專利名稱：倒裝led芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特指倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。
背景技術(shù)：
LED是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，被廣泛的用做指示燈、顯示屏等。白光LED被譽(yù)為替 代熒光燈和白熾燈的第四代照明光源。LED改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與熒光燈三基色粉發(fā)光 的原理，利用電場發(fā)光，具有光效高、無輻射、壽命長、低功耗和環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。形成白光LED 的一種傳統(tǒng)方式是藍(lán)光或紫外芯片激發(fā)覆著在芯片上面的熒光粉，芯片在電驅(qū)動下發(fā)出的 光激勵熒光粉產(chǎn)生其它波段的可見光，各部分混色形成白光。對于LED封裝而言，散熱是個 關(guān)鍵技術(shù)問題，散熱技術(shù)的效果的好壞將直接影響到LED的性能。現(xiàn)有的倒裝LED芯片的 封裝結(jié)構(gòu)多使用陶瓷基板或碳化硅與LED芯片進(jìn)行共晶處理，但LED芯片工作時產(chǎn)生的熱 量是透過共晶部位再將熱量傳導(dǎo)至陶瓷基板或碳化硅，散熱效率低，光衰高，光通量少，封 裝結(jié)構(gòu)工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種增加散熱效率并且封裝 結(jié)構(gòu)工藝簡單的倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，還提供了這種倒裝LED芯片的封裝方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，它包括有LED芯片、散熱基板，散熱基板的前端面上粘 合有熒光膠，LED芯片連接在散熱基板背面的電極上并進(jìn)行共晶處理，LED芯片與熒光膠的 位置相對應(yīng)。所述熒光膠由熒光粉和膠水混合成熒光膠水經(jīng)烤干后制成。本發(fā)明還提供了倒裝LED芯片的封裝方法，包括以下步驟A、烘烤散熱基板去除水氣；B、對散熱基板電漿表面處理；C、在熒光粉中加入膠水混合，制成熒光膠水；D、將熒光膠水以點(diǎn)膠的方式點(diǎn)至散熱基板的前端面上；E、預(yù)烤；F、將LED芯片置于基板背面的電極上；G、將LED芯片與散熱基板一起進(jìn)行共晶處理；H、后烤。其中，步驟E中所述的預(yù)烤具體為在100 150°C溫度下烘烤20 30分鐘。其中，步驟H中所述的后烤具體為在200 250°C溫度下烘烤20 30分鐘。本發(fā)明有益效果在于本發(fā)明包括有LED芯片、散熱基板，散熱基板的前端面上粘 合有熒光膠，LED芯片連接在散熱基板背面的電極上并進(jìn)行共晶處理，LED芯片與熒光膠的 位置相對應(yīng)，本發(fā)明將LED芯片置于基板背面的電極上并與散熱基板一起進(jìn)行共晶處理，散熱基板可將來自共晶部位的熱量快速導(dǎo)出，進(jìn)而降低光衰及增加光通量，并且封裝結(jié)構(gòu) 簡單，簡化了封裝工藝。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，見圖1所示，倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)包 括有LED芯片1、散熱基板2，散熱基板2的前端面上粘合有熒光膠3，LED芯片1連接在散 熱基板2背面的電極4上并進(jìn)行共晶處理，LED芯片1與熒光膠3的位置相對應(yīng)。所述熒光膠3由熒光粉和膠水混合成熒光膠3水經(jīng)烤干后制成。本發(fā)明的熒光粉 與LED芯片1之間用膠水等材料隔開，使得熒光粉和LED芯片1兩部分熱量相分離，提高散 熱效果。采用上述封裝結(jié)構(gòu)的倒裝LED芯片1的封裝方法，包括以下步驟1、烘烤散熱基板2去除水氣；2、對散熱基板2電漿表面處理；3、在熒光粉中加入膠水混合，制成熒光膠3水；4、用點(diǎn)膠機(jī)將熒光膠3水以點(diǎn)膠的方式點(diǎn)至散熱基板2的前端面上的特定位置 處；5、預(yù)烤在100 150°C溫度下烘烤20 30分鐘；6、用精密取放機(jī)將LED芯片1置于基板背面的電極4上；7、用共晶機(jī)將LED芯片1與散熱基板2 —起進(jìn)行共晶處理；8、后烤在200 250°C溫度下烘烤20 30分鐘；9、光學(xué)檢查。本發(fā)明將LED芯片1置于基板背面的電極4上并與散熱基板2 —起進(jìn)行共晶處 理，散熱基板2可將來自共晶部位的熱量快速導(dǎo)出，進(jìn)而降低光衰及增加光通量，可使倒轉(zhuǎn) 芯片LED光通量有效增加10 20%，并有效改善其光衰測試結(jié)果，并且封裝結(jié)構(gòu)簡單，簡化 了封裝工藝。當(dāng)然，以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的 構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，它包括有LED芯片、散熱基板，其特征在于所述散熱基 板的前端面上粘合有熒光膠，LED芯片連接在散熱基板背面的電極上并進(jìn)行共晶處理，LED 芯片與熒光膠的位置相對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光膠由熒光 粉和膠水混合成熒光膠水經(jīng)烤干后制成。
3.倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟A、烘烤散熱基板去除水氣；B、對散熱基板電漿表面處理；C、在熒光粉中加入膠水混合，制成熒光膠水；D、將熒光膠水以點(diǎn)膠的方式點(diǎn)至散熱基板的前端面上；E、預(yù)烤；F、將LED芯片置于基板背面的電極上；G、將LED芯片與散熱基板一起進(jìn)行共晶處理；H、后烤。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于步驟E中所述的預(yù) 烤具體為在100 150°C溫度下烘烤20 30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于步驟H中所述的后 烤具體為在200 250°C溫度下烘烤20 30分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特指倒裝LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，它包括有LED芯片、散熱基板，散熱基板的前端面上粘合有熒光膠，LED芯片連接在散熱基板背面的電極上并進(jìn)行共晶處理，LED芯片與熒光膠的位置相對應(yīng)，本發(fā)明將LED芯片置于基板背面的電極上并與散熱基板一起進(jìn)行共晶處理，散熱基板可將來自共晶部位的熱量快速導(dǎo)出，進(jìn)而降低光衰及增加光通量，并且封裝結(jié)構(gòu)簡單，簡化了封裝工藝。
文檔編號H01L33/64GK102005531SQ20101050910
公開日2011年4月6日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者陳林 申請人:陳林