機發(fā)光顯示裝置還可包括電連接到所述多個像素電路單元的多種導(dǎo)線，其中， 所述多種導(dǎo)線中的至少一種被布置成與每個第一像素電極疊置。鈍化層可由透明的材料形成。向基底和對向電極發(fā)射光的第二發(fā)射區(qū)域可設(shè)置在與第二像素電極對應(yīng)的透射區(qū)的至少一部分中。多個絕緣層可設(shè)置在與透射區(qū)對應(yīng)的區(qū)域中。所述多個絕緣層中的至少一個絕緣層可包括形成在第二像素區(qū)中的至少一部分區(qū)域中的開口。


通過參照以下結(jié)合附圖時的詳細描述，對本發(fā)明的更完整的理解以及本發(fā)明所附帶的多個優(yōu)點將會更清楚，同樣變得更易于理解，在附圖中，相同的標(biāo)號表示相同或相似的組件，其中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的詳細的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的詳細的剖視圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖2或圖3中的有機發(fā)光單元的示意圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖4中的包括像素電路單元的有機發(fā)光單元的示意圖；圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖5中的有機發(fā)光單元的詳細的平面圖；圖7是示出了沿圖6中的線A-A截取的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖7中的第一像素區(qū)域的詳細的剖視圖；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖7中的第二像素區(qū)域的詳細的剖視圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光單元的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參照圖1，有機發(fā)光顯示裝置包括基底1和形成在基底1的第一表面11上的顯示單元2。在上述的有機發(fā)光顯示裝置中，外部光透射穿過基底1和顯示單元2。顯示單元2 為雙發(fā)射類型發(fā)光單元，這意味著在兩個表面上實現(xiàn)圖像，如圖1所示。如將在后面描述的，顯示單元2形成為使得外部光可穿過其透射。參照圖1，從形成圖像的一側(cè)，使用者可以觀看到形成在基底1的外部下表面上的圖像。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的詳細的剖視圖。顯示單元2包括形成在基底1的第一表面11上的有機發(fā)光單元21和密封有機發(fā)光單元21的密封基底23。密封基底23由透明的材料形成，使圖像能夠從有機發(fā)光單元21穿過密封基底23 透射，并防止空氣和水從外部滲透到有機發(fā)光單元21中。利用形成在基底1和密封基底23的邊界部分上的密封構(gòu)件M將基底1和密封基底23相互結(jié)合，從而密封基底1和密封基底23之間的空間25。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的圖1中的有機發(fā)光顯示裝置的詳細的剖視圖。如圖3所示，薄密封膜沈形成在有機發(fā)光單元21上，以保護有機發(fā)光單元21免受來自外部的空氣和水的影響。密封膜26可具有這樣的結(jié)構(gòu)，S卩，由無機材料(如氧化硅或氮化硅)形成的層和由有機材料(如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺)形成的層交替地堆疊，但不限于此。密封膜沈可具有作為透明薄膜的任何密封結(jié)構(gòu)。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖2或圖3中的有機發(fā)光單元21的示意圖，而圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖4中的包括像素電路單元的有機發(fā)光單元21的示意圖。參照圖2至圖5，有機發(fā)光單元21形成在包括透射區(qū)TA和多個第一像素區(qū)PAl的基底1上，其中，外部光穿過透射區(qū)TA透射，多個第一像素區(qū)PAl在透射區(qū)TA之間被分開。 與第一像素區(qū)PAl相鄰的多個第二像素區(qū)PA2形成在透射區(qū)TA的至少一部分上。S卩，在第二像素區(qū)PA2中，外部光既可以被透射也可以被出射。參照圖4，每個第一像素區(qū)PAl包括像素電路單元PC，并且多條導(dǎo)線(例如，掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V)電連接到像素電路單元PC。盡管圖4中未示出，但是根據(jù)像素電路單元PC的配置還可以包括除了掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V之外的其它各種導(dǎo)線。參照圖5，像素電路單元PC包括第一薄膜晶體管(TFT)TRl，連接到掃描線S和數(shù)據(jù)線D ；第二 TFT TR2，連接到第一 TFT TRl和Vdd線V ；電容器Cst，連接到第一 TFT TRl和第二 TFT TR2。這里，第一 TFT TRl是開關(guān)晶體管，第二 TFT TR2是驅(qū)動晶體管。第二 TFT TR2電連接到第一像素電極221。盡管在圖5中第一 TFT TRl和第二 TFT TR2是P型晶體管，但是它們不限于此，并且它們中的至少一個也可以為N型晶體管。上述的TFT和電容器 Cst的數(shù)量不限于上述實施例。根據(jù)像素電路單元PC，兩個或更多的TFT以及一個或更多的電容器Cst可被組合在像素電路單元PC中。參照圖4和圖5，掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V被布置成與第一像素電極221疊置。然而，本發(fā)明的實施例不限于此，并且包括掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的多種導(dǎo)線中的至少一種可與第一像素電極221疊置，或者根據(jù)情況包括掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V 的多種導(dǎo)線全部可布置成鄰近第一像素電極221。將如后面所述，第一像素區(qū)PAl變成在每個子像素中以高出光耦合效率執(zhí)行頂部發(fā)射的區(qū)域。由于像素電路單元PC設(shè)置在頂部發(fā)射的區(qū)域中，所以使用者可以通過包括第二像素區(qū)PA2的透射區(qū)TA看到外部圖像。即，由于像素電路單元PC的導(dǎo)電圖案(減小透射區(qū)TA的透射率的最重要因素之一)不包括在透射區(qū)TA中，所以進一步提高了透射區(qū)TA 的透射率。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，與傳統(tǒng)的透明顯示裝置相比，有機發(fā)光單元 21被分成了第一像素區(qū)PAl和透射區(qū)TA，并且可減小有機發(fā)光顯示裝置的總透射率的大部分導(dǎo)電圖案設(shè)置在第一像素區(qū)PAl中以提高透射區(qū)TA的透射率，從而提高形成圖像的整個區(qū)域(圖2或圖3中的有機發(fā)光單元)的透射率。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，像素電路單元PC與第一像素區(qū)PAl疊置，因此，可防止由于像素電路單元PC中的元件的圖案導(dǎo)致的外部光漫射而引起的外部圖像的失真。盡管包括掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的導(dǎo)線還可被布置成橫跨第一像素區(qū)PAl 與另一第一像素區(qū)PAl之間的透射區(qū)TA，但是這些導(dǎo)線非常細并且只能被近距離觀察的使用者看到，不影響有機發(fā)光單元21的總透射率。因此，不影響透明顯示裝置的制造。此外， 即使使用者會看不到外部圖像的由第一像素區(qū)PAl覆蓋的部分，但是由于當(dāng)從整個顯示裝置看時，第一像素區(qū)PAl作為多個點布置在透明玻璃的表面上，所以使用者可以毫無疑問地看到外部圖像。電連接到像素電路單元PC的第一像素電極221包括在第一像素區(qū)PAl內(nèi)，像素電路單元PC與第一像素電極221疊置以被第一像素電極221覆蓋。此外，包括掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的上述導(dǎo)線中的至少一種可布置成經(jīng)過第一像素電極221。另外，由于與像素電路單元PC相比，導(dǎo)線幾乎沒有減小有機發(fā)光顯示裝置的透射率，所以根據(jù)有機發(fā)光顯示裝置的設(shè)計，可將全部導(dǎo)線布置成鄰近于第一像素電極221。第一像素電極221包括由反光導(dǎo)電金屬形成的反射層(將在后面描述)，因此第一像素電極221覆蓋與反射層疊置的像素電路單元PC，并防止由于第一像素區(qū)PAl中的像素電路單元PC導(dǎo)致的外部圖像的失真。同時，還在透射區(qū)TA中設(shè)置第二像素電極222，以形成第二像素區(qū)PA2。如將在后面描述的，第二像素電極222由光透射金屬氧化物形成，從而外部光可穿過第二像素區(qū)PA2 透射。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光單元的詳細平面圖，并且示出了圖5 中的像素電路單元PC，而圖7是示出了沿圖6中的線A-A截取的有機發(fā)光單元的剖視圖。參照圖6和圖7，緩沖層211形成在基底1的第一表面11上，并且第一 TFT TRl、 電容器Cst和第二 TFT TR2形成在緩沖層211上。首先，第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b形成在緩沖層211上。緩沖層211防止雜質(zhì)滲透到有機發(fā)光單元21中，并將基底1的表面平坦化，并且緩沖層211可由執(zhí)行這些功能的材料形成。例如，緩沖層211可由諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦的無機材料形成，或者可以由諸如聚酰亞胺、聚酯或丙烯酰類材料(acryl)的有機材料或者這些材料的疊層形成。此外，根據(jù)需要可包括或不包括緩沖層211。第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b可由多晶硅形成，但不限于此。 第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b也可由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層21 可為G-I-Z-O層[(In2O3) a (Ga2O3)b(ZnO)。層] (a、b 禾口 c ii 足 a>0、b>0fPc>0)。柵極絕緣層213形成在緩沖層211上，以覆蓋第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b，并且第一柵電極21 和第二柵電極214b形成在柵極絕緣層213上。層間絕緣層215形成在柵極絕緣層213上，以覆蓋第一柵電極21 和第二柵電極 214b，并且第一源電極216a、第一漏電極217a、第二源電極21 和第二漏電極217b形成在層間絕緣層215上，以經(jīng)接觸孔接觸第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b。參照圖7，可在形成第一柵電極21 和第二柵電極214b的同時形成掃描線S。此外，當(dāng)形成第一源電極216a時形成數(shù)據(jù)線D，并且數(shù)據(jù)線D連接到第一源電極216a，當(dāng)形成第二源電極21 時形成Vdd線V，并且Vdd線V連接到第二源電極21乩。在形成第一柵電極21 和第二柵電極214b的同時形成電容器Cst的底部電極 220a，并且在形成第一漏電極217a的同時形成電容器Cst的頂部電極220b。第一 TFT TR1、電容器Cst和第二 TFT TR2不限于此，也可以形成它們的其他各種結(jié)構(gòu)。例如，上述的第一 TFT TRl和第二 TFT TR2具有頂柵結(jié)構(gòu)，但是它們也可以具有第一柵電極21 和第二柵電極214b設(shè)置在第一半導(dǎo)體有源層21 和第二半導(dǎo)體有源層212b 下方的底柵結(jié)構(gòu)。另外，可以使用與上述結(jié)構(gòu)不同的其他各種TFT結(jié)構(gòu)。形成鈍化層218以覆蓋第一 TFT TRl、電容器Cst和第二 TFT TR2。鈍化層218可為具有平坦上表面的單層絕緣層或多層絕緣層。鈍化層218可由無機和/或有機材料形成。如圖6和圖7所示，第一像素電極221形成在鈍化層218上，以覆蓋第一 TFT TRl、 電容器Cst和第二 TFT TR2。第一像素電極221通過形成在鈍化層218中的通孔218a連接到第二 TFT TR2的第二漏電極217b。第二像素電極222與第一像素電極222相鄰地形成在鈍化層218上。第一像素電極221和第二像素電極222優(yōu)選地相互連接。如圖6所示，第一像素電極221和第二像素電極222的連接結(jié)構(gòu)作為隔離的島形成在每個像素中。像素限定層219形成在鈍化層218上，以覆蓋第一像素電極221和第二像素電極 222的邊緣。有機層223和對向電極2M順序地堆疊在第一像素電極221上。對向電極224 可形成在整個第一像素區(qū)PA1、第二像素區(qū)PA2和透射區(qū)TA的上方。有機層223可由小分子有機層或聚合物有機層形成。當(dāng)由小分子有機層形成時， 有機層223可由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(HIL)、電子注入層(EIL)形成的單層形成，或者由包括上述層的多層結(jié)構(gòu)形成。小分子有機層的有機材料的示例包括銅酞菁(CuPc)、N，N' -二 [萘-1-基]-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPD) 和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)?？赏ㄟ^使用真空沉積方法來形成小分子有機層。EML形成在紅色像素、綠色像素和藍色像素中的每個像素中，HIL、HTL、ETL和EIL是紅色像素、綠色像素和藍色像素共享的共用層。因此，如圖7所示，HIL、HTL、ETL和EIL被形成為覆蓋整個第一像素區(qū)PA1、第二像素區(qū)PA2和透射區(qū)TA，就像形成的對向電極2 —樣。第一像素電極221和第二像素電極222可用作陽極，對向電極2 可用作陰極，或者第一像素電極221和第二像素電極222的極性與對向電極224的極性可對調(diào)。第一像素電極221的尺寸與每個像素的第一像素區(qū)PAl對應(yīng)。第二像素電極222 的尺寸與每個像素的第二像素區(qū)PA2對應(yīng)。對向電極2M可由共電極形成，以覆蓋有機發(fā)光單元21的所有像素。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，第一像素電極221可包括反射層，而對向電極2M可為半透射半反射電極。因此，第一像素區(qū)PAl為圖像朝對向電極2M形成的頂部發(fā)射型區(qū)域。為此，第一像素電極221 可包括由 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca 及它們的混合物形成的反射層和具有高功函數(shù)的1!~0、120、2110或^1203形成的金屬氧化物層。 對向電極2 可由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca的功函數(shù)小的金屬或它們的合金形成。對向電極2M可由厚度為100至300A的薄膜形成。還可在對向電極224 上形成透明的保護層(未示出)。當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O221為反射電極時，設(shè)置在第一像素電極221下方的像素電路單元PC被第一像素電極221覆蓋。因此，使用者從圖7中的對向電極224的左上方不會看到第一 TFT TRl、電容器Cst和第二 TFT TR2的圖案。此外，由于作為反射電極的第一像素電極221，光僅發(fā)射給對向電極2M上方的使用者。因此，可以減少朝使用者的對面損失的光的量。此外，如上所述，第一像素電極221覆蓋位于其下方的像素電路單元PC的各種圖案，因此使用者可以看到較為清楚的透射圖像。同時，第二像素電極222由透明電極形成。第二像素電極222可由具有高功函數(shù)的金屬氧化物層(例如，ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或^i2O3)形成，而沒有如上所述的反射層。由于第二像素電極222是透明的，所以使用者可以通過第二像素區(qū)ΡΑ2看到基底1下方的透射圖像?？稍谛纬傻谝幌袼仉姌O221的同時通過將第一像素電極221的除了反射層之外的透明的金屬氧化物層圖案化來形成第二像素電極222，以將第一像素電極221延伸到第二像素電極222。
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鈍化層218、柵極絕緣層213、層間絕緣層215和像素限定層219優(yōu)選地由透明的絕緣層形成?；?具有小于或等于絕緣層的整體透射率的透射率。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖7中的第一像素區(qū)的詳細剖視圖，圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖7中的第二像素區(qū)的詳細剖視圖。第一像素電極221可由包括第一透明導(dǎo)電層221a、反射層221b和第二透明導(dǎo)電層221c的疊層形成。第一透明導(dǎo)電層221a和第二透明導(dǎo)電層221c可由具有高功函數(shù)的 ITO、IZO、ZnO 或 In2O3 形成。反射層 221b 可由如上所述的 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、 Ir、Cr、Li、Ca或它們的混合物形成。包括第一功能層223a、發(fā)射層22 和第二功能層223c的有機層223形成在第一像素電極221上，并且對向電極2M形成在有機層223上。第一功能層223a可包括HIL和HTL，第二功能層223c可包括EIL和ETL。調(diào)整反射層221b的上表面與對向電極224的下表面之間的距離t，以相對于從發(fā)射層22 發(fā)射的光的波長形成光學(xué)共振。因此，距離t可根據(jù)紅色像素、綠色像素和藍色像素而變化。為了調(diào)整用于產(chǎn)生光學(xué)共振的距離t，還可在第一功能層223a和/或第二功能層223c上形成允許距離t隨著像素的顏色而改變的輔助層(未示出)。具有上述結(jié)構(gòu)的第一像素區(qū)PAl是朝向?qū)ο螂姌O2M形成圖像的頂部發(fā)射型區(qū)域，并且可通過調(diào)整距離t以產(chǎn)生光學(xué)共振來使第一像素區(qū)PAl的出光耦合效率最大化。同時，如上所述，第二像素電極222僅由透明的導(dǎo)電材料形成，而不具有反射層。 因此，第一像素電極221的第一透明導(dǎo)電層221a和第二透明導(dǎo)電層221c中的至少一個可延伸以形成第二像素電極222。包括第一功能層223a、發(fā)射層22 和第二功能層223c的有機層223形成在第二像素電極222上，并且對向電極2M形成在有機層223上。由于第二像素區(qū)PA2的第二像素電極222不包括反射層，所以不需要調(diào)整如上所述的光學(xué)共振距離。另外，第二像素區(qū)PA2為朝向?qū)ο螂姌O2M和第二像素電極222形成圖像的雙(頂部和底部)發(fā)射型區(qū)域。因此，當(dāng)顯示單元2工作時，第二像素區(qū)PA2作為雙發(fā)射型區(qū)域形成圖像，并且當(dāng)顯示單元2不工作時，第二像素區(qū)PA2為外部圖像穿過其透射的透射區(qū)域。此外，由于第二像素區(qū)PA2不利用光學(xué)共振，所以第二像素區(qū)PA2的出光耦合效率降低。由于這些特性，即使當(dāng)顯示單元2不工作時，使用者也可以通過第二像素區(qū)PA2 觀看到外部透射圖像。因此，當(dāng)使用者的位置在對向電極224的上方時，使用者可以通過第一像素區(qū)PAl 觀看到具有高出光耦合效率的清楚且明亮的圖像，并且還可以同時通過第二像素區(qū)PA2觀看到模糊的外部透射圖像。同時，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，為了進一步提高透射區(qū)TA的透射率并防止由于透射區(qū)TA中的多層透明絕緣層導(dǎo)致的光學(xué)干涉和色純度降低以及由于光學(xué)干涉導(dǎo)致的褪色，在至少對應(yīng)于第二像素區(qū)PA2的區(qū)域中的絕緣層的至少一部分中形成開口 229。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，為了增大透射區(qū)TA的外部光的透射率，需要增大透射區(qū)TA的面積或需要增大形成在透射區(qū)TA中的材料的透射率。然而，由于在像素電路單元 PC的設(shè)計方面的限制，難以增大透射區(qū)TA的面積。因此，需要增大形成在透射區(qū)TA中的材料的透射率。然而，由于材料研發(fā)方面的限制也難以增大材料的透射率。另外，由于第二像素區(qū)PA2占據(jù)了透射區(qū)TA的大部分面積，所以難以提高外部光通過透射區(qū)TA的透射率。因此，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，在至少對應(yīng)于第二像素區(qū)PA2的區(qū)域中的絕緣層的至少一部分中形成開口 229(結(jié)合圖10在下面描述)。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光單元的剖視圖。參照圖10，在有機發(fā)光單元21中，在覆蓋像素電路單元PC的鈍化層218中形成開口 229。在圖10中，開口 2 形成在鈍化層218中，但是本發(fā)明不限于此。另外，與開口 2 連接的開口還可形成在層間絕緣層215、柵極絕緣層213和緩沖層211中的至少一個中，從而進一步增大透射區(qū)TA的透射率。假定開口 2 不接觸掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V，則開口 2 可優(yōu)選地形成為盡可能寬。根據(jù)本發(fā)明，獲得了在雙側(cè)光發(fā)射過程中具有增大的外部光透射率和增大的出光耦合效率的透明的有機發(fā)光顯示裝置。另外，獲得了透明的有機發(fā)光顯示裝置，在該透明的有機發(fā)光顯示裝置中，減少了被透射的光的漫射以防止透射圖像的失真。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此在形式和細節(jié)上做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括 基底；多個薄膜晶體管，形成在基底的第一表面上； 鈍化層，覆蓋所述多個薄膜晶體管；多個第一像素電極，形成在鈍化層上并分別電連接到所述多個薄膜晶體管，所述多個第一像素電極分別與所述多個薄膜晶體管疊置以覆蓋所述多個薄膜晶體管，所述多個第一像素電極包括由反光導(dǎo)電材料形成的反射層；第二像素電極，由光透射導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在鈍化層上，以分別電連接到所述多個第一像素電極；對向電極，形成為使光通過對向電極被透射和反射，所述對向電極與所述多個第一像素電極和第二像素電極相對地設(shè)置；有機層，設(shè)置在所述多個第一像素電極和第二像素電極與對向電極之間并包括發(fā)射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對向電極包括從由Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第二像素電極由從由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和In2O3組成的組中選擇的至少一種金屬氧化物形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個第一像素電極和第二像素電極相互連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，反射層包括從由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、 Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。
6.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括基底，被劃分成透射區(qū)和多個第一像素區(qū)，所述多個第一像素區(qū)在透射區(qū)之間相互分隔開；多個像素電路單元，形成在基底的第一表面上，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元包括至少一個薄膜晶體管并形成在所述多個第一像素區(qū)中的每個中；鈍化層，覆蓋所述多個像素電路單元并形成在透射區(qū)和所述多個第一像素區(qū)中； 多個第一像素電極，形成在鈍化層上并分別電連接到所述多個像素電路單元，所述多個第一像素電極與所述多個像素電路單元疊置以覆蓋所述多個像素電路單元，并且所述多個第一像素電極包括由反光導(dǎo)電材料形成的反射層；第二像素電極，由光透射導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在鈍化層上，以分別電連接到所述多個第一像素電極；對向電極，形成為使光通過對向電極被透射和反射，對向電極與所述多個第一像素電極和第二像素電極相對地設(shè)置；有機層，設(shè)置在所述多個第一像素電極和第二像素電極與對向電極之間并包括發(fā)射層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對向電極包括從由Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第二像素電極由從由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和In2O3組成的組中選擇的至少一種金屬氧化物形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個第一像素電極和第二像素電極相互連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，反射層包括從由Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和它們的合金組成的組中選擇的至少一種材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括電連接到所述多個像素電路單元的多種導(dǎo)線，其中，所述多種導(dǎo)線中的至少一種被布置成與每個第一像素電極疊置。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鈍化層由透明的材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括光向基底和對向電極發(fā)射的第二發(fā)射區(qū)域，并且第二發(fā)射區(qū)域設(shè)置在與第二像素電極對應(yīng)的透射區(qū)的至少一部分中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在與透射區(qū)對應(yīng)的區(qū)域中的多個絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個絕緣層中的至少一個絕緣層包括形成在第二像素區(qū)中的至少一部分區(qū)域中的開口。
全文摘要
一種有機發(fā)光顯示裝置包括基底；多個薄膜晶體管(TFT)，形成在基底的第一表面上；鈍化層，覆蓋多個TFT；多個第一像素電極，形成在鈍化層上并分別電連接到多個TFT，多個第一像素電極與多個TFT疊置以覆蓋多個TFT，多個第一像素電極包括由反光導(dǎo)電材料形成的反射層；第二像素電極，由光透射導(dǎo)電材料形成并設(shè)置在鈍化層上，以電連接到多個第一像素電極；對向電極，形成為使光通過對向電極被透射或反射，對向電極與多個第一像素電極和第二像素電極相對地設(shè)置；有機層，設(shè)置在多個第一像素電極和第二像素電極與對向電極之間并包括發(fā)射層。因此，增大了有機發(fā)光顯示裝置的透射率，還在雙側(cè)發(fā)射過程中提高了有機發(fā)光顯示裝置的出光耦合效率。
文檔編號H01L27/32GK102169886SQ20111003491
公開日2011年8月31日 申請日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月24日
發(fā)明者丁喜星, 安致旭, 樸順龍, 李德珍, 趙一龍, 鄭又碩, 鄭哲宇, 金沃炳, 金泰奎, 高晟洙, 高武恂 申請人:三星移動顯示器株式會社