專(zhuān)利名稱(chēng)：高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level I^ackaging，WLP)技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)徹底顛覆了傳統(tǒng)封裝如陶瓷無(wú)引線芯片載具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及有機(jī)無(wú)引線芯片載具(Organic LeadlessChip Carrier)等模式，順應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)微電子產(chǎn)品日益輕、小、短、薄化和低價(jià)化要求。經(jīng)晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)封裝后的芯片尺寸達(dá)到了高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增大而顯著降低。晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是可以將IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、基板制造整合為一體的技術(shù)，是當(dāng)前封裝領(lǐng)域的熱點(diǎn)和未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)。扇出晶圓封裝是晶圓級(jí)封裝的一種。例如，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)第200910031885. 0 號(hào)公開(kāi)一種晶圓級(jí)扇出芯片封裝方法，包括以下工藝步驟在載體圓片表面依次覆蓋剝離膜和薄膜介質(zhì)層I，在薄膜介質(zhì)層I上形成光刻圖形開(kāi)口 I ；在圖形開(kāi)口 I及其表面實(shí)現(xiàn)與基板端連接之金屬電極和再布線金屬走線；在與基板端連接之金屬電極表面、再布線金屬走線表面以及薄膜介質(zhì)層I的表面覆蓋薄膜介質(zhì)層II，并在薄膜介質(zhì)層II上形成光刻圖形開(kāi)口 II ；在光刻圖形開(kāi)口 II實(shí)現(xiàn)與芯片端連接之金屬電極；將芯片倒裝至與芯片端連接之金屬電極后進(jìn)行注塑封料層并固化，形成帶有塑封料層的封裝體；將載體圓片和剝離膜與帶有塑封料層的封裝體分離，形成塑封圓片；植球回流，形成焊球凸點(diǎn)；單片切割，形成最終的扇出芯片結(jié)構(gòu)。按照上述方法所封裝制造的最終產(chǎn)品僅具有單一的芯片功能。如需實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)功能，需要在最終產(chǎn)品之外加上包含有各種電容、電感或電阻等的外圍電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包含了整體系統(tǒng)功能而非單一的芯片功能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和無(wú)源器件，所述芯片和無(wú)源器件具有功能面；固化的封料層，位于所述芯片和無(wú)源器件的遠(yuǎn)離所述功能面的一側(cè)，所述固化的封料層將所述芯片和無(wú)源器件進(jìn)行封裝?？蛇x地，所述封料層還填充于所述芯片與芯片之間、芯片與無(wú)源器件之間和/或無(wú)源器件和無(wú)源器件之間的空間?？蛇x地，所述無(wú)源器件包括電容、電阻和電感?？蛇x地，所述封料層的材料為環(huán)氧樹(shù)脂?？蛇x地，所述封料層通過(guò)轉(zhuǎn)注、壓縮或印刷的方法形成在所述芯片和無(wú)源器件上。
可選地，所述芯片包括多個(gè)不同的芯片?？蛇x地，還包括金屬再布線層，位于所述芯片和無(wú)源器件的功能面上，所述金屬再布線層內(nèi)形成有金屬再布線；保護(hù)膜層，位于所述金屬再布線層上；開(kāi)口，位于所述保護(hù)膜層上，所述開(kāi)口暴露出所述金屬再布線；球下金屬層，位于所述開(kāi)口內(nèi)，所述球下金屬層與所述金屬再布線連接；金屬焊球，位于所述球下金屬層上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，將芯片和無(wú)源器件整合封裝為一體，從而可以形成包含整體系統(tǒng)功能而非單一的芯片功能的最終封裝產(chǎn)品，相比現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)封裝，高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)更是降低了系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感等干擾因素，也更能順應(yīng)半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢(shì)要求。另外，在載板上所形成的膠合層的形狀和位置與芯片和無(wú)源器件的功能面的形狀和在載板上的貼合位置相適應(yīng)，因此既方便貼裝芯片時(shí)的定位，又可以避免后續(xù)工藝中難以剝除或大面積的清洗。


圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例至第五實(shí)施例的限定部的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明又一實(shí)施例的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提供一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和無(wú)源器件，所述芯片和無(wú)源器件具有功能面；固化的封料層，位于所述芯片和無(wú)源器件的遠(yuǎn)離所述功能面的一側(cè)，所述固化的封料層將所述芯片和無(wú)源器件進(jìn)行封裝。下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。請(qǐng)參考圖1所示的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。所述高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)包括載板101，所述載板101上具有貼合位置；芯片103和無(wú)源器件104，所述芯片103和無(wú)源器件104具有功能面，所述功能面的位置與所述貼合位置對(duì)應(yīng)；膠合層102，位于所述載板101與所述芯片103和無(wú)源器件104的功能面之間，所述膠合層102的形狀和位置與芯片103和無(wú)源器件104的功能面的形狀和在載板101上的貼合位置相適應(yīng)，所述膠合層102將所述芯片103和無(wú)源器件104貼合；固化的塑料層105，位于所述載板貼有芯片103和無(wú)源器件104的一面，所述固化的塑料層105將所述芯片103和無(wú)源器件104進(jìn)行封裝。具體地，本發(fā)明所述的載板101是用來(lái)承載后續(xù)芯片103和無(wú)源器件104的基礎(chǔ)。在本實(shí)施例中，載板101采用玻璃材質(zhì)，可以提供較好的硬度和平整度，降低封裝器件的失效比例。另外，由于載板101在高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)形成后最終將會(huì)被剝離，且玻璃材質(zhì)的載板101易剝離、抗腐蝕能力強(qiáng)，不會(huì)因?yàn)榕c膠合層102的接觸而發(fā)生物理和化學(xué)性能的改變，因此可以進(jìn)行重復(fù)利用。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員了解，載板101采用例如硅化合物也能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。貼合于膠合層102之上的多個(gè)芯片103可以是多個(gè)不同的芯片，這些芯片各自成為一個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品的一部分，各自完成實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)功能中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的功能。無(wú)源器件104是與芯片103共同實(shí)現(xiàn)封裝產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)功能的外部電路器件，包括電容、電阻和電感等。將無(wú)源器件104與不同功能的芯片103組合在一起封裝，可以實(shí)現(xiàn)所需的系統(tǒng)級(jí)功能。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，芯片103與無(wú)源器件104的組合是根據(jù)系統(tǒng)功能來(lái)設(shè)計(jì)的。因此，在一個(gè)芯片103的周?chē)?，可能有相同或不同的另外的芯?03，或者相同或不同的電容、電阻或電感等無(wú)源器件104 ；類(lèi)似的，在一個(gè)無(wú)源器件104的周?chē)赡苡邢嗤虿煌钠渌臒o(wú)源器件104，或者一個(gè)或多個(gè)相同或不同芯片103。所述芯片103和無(wú)源器件104的功能面與所述膠合層的貼合位置對(duì)應(yīng)，本發(fā)明所述的芯片103和無(wú)源器件104的功能面，是指芯片103的金屬電極和無(wú)源器件104的焊盤(pán)所在表面。所述膠合層102是用于將芯片103和無(wú)源器件104的功能面固定在載板101上。 膠合層102可選用的材質(zhì)有多種，在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，膠合層102采用UV膠。UV 膠是一種能對(duì)特殊波長(zhǎng)的紫外光照射產(chǎn)生反應(yīng)的膠合材料。UV膠根據(jù)紫外光照射后粘性的變化可分為兩種，一種是UV固化膠，即材料中的光引發(fā)劑或光敏劑在紫外線的照射下吸收紫外光后產(chǎn)生活性自由基或陽(yáng)離子，引發(fā)單體聚合、交聯(lián)和接支化學(xué)反應(yīng)，使紫外光固化膠在數(shù)秒鐘內(nèi)由液態(tài)轉(zhuǎn)化為固態(tài)，從而將與其接觸的物體表面粘合；另一種是UV膠是在未經(jīng)過(guò)紫外線照射時(shí)粘性很高，而經(jīng)過(guò)紫外光照射后材料內(nèi)的交聯(lián)化學(xué)鍵被打斷導(dǎo)致粘性大幅下降或消失。這里的膠合層102所采用的UV膠即是后者。在載板101上形成膠合層102的方法可以例如是通過(guò)旋涂或印刷等方法將膠合層 102涂覆在載板101上。這樣的方法在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。由于在進(jìn)行晶圓扇出封裝時(shí)，需要將不同的芯片和無(wú)源器件等芯片和無(wú)源器件通過(guò)膠合層102膠合在載板101上。因此，在沒(méi)有其他輔助措施的情況下，芯片和無(wú)源器件無(wú)法在載板101上準(zhǔn)確地排列。如果芯片和無(wú)源器件不能準(zhǔn)確地排布在載板101上，最終所制造出封裝產(chǎn)品有可能會(huì)出現(xiàn)缺陷甚至失效等后果，從而降低封裝良率。在本發(fā)明的具體實(shí)施方式
中，膠合層102的形狀和位置與芯片和無(wú)源器件的功能面的形狀和在載板上的貼合位置相適應(yīng)。在晶圓封裝的后續(xù)膠和芯片和無(wú)源器件的過(guò)程中，芯片和無(wú)源器件可以直接按照膠合層102上的位置進(jìn)行貼合。也就是說(shuō)，膠合層102可以為芯片和無(wú)源器件提供對(duì)準(zhǔn)定位。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在一塊載板101上的膠合層102也是由多個(gè)相互分離的膠合塊所組成。相互分離的膠合塊可以是由掩膜印刷(maskprinting)、模板印刷 (stencil printing)或者直寫(xiě)(pen-writing)的方法形成在載板101上。這些方法的具體步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。膠合塊的形狀可以包括正方形、長(zhǎng)方形或圓形等，以適應(yīng)不同的芯片和無(wú)源器件的不同功能面的形狀的需要。當(dāng)然，膠合塊也可以是不規(guī)則圖形，例如是根據(jù)需求所設(shè)計(jì)出來(lái)的不規(guī)則圖案等。如前所述，由于在進(jìn)行晶圓扇出封裝時(shí)，需要將不同的芯片和無(wú)源器件等芯片和無(wú)源器件通過(guò)膠合層102膠合在載板101上。而不同的芯片和不同的無(wú)源器件的功能面， 其形狀和大小是不同的。因此，可以根據(jù)需要形成不同形狀的膠合塊。在一塊載板101上所形成的膠合塊中，至少兩塊膠合塊的形狀是不相同的。這一設(shè)計(jì)是根據(jù)扇出晶圓封裝的特性來(lái)確定的，但是本發(fā)明并不限于此，有可能芯片功能不同，但尺寸一樣，因此膠合塊的形狀也可相同。膠合塊在載板101上可以成矩陣排列。但是，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中， 在系統(tǒng)級(jí)扇出晶圓封裝時(shí)，膠合塊是根據(jù)芯片和無(wú)源器件等芯片和無(wú)源器件的分布來(lái)設(shè)置的，芯片和無(wú)源器件根據(jù)設(shè)計(jì)配比形成一個(gè)系統(tǒng)單元，系統(tǒng)單元間成矩陣排列。在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，這種矩陣排列的間距根據(jù)芯片和無(wú)源器件的膠合塊之間的間距是相同的， 用以適應(yīng)后續(xù)的塑封步驟的需要。另外，本發(fā)明在載板101上還設(shè)有對(duì)準(zhǔn)部。對(duì)準(zhǔn)部用于對(duì)芯片和無(wú)源器件的方向進(jìn)行定位。使得芯片和無(wú)源器件可以按照需要朝向特定的方向而不會(huì)發(fā)生貼合方向的顛倒等情況。因此在晶圓封裝的后續(xù)膠合芯片和無(wú)源器件的過(guò)程中，芯片和無(wú)源器件可以直接按照對(duì)準(zhǔn)部確定貼合方向。對(duì)準(zhǔn)部的形狀可以根據(jù)實(shí)際需要，按照符合芯片和無(wú)源器件功能面的形狀來(lái)定制，例如可以包括正方形、長(zhǎng)方形或圓形。對(duì)準(zhǔn)部可以是通過(guò)蝕刻或激光刻寫(xiě)的方式在載板 101上。蝕刻或激光刻寫(xiě)的具體方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。膠合塊的形狀可以包括正方形、長(zhǎng)方形或圓形等，以適應(yīng)不同的被封裝器件的不同功能面的形狀的需要。當(dāng)然，膠合塊也可以是不規(guī)則圖形，例如是根據(jù)需求所設(shè)計(jì)出來(lái)的不規(guī)則圖案等。在上述實(shí)施例中，膠合層102是相互分離的多個(gè)膠合塊。但是本發(fā)明并不限于此， 對(duì)準(zhǔn)部自身的形狀也可以是根據(jù)需要所形成并不分離的一個(gè)整體，因而其所限定的膠合層 102的形狀也可以是一個(gè)整體形狀而非分離的多個(gè)膠合塊。對(duì)準(zhǔn)部的形狀和大小可以由多個(gè)限位部所框定。如圖2所示，所述限位部可以是十字形；如圖3所示，所述限位部還可以是雙線十字形；如圖4所示，限位部還可以是*形； 如圖5所示，限位部還可以是L形；如圖6所示，限位部還可以是雙線L形。類(lèi)似的，在這些實(shí)施例中，限位部仍然可以是通過(guò)蝕刻或激光刻寫(xiě)的方式在載板101上。所述固化的塑料層105與貼有芯片103和無(wú)源器件104的載板面形成封裝體。所述封裝體用于保護(hù)芯片103和無(wú)源器件104的功能面以外的其他表面，又可作為后續(xù)工藝的承載體。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述封料層105的材料是環(huán)氧樹(shù)脂。這種材料的密封性能好，塑型容易，是形成封料層105的較佳材料。所述封料層105可以利用例如是轉(zhuǎn)注、 壓縮或印刷的方法制作。這些方法的具體步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。如前所述，在一個(gè)芯片103的周?chē)?，可能有另外的芯?03，或者無(wú)源器件104 ；在一個(gè)無(wú)源器件104的周?chē)部赡苡邢嗤虿煌钠渌臒o(wú)源器件104，或者一個(gè)或多個(gè)相同或不同芯片103。因此，在芯片103或者無(wú)源器件104的周?chē)鷷?huì)有空隙。為了對(duì)芯片103 和無(wú)源器件104形成更好的保護(hù)，封料層105還填充于芯片103與芯片103之間、芯片103 與無(wú)源器件104之間和/或無(wú)源器件104和無(wú)源器件104之間的空間。由于芯片103與無(wú)源器件104的厚度并不盡相同，有可能芯片103更厚，也有可能無(wú)源器件104更厚。因此，封料層105的厚度應(yīng)該大于各個(gè)芯片103與無(wú)源器件104中最厚的一個(gè)的厚度，用以對(duì)芯片103和無(wú)源器件104提供最佳的保護(hù)。下面請(qǐng)參考圖7所示的本發(fā)明又一實(shí)施例的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)。在所述塑料層105將所述貼有芯片103和無(wú)源器件104的載板面形成封裝體后， 需要去除所述膠合層。由于膠合層是有機(jī)材料，可以溶解于特定的有機(jī)溶劑。因此，可以采用有機(jī)溶劑清洗的方法，使得膠合層溶解于有機(jī)溶劑中。通常，在將所述膠合層去除后，還需要將載板101與芯片103和無(wú)源器件104的功能面進(jìn)行分離。也就是說(shuō)，在所述膠合層由固化狀態(tài)被溶劑掉，或者處于可剝離的熔融狀態(tài)下，可以輕松將載板101從芯片103和無(wú)源器件104的功能面上剝離下來(lái)，從而裸露出芯片 103和無(wú)源器件104的功能面。所述裸露處的芯片103和無(wú)源器件14功能面被暴露后，通過(guò)清洗芯片103和無(wú)源器件104的功能面，將功能面上殘留的膠合層去除，通過(guò)打磨之后所述功能面，可以將殘留的膠合層去除。所述芯片103和無(wú)源器件104不再透過(guò)載板固定在一起而是通過(guò)封裝體固定在一起了，同時(shí)芯片的金屬電極和無(wú)源器件的焊盤(pán)也裸露出來(lái)，從而形成如圖7所示的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)。除了沒(méi)有膠合層和載板外，本實(shí)施例與上一實(shí)施例的區(qū)別還在于，所述高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括金屬再布線層106，位于所述芯片103和無(wú)源器件104的裸露的功能面上，所述金屬再布線層106內(nèi)形成有金屬再布線，所述金屬再布線層106用于使芯片103的金屬電極和無(wú)源器件104的焊盤(pán)透過(guò)再布金屬線實(shí)現(xiàn)功能性系統(tǒng)互連和走線；保護(hù)膜層107，位于所述金屬再布線層106上，所述保護(hù)膜層107用于保護(hù)金屬再布線層106內(nèi)的金屬再布線；開(kāi)口，位于所述保護(hù)膜層上，所述開(kāi)口暴露出所述金屬再布線層106內(nèi)的金屬再布線；球下金屬層108，位于所述開(kāi)口內(nèi)，所述球下金屬層108與所述金屬再布線層的金屬再布線連接；金屬焊球109，位于所述球下金屬層108上。需要說(shuō)明的是，圖1所示的為形成本發(fā)明的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)的中間產(chǎn)品，圖7為本發(fā)明的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以采用其他的方法形成，在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
綜上，本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，將芯片和無(wú)源器件整合封裝為一體，從而可以形成包含整體系統(tǒng)功能而非單一的芯片功能的最終封裝產(chǎn)品，相比現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)封裝，高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)更是降低了系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感等干擾因素，也更能順應(yīng)半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢(shì)要求。另外，在載板上所形成的膠合層的形狀和位置與芯片和無(wú)源器件的功能面的形狀和在載板上的貼合位置相適應(yīng)，因此既方便貼裝芯片時(shí)的定位，又可以避免后續(xù)工藝中難以剝除或大面積的清洗。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括芯片和無(wú)源器件，所述芯片和無(wú)源器件具有功能面；固化的封料層，位于所述芯片和無(wú)源器件的遠(yuǎn)離所述功能面的一側(cè)，所述固化的封料層將所述芯片和無(wú)源器件進(jìn)行封裝。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封料層還填充于所述芯片與芯片之間、芯片與無(wú)源器件之間和/或無(wú)源器件和無(wú)源器件之間的空間。
3.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述無(wú)源器件包括電容、電阻和電感。
4.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封料層的材料為環(huán)氧樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封料層通過(guò)轉(zhuǎn)注、壓縮或印刷的方法形成在所述芯片和無(wú)源器件上。
6.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片包括多個(gè)不同的芯片。
7.如權(quán)利要求1所述的高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括金屬再布線層，位于所述芯片和無(wú)源器件的功能面上，所述金屬再布線層內(nèi)形成有金屬再布線；保護(hù)膜層，位于所述金屬再布線層上；開(kāi)口，位于所述保護(hù)膜層上，所述開(kāi)口暴露出所述金屬再布線；球下金屬層，位于所述開(kāi)口內(nèi)，所述球下金屬層與所述金屬再布線連接；金屬焊球，位于所述球下金屬層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高密度系統(tǒng)級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和無(wú)源器件，所述芯片和無(wú)源器件具有功能面；固化的封料層，位于所述芯片和無(wú)源器件的遠(yuǎn)離所述功能面的一側(cè)，所述固化的封料層將所述芯片和無(wú)源器件進(jìn)行封裝。本發(fā)明提高了封裝的集成度，降低了系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感等干擾因素，也更能順應(yīng)半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢(shì)要求。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102176452SQ201110032390
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月30日
發(fā)明者李紅雷, 石磊, 陶玉娟 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司