專利名稱：高亮度大功率led及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特指高亮度大功率LED及其制作方法。
背景技術(shù)：
LED是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，被廣泛的用做指示燈、顯示屏等。白光LED被譽(yù)為替 代熒光燈和白熾燈的第四代照明光源。LED改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與熒光燈三基色粉發(fā)光 的原理，利用電場(chǎng)發(fā)光，具有光效高、無(wú)輻射、壽命長(zhǎng)、低功耗和環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。形成白光LED 的一種傳統(tǒng)方式是藍(lán)光或紫外芯片激發(fā)覆著在芯片上面的熒光粉，芯片在電驅(qū)動(dòng)下發(fā)出的 光激勵(lì)熒光粉產(chǎn)生其它波段的可見光，各部分混色形成白光。隨著LED應(yīng)用的不斷拓展，對(duì) LED封裝的發(fā)光效率要求也越來(lái)越高，而發(fā)光效率是決定LED封裝的最重要的參數(shù)。
目前，LED包括基板和晶粒，晶粒固定安裝在基板內(nèi)，晶粒通過(guò)導(dǎo)線連接基板的電 極，其一般做法是先將晶粒固定在基板內(nèi)，然后將導(dǎo)線的兩分別焊接在晶粒和基板電極上， 接著將熒光膠水注入基板內(nèi)，最后烘烤使熒光膠水固化制成產(chǎn)品。但是現(xiàn)有的大功率LED 封裝結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，封裝有嚴(yán)重的散熱問(wèn)題，散熱效率不佳，，LED芯片無(wú)法有效提升光通量， 而想要采取特定發(fā)光角度時(shí)還需使用透鏡，如此這種封裝結(jié)構(gòu)降低良率，增加成本。因此， 如何提高LED封裝的光通量同時(shí)又能解決散熱問(wèn)題成為業(yè)界急待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種能夠增加光通量、并提高 散熱效率的高亮度大功率LED，還提供了這種高亮度大功率LED的制作方法，旨在解決現(xiàn)有 的LED封裝光通量低、散熱效率低的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安裝在基板內(nèi)，晶粒通過(guò)導(dǎo)線 連接基板的電極，基板的內(nèi)表面涂覆有納米玻璃層，基板上蓋設(shè)有遮罩住晶粒的氧化銦錫 微透鏡，氧化銦錫微透鏡與晶粒之間設(shè)有熒光膠，氧化銦錫微透鏡的外側(cè)表面設(shè)有光控制膜。
所述納米玻璃層的厚度為1 3 μ m。
所述導(dǎo)線為金線。
所述光控制膜厚度為50 lOOnm。
本發(fā)明還公開高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步驟
A、將納米玻璃均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，制得納米玻璃溶液；
B、對(duì)基板進(jìn)行電漿表面處理；
C、將基板的特定區(qū)域點(diǎn)紅膠；
D、將納米玻璃溶液注入基板內(nèi)；
E、烘烤使納米玻璃溶液中的可揮發(fā)溶劑揮發(fā)，納米玻璃均勻沉積于基板的內(nèi)表面 形成納米玻璃層；
F、去除紅膠；
G、將晶粒固定在基板內(nèi)；
H、將導(dǎo)線的兩分別焊接在晶粒和基板電極上；
I、將熒光膠水注入基板內(nèi)；
J、將氧化銦錫微透鏡蓋于基板上；
K、烘烤；
L、在氧化銦錫微透鏡上貼光控制膜或鍍光學(xué)膜。
步驟E中基板在100 150°C的溫度下烘烤5 15分鐘。
步驟A中所述可揮發(fā)溶劑為醇類溶劑，如甲醇、乙醇等，其中納米玻璃溶液包括以 下重量百分比的組分
醇99 99. 9%
納米玻璃0. 1 1 %
分散劑0 0.01%。
所述分散劑為納米級(jí)脂肪酸。
步驟L中所述光控制膜厚度為50 lOOnm。
本發(fā)明有益效果在于本發(fā)明包括有基板和晶粒，晶粒固定安裝在基板內(nèi)，晶粒通 過(guò)導(dǎo)線連接基板的電極，基板的內(nèi)表面涂覆有納米玻璃層，基板上蓋設(shè)有遮罩住晶粒的氧 化銦錫微透鏡，氧化銦錫微透鏡與晶粒之間設(shè)有熒光膠，氧化銦錫微透鏡的外側(cè)表面設(shè)有 光控制膜，在將晶粒固定在基板之前，先將均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，制得納米玻璃溶液， 然后將納米玻璃溶液注入基板內(nèi)，烘烤使納米玻璃溶液中的可揮發(fā)溶劑揮發(fā)，納米玻璃均 勻沉積于基板的內(nèi)表面形成納米玻璃層，固晶后將氧化銦錫微透鏡蓋于基板上，并在氧化 銦錫微透鏡上貼光控制膜或鍍光學(xué)膜，本發(fā)明利用納米玻璃層為高效反射層，提升光通量， 降低光損失，同時(shí)利用氧化銦錫微透鏡將點(diǎn)光源變成面光源，使光線均勻分布，又配合光控 制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散熱效率。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，見圖1所示
實(shí)施例1
高亮度大功率LED包括有基板1和晶粒2，晶粒2固定安裝在基板1內(nèi)，晶粒2通 過(guò)導(dǎo)線3連接基板1的電極，導(dǎo)線3為金線，電阻低，減少發(fā)熱量。基板1的內(nèi)表面涂覆有 納米玻璃層4，納米玻璃層4的厚度為1 3 μ m，厚度為1 3 μ m時(shí)具有較佳的綜合性能， 如可以是1 μ m、l. 5 μ m、2 μ m、3 μ m等，優(yōu)選為2 μ m?；?上蓋設(shè)有遮罩住晶粒2的納米 級(jí)氧化銦錫微透鏡5，氧化銦錫微透鏡5與晶粒2之間設(shè)有熒光膠7，氧化銦錫微透鏡5的 外側(cè)表面設(shè)有光控制膜6，光控制膜6厚度為50 lOOnm，如可以是50nm、75nm、90nm、IOOnm 等，優(yōu)選為75nm。
采用上述封裝結(jié)構(gòu)的高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步驟4
1、將納米玻璃均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，制得納米玻璃溶液；
2、對(duì)基板1進(jìn)行電漿表面處理；
3、用點(diǎn)膠機(jī)將基板1的特定區(qū)域點(diǎn)紅膠，該特定區(qū)域?yàn)殡姌O的區(qū)域；
4、用點(diǎn)膠機(jī)將將納米玻璃溶液點(diǎn)入基板1內(nèi)；
5、基板1在100 150°C的溫度下烘烤5 15分鐘，使納米玻璃溶液中的可揮發(fā) 溶劑揮發(fā)，納米玻璃均勻沉積于基板1的內(nèi)表面形成納米玻璃層4 ；
6、去除紅膠；
7、將晶粒2固定在基板1內(nèi)；
8、將導(dǎo)線3的兩分別焊接在晶粒2和基板1電極上；
9、將熒光粉加膠水混合配備成熒光膠水；
10、將熒光膠水用點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入基板1內(nèi)；
11、用自動(dòng)蓋透鏡機(jī)將氧化銦錫微透鏡5蓋于基板1上；
12、烘烤使熒光膠水固化；
13、在氧化銦錫微透鏡5上貼光控制膜6或鍍光學(xué)膜。
其中，可揮發(fā)溶劑為醇類溶劑，納米玻璃溶液包括重量分的組分甲醇98. 99、納 米玻璃1、納米級(jí)脂肪酸0.01。
本發(fā)明在將晶粒2固定在基板1之前，先將均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，制得納米玻 璃溶液，然后將納米玻璃溶液注入基板1內(nèi)，烘烤使納米玻璃溶液中的可揮發(fā)溶劑揮發(fā)，納 米玻璃均勻沉積于基板1的內(nèi)表面形成納米玻璃層4，固晶后將氧化銦錫微透鏡5蓋于基板 1上，并在氧化銦錫微透鏡5上貼光控制膜6或鍍光學(xué)膜，本發(fā)明利用納米玻璃層4為高效 反射層，提升光通量，降低光損失，同時(shí)利用氧化銦錫微透鏡5將點(diǎn)光源變成面光源，使光 線均勻分布，又配合光控制膜6控制出光角度，可有效增加光通量至160-180Lm，并提高散 熱效率。
實(shí)施例2
與實(shí)施例1不同的是，納米玻璃溶液包括重量分的組分乙醇99、納米玻璃0. 99、 納米級(jí)脂肪酸0.01。
實(shí)施例3
與實(shí)施例1不同的是，納米玻璃溶液包括重量分的組分甲醇99. 9、納米玻璃0. 1。
實(shí)施例4
與實(shí)施例1不同的是，納米玻璃溶液包括重量分的組分乙醇99. 89、納米玻璃 0. 1、納米級(jí)脂肪酸0.01。
當(dāng)然，以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，故凡依本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu) 造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安裝在基板內(nèi)，晶粒通過(guò)導(dǎo)線連 接基板的電極，其特征在于所述基板的內(nèi)表面涂覆有納米玻璃層，基板上蓋設(shè)有遮罩住晶 粒的氧化銦錫微透鏡，氧化銦錫微透鏡與晶粒之間設(shè)有熒光膠，氧化銦錫微透鏡的外側(cè)表 面設(shè)有光控制膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述納米玻璃層的厚度為 1 3 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述導(dǎo)線為金線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述光控制膜厚度為50 IOOnm0
5.高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于，包括以下步驟A、將納米玻璃均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，制得納米玻璃溶液；B、對(duì)基板進(jìn)行電漿表面處理；C、將基板的特定區(qū)域點(diǎn)紅膠；D、將納米玻璃溶液注入基板內(nèi)；E、烘烤使納米玻璃溶液中的可揮發(fā)溶劑揮發(fā)，納米玻璃均勻沉積于基板的內(nèi)表面形成 納米玻璃層；F、去除紅膠；G、將晶粒固定在基板內(nèi)；H、將導(dǎo)線的兩分別焊接在晶粒和基板電極上；I、將熒光膠水注入基板內(nèi)；J、將氧化銦錫微透鏡蓋于基板上；K、烘烤；L、在氧化銦錫微透鏡上貼光控制膜或鍍光學(xué)膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 在100 150°C的溫度下烘烤5 15分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 可揮發(fā)溶劑為醇類溶劑，其中納米玻璃溶液包括以下重量百分比的組分醇 99 99. 9%納米玻璃0. 1 分散劑0 0.01%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 納米級(jí)脂肪酸。
9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任意一項(xiàng)所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于步 驟L中所述光控制膜厚度為50 lOOnm。步驟E中基板 步驟A中所述所述分散劑為
全文摘要
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特指高亮度大功率LED及其制作方法，它包括有基板和晶粒，基板的內(nèi)表面涂覆有納米玻璃層，基板上蓋設(shè)氧化銦錫微透鏡，氧化銦錫微透鏡與晶粒之間設(shè)有熒光膠，氧化銦錫微透鏡的外側(cè)表面設(shè)有光控制膜，在將晶粒固定在基板之前，先將均勻分散于可揮發(fā)溶劑中，然后注入基板內(nèi)，烘烤使可揮發(fā)溶劑揮發(fā)，納米玻璃均勻沉積于基板的內(nèi)表面形成納米玻璃層，固晶后將氧化銦錫微透鏡蓋于基板上，并貼光控制膜或鍍光學(xué)膜，本發(fā)明利用納米玻璃層為高效反射層，提升光通量，降低光損失，同時(shí)利用氧化銦錫微透鏡將點(diǎn)光源變成面光源，使光線均勻分布，又配合光控制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散熱效率。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102034919SQ201010509110
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者陳林 申請(qǐng)人:陳林