專利名稱：處理基板的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭示案是關(guān)于一種用于處理基板的技術(shù)，更特定而言，是關(guān)于一種用于將摻雜劑(dopant)或雜質(zhì)(impurity)引入基板中的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在制造電子設(shè)備的制程中，將摻雜劑或雜質(zhì)引入基板中以更改基板的原始的機(jī)械、光學(xué)或電性質(zhì)。在制造存儲(chǔ)器設(shè)備中，可將硼離子引入硅基板中。由于在晶格(crystal lattice)中硼離子及硅原子具有不同的電性質(zhì)，因此引入足夠量的硼離子可更改硅基板的電性質(zhì)。可使用離子植入(ion implantation)技術(shù)來(lái)引入摻雜劑。在此技術(shù)中，將含有所需物種(species)的饋入材料(feed material)離子化。隨后，將饋入材料的離子以具有所需能量的離子束(ion beam)的形式朝向基板引導(dǎo)，且隨后植入。若離子是來(lái)自不同物種， 則離子可更改基板的性質(zhì)。諸如太陽(yáng)能電池(solar cell)的另一以硅為主基板的設(shè)備，亦可藉由將離子或摻雜劑引入硅基板中來(lái)制造。在過(guò)去，已經(jīng)由擴(kuò)散制程(diffusion process)引入摻雜劑，其中將含有玻璃或糊狀物(paste)的摻雜劑安置于硅基板上。隨后，對(duì)基板進(jìn)行加熱，且玻璃或膏狀物中的摻雜劑經(jīng)由熱擴(kuò)散擴(kuò)散至基板中。雖然擴(kuò)散制程可能較經(jīng)濟(jì)，但所述制程具有許多缺點(diǎn)。在一些太陽(yáng)能電池中，期望執(zhí)行選擇性摻雜以將摻雜劑僅引入至基板的選定區(qū)中。然而，擴(kuò)散制程難以控制，且經(jīng)由擴(kuò)散的選擇性摻雜可能難以達(dá)成。所述制程可導(dǎo)致不精確的摻雜或不一致的摻雜區(qū)的形成。 另外，空隙(void)或氣泡(air bubble)或其他污染物可能在擴(kuò)散制程期間與摻雜劑一起被引入基板中。為解決此些缺點(diǎn)，已提出經(jīng)由離子植入制程進(jìn)行摻雜。在所提出的制程中，將用光阻層(photo-resist layer)涂覆基板，且執(zhí)行微影制程(lithographic process)以曝露基板的若干部分。隨后，執(zhí)行離子植入，且將摻雜劑植入曝露部分中。所述制程雖然達(dá)成精確的選擇性摻雜，但并不便宜。需要額外的步驟及時(shí)間來(lái)涂覆、圖案化及移除光阻，其每一者均增加制造制程的成本。若待曝露的區(qū)極小，則所述步驟可能更復(fù)雜。在制造太陽(yáng)能電池中的任何增加的成本均將降低太陽(yáng)能電池的產(chǎn)生低成本能量的能力。同時(shí)，在制造具有高效率的高效能太陽(yáng)能電池中的任何減少的成本均將對(duì)太陽(yáng)能電池在全世界的實(shí)施具有積極影響。此將達(dá)成清潔能量技術(shù)的較廣可用性及接受度。因此，需要一種新技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
揭示一種用于處理基板的改良技術(shù)。在一特定例示性實(shí)施例中，所述技術(shù)可以用于處理基板的遮罩而實(shí)現(xiàn)，所述遮罩包括一或多個(gè)第一孔，其安置于第一列中；以及一或多個(gè)第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔為非一致的。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可具有不同尺寸。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述高度方向不具有重疊區(qū)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述遮罩可包括所述第一列中的兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔以及所述第二列中的兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔，其中所述第一列中的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔沿所述遮罩的寬度方向彼此對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述第二列中的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔可沿所述遮罩的寬度方向彼此對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔中的每一者及所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔中的每一者沿所述高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述遮罩可還包括一或多個(gè)第三孔，其安置于第三列中，其中所述一或多個(gè)第二孔及所述一或多個(gè)第三孔沿所述遮罩的高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。根據(jù)另一例示性實(shí)施例，所述技術(shù)可以用于處理基板的裝置而實(shí)現(xiàn)，所述裝置可包括離子源，其用于產(chǎn)生包括所需物種的多個(gè)離子的離子束，所述離子束被引導(dǎo)朝向所述基板；遮罩，其安置于所述離子源與所述基板之間，所述遮罩包括一或多個(gè)第一孔，其安置于第一列中；以及一或多個(gè)第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔為非一致的。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可具有不同尺寸。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述高度方向不具有重疊區(qū)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述遮罩可還包括一或多個(gè)第三孔，其安置于第三列中，其中所述一或多個(gè)第二孔及所述一或多個(gè)第三孔沿所述遮罩的高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。根據(jù)另一特定例示性實(shí)施例，所述技術(shù)可以用于處理基板的方法而實(shí)現(xiàn)。所述方法可包括在離子源與所述基板之間安置遮罩，所述遮罩包括安置于第一列中的一或多個(gè)第一孔、安置于第二列中的一或多個(gè)第二孔以及安置于第三列中的一或多個(gè)第三孔，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸；朝向所述遮罩的上部部分引導(dǎo)離子束，以便使所述離子束的第一部分與所述一或多個(gè)第一孔的至少一部分及所述一或多個(gè)第二孔的至少一部分重疊；以及使所述遮罩及所述基板中的至少一者相對(duì)于所述遮罩及所述基板中的另一者平移。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述方法可還包括將所述離子束固定地定位至所述遮罩。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述方法可還包括朝向所述遮罩的下部部分引導(dǎo)所述離子束，以便使所述離子束與所述一或多個(gè)第二孔的至少一部分及所述一或多個(gè)第三孔的至少一部分重疊。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的其他態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)此特定例示性實(shí)施例的額外態(tài)樣，所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔可沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)?，F(xiàn)將如附圖中所示參考本揭示案的例示性實(shí)施例更詳細(xì)地描述本揭示案。雖然下文參考例示性實(shí)施例描述本揭示案，但應(yīng)了解，本揭示案不限于此。已獲得本文教示的熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到額外的實(shí)施方案、修改及實(shí)施例以及其他使用領(lǐng)域，其處于如本文描述的本揭示案的范疇內(nèi)且本揭示案相對(duì)于其可具有顯著實(shí)用性。


現(xiàn)將如隨附圖式所示參考本揭露案之例示性實(shí)施例更詳細(xì)地描述本揭露案。雖然下文參考例示性實(shí)施例描述本揭露案，但應(yīng)了解，本揭露案不限于此。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到額外的實(shí)施方案、修改及實(shí)施例以及其它使用領(lǐng)域，其處于如本文描述之本揭露案之范疇內(nèi)且本揭露案相對(duì)于其可具有顯著實(shí)用性。圖1說(shuō)明可使用本揭示案中描述的技術(shù)達(dá)成的基板。圖2說(shuō)明根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的例示性射束線離子植入系統(tǒng)。圖3說(shuō)明根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的例示性遮罩。圖4說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性遮罩。圖fe及圖恥說(shuō)明根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的例示性技術(shù)。圖6說(shuō)明根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。圖7說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性遮罩。圖及圖8b說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。圖9說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性遮罩。圖10說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性遮罩。圖11說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。圖12說(shuō)明根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一遮罩。
具體實(shí)施例方式本文介紹用于處理基板的技術(shù)的若干實(shí)施例。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，實(shí)施例可著重于用于將摻雜劑或雜質(zhì)引入基板中的技術(shù)。舉例而言，本文描述的技術(shù)可用以形成含有不同劑量或程度的雜質(zhì)的區(qū)和/或含有不同類型雜質(zhì)或摻雜劑的區(qū)。雖然本揭示案著重于特定技術(shù)，但揭示內(nèi)容不限于此。在本揭示案中，是以帶狀射束(ribbon beam)的射束線離子植入系統(tǒng)(beam-line ion implantation system)來(lái)描述實(shí)施例。雖然未詳細(xì)論述，但不排除其他類型的離子植入系統(tǒng)，包含使用點(diǎn)(spot)或聚焦的離子束的掃描射束離子植入系統(tǒng)。另外，可同等適用于其他類型的基板處理系統(tǒng)，包含例如電漿輔助摻雜(plasma assisted doping, PLAD)或電菜浸沒(méi)離子植入(plasma immersion ion implantation, PHI)系統(tǒng)。實(shí)施例中揭示的基板可為用于制造太陽(yáng)能電池的以硅為主的基板。雖然主要論述以硅為主的基板，但本揭示案可同等適用于含有其他材料的基板。舉例而言，含有碲化鎘 (CdTe)、銅銦鎵硒(CIGQ或其他材料的基板亦可適用。另外，其他非太陽(yáng)能電池基板亦可適用于本揭示案。用于制造其他機(jī)械、電子(例如，存儲(chǔ)器設(shè)備)或光學(xué)(例如，發(fā)光二極管 (light emitting diode))設(shè)備或其他設(shè)備的金屬基板、其他半導(dǎo)電基板(semiconducting substrate)以及絕緣基板可同等適用。參見(jiàn)圖1，顯示使用本揭示案的技術(shù)制造的例示性基板100。在本實(shí)施例中，顯示太陽(yáng)能電池基板100。在一側(cè)，基板100可包含一或多個(gè)觸點(diǎn)區(qū)(contact region) 102，在其中每一者上可形成金屬觸點(diǎn)(未圖示)。觸點(diǎn)區(qū)102可藉由將預(yù)定劑量的所需摻雜劑引入?yún)^(qū)102中而形成。若基板100包含兩個(gè)或兩個(gè)以上觸點(diǎn)區(qū)102，則觸點(diǎn)區(qū)102可被一間隔區(qū)(spacer region) 104彼此間隔開(kāi)。在一些實(shí)施例中，基板100亦可包括一或多個(gè)間隔區(qū)104，且每一間隔區(qū)104亦可引入摻雜劑或雜質(zhì)。在本實(shí)施例中，引入觸點(diǎn)區(qū)102及間隔區(qū)104中的摻雜劑物種可相同。然而，觸點(diǎn)區(qū)102可具有比間隔區(qū)104高的摻雜劑劑量。 若基板為太陽(yáng)能電池，則在基板100的前側(cè)上包含重度摻雜觸點(diǎn)區(qū)102及輕度摻雜間隔區(qū) 104的此圖案可稱為選擇性發(fā)射極(selective emitter)設(shè)計(jì)。重度摻雜觸點(diǎn)區(qū)102可達(dá)成觸點(diǎn)區(qū)101與金屬觸點(diǎn)之間的較佳介接(interface)。另外，較高摻雜劑劑量可達(dá)成觸點(diǎn)區(qū)102中的較高導(dǎo)電性。雖然非較佳，但觸點(diǎn)區(qū)102及間隔區(qū)104在其他實(shí)施例中可引入不同的摻雜劑物種。舉例而言，觸點(diǎn)區(qū)102及間隔區(qū)104中的一者可引入ρ型摻雜劑，而觸點(diǎn)區(qū)102及間隔區(qū)104中的另一者被引入η型摻雜劑。在另一實(shí)例中，觸點(diǎn)區(qū)102及間隔區(qū)104可引入相同類型摻雜劑，但此相同類型摻雜劑是不同的物種。另外，觸點(diǎn)區(qū)102中的摻雜劑的劑量亦可大于間隔區(qū)104中的摻雜劑的劑量?；蛘?，觸點(diǎn)區(qū)102中的劑量可等于或小于間隔區(qū)104中的劑量。參見(jiàn)圖2，顯示根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的例示性系統(tǒng)200。在本實(shí)施例中，系統(tǒng)200可用以制造具有圖1所示的選擇性發(fā)射極設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能電池基板。如圖2說(shuō)明，系統(tǒng)200可為射束線離子植入系統(tǒng)，其中可將呈離子形式的摻雜劑引入基板100 中。本實(shí)施例的離子植入系統(tǒng)200可包含離子源202，其耦接至含有所需摻雜劑物種的饋入氣體(feed gas)的氣體匣(gas box) 230 來(lái)自氣體匣230的饋入氣體被供應(yīng)至離子源202，且隨后經(jīng)離子化。此饋入氣體可含有具有來(lái)自第I族及第3A族至第8A族的一種或多種元素的摻雜劑物種。舉例而言，饋入氣體可含有氫(H)、氦(He)或其他稀有氣體、氧(0)、氮(N)、砷(As)、硼(B)、磷(P)、銻、鎵(Ga)、銦(In)或其他氣體。另外，饋入氣體可含有碳硼烷C2BltlH12或另一分子化合物。在饋入氣體被離子化之后，藉由萃取電極 (extraction electrode) 201萃取離子源202中的離子20，所述萃取電極201包含抑制電極(suppression electrode) 201a 及接地電極(ground electrode) 201bo 電源(未圖示) 可耦接至萃取電極201，且可提供可調(diào)整電壓。離子植入系統(tǒng)200亦可包括可選的射束線組件。射束線組件可為可選的，因?yàn)橄到y(tǒng)在其他實(shí)施例中可能省略射束線組件。若包含，則可選的射束線組件可包含質(zhì)譜分析器 (mass analyzer) 203、角度校正器磁體(angle corrector magnet) 207 以及第一及第二加速/減速級(jí)205及209中的至少一者。質(zhì)譜分析器203可根據(jù)離子質(zhì)量而使離子偏轉(zhuǎn)。具有所需質(zhì)量的離子可經(jīng)充分偏轉(zhuǎn)以穿過(guò)質(zhì)譜分析器203的退出孔口(exit aperture)，且進(jìn)一步行進(jìn)至系統(tǒng)200的下游。 同時(shí)，具有非所需質(zhì)量的離子可經(jīng)不充分或過(guò)度偏轉(zhuǎn)，且所述離子可經(jīng)引導(dǎo)至質(zhì)譜分析器 203的壁。角度校正器磁體207同時(shí)可將在發(fā)散路徑(diverging path)中行進(jìn)的離子20 校準(zhǔn)于一實(shí)質(zhì)上平行的路徑。在本實(shí)施例中，發(fā)散的離子束20可被校準(zhǔn)為一實(shí)質(zhì)上平行的帶狀離子束20。若包含，則第一及第二加速/減速級(jí)205及207可加速或減速沿離子束路徑行進(jìn)的離子束20中的離子。沿離子束路徑行進(jìn)的離子束20可朝末端臺(tái)(end station) 206引導(dǎo)。在末端臺(tái) 206中，一或多個(gè)基板100可定位于離子束路徑中，使得離子束20中的離子可植入基板 100中。為控制植入過(guò)程，末端臺(tái)206可含有各種組件。舉例而言，末端臺(tái)206可含有壓板 (platen) 214，其可支撐所述一或多個(gè)基板100。壓板214除支撐基板100以外亦可控制(例如)基板100的溫度以提供熱或冷的離子植入。為提供冷的離子植入，壓板214可在小于室溫的溫度(較佳小于273° K)下維持基板100。為提供熱的離子植入，壓板214可在高于室溫的溫度(較佳大于四3° K)下維持基板100。除壓板214外，本揭示案的離子植入系統(tǒng)200可含有冷卻和/或加熱臺(tái)(未圖示)，其中可在離子植入之前或離子植入之后冷卻或加熱基板100。末端臺(tái)206亦可含有掃描器(未圖示)，例如片座(roplat)，其可將基板100定位于離子束20的路徑中。掃描器亦可相對(duì)于離子束20將基板100平移/旋轉(zhuǎn)至所需位置及定向。在一實(shí)施例中，基板100可定向成實(shí)質(zhì)上垂直于離子束路徑，使得離子以實(shí)質(zhì)上0 ° 入射角或植入角植入。在另一實(shí)施例中，基板可不垂直于離子束20以提供非零入射角或植入角。在一實(shí)施例中，植入角可在整個(gè)植入過(guò)程中保持恒定。在另一實(shí)施例中，植入角可在植入過(guò)程期間變化。在本揭示案中，基板100亦可以所需速率平移，以便控制所植入的離子的劑量。為確保適當(dāng)劑量，末端臺(tái)306亦可包含劑量量測(cè)系統(tǒng)。在離子源202與基板100之間，可定位一或多個(gè)遮罩(mask) 250。在本揭示案中， 遮罩250可包含一或多個(gè)指狀物(finger)以阻擋離子20到達(dá)基板100。遮罩250亦可包含一或多個(gè)孔，離子20可穿過(guò)所述孔且植入基板100中。遮罩250可由系統(tǒng)200的各種組件支撐，該些組件包含末端臺(tái)206的壁。可由支撐遮罩250的各種組件提供遮罩250相對(duì)于離子束20和/或基板100的適當(dāng)定向或位置。舉例而言，致動(dòng)器(未圖示)可耦接至遮罩250以相對(duì)于基板100和/或離子束20平移、旋轉(zhuǎn)或傾斜遮罩250。為防止遮罩250的溫度過(guò)度上升，亦可提供對(duì)遮罩250的冷卻。參見(jiàn)圖3，顯示根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的例示性遮罩350。在本實(shí)施例中，遮罩350可包括至少一指狀物352。遮罩350可選地含有基座(base) 354，且指狀物352可由基座3M支撐。若遮罩350不含有基座354，則遮罩350可為支撐和/或固持在一起的一或多個(gè)指狀物352。若遮罩350包括兩個(gè)或兩個(gè)以上指狀物352，則指狀物352可彼此間隔開(kāi)以界定間隙或孔356。在一實(shí)施例中，遮罩350可具有多個(gè)指狀物352以界定一或多個(gè)間隙或孔，且指狀物352可具有一致的形狀及尺寸。另外，指狀物352可經(jīng)組態(tài)以使得間隙或孔 356具有一致的形狀及尺寸。在另一實(shí)施例中，遮罩350可具有61個(gè)指狀物352，且指狀物 352經(jīng)組態(tài)以形成60個(gè)一致且矩形的孔356。然而，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，遮罩356可具有任一數(shù)目的指狀物352及孔356。另外，孔356可具有一致或不一致的各種形狀及尺寸。遮罩350可由各種材料制成。較佳地，遮罩由能夠承受離子植入的反應(yīng)性條件的惰性材料(inert material)制成。遮罩350中含有的材料的實(shí)例可包含石英、石墨、藍(lán)寶石、硅(Si)、SiC及SiN。材料的其他實(shí)例亦可包含于遮罩350中。其他材料的實(shí)例可包含含有摻雜劑物種的材料。參見(jiàn)圖4，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的另一例示性遮罩450。在本實(shí)施例中，遮罩450可包括至少一指狀物452。遮罩450亦可包括安置于遮罩450的相對(duì)側(cè)處且用以支撐指狀物452的第一基座45 及第二基座。若需要，則遮罩450亦可包含位于遮罩 450的相對(duì)側(cè)處且靠近指狀物而安置的第三基座45 及第四基座454d?；蛘?，可用額外的指狀物452代替第三基座45 及第四基座454d。若遮罩450包括兩個(gè)或兩個(gè)以上指狀物 452，則指狀物452可彼此間隔開(kāi)以界定一或多個(gè)間隙或孔456。在一實(shí)施例中，遮罩450可具有多個(gè)指狀物452，且指狀物452可具有一致的形狀及尺寸。另外，指狀物452可經(jīng)組態(tài)以使得孔456具有一致的形狀及尺寸。然而，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，遮罩456可具有任一數(shù)目的指狀物452及孔456。另外，孔456可具有一致或不一致的各種形狀及尺寸。類似于圖3所示的先前實(shí)施例的遮罩350，遮罩450可包含各種材料。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，將省略所述材料的描述。參見(jiàn)圖fe及圖恥，顯示根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的例示性技術(shù)。 所述圖不一定按比例繪制。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，使用圖2所示的射束線離子植入系統(tǒng)200 及圖3所示的遮罩350描述所述技術(shù)。然而，可使用其他系統(tǒng)，包含使用點(diǎn)或聚焦的離子束的掃描射束離子植入系統(tǒng)。另外，亦可使用其他遮罩，包含圖4所示的遮罩450。為清楚及簡(jiǎn)單的目的可以射束高度來(lái)描述本技術(shù)。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，在帶狀射束離子植入器中，射束高度可指代帶狀射束的實(shí)際高度。相對(duì)于使用點(diǎn)或聚焦的射束的掃描射束離子植入器，所述術(shù)語(yǔ)可指經(jīng)點(diǎn)射束掃描以達(dá)成與帶狀射束離子植入器的效果類似的效果的區(qū)域的高度。在本實(shí)施例中，基板500及遮罩350可安置于離子植入系統(tǒng)200中。如圖及圖 5b說(shuō)明，遮罩350的指狀物352可經(jīng)尺寸設(shè)定或定位，使得其不沿著箭頭510所示的高度方向延伸而穿過(guò)基板500的整個(gè)高度。指狀物352亦可經(jīng)尺寸設(shè)定或定位，使得其不延伸穿過(guò)離子束20的整個(gè)高度。在本實(shí)施例中，遮罩350的指狀物352可延伸穿過(guò)離子束20的高度的約50%。在指狀物352延伸穿過(guò)少于整個(gè)高度的情況下，離子束20在朝向基板500 被引導(dǎo)時(shí)可被劃分為多個(gè)部分。舉例而言，離子束20可包括第一部分20a，其自離子束20 的第一邊緣20i延伸至假想?yún)⒖季€20iii。離子束20亦可包括第二部分20b，其自離子束20的第二邊緣20ii延伸至參考線20iii。參考線20iii可由指狀物的一端352i界定。若指狀物352延伸穿過(guò)離子束20的高度的約50%，則離子束20的第一部分20a 及第二部分20b的高度可實(shí)質(zhì)上相等。離子束的第一部分20a中的離子可直接植入基板 500中以執(zhí)行毯覆式離子植入(blanket ion implantation)。同時(shí)，第二部分20b中的離子的一部分經(jīng)由孔356植入基板500中以執(zhí)行選擇性離子植入。離子束20、遮罩350及基板500中的每一者可具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)及平移自由度 (freedom)，且離子束20、遮罩350及基板500可聯(lián)合地或獨(dú)立地傾斜、旋轉(zhuǎn)和/或平移。在本實(shí)施例中，遮罩350可相對(duì)于離子束20固定地定位。同時(shí)，基板500可沿箭頭510所示的高度方向相對(duì)于離子束20和/或遮罩352平移。雖然未詳細(xì)論述，但基板500在另一實(shí)施例中亦可沿箭頭512所示的方向相對(duì)于離子束20和/或遮罩352平移。在基板500沿高度方向510平移時(shí)，可形成含有摻雜劑的第一區(qū)502及第二區(qū)504。第一區(qū)502可為高度摻雜區(qū)，因?yàn)閬?lái)自離子束的第一部分20a及第二部分20b的摻雜劑被植入。同時(shí)，第二區(qū) 504可為輕度摻雜區(qū)，因?yàn)閬?lái)自離子束的第一部分20a的摻雜劑或離子被植入。將本實(shí)施例的基板500與圖1所示的基板100相比，高度摻雜的第一區(qū)502可對(duì)應(yīng)于觸點(diǎn)區(qū)102，而輕度摻雜的第二區(qū)504可對(duì)應(yīng)于間隔區(qū)104。在觸點(diǎn)區(qū)104的摻雜劑劑量比間隔區(qū)104少的其他實(shí)施例中，高度摻雜的第一區(qū)502可對(duì)應(yīng)于間隔區(qū)104，而輕度摻雜的第二區(qū)504可對(duì)應(yīng)于觸點(diǎn)區(qū)104。可根據(jù)指狀物352及離子束20的高度調(diào)整第一區(qū)502及第二區(qū)504中的摻雜劑劑量或程度。在本實(shí)施例中，指狀物352的高度可為離子束20的高度的約50%。因此，自指狀物352所得的離子束的第一部分20a及第二部分20b可具有相等高度。若離子束20 中的離子的量沿高度方向510實(shí)質(zhì)上一致，且若基板500平移的速率恒定，則第一區(qū)502中的摻雜劑劑量可為第二區(qū)504中的摻雜劑劑量的約兩倍。舉例而言，第一區(qū)502中的摻雜劑劑量可為約2E15/cm2，而第二區(qū)504中的摻雜劑劑量具有l(wèi)E15/cm2摻雜劑劑量。在另一實(shí)施例中，指狀物352的高度可為離子束20的高度的約33% (三分之一)。在所述實(shí)施例中，離子束的第一部分20a的高度可比第二部分20b的高度大約50%。在離子植入之后，第一區(qū)502中的摻雜劑的量可比第二區(qū)504中的摻雜劑的量大約50%。由此，第一區(qū)502及第二區(qū)504中的摻雜劑劑量的比率可為約3 2。另外，為控制摻雜劑劑量，可調(diào)整指狀物352的高度以提供離子束一致性調(diào)諧。舉例而言，可調(diào)整遮罩350的指狀物352的長(zhǎng)度以達(dá)成兩倍Ox) —致植入。藉由使用本揭示案的技術(shù)，可制造帶有兩個(gè)具有不同摻雜劑劑量的區(qū)的基板。不同于現(xiàn)有技術(shù)，本揭示案的技術(shù)在使用時(shí)可以一個(gè)離子束或離子束的一次通過(guò)達(dá)成毯覆式且選擇性的植入，以同時(shí)或?qū)嵸|(zhì)上同時(shí)地產(chǎn)生兩個(gè)區(qū)。另外，所述技術(shù)不需要兩個(gè)不同遮罩。此外，可避免放置不同遮罩、以不同遮罩進(jìn)行處理以及移除遮罩的額外步驟。本揭示案中描述的技術(shù)更簡(jiǎn)單且更有效。參見(jiàn)圖6，顯示根據(jù)本揭示案的一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。圖不一定按比例繪制。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，本實(shí)施例含有與先前實(shí)施例中描述的特征類似的許多特征。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，可不重復(fù)類似特征的描述。所述特征不一定按比例繪制。在本實(shí)施例中，基板500及遮罩650可安置于離子植入系統(tǒng)中。隨后，可朝向基板400引導(dǎo)離子束30。在本實(shí)施例中，沿箭頭510所示的方向的離子束30的高度可充分大， 使得基板400相對(duì)于離子束30的平移可為不必要的。換言之，離子束30的高度充分大，使得基板500中待植入的區(qū)可由離子束30的高度涵蓋，且基板500或離子束30無(wú)需相對(duì)于彼此平移。本實(shí)施例的遮罩550同時(shí)可類似于遮罩350。類似于先前實(shí)施例，本實(shí)施例的離子束30、遮罩550以及基板500中的每一者可具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)及平移自由度。然而，基板500 及離子束30可相對(duì)于彼此固定地定位，使得其可聯(lián)合地傾斜、旋轉(zhuǎn)和/或平移。同時(shí)，遮罩 550可相對(duì)于離子束30及基板500平移。在遮罩550沿高度方向平移時(shí)，可形成高度摻雜的第一區(qū)502及輕度摻雜的第二區(qū)504。為防止摻雜劑進(jìn)入第一區(qū)502及第二區(qū)504中的額外植入，本實(shí)施例的遮罩650可選地包含具有較大高度的基座654。藉由執(zhí)行本實(shí)施例的技術(shù)，可藉由相對(duì)于離子束30平移遮罩650而達(dá)成高度摻雜的第一區(qū)502及輕度摻雜的第二區(qū) 504。參見(jiàn)圖7，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的另一例示性遮罩750。在本實(shí)施例中，遮罩750可包括安置于遮罩750的相對(duì)側(cè)處的上部及下部部分702及704。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，上部及下部部分702及704中的每一者類似于圖3所說(shuō)明的先前實(shí)施例的遮罩350。在上部及下部部分702及704中的每一者中，遮罩750可包括一或多個(gè)第一指狀物75 及一或多個(gè)第二指狀物752b。遮罩750亦可包括可選的第一及第二基座75 及754b，其支撐第一及第二指狀物75 及75沘。另外，遮罩750亦可包含位于相對(duì)側(cè)的靠近指狀物而安置的可選的第三及第四基座75 及754d。若遮罩750的上部及下部部分702及704中的每一者包括兩個(gè)或兩個(gè)以上第一及第二指狀物75 及752b，則指狀物75 及752b可沿寬度方向712彼此間隔開(kāi)以界定一或多個(gè)第一孔756a。遮罩750亦可包括藉由上部及下部部分702及704沿高度方向710彼此間隔開(kāi)而界定的第二孔756b。類似于先前實(shí)施例的遮罩350及450，本實(shí)施例的遮罩750可包含各種材料。參見(jiàn)圖8a及圖8b，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。圖不一定按比例繪制。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，將以圖7所說(shuō)明的遮罩750描述本實(shí)施例的技術(shù)。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，可以其他遮罩執(zhí)行本技術(shù)。另外，為清楚及簡(jiǎn)單的目的，未顯示第三及第四可選基座75 及754d。本實(shí)施例的技術(shù)可為多部分技術(shù)，其中第一部分可類似于圖fe及圖恥所描述的技術(shù)。由此，應(yīng)參照?qǐng)Dfe及圖恥所描述的先前實(shí)施例的技術(shù)來(lái)解讀本實(shí)施例的技術(shù)。在本實(shí)施例中，遮罩750可安置于離子源(未圖示)與基板500之間。隨后，離子束20可沿離子束路徑被引導(dǎo)至基板500。在技術(shù)的第一部分期間，離子束20可被引導(dǎo)至遮罩750的上部部分702，且遮罩750的上部部分702可安置于離子束路徑中。如圖8a所說(shuō)明，第一指狀物75 可經(jīng)尺寸設(shè)定或定位，使得第一指狀物75 不延伸穿過(guò)離子束20的整個(gè)高度。在過(guò)程中，離子束20可被劃分為第一部分20a及第二部分20b。離子束20的第一部分20a中的離子可經(jīng)由第二孔756b直接植入基板中，以便執(zhí)行毯覆式離子植入。同時(shí)，來(lái)自離子束20的第二部分20b的離子的一部分可穿過(guò)一或多個(gè)第一孔756a以執(zhí)行選擇性離子植入。類似于圖如及圖恥中揭示的技術(shù)，基板500可沿高度方向710平移。同時(shí)，遮罩750的上部部分702可關(guān)于離子束20固定地定位。因此，高度摻雜區(qū)(未圖示)及輕度摻雜區(qū)(未圖示)可形成于基板500上。在可在第一部分之后或之前發(fā)生的技術(shù)的第二部分期間，離子束20可被引導(dǎo)至遮罩750的下部部分704。類似于技術(shù)的第一部分，第二指狀物75 可經(jīng)尺寸設(shè)定或定位， 使得第二指狀物75 不延伸穿過(guò)離子束20的整個(gè)高度。在過(guò)程中，離子束20可被劃分為第一部分20a及第二部分20b。不同于技術(shù)的第一部分，離子束的第一部分20a可用以經(jīng)由遮罩750中的下部部分704中的第一孔756a執(zhí)行選擇性離子植入。同時(shí)，可以離子束20a 的第二部分20b執(zhí)行毯覆式離子植入。本實(shí)施例的技術(shù)提供若干優(yōu)點(diǎn)。其中，所述技術(shù)可用以解決離子束20沿高度方向 710的不一致性。在許多離子植入器中，諸如離子劑量變化的不一致性可沿高度方向存在。 所述變化可尤其由空間電荷效應(yīng)(space-charge effect)引起。藉由使用離子束的第一及第二部分兩者來(lái)產(chǎn)生高度摻雜及輕度摻雜區(qū)，可減輕不一致性。另外，可確定遮罩750相對(duì)于基板的位置。舉例而言，遮罩750可安置于基板500 的上游，而無(wú)需校準(zhǔn)第一及第二指狀物75 及752b相對(duì)于基板500及離子束20的相對(duì)位置?？沙蛘谡?50引導(dǎo)離子束20，且根據(jù)由于指狀物75 及752b帶來(lái)的離子束電流的損失，可產(chǎn)生“晶圓圖(wafer map)”。另外，可調(diào)整離子束或基板沿高度方向710掃描的速率以補(bǔ)償任何不對(duì)稱性。舉例而言，當(dāng)基板500不處于進(jìn)行離子植入的狀態(tài)時(shí)，遮罩750可在基板500回轉(zhuǎn)的同時(shí)相對(duì)于離子束移動(dòng)。此可允許在基板的毯覆式植入部分中消除離子束中的不一致性。遮罩750無(wú)需在每次基板回轉(zhuǎn)時(shí)移動(dòng)，但可以使遮罩750以與離子束波動(dòng)的重疊達(dá)最小化的間隔來(lái)進(jìn)行移動(dòng)。舉例而言，此可避免50Hz及60Hz的諧波(harmonic)。參見(jiàn)圖9，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的另一例示性遮罩950。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，對(duì)遮罩950的孔來(lái)進(jìn)行描述。遮罩950可包括沿高度方向910的孔956a_956c的多個(gè)列955a-955c。在本實(shí)施例中，遮罩850可包括三個(gè)列955a_955c。在每一列955a_955c 上，可安置一或多個(gè)孔956a-956c。在本實(shí)施例中，孔956a_956c可為矩形形狀。如圖9所說(shuō)明，本實(shí)施例的每一孔956a-956c可包括沿高度方向910延伸一距離1的第一及第二側(cè) 967a及967b以及沿寬度方向912延伸一距離w的第一及第二寬度969a及969b。在其他實(shí)施例中，孔956a-956c可具有其他形狀。在本實(shí)施例中，鄰近列955a_955c中的孔956a_956c可為不一致的。在本實(shí)施例中，不一致性可與孔956a-956c的位置或?qū)?zhǔn)有關(guān)。舉例而言，第一列95 中的第一孔956a 以及第二列95 中的第二孔956b在高度方向910上未對(duì)準(zhǔn)。在過(guò)程中，孔956a及956b 的中心可沿高度方向910移位一距離χ且不對(duì)準(zhǔn)。而且，鄰近列955a_955c中的孔956a_956c可經(jīng)定位以使得一個(gè)列955a_955c中的孔956a-956c的第一側(cè)967a可相對(duì)于鄰近列955a_955c中的孔956a_956c的第一側(cè)967a 移位且不對(duì)準(zhǔn)。在本實(shí)施例中，鄰近列中的孔956a-956c經(jīng)移位以使得第一孔956a的第一側(cè)967a與第二孔956b的第二側(cè)967b對(duì)準(zhǔn)。在其他實(shí)施例中，第一孔956a的第一側(cè)967a 可與第二孔956b的第二側(cè)967b之間移位一距離d(未圖示)且不對(duì)準(zhǔn)。在本揭示案中，第一孔956a可與第三列955c中的第三孔956c對(duì)準(zhǔn)或不對(duì)準(zhǔn)。類似于先前實(shí)施例的遮罩，本實(shí)施例的遮罩950可包含各種材料。參見(jiàn)圖10，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的另一例示性遮罩1050。在本實(shí)施例中，遮罩1050類似于圖9所示的遮罩950。然而，鄰近列95fe-955c中的孔956a_956c可在高度方向910上重疊有一距離y。參見(jiàn)圖11，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的用于處理基板的另一例示性技術(shù)。 圖不一定按比例繪制。為清楚及簡(jiǎn)單的目的，將以圖9說(shuō)明的遮罩950描述本實(shí)施例的技術(shù)。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到，可以其他遮罩執(zhí)行本技術(shù)。本實(shí)施例的技術(shù)可為多部分技術(shù)，其中第一部分可類似于圖5^圖恥、圖8a及圖 8b描述的技術(shù)。由此，應(yīng)參照?qǐng)D5a、圖恥、圖8a及圖8b描述的先前實(shí)施例的技術(shù)來(lái)解讀本實(shí)施例的技術(shù)。在本實(shí)施例中，遮罩950可安置于離子源(未圖示)與基板(未圖示)之間。隨后，可沿離子束路徑朝向基板引導(dǎo)離子束20。在技術(shù)的第一部分期間，離子束20可被引導(dǎo)至遮罩950的上部部分。舉例而言，離子束20及遮罩950可經(jīng)定位以使得離子束的第一部分20a與第二列95 中的第二孔956b的至少一部分重疊。同時(shí)，離子束的第二部分20b 可與第一列95 中的第一孔956a的至少一部分重疊。當(dāng)基板沿高度方向910平移時(shí)，可形成植入?yún)^(qū)。若第一孔966a的第一側(cè)967a沿高度方向910與第二孔966b的第二側(cè)967b對(duì)準(zhǔn)， 則可形成具有等于第一及第二孔956a及956b的寬度的寬度的植入?yún)^(qū)。若第一孔966a的第一側(cè)967a與第二孔966b的第二側(cè)967b之間移位一距離d，則具有寬度d的非植入?yún)^(qū)可形成于兩個(gè)間隔開(kāi)的植入?yún)^(qū)之間。在可在第一部分之前或之后發(fā)生的技術(shù)的第二部分期間，離子束20可相對(duì)于遮罩950移動(dòng)，使得朝向遮罩950的下部部分引導(dǎo)離子束20。舉例而言，離子束20及遮罩950 可經(jīng)定位以使得離子束的第一部分20a與第三列955c中的第三孔956c的至少一部分重疊。同時(shí)，離子束的第二部分20b可與第二孔956b的至少一部分重疊。在基板平移時(shí)，可減輕沿高度方向910的離子束的不一致性。若使用圖10所示的遮罩1050，則第一及第二孔956a及956b的重疊或第二及第三孔956b及956c的重疊可使得能夠在輕度摻雜區(qū)之間形成具有寬度y的高度摻雜區(qū)?？山逵纱┻^(guò)重疊區(qū)的離子形成重度摻雜區(qū)，而可藉由穿過(guò)非重疊區(qū)的離子形成輕度摻雜區(qū)。此外，若所述技術(shù)為多部分過(guò)程，則可減輕沿射束(未圖示)的高度方向的不一致性。參見(jiàn)圖12，顯示根據(jù)本揭示案的另一實(shí)施例的另一例示性遮罩。遮罩1250可包括多個(gè)列，每一列含有一或多個(gè)孔。在本實(shí)施例中，遮罩1250可包括5個(gè)列1255a-1255e，且一或多個(gè)孔1256a-1256e可安置于每一列上。如圖10說(shuō)明，鄰近列中的孔1056a_1056e為不一致的。舉例而言，鄰近列中的孔1056a-1056c可在尺寸及位置方面不同。類似于先前實(shí)施例的遮罩，本實(shí)施例的遮罩1050可包含各種材料。本揭示案的范疇不受本文所描述的特定實(shí)施例限制。實(shí)際上，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者自前文描述以及附圖將明白除本文所述的實(shí)施例之外的本揭示案的其他各種實(shí)施例及修改。 因此，希望此些其他實(shí)施例及修改屬于本揭示案的范疇內(nèi)。另外，盡管本文已出于特定目的在特定環(huán)境中的特定實(shí)施方案的上下文中描述了本揭示案，但熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將認(rèn)識(shí)到， 本揭示案的有用性不限于此，且可出于任何數(shù)目的目的在任何數(shù)目的環(huán)境下有益地實(shí)施本揭示案。因此，應(yīng)鑒于本文所述的本揭示案的全部廣度及精神而解釋下文所陳述的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種用于處理基板的遮罩，所述遮罩包括一或多個(gè)第一孔，其安置于第一列中；以及一或多個(gè)第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔為非一致的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮罩，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔具有不同尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮罩，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遮罩，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述高度方向不具有重疊區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遮罩，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮罩，其中所述遮罩包括所述第一列中的兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔以及所述第二列中的兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔，其中所述第一列中的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔沿所述遮罩的寬度方向彼此對(duì)準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的遮罩，其中所述第二列中的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔沿所述遮罩的所述寬度方向彼此對(duì)準(zhǔn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的遮罩，其中所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第一孔中的每一者及所述兩個(gè)或兩個(gè)以上第二孔中的每一者沿所述高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮罩，還包括一或多個(gè)第三孔，其安置于第三列中，其中所述一或多個(gè)第二孔及所述一或多個(gè)第三孔沿所述遮罩的高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。
10.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括離子源，其用于產(chǎn)生包括所需物種的多個(gè)離子的離子束，所述離子束被引導(dǎo)朝向基板；遮罩，其安置于所述離子源與所述基板之間，所述遮罩包括一或多個(gè)第一孔，其安置于第一列中；以及一或多個(gè)第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔為非一致的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔具有不同尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述高度方向不具有重疊區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述遮罩還包括一或多個(gè)第三孔，其安置于第三列中，其中所述一或多個(gè)第二孔及所述一或多個(gè)第三孔沿所述遮罩的高度方向彼此成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。
16.一種用于處理基板的方法，所述方法包括在離子源與基板之間安置遮罩，所述遮罩包括安置于第一列中的一或多個(gè)第一孔、安置于第二列中的一或多個(gè)第二孔以及安置于第三列中的一或多個(gè)第三孔，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸；朝向所述遮罩的上部部分引導(dǎo)離子束，以便使所述離子束的第一部分與所述一或多個(gè)第一孔的至少一部分及所述一或多個(gè)第二孔的至少一部分重疊；以及使所述遮罩及所述基板中的至少一者相對(duì)于所述遮罩及所述基板中的另一者平移。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括將所述離子束固定地定位至所述遮罩。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括朝向所述遮罩的下部部分引導(dǎo)所述離子束，以便使所述離子束與所述一或多個(gè)第二孔的至少一部分及所述一或多個(gè)第三孔的至少一部分重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述遮罩的高度方向具有不一致的對(duì)準(zhǔn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔沿所述高度方向重疊以界定重疊區(qū)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述離子束位置相對(duì)于所述遮罩自所述遮罩的上部部分至所述遮罩的所述下部部分的改變?cè)陔x子植入期間發(fā)生。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中安置于所述第一列中的所述一或多個(gè)第一孔沿所述遮罩的高度方向與安置于所述第二列中的所述一或多個(gè)第二孔成未對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中安置于所述第一列中的所述一或多個(gè)第一孔及安置于所述第二列中的所述一或多個(gè)第二孔沿所述遮罩的高度方向重疊以界定重疊區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中安置于所述第一列中的所述一或多個(gè)第一孔及安置于所述第二列中的所述一或多個(gè)第二孔不具有重疊區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用于處理基板的改良技術(shù)。在一特定例示性實(shí)施例中，所述技術(shù)可使用用于處理基板的遮罩而達(dá)成。所述遮罩可并入至諸如離子植入系統(tǒng)的基板處理系統(tǒng)中。所述遮罩可包括一或多個(gè)第一孔，其安置于第一列中；以及一或多個(gè)第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的寬度方向延伸，其中所述一或多個(gè)第一孔及所述一或多個(gè)第二孔為非一致的。
文檔編號(hào)H01L21/265GK102428542SQ201080021679
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2010年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月8日
發(fā)明者凱文·M·丹尼爾斯, 尼可拉斯·P·T·貝特曼, 班杰明·B·里歐登, 羅素·J·洛 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司