專利名稱：電子封裝、用于電子裝置的散熱結構及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明有關于一種集成電路(integrated circuit, IC)制造，特別是有關于一種用于電子裝置的散熱結構及其制造方法。
背景技術：
可攜式電子產(chǎn)品，例如手機、行動計算機及其它消費性產(chǎn)品需要在厚度薄、重量輕及低成本的限制因素下呈現(xiàn)高效能及功能，因而驅使制造業(yè)者必須增加半導體芯片的集成度(integration)。而隨著半導體技術的向上發(fā)展，集成電路的集成度或是半導體元件(例如，晶體管、二極管、電阻、電容等等)的密度得以不斷提升。在高集成度或高密度的集成電路中，因集成電路的功率及操作頻率增加，散熱(heat dissipation)問題成為限制集成電路中微電子裝置效能的因素之一。傳統(tǒng)上解決熱產(chǎn)生的方法是包含于電子裝置操作期間，提供一散熱裝置(S卩，散熱片)與IC封裝中的IC芯片作熱接觸。亦即，每一 IC芯片的上表面與對應的散熱器作熱接觸。然而，為了每一 IC芯片而提供一分離的散熱器會增加制造成本，且會增加IC封裝裝置的整體尺寸，其并不利于部件或裝置尺寸持續(xù)縮小的趨勢。另一種解決熱產(chǎn)生的方法包含在IC芯片或封裝基底的上表面形成一類鉆碳 (diamond like carbon, DLC)薄膜，以作為鈍化保護(passivation)層及導熱絕緣層。鈍化保護層上通常需形成開口以形成由金屬構成的重布局線(redistribution line, RDL)/ 走線(circuit trace)或是接合墊(bondpad)。然而，由于類鉆碳薄膜難以加工且與金屬附著性不佳，因而降低裝置的可靠度及良率。因此，有必要發(fā)展一種新的用于電子裝置的散熱結構，其能夠改善上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種用于電子裝置的散熱結構，包括一主體，具有一第一表面及相對于第一表面的一第二表面；一含硅絕緣層，設置于主體的第一表面上； 一超納米結晶鉆石薄膜，設置于含硅絕緣層上；以及一導電圖案層，設置于含硅絕緣層上且被超納米結晶鉆石薄膜包圍，其中超納米結晶鉆石薄膜與導電圖案層在上視方向彼此不重迭。本發(fā)明實施例提供一種用于電子裝置的散熱結構的制造方法。提供一主體，其具有一第一表面及相對于第一表面的一第二表面。在主體的第一表面上形成一含硅絕緣層。 在含硅絕緣層上分別形成一導電圖案層及一超納米結晶鉆石薄膜，其中導電圖案層被超納米結晶鉆石薄膜包圍，且超納米結晶鉆石薄膜與導電圖案層在上視方向彼此不重迭。


以下結合

本發(fā)明實施例的制作與使用。然而，可輕易了解本發(fā)明所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍，其中
圖1至圖3是繪示出根據(jù)本發(fā)明不同實施例的具有用于電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖。圖4A至圖4J是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖。圖5A至圖5F是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖。圖6A至圖6J是繪示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖。圖7A至圖7F是繪示出根據(jù)本發(fā)明另又另一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖。
具體實施例方式圖1是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的具有用于電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖。請參照圖1，電子封裝10包括一散熱結構以及設置于散熱結構上的電子裝置 100。在本實施例中，散熱結構包括一主體201、一含硅絕緣層203、一超納米結晶鉆石薄膜 (ultrananocrystallinediamond，UNCD)207、第一導電圖案層及第二導電圖案層214。主體 201具有一第一表面201a (例如，上表面)及相對于第一表面201a的一第二表面201b (例如，下表面)。在一實施例中，主體201可為一封裝基板或電路板，且可由半導體材料(例如，硅、鍺化硅、氮化鎵、砷化鎵)、陶瓷、或高分子材料所構成。在另一實施例中，主體201可為一半導體芯片，且其內(nèi)具有至少一半導體元件及電性連接半導體元件的至少一內(nèi)聯(lián)線結構。含硅絕緣層203，例如氮化硅、四乙基硅酸鹽(tetraethylorthosilicate，TE0S) 氧化物、二氧化硅，設置于主體201的第一表面201a上。特別的是超納米結晶鉆石薄膜207 及第一導電圖案層設置于含硅絕緣層203上，其中第一導電圖案層被超納米結晶鉆石薄膜 207包圍。再者，超納米結晶鉆石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。在本實施例中，超納米結晶鉆石薄膜207是作為散熱結構中的導熱絕緣層。再者， 第一導電圖案層主要由阻擋材料層20 及導電層204b所構成。另外，導電層204b上可額外形成其它導電結構，例如阻擋材料層210a、導電層210b以及導電層212。在一實施例中， 導電層204b及210b可包括電鍍銅，而阻擋材料層20 及210a可包括TiW/Cu，以分別作為導電層204b及210b的種子(seed)層。再者，導電層212可由銅、錫或其它已知的焊料所構成。第二導電圖案層214設置于主體201的第二表面201b上，其材質(zhì)可相同或相似于導電層212。再者，主體201內(nèi)具有至少一通孔電極(throughVia)210，其由位于主體201 內(nèi)的阻擋材料層210a及導電層210b所構成，且由絕緣層209而與主體201電性絕緣。在本實施例中，絕緣層209可包括氮化硅、二氧化硅或超納米結晶鉆石(UNCD)。再者，通孔電極210自主體201的第二表面201b延伸至第一導電圖案層內(nèi)，用以電性連接于第一導電圖案層與第二導電圖案層214之間。第二導電圖案層214、通孔電極210、第一導電圖案層及超納米結晶鉆石薄膜207亦可構成一散熱路徑。電子裝置100，例如二極管芯片或其它半導體芯片，通過一粘著層IOOb而貼附于超納米結晶鉆石薄膜207上，且可利用打線接合(wire bonding)工藝，使電子裝置100通過接線(wire) IOOa將電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層。請參照圖2，其繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有用于電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖，其中相同于圖1的部件是使用相同的標號并省略其說明。在本實施例中，電子封裝20中的電子裝置100設置于第一導電圖案層上。電子裝置100可通過覆晶 (flip chip)工藝，使電子裝置100通過多個凸塊(bump) IOOc而電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層，且經(jīng)由對應的通孔電極210而與第二導電圖案層214電性連接。請參照圖3，其繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有用于電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖，其中相同于圖1的部件是使用相同的標號并省略其說明。在本實施例中，電子封裝30中的電子裝置100設置于第一導電圖案層上方的導電層212上。電子裝置100通過接線IOOa以及凸塊(未繪示)將電子裝置100電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層，且經(jīng)由對應的通孔電極210而與第二導電圖案層214電性連接。圖4A至圖4J是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖，其中相同于圖1至圖3的部件是使用相同的標號。請參照圖4A，提供一主體201，其具有一第一表面201a(例如，上表面)及相對于第一表面201a的一第二表面 201b (例如，下表面)。在本實施例中，主體201可為一封裝基板或電路板，且可由半導體材料(例如，硅、鍺化硅、氮化鎵、砷化鎵)、陶瓷、或高分子材料所構成。接著，可通過熱氧化法或沉積技術，例如化學氣相沉積(chemical vapor exposition，CVD)，在主體201的第一表面201a上形成一含硅絕緣層203，例如氮化硅、四乙基硅酸鹽氧化物或二氧化硅。之后， 可利用濺渡工藝(sputtering)或適當?shù)某练e技術，在含硅絕緣層203上毯覆性地形成一阻擋材料層20 ，例如TiW/Cu或其它已知的金屬阻擋材料。在本實施例中，阻擋材料層20 可作為后續(xù)金屬電鍍的種子層。請參照圖4B，在阻擋材料層20 上形成一光刻膠層205。之后，通過已知光刻工藝，在光刻膠層205內(nèi)形成一開口圖案20 而局部露出阻擋材料層20 ，用以在后續(xù)工藝中制作導電圖案。請參照圖4C，在開口圖案20 內(nèi)填入一導電層204b。舉例來說，利用露出的阻擋材料層20 作為種子層以進行電鍍工藝(plating)而形成導電層204b。之后，依序去除光刻膠層205以及位于光刻膠層下方的阻擋材料層20 ，以形成第一導電圖案層(包括阻擋材料層20 及導電層204b)并而局部露出含硅絕緣層203，分別如圖4D及圖4E所示。請參照圖4F，在露出的含硅絕緣層203上形成一超納米結晶鉆石薄膜207，使第一導電圖案層大體上被超納米結晶鉆石薄膜207包圍，且超納米結晶鉆石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。舉例來說，通過CVD工藝并利用氬氣及甲烷(CH4)作為工藝氣體，以形成超納米結晶鉆石薄膜207，其中工藝壓力可在90torr至120torr的范圍而工藝溫度可在450°C至500°C的范圍。由于超納米結晶鉆石薄膜207具有良好的貼附性 (conformity)，因此可完全覆蓋露出的含硅絕緣層203并貼合于第一導電圖案層的側壁而構成良好的鈍化保護膜及導熱絕緣膜。請參照圖4G，可通過已知蝕刻工藝，例如干蝕刻，在第一導電圖案層內(nèi)形成至少一開口 208，其延伸于局部的主體201內(nèi)，用以在后續(xù)工藝中制作通孔電極。請參照圖4H，在開口 208的側壁及底部上形成一絕緣層209，例如氮化硅、二氧化硅或超納米結晶鉆石。之后，在第一導電圖案層上形成作為種子層的一阻擋材料層210a并覆蓋位于開口 208的側壁及底部上的絕緣層209。阻擋材料層210a的材質(zhì)可相同或相似于阻擋材料層20 。請參照圖41，可進行電鍍工藝或其它適當沉積工藝，以在第一導電圖案層上方的阻擋材料層210a上形成一導電層210b并填入開口 208 (如圖4H所示)。請參照圖4J，可進行薄化工藝，例如化學機械研磨工藝(chemicalmechanical polishing, CMP)或蝕刻工藝，自主體201的第二表面201b去除部分的主體201，直至露出位于主體201的開口 208(如圖4H所示)內(nèi)的導電層210b，以在主體201內(nèi)形成一通孔電極210 (S卩，位于開口 208內(nèi)的阻擋材料層210a及導電層210b)。在本實施例中，通孔電極 210自主體201的第二表面201b延伸至第一導電圖案層內(nèi)。最后，可通過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層212，同時在主體201的第二表面201b上形成一第二導電圖案層 214，其中第二導電圖案層214通過通孔電極210而電性連接至第一導電圖案層。如此一來， 便可完成本實施例的散熱結構。在一實施例中，導電層212及第二導電圖案層214可由相同的材料(例如，銅、錫或其它已知的焊料)所構成并通過電鍍法同時制做而成。在其它實施例中，導電層212及第二導電圖案層214可由不同導電材料所構成。上述散熱結構可進一步裝配于一電子裝置100(例如，發(fā)光二極管芯片或其它半導體芯片)下方，以形成具有散熱結構的電子封裝，如圖1所示。圖5A至圖5F是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖，其中相同于圖4A至圖4J的部件是使用相同的標號并省略其說明。請參照圖5A，提供一主體201，其具有一第一表面201a及一第二表面201b?？赏ㄟ^蝕刻工藝， 在主體201內(nèi)形成至少一開口 201c，以在后續(xù)工藝中制做通孔電極。需注意的是開口 201c 的數(shù)量是取決于設計需求。此處為了簡化說明，僅繪示出二個開口 201c。請參照圖5B，在主體201的第一表面201a上形成一含硅絕緣層203并延伸進入開口 201c的側壁及底部。之后，在含硅絕緣層203上形成一阻擋材料層2(Ma。請參照圖5C，在阻擋材料層20 上形成一導電層210b并填入主體201的開口 201c內(nèi)。之后，可通過已知光刻及蝕刻工藝，以圖案化導電層210b及下方的阻擋材料層 20 ，而形成第一導電圖案層并局部露出含硅絕緣層203，如圖5D所示。請參照圖5E，在露出的含硅絕緣層203上形成一超納米結晶鉆石薄膜207，使第一導電圖案層大體上被超納米結晶鉆石薄膜207包圍，且超納米結晶鉆石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。接著，可進行薄化工藝，自主體201的第二表面201b去除部分的主體201，直至露出位于主體201的開口 201c (如圖5B所示)內(nèi)的阻擋材料層20 及導電層210b，以在主體201內(nèi)形成一通孔電極210( S卩，位于開口 201c內(nèi)的阻擋材料層 20 及導電層210b)。請參照圖5F，可通過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層212，同時在主體 201的第二表面201b上形成一第二導電圖案層214，其中第二導電圖案層214通過通孔電極210而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例的散熱結構。上述散熱結構可進一步裝配于一電子裝置100(例如，發(fā)光二極管芯片或其它半導體芯片)下方， 以形成具有散熱結構的電子封裝，如圖2所示。圖6A至圖6J是繪示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖。請參照圖6A，提供一主體301，其具有一第一表面301a(例如，上表面) 及相對于第一表面301a的一第二表面301b (例如，下表面)。在本實施例中，主體301可為一半導體芯片，且其內(nèi)具有至少一內(nèi)聯(lián)線結構302(包括多層金屬層以及連接多層金屬層的導電插塞(Plug))以及至少一半導體元件(未繪示)，例如晶體管、電阻、電容或其它現(xiàn)有的半導體元件。內(nèi)聯(lián)線結構302電性連接至半導體元件。接著，可通過熱氧化法或沉積技術，在主體301的第一表面301a上形成一含硅絕緣層303，例如氮化硅、四乙基酸鹽氧化物或二氧化硅。之后，可在含硅絕緣層303內(nèi)形成開口以露出主體301內(nèi)的內(nèi)聯(lián)線結構302。利用濺渡工藝或適當?shù)某练e技術，在含硅絕緣層 303上毯覆性地形成一阻擋材料層30如(例如，TiW/Cu或其它已知的金屬阻擋材料)并填入開口中，以在開口內(nèi)形成導電插塞303a。在本實施例中，阻擋材料層30 可作為后續(xù)金屬電鍍的種子層。請參照圖6B，在阻擋材料層30 上形成一光刻膠層305。之后，通過已知光刻工藝，在光刻膠層305內(nèi)形成一開口圖案30 而局部露出阻擋材料層30 ，用以在后續(xù)工藝中制作導電圖案。請參照圖6C，在開口圖案30 內(nèi)填入一導電層304b。舉例來說，利用露出的阻擋材料層30 作為種子層以進行電鍍工藝而形成導電層304b。之后，依序去除光刻膠層305以及位于光刻膠層下方的阻擋材料層30 ，以形成第一導電圖案層(包括阻擋材料層30 及導電層304b)并而局部露出含硅絕緣層303，分別如圖6D及圖6E所示。第一導電圖案層通過導電插塞303a而與內(nèi)聯(lián)線結構302電性連接。請參照圖6F，在露出的含硅絕緣層303上形成一超納米結晶鉆石薄膜307，使第一導電圖案層大體上被超納米結晶鉆石薄膜307包圍，且超納米結晶鉆石薄膜307與第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。請參照圖6G，可通過已知蝕刻工藝，例如干蝕刻，在第一導電圖案層內(nèi)形成至少一開口 308，其延伸于局部的主體301內(nèi)，用以在后續(xù)工藝中制作通孔電極。請參照圖6H，在開口 308的側壁及底部上形成一絕緣層309，例如氮化硅、二氧化硅或超納米結晶鉆石。之后，在第一導電圖案層上形成作為種子層的一阻擋材料層310a并覆蓋位于開口 308的側壁及底部上的絕緣層309。阻擋材料層310a的材質(zhì)可相同或相似于阻擋材料層30 。請參照圖61，可進行電鍍工藝或其它適當沉積工藝，以在第一導電圖案層上方的阻擋材料層310a上形成一導電層310b并填入開口 308 (如圖6H所示)。請參照圖6J，可進行薄化工藝，自主體301的第二表面301b去除部分的主體301， 直至露出位于主體301的開口 308(如圖6H所示)內(nèi)的導電層310b，以在主體301內(nèi)形成一通孔電極310( S卩，位于開口 308內(nèi)的阻擋材料層310a及導電層310b)。在本實施例中， 通孔電極310自主體301的第二表面301b延伸至第一導電圖案層內(nèi)。最后，可通過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層312，同時在主體301的第二表面301b上形成一第二導電圖案層314，其中第二導電圖案層314通過通孔電極310而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例的散熱結構。在一實施例中，導電層312及第二導電圖案層314 可由相同的材料(例如，銅、錫或其它已知的焊料)所構成并通過電鍍法同時制做而成。在其它實施例中，導電層312及第二導電圖案層314可由不同導電材料所構成。上述散熱結構可進一步裝配于一電子裝置(例如，發(fā)光二極管芯片或其它半導體芯片)下方，以形成具有散熱結構的三維集成電路(three-dimensional integrated circuit，3DIC)。圖7A至圖7F是繪示出根據(jù)本發(fā)明又另一實施例的用于電子裝置的散熱結構的制造方法剖面示意圖，其中相同于圖6A至圖6J的部件是使用相同的標號并省略其說明。請參照圖6A，提供一主體301，其具有一第一表面301a及一第二表面301b。主體301可為一半導體芯片，且其內(nèi)具有至少一內(nèi)聯(lián)線結構302以及至少一半導體元件。內(nèi)聯(lián)線結構302 電性連接至半導體元件。可通過蝕刻工藝，在主體301內(nèi)形成至少一開口 301c，以在后續(xù)工藝中制做通孔電極。需注意的是開口 301c的數(shù)量是取決于設計需求。此處為了簡化說明， 僅繪示出二個開口 301c。請參照圖7B，在主體301的第一表面301a上形成一含硅絕緣層303并延伸進入開口 301c的側壁及底部。之后，可在含硅絕緣層303內(nèi)形成開口 301d，以露出主體301內(nèi)的內(nèi)聯(lián)線結構302。在含硅絕緣層303上形成一阻擋材料層30 并填入開口 301c及301d中。請參照圖7C，在阻擋材料層30 上形成一導電層310b并填入主體301的開口 301c及301d內(nèi)，以形成電性連接內(nèi)線結構302的導電插塞。之后，可通過已知光刻及蝕刻工藝，以圖案化導電層310b及下方的阻擋材料層30 ，而形成第一導電圖案層并局部露出含硅絕緣層303，如圖7D所示。請參照圖7E，在露出的含硅絕緣層303上形成一超納米結晶鉆石薄膜307，使第一導電圖案層大體上被超納米結晶鉆石薄膜307包圍，且超納米結晶鉆石薄膜307與第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。接著，可進行薄化工藝，自主體301的第二表面301b去除部分的主體301，直至露出位于主體301的開口 301c (如圖7B所示)內(nèi)的阻擋材料層30 及導電層310b，以在主體301內(nèi)形成一通孔電極310( S卩，位于開口 301c內(nèi)的阻擋材料層 304a及導電層310b)。請參照圖7F，可通過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層312，同時在主體 301的第二表面301b上形成一第二導電圖案層314，其中第二導電圖案層314通過通孔電極310而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例的散熱結構。上述散熱結構可進一步裝配于一電子裝置(例如，發(fā)光二極管芯片或其它半導體芯片)下方，以形成具有散熱結構的三維集成電路(3DIC)。根據(jù)前述實施例，由于超納米結晶鉆石薄膜具有優(yōu)于散熱片的導熱是數(shù)(即，約 IOOOW/(m · K))，因此可提供封裝基板或半導體芯片更優(yōu)的散熱效果。再者，相較于傳統(tǒng)散熱片，超納米結晶鉆石薄膜符合裝置尺寸持續(xù)縮小的趨勢。另外，由于超納米結晶鉆石薄膜可完全覆蓋含硅絕緣層且在在上視方向不與導電圖案重迭，因此可排除鉆石薄膜加工困難以及與金屬附著性不佳的問題，進而降低提升裝置的可靠度及良率。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視本發(fā)明權利要求范圍所界定的為準。
權利要求
1.一種用于電子裝置的散熱結構，包括一主體，具有一第一表面及相對于該第一表面的一第二表面； 一含硅絕緣層，設置于該主體的該第一表面上； 一超納米結晶鉆石薄膜，設置于該含硅絕緣層上；以及一第一導電圖案層，設置于該含硅絕緣層上且被該超納米結晶鉆石薄膜包圍，其中該超納米結晶鉆石薄膜與該第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。
2.如權利要求1所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該主體為一電路板或一封裝基板。
3.如權利要求1所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該主體為一半導體芯片，且其內(nèi)具有至少一半導體元件及電性連接該半導體元件的至少一內(nèi)聯(lián)線結構。
4.如權利要求3所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該第一導電圖案層電性連接至該內(nèi)聯(lián)線結構。
5.如權利要求1所述的用于電子裝置的散熱結構，還包括一第二導電圖案層，設置于該主體的該第二表面上。
6.如權利要求5所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該主體內(nèi)具有至少一通孔電極，其電性連接于該第一導電圖案層與該第二導電圖案層之間。
7.如權利要求6所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該通孔電極自該主體的該第二表面延伸至該第一導電圖案層內(nèi)。
8.如權利要求6所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該通孔電極與該主體之間具有一絕緣層，使該通孔電極與該主體電性絕緣。
9.如權利要求8所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該絕緣層包括氮化硅、二氧化硅或超納米結晶鉆石。
10.如權利要求1所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該第一導電圖案層包括至少一阻擋材料層。
11.如權利要求1所述的用于電子裝置的散熱結構，其中該含硅絕緣層包括氮化硅、四乙基酸鹽氧化物或二氧化硅。
12.一種電子封裝，包括如權利要求1所述的散熱結構；以及一電子裝置，設置于該超納米結晶鉆石薄膜或該第一導電圖案層上，且電性連接至該第一導電圖案層。
13.如權利要求12所述的電子封裝，其中該電子裝置通過至少一接線或至少一凸塊而電性連接至該第一導電圖案層。
14.如權利要求12所述的電子封裝，其中該電子裝置包括發(fā)光二極管芯片或半導體芯片。
15.一種用于電子裝置的散熱結構的制造方法，包括提供一主體，其具有一第一表面及相對于該第一表面的一第二表面； 在該主體的該第一表面上形成一含硅絕緣層；以及在該含硅絕緣層上形成一第一導電圖案層及一超納米結晶鉆石薄膜，其中該第一導電圖案層被該超納米結晶鉆石薄膜包圍，且該超納米結晶鉆石薄膜與該第一導電圖案層在上視方向彼此不重迭。
16.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該主體為一電路板或一封裝基板。
17.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該主體為一半導體芯片，且其內(nèi)具有至少一半導體元件及電性連接該半導體元件的至少一內(nèi)聯(lián)線結構。
18.如權利要求17所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該第一導電圖案層電性連接至該內(nèi)聯(lián)線結構。
19.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中形成該第一導電圖案層包括在該含硅絕緣層上形成一阻擋材料層；在該阻擋材料層上形成一光刻膠層，其中該光刻膠層內(nèi)具有一開口圖案；在該開口圖案內(nèi)填入一導電層；以及依序去除該光刻膠層及位于該光刻膠層下方的該阻擋材料層，以形成該第一導電圖案層。
20.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，還包括 在該主體內(nèi)形成至少一通孔電極，其中該通孔電極自該主體的該第二表面延伸至該第一導電圖案層內(nèi)；以及在該主體的該第二表面上形成一第二導電圖案層，其中該第二導電圖案層通過該通孔電極而電性連接至該第一導電圖案層。
21.如權利要求20所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中形成該通孔電極包括在該第一導電圖案層內(nèi)形成至少一開口，并延伸進入該主體內(nèi)；在該開口的側壁及底部上形成一絕緣層；在該開口內(nèi)填入一導電層；以及自該主體的該第二表面去除部分的該主體，直至露出位于該主體的該開口內(nèi)的該導電層，以形成該通孔電極。
22.如權利要求21所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該絕緣層包括 氮化硅、二氧化硅或超納米結晶鉆石。
23.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該主體具有至少一開口，使位于該主體的該第一表面上的該含硅絕緣層延伸進入該開口的側壁及底部。
24.如權利要求23所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中形成該第一導電圖案層包括下列步驟在該含硅絕緣層上形成一阻擋材料層；在該阻擋材料層上形成一導電層并填入該主體的該開口內(nèi)；以及圖案化該導電層及下方的該阻擋材料層，以形成該第一導電圖案層。
25.如權利要求M所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，還包括自該主體的該第二表面去除部分的該主體直至露出位于該主體的該開口內(nèi)的該阻擋材料層或該導電層，以在該主體內(nèi)形成一通孔電極；以及在該主體的該第二表面上形成一第二導電圖案層，其中該第二導電圖案層通過該通孔電極而電性連接至該第一導電圖案層。
26.如權利要求15所述的用于電子裝置的散熱結構的制造方法，其中該含硅絕緣層包括氮化硅、四乙基酸鹽氧化物或二氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明實施例揭示一種用于電子裝置的散熱結構。散熱結構包括一主體、一含硅絕緣層、一超納米結晶鉆石薄膜及導電圖案層。主體具有一第一表面及相對于第一表面的一第二表面。含硅絕緣層設置于主體的第一表面上。超納米結晶鉆石薄膜與導電圖案層設置于含硅絕緣層上。導電圖案層被超納米結晶鉆石薄膜包圍，且超納米結晶鉆石薄膜與導電圖案層在上視方向彼此不重迭。本發(fā)明實施例亦揭示一種用于電子裝置的散熱結構的制造方法以及具有上述散熱結構的電子封裝。
文檔編號H01L23/367GK102403284SQ20101028371
公開日2012年4月4日 申請日期2010年9月15日 優(yōu)先權日2010年9月15日
發(fā)明者戴明吉, 林諭男, 譚瑞敏 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院