專利名稱：半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片、半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片及半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法，更詳細(xì) 而言，涉及適合應(yīng)用于表面具有突出的凹凸的半導(dǎo)體晶圓的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片 及半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法。
背景技術(shù)：
在對(duì)半導(dǎo)體晶圓的背面實(shí)施研磨磨削加工的背磨工序、將晶圓切斷成各個(gè)芯片 (chip)的切割工序中，會(huì)招致圖案面的損傷、磨削碎渣及磨削水等引起的污染等。另外，由于半導(dǎo)體晶圓自身壁薄、脆，而且半導(dǎo)體晶圓的圖案表面具有凹凸?fàn)畹碾?極等，因此存在即使是很小的外力也容易導(dǎo)致破損的問題。為了保護(hù)這種半導(dǎo)體晶圓在加工時(shí)的電路圖案形成面及防止半導(dǎo)體晶圓的污染、 破損等，已知的有在半導(dǎo)體晶圓的圖案面粘貼背磨帶等粘合片的方法(例如，專利文獻(xiàn)1 2005-303068 號(hào)公報(bào))。通常，通過使這種背磨帶追隨半導(dǎo)體晶圓的電路圖案形成面的表面凹凸，將凹凸 間用粘合劑層填滿，從而防止磨削水或異物浸入圖案形成面，防止研磨中及研磨后晶圓的 裂紋。但是，隨著近年來半導(dǎo)體裝置的小型化、高密度化等，半導(dǎo)體晶圓的表面的電路圖 案表面的凹凸高度正變得更高，凹凸間距正變得更小。例如，在帶聚酰亞胺膜的晶圓中，凹 凸之差為1 20μπι左右。另外，用于識(shí)別不良半導(dǎo)體芯片的不良標(biāo)記(bad mark，壞的標(biāo) 記)具有高低差10 70μπι左右的凹凸。進(jìn)而，在圖案狀的電極上形成的凸塊中，有高度 20 200 μ m左右、直徑100 μ m左右、間距200 μ m左右以下的凸塊。因此，在使用現(xiàn)有的粘合片的方法中，薄片不能充分地追隨這些凹凸，粘合劑與晶 圓表面之間的粘接不夠充分。其結(jié)果是，在晶圓加工時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生薄片的剝離、磨削水及異 物等浸入圖案面、加工失誤、凹痕、產(chǎn)生芯片飛散等，進(jìn)而晶圓破損。另外，將粘合片從半導(dǎo)體晶圓剝離時(shí)，有時(shí)埋入凹凸間的粘合劑斷裂，半導(dǎo)體晶圓 側(cè)產(chǎn)生殘膠。特別是，為了使粘合片良好地追隨凹凸而使用比較柔軟的粘合劑時(shí)，存在更顯 著地產(chǎn)生殘膠的問題。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 :2005-303068號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用 粘合片及半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法，該粘合片可有效地防止因近年來半導(dǎo)體晶圓的電路圖案等的形成面中的凹凸引起的殘膠。用于解決問題的方案本發(fā)明人等對(duì)伴隨近年來半導(dǎo)體裝置的小型化、高密度化等的半導(dǎo)體晶圓的電路 圖案形成面的凹凸的增大、這種凹凸面上粘貼的粘合片的各種特性、粘合片在凹凸面的粘 貼狀態(tài)等進(jìn)行了深入研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，與其讓粘合片完全追隨高低差更加增大、間距更加 縮小的半導(dǎo)體晶圓的凹凸，不如通過控制追隨性來適度調(diào)整粘合劑層與凹凸的接觸面積， 并且使粘合劑層與中間層一起達(dá)到平衡而具有適度的厚度、彈性模量和/或斷裂應(yīng)力等， 由此能夠極力降低粘合劑層的殘膠，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其特征在于，該粘合片用于粘貼在半導(dǎo)體晶圓表面來保持保護(hù)半導(dǎo)體晶圓，中間層及粘合劑層以該順序配置在基材層的單面，前述粘合劑層利用輻射線固化型粘合劑以厚度1 50μπι而形成，且斷裂應(yīng)力為 0. 5 IOMPa,前述中間層以厚度10 500 μ m而形成，且彈性模量為0. 01 3MPa。這種半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片中，基材的彈性模量?jī)?yōu)選為10 lOOOOkPa。粘合劑層優(yōu)選在粘貼工序時(shí)具有1. 0 20N/20_的粘合力。粘合劑層優(yōu)選含有丙烯酸系聚合物作為構(gòu)成材料。粘合劑層優(yōu)選含有分子內(nèi)具有碳_碳雙鍵的輻射線固化型的丙烯酸系聚合物。粘合劑層優(yōu)選為分子內(nèi)含有輻射線固化型低聚物的輻射線固化型粘合劑層。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法，其特征在于，該半導(dǎo)體晶圓的背面磨 削方法在將上述半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片的粘合劑層粘貼于布有電路圖案的一側(cè)的 半導(dǎo)體晶圓的表面的狀態(tài)下，對(duì)半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行磨削加工，電路圖案具備高出前述半導(dǎo)體晶圓表面15μπι以上的凹凸。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的粘合片，能夠有效地防止因近年來半導(dǎo)體晶圓的圖案形成面中的凹 凸引起的殘膠。通過使用這種粘合片，不僅能夠顯著降低工序后的粘合片剝離時(shí)產(chǎn)生的殘膠，還 能夠提高制品的成品率。


圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片的簡(jiǎn)要截面圖。圖2是將本發(fā)明的粘合片粘貼于半導(dǎo)體晶圓時(shí)的主要部分的簡(jiǎn)要截面圖。附圖標(biāo)記說明10基材層20中間層30粘合劑層40粘合片50 晶圓60凸塊電極
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片(以下有時(shí)簡(jiǎn)單地記載為“粘 合片”)主要是由基材10、中間層20和粘合劑層30以該順序?qū)盈B而形成的。本發(fā)明的粘合片主要是用于在使用硅、鍺等元素半導(dǎo)體或鎵砷等化合物半導(dǎo)體晶 圓來制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，粘貼到半導(dǎo)體晶圓的電路圖案的形成面來保護(hù)其表面或保持半導(dǎo) 體晶圓而使用的。特別地，對(duì)于表面形成有因電路圖案、凸塊等引起的凹凸的半導(dǎo)體晶圓， 本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片是有用的。該粘合片可以作為半導(dǎo)體晶圓的背面磨 削用、切割用等半導(dǎo)體晶圓的各種加工用途來使用。這樣，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片通過由基材、中間層及粘合劑層構(gòu) 成，來實(shí)現(xiàn)中間層的厚度及其特有的性質(zhì)與粘合劑層的厚度及其特有的性質(zhì)的平衡，由此， 對(duì)于形成有凹凸的半導(dǎo)體晶圓，能夠適當(dāng)控制粘合片在凹凸間的埋入、即對(duì)具有凹凸的半 導(dǎo)體晶圓表面的追隨性，而且在剝離后，還能夠?qū)τ诎纪怪苓叺陌雽?dǎo)體晶圓可靠地防止粘 合劑的殘膠。構(gòu)成本發(fā)明的粘合片的粘合劑層由粘合劑形成，作為這種粘合劑，只要具備適度 的粘合力、硬度等性質(zhì)，則沒有特別限定，可以使用該領(lǐng)域中公知的粘合劑?？梢粤信e例如 丙烯酸系粘合劑、硅酮系粘合劑、橡膠系粘合劑等。粘合劑可以單獨(dú)使用1種，或混合2種 以上使用。特別地，從調(diào)整粘接力的難易度、設(shè)計(jì)分子的難易度的方面來看，優(yōu)選為丙烯酸 系粘合劑。作為丙烯酸系粘接劑的基礎(chǔ)聚合物即丙烯酸系聚合物，可以列舉例如以具有甲 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基 己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬 脂基、十八烷基、十二烷基等碳原子數(shù)30以下、特別是4 18的直鏈或支鏈的烷基的(甲 基)丙烯酸烷基酯的1種或2種以上作為成分的聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指 丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯這兩者。本發(fā)明的(甲基)全部表示相同的意思。丙烯酸系聚合物可以通過在上述(甲基)丙烯酸烷基酯中添加可共聚的其他單體 (以下，有時(shí)簡(jiǎn)單地記載為“可共聚單體”)，從而導(dǎo)入官能團(tuán)或極性基團(tuán)等來改良粘接性，或 者控制共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以改善/改性內(nèi)聚力或耐熱性等。作為可共聚單體，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧 基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、 (甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基) 丙烯酸12-羥基月桂酯、(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯基酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙 烯基酰胺丙烷磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的單 體；2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄膯误w等。關(guān)于作為主要成分的(甲基)丙烯酸烷基酯和可共聚單體，優(yōu)選調(diào)整至前者為70 100重量％，優(yōu)選為85 95重量％，后者為30 0重量％，優(yōu)選為15 5重量％。 通過在該范圍內(nèi)使用，可以實(shí)現(xiàn)粘接性、內(nèi)聚力等的平衡。根據(jù)需要，為了交聯(lián)處理等，丙烯酸系聚合物中也可以使用多官能單體等。作為這種單體，可以列舉己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙 烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲 基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊 四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環(huán)氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙 烯酸酯等。多官能單體可以使用1種或2種以上。從粘合特性等方面出發(fā)，其用量?jī)?yōu)選為全部單體的30重量％以下。丙烯酸系聚合物例如可以對(duì)1種或2種以上成分單體的混合物利用溶液聚合方 式、乳液聚合方式、本體聚合方式、懸浮聚合方式等適當(dāng)?shù)姆绞絹磉M(jìn)行調(diào)制。關(guān)于丙烯酸聚合物，例如重均分子量為20萬(wàn) 300萬(wàn)左右是合適的，優(yōu)選為25 萬(wàn) 150萬(wàn)左右。另外，聚合物的重均分子量可以通過凝膠滲透色譜法(GPC法)求得。構(gòu)成粘合劑的聚合物也可以具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。這種粘合劑可以通過在由包含具有羧基、羥基、環(huán)氧基、氨基等官能團(tuán)的單體(例 如丙烯酸系單體)的單體混合物得到的聚合物中配合交聯(lián)劑而獲得。具備包含具有交聯(lián)結(jié) 構(gòu)的聚合物的粘合劑層的薄片中，由于自保持性提高，因而可防止薄片的變形，并維持薄片 的平板狀態(tài)。因此，可以使用自動(dòng)粘附裝置等簡(jiǎn)易且準(zhǔn)確地粘附于半導(dǎo)體晶圓上。另外，如后所述，作為粘合劑，也可以使用輻射線固化型粘合劑，并通過公知的交 聯(lián)劑例如環(huán)氧系交聯(lián)劑、氮丙啶系交聯(lián)劑、異氰酸酯系交聯(lián)劑、三聚氰胺系化合物等來導(dǎo)入 交聯(lián)結(jié)構(gòu)。作為環(huán)氧化合物，可以列舉例如山梨糖醇四縮水甘油醚、三羥甲基丙烷縮水甘油 醚、四縮水甘油基-1，3-雙氨基甲基環(huán)己烷、四縮水甘油基-間二甲苯二胺、三縮水甘油 基-對(duì)氨基苯酚等。作為氮丙啶系化合物，可以列舉例如2，2-雙羥甲基丁醇_三[3-(1_氮丙啶基) 丙酸酯]、4，4_雙(亞乙基亞氨基羰基氨基)二苯基甲烷等。作為異氰酸酯化合物，可以列舉例如二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、六 亞甲基二異氰酸酯、多異氰酸酯等。作為三聚氰胺系化合物，可以列舉例如六甲氧基甲基三聚氰胺等。這些交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或組合2種以上使用。相對(duì)于100重量份應(yīng)交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物，其用量?jī)?yōu)選為0. 005 4重量份左右。此 時(shí)，為了促進(jìn)反應(yīng)，也可以使用粘合劑中通常使用的月桂酸二丁基錫等交聯(lián)催化劑。本發(fā)明中，作為粘合劑層，適合使用輻射線固化型的粘合劑。通過由輻射線固化型 粘合劑構(gòu)成粘合劑層，從而由于在薄片剝離時(shí)利用輻射線的照射生成了低粘接性物質(zhì)，因 此可容易地從晶圓剝離。輻射線固化型粘合劑例如可以列舉在粘合性物質(zhì)中配合利用輻射線照射而固化 并形成低粘接性物質(zhì)的低聚物成分(以下，有時(shí)記載為“輻射線固化型低聚物”)，或者使用 分子內(nèi)具有碳_碳雙鍵的丙烯酸系聚合物。另外，也可以將這些低聚物成分及具有碳_碳雙鍵的丙烯酸系聚合物組合使用。作為輻射線，只要可使聚合物固化，則沒有特別限定，可以列舉例如X射線、電子 射線、紫外線、可見光線、紅外線等。其中，從處理的難易度出發(fā)，優(yōu)選為紫外線。作為在丙烯酸系聚合物的分子內(nèi)側(cè)鏈上導(dǎo)入碳-碳雙鍵的方法，可以采用以往公 知的各種方法。例如，可以列舉如下方法首先，將丙烯酸系聚合物與具有官能團(tuán)的單體共 聚后，在維持碳-碳雙鍵的輻射線固化性的狀態(tài)下，使具有可與該官能團(tuán)發(fā)生加成反應(yīng)的 官能團(tuán)及碳-碳雙鍵的化合物縮合或進(jìn)行加成反應(yīng)。由此分子設(shè)計(jì)變得容易。作為這些官能團(tuán)的組合，可以列舉羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異 氰酸酯基等。其中，從反應(yīng)追蹤的難易度等的觀點(diǎn)出發(fā)，羥基與異氰酸酯基的組合是合適 的。在這些官能團(tuán)的組合中，各官能團(tuán)可以在丙烯酸系共聚物、和具有官能團(tuán)及聚合 性碳-碳雙鍵的化合物中的任一側(cè)。其中，優(yōu)選的是，丙烯酸系共聚物具有羥基，具有官能 團(tuán)及聚合性碳_碳雙鍵的化合物具有異氰酸酯基。作為具有官能團(tuán)及聚合性碳_碳雙鍵的化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰基異氰 酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯、丙烯酰 基異氰酸酯、2_丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、1，1_雙(丙烯酰氧基甲基)乙基異氰酸酯等。作為丙烯酸系共聚物，可以列舉對(duì)上述含羥基的單體、2-羥基乙基乙烯基醚、 4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物進(jìn)行共聚而成的物質(zhì)。具有聚合性碳_碳雙鍵的丙烯酸系共聚物可以單獨(dú)或配合2種以上來使用。作為輻射線固化型粘合劑中配合的輻射線固化型低聚物，可以列舉尿烷系、聚醚 系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物。其中，可以列舉三羥甲基丙烷三(甲 基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇 二(甲基)丙烯酸酯、1，6_己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲 基)丙烯酸與多元醇的酯化物、酯丙烯酸酯低聚物、2-丙烯基-3- 丁烯基氰脲酸酯、異氰脲 酸酯、異氰脲酸酯化合物等。這些可單獨(dú)或組合兩種以上使用。這些低聚物通常相對(duì)于100 重量份聚合物以30重量份以下的范圍內(nèi)配合，優(yōu)選以0 10重量份的范圍配合。輻射線固化型粘合劑通常含有聚合弓I發(fā)劑。作為聚合引發(fā)劑，可以使用該領(lǐng)域中公知的任意聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如甲氧基苯乙酮、2，2_ 二乙氧基苯乙酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基二氯苯 乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4_異丙基苯基)-2_羥 基-2-甲基丙烷-1-酮、1- (4-十二烷基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4- (2-羥基乙 氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯 基]-2-嗎啉代丙烷_1、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯乙酮系光聚合引發(fā)劑；4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α，-二甲基苯乙 酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α -乙酮醇化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮系化合物；苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚等苯偶 姻系光聚合引發(fā)劑；
二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、 4-苯甲酰基-4’ -甲基二苯基硫醚、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系光聚 合引發(fā)劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二 氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系光聚合引發(fā)劑；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光學(xué)活性肟系化合物；α-?；旷ァⅤ；趸?、苯甲酰甲酸甲酯、苯偶酰、樟腦醌、二苯并環(huán)庚酮、 2-乙基蒽醌、4’，4”_ 二乙基間苯二甲酰基苯、鹵化酮、?；趸?、酰基膦酸酯等特殊光聚 合引發(fā)劑等。例如相對(duì)于100重量份輻射線固化性聚合物(或低聚物)，這些聚合引發(fā)劑的用量 為1 10重量份左右。進(jìn)而，粘合劑層中還可以含有通過加熱而發(fā)泡或膨脹的成分。作為熱發(fā)泡性或膨 脹性成分，可以例示例如將異丁烷、丙烷等通過加熱容易氣化的物質(zhì)內(nèi)含于具有彈性的殼 內(nèi)而成的熱膨脹性微小球[例如商品名microsphere，松本油脂制藥株式會(huì)社制等]等。 通過使粘合劑層中含有這種熱發(fā)泡性或熱膨脹性成分，從而由于在晶圓磨削加工后通過加 熱處理而粘合劑層膨脹，粘合劑層與晶圓的粘接面積顯著減少，因此可以容易地將薄片從 晶圓剝離。本發(fā)明的粘合劑層中還可以適當(dāng)選擇添加1種以上的軟化劑、抗老化劑、固化劑、 填充劑、紫外線吸收劑、光穩(wěn)定劑、聚合引發(fā)劑等。另外，它們可以單獨(dú)或組合2種以上來使 用。這些添加劑可以使用該領(lǐng)域中公知的任意添加劑。與其材料無關(guān)，粘合劑層的厚度優(yōu)選為1 50 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為5 30 μ m左右。通過使厚度在該范圍內(nèi)，即盡量減薄，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓表面中的凹凸 的適度的追隨性。特別是在近年來磨削厚度薄的情況下，能夠有效地防止半導(dǎo)體晶圓在磨 削加工時(shí)產(chǎn)生裂紋、凹痕等。另外，粘合劑層的斷裂應(yīng)力優(yōu)選為0. 5 lOMpa，更優(yōu)選為0. 7MPa以上。另外，更 優(yōu)選為8. 5MPa以下，進(jìn)一步優(yōu)選為7. IMPa以下。另外，當(dāng)粘合片中的粘合劑層為輻射線固化型時(shí)，該斷裂應(yīng)力是指未照射輻射線 時(shí)的值，換而言之，是指粘合片粘貼于半導(dǎo)體晶圓時(shí)的值。這里，斷裂應(yīng)力例如可以是使用Orientec Co. ,Ltd.制的Tensilon-RTC_1150A測(cè) 定得到的值。此時(shí)的測(cè)定條件可以適當(dāng)調(diào)整為，試驗(yàn)片50mmX10mm，卡盤間距10mm，拉伸 速度50mm/分鐘等。通過將斷裂應(yīng)力調(diào)整到這種范圍內(nèi)，從而不僅能夠與上述粘合劑層的厚度相應(yīng)， 提高對(duì)半導(dǎo)體晶圓中的凹凸的追隨性，還能夠使粘合劑層適當(dāng)?shù)匚談冸x時(shí)的應(yīng)力，維持 粘合劑層原本的形狀，極力抑制粘合劑的殘膠。進(jìn)而，通過將粘合劑層的厚度及斷裂應(yīng)力這兩者調(diào)整到這種范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)厚度與 斷裂應(yīng)力的平衡，從而，對(duì)于近年來半導(dǎo)體晶圓中增大的電路形成面的凹凸，能夠抑制粘合 劑層侵入凹凸間、即抑制粘合劑層在凸部的過度埋設(shè)，適當(dāng)?shù)嘏c凹凸間粘接而保持半導(dǎo)體 晶圓。另外，可適當(dāng)補(bǔ)償磨削時(shí)對(duì)半導(dǎo)體晶圓負(fù)荷的應(yīng)力，從而極力抑制晶圓產(chǎn)生裂紋、凹痕。進(jìn)而，對(duì)于確保粘合劑層適度的自保持性及硬度等，有效地防止半導(dǎo)體晶圓及凹凸側(cè)面 等上的粘合劑層的殘膠特別有效。其中，⑴粘合劑層的厚度為1 50 μ m、且斷裂應(yīng)力為0.5 IOMPa是合適的，優(yōu) 選(ii)厚度為5 30 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 5 lOMPa。進(jìn)而，更優(yōu)選的是，(iii)厚度為1 50 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 IOMPa,(iv)厚度為1 50 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 8. 5MPa，(ν)厚度為1 50 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 7. IMPa,(vi)厚度為5 30 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 lOMPa，(vii)厚度為5 30 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 8. 5MPa，(viii)厚度為5 30 μ m、且斷裂應(yīng)力為0. 7 7. IMPa0另外，粘合劑層優(yōu)選在粘貼工序時(shí)具有1. O 20N/20mm的粘合力。這里，該粘合力 是通過在測(cè)定溫度為25°C、剝離角度為180°、剝離速度為300mm/分鐘(根據(jù)JIS Z0237) 的條件下從引線框剝離進(jìn)行測(cè)定時(shí)的值。這種測(cè)定可以利用市售的測(cè)定裝置(島津制作所 制，Autograph AG-X 等)來進(jìn)行。另外，粘合片中的粘合劑層為輻射線固化型時(shí)，該粘合力是指未照射輻射線時(shí)的 值。剝離時(shí)，粘合力通常為0. 1Ν/20_左右以下。構(gòu)成本發(fā)明的粘合片的中間層，其厚度為10 500 μ m是合適的，更優(yōu)選為10 300 μ m、10 150 μ m。通過在該范圍，能夠發(fā)揮對(duì)晶圓圖案面的凹凸的追隨性，防止晶圓在 磨削加工時(shí)產(chǎn)生裂紋、凹痕等。另外，能夠使薄片的粘附容易，操作效率提高，并在粘合片的 剝離時(shí)適當(dāng)?shù)匚照澈掀膹澢鷳?yīng)力。中間層可以由單層構(gòu)成，也可以具有由同種或異種的多個(gè)層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。例示出中間層的彈性模量為0. 01 lOMPa，優(yōu)選為0. 06MPa以上。另外，優(yōu)選為 5MPa以下、3MPa以下，更優(yōu)選為2. IMPa0通過使彈性模量在該范圍內(nèi)，從而由于粘合劑具備適度的硬度，因此可維持中間 層的形狀穩(wěn)定性，防止粘合片過度的變形。另外，可適度控制對(duì)半導(dǎo)體晶圓表面的凹凸的追 隨性，可有效地防止晶圓在磨削加工時(shí)水的浸入、裂紋、凹痕的發(fā)生等。這里，彈性模量是表示動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定的25°C下的“彈性特性”的參數(shù)，是通過動(dòng) 態(tài)粘彈性測(cè)定裝置“Rheometrics ARES” (Rheometric公司制)對(duì)中間層測(cè)得(頻率1Hz， 轉(zhuǎn)盤直徑(platediameter) :7. 9mm Φ，形變1 % (25°C )，樣品厚度3mm)的25°C下的彈性模 量G'。另外，中間層中使用輻射線固化型的粘合劑時(shí)，是指輻射線固化前、即貼附時(shí)的中 間層的彈性模量。其中，(i)中間層的厚度為10 500 μ m、且彈性模量為0.01 IOMPa是合適的， 優(yōu)選(ii)厚度為10 500 μ m、且彈性模量為0. 06 5MPa(更優(yōu)選0. 01 3MPa)。進(jìn)而， 更優(yōu)選的是，(iii)厚度為10 500 μ m、且彈性模量為0. 06 3MPa，(iv)厚度為10 500 μ m、且彈性模量為0. 06 2. IMPa,(ν)厚度為10 300 μ m、且彈性模量為0. 01 lOMPa，(vi)厚度為10 300 μ m、且彈性模量為0. 01 5MPa，
(vii)厚度為10 300 μ m、且彈性模量為0. 06 3MPa，(viii)厚度為10 300 μ m、且彈性模量為0. 06 2. IMPa,(ix)厚度為10 150 μ m、且彈性模量為0. 01 lOMPa，(χ)厚度為10 150 μ m、且彈性模量為0. 06 5MPa，(xi)厚度為10 150 μ m、且彈性模量為0. 06 3MPa，(xii)厚度為10 150 μ m、且彈性模量為0. 6 2. IMPa0中間層只要具有上述的彈性模量及厚度，則其材料沒有特別限定，可以從樹脂材 料、例如從作為上述粘合劑而例示的材料中適當(dāng)選擇/調(diào)整而形成。特別合適的是與粘合劑層具有粘接性(固著性)的材料。例如從調(diào)整彈性模量的 難易度、與粘合劑層的相互作用等方面出發(fā)，優(yōu)選丙烯酸系聚合物。該中間層可以是輻射線 固化型粘合劑、輻射線非固化型粘合劑中的任一種。作為構(gòu)成丙烯酸系聚合物的主單體，可以列舉上述的(甲基)丙烯酸烷基酯。具體 而言，(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基) 丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等烷基的碳原子數(shù)為4 12的(甲基)丙烯酸烷基 酯。它們可以使用1種或2種以上。為了調(diào)整彈性模量等，丙烯酸系聚合物中可以根據(jù)其他所要求的特性進(jìn)一步并用 可共聚的其他單體。該其他單體可以在小于全部單體的30重量％的范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)整而使用。作為其他單體，可以列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、巴豆酸、馬來酸、 富馬酸等含羧基的單體；(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、甘油二甲基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、甲 基丙烯酸甲基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸氨基乙酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯等其 他官能性單體；三乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯 等多官能性單體；醋酸乙烯酯、苯乙烯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酰基嗎 啉、環(huán)己基馬來酰亞胺、異丙基馬來酰亞胺、(甲基)丙烯基酰胺等。構(gòu)成中間層的丙烯酸系聚合物也可與上述方法同樣地進(jìn)行制造。中間層所使用的聚合物的重均分子量只要可保持上述范圍的特性則沒有限定，優(yōu) 選為1萬(wàn) 200萬(wàn)的范圍。中間層所使用的聚合物中也可以與上述同樣地導(dǎo)入交聯(lián)結(jié)構(gòu)。進(jìn)而也可與上述同 樣地含有各種添加劑。本發(fā)明的粘合片中的基材層例如可以通過聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯 ’聚 乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂；聚酰亞胺(PI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚氯乙烯(PVC) 等聚氯乙烯系樹脂；聚偏氯乙烯系樹脂；聚酰胺系樹脂；聚氨酯；聚苯乙烯系樹脂；丙烯酸 系樹脂；氟樹脂；纖維素系樹脂；聚碳酸酯系樹脂等熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、金屬箔、紙 等來形成?；膶涌梢允怯赏N或異種的材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用薄片可以卷繞成帶狀。此時(shí)，為了保護(hù)粘合劑層， 可以在其上層疊剝離薄膜層。剝離薄膜層可以利用以往公知的經(jīng)硅酮處理、氟處理的塑料薄膜(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚丙烯等)、紙、非極性材料(聚乙烯、聚丙烯等)等而形成?；牡暮穸韧ǔ? 400 μ m左右是合適的，優(yōu)選為10 300 μ m左右，更優(yōu)選 為30 200 μ m左右。此外，基材的彈性模量?jī)?yōu)選為10 lOOOOkPa。后述的粘合劑層使用輻射線固化型粘合劑時(shí)，為了輻射線透過基材而進(jìn)行照射， 基材由可透過規(guī)定量以上的輻射線的材料(例如具有透明性的樹脂等)構(gòu)成是合適的?；目梢酝ㄟ^公知的成膜方法、例如濕式鑄造法、吹塑法、T模擠出法等而形成。基 材可以為無拉伸，也可以進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理。另外，從另外的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片可以為由基材 層和粘合劑層構(gòu)成的粘合片。此時(shí)，粘合劑層可以由單層形成，但優(yōu)選為2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。為單層時(shí)，上述的粘合劑層可以直接應(yīng)用，但優(yōu)選適當(dāng)調(diào)整膜厚、斷裂應(yīng)力及彈性 模量等。例如，膜厚為10 550 μ m左右是合適的，優(yōu)選為15 300 μ m左右、15 150 μ m
左右ο斷裂應(yīng)力優(yōu)選為0. 5 lOMpa，更優(yōu)選為0. 7MPa以上。另外，更優(yōu)選為8. 5MPa以 下，進(jìn)一步優(yōu)選為 . IMPa以下?？梢岳境鰪椥阅Ａ繛?. 01 lOMPa，優(yōu)選為0. 06MPa以上。另外，優(yōu)選為5MPa 以下、3MPa以下，更優(yōu)選為2. IMPa0另外，為層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，可以從上述的粘合劑層和中間層的膜厚及參數(shù)的組合出發(fā)， 來適宜選擇/調(diào)整層疊結(jié)構(gòu)的膜厚及參數(shù)。本發(fā)明的粘合片的形態(tài)沒有特別限定，可以為薄片狀、帶狀等任意形態(tài)。另外，也 可以為卷繞體的形態(tài)。為卷繞體時(shí)，也可以不使用剝離薄膜層，而通過在基材的相反面(即 卷繞時(shí)與粘合劑層接觸的面)設(shè)置剝離處理層或?qū)盈B脫模層(隔膜)，從而容易卷回。剝離處理層可以使用該領(lǐng)域中公知的剝離劑來形成。可以列舉例如硅酮處理、氟 處理、含長(zhǎng)鏈烷基的聚合物處理等。本發(fā)明的粘合片可以通過在基材層上涂布粘合劑組合物形成粘合劑層來形成。粘 合劑組合物的涂布例如可以利用輥涂布、絲網(wǎng)涂布、照相凹版涂布等涂布方式，它們可以直 接形成于基材上，也可以形成于表面進(jìn)行了剝離處理的剝離紙等上后再轉(zhuǎn)印到基材上。本發(fā)明的半導(dǎo)體保持保護(hù)用薄片例如適合用于半導(dǎo)體晶圓表面具有由電路圖案 等產(chǎn)生的凹凸。該凹凸例如可以列舉出高度為15 μ m以上、優(yōu)選為20 200 μ m左右、直 徑為50 200 μ m左右、間距為100 300 μ m左右的凹凸。在這種半導(dǎo)體晶圓表面(電路圖案形成面)邊按照粘合片的粘合劑層的面成為晶 圓側(cè)的方式重合、按壓邊粘附。例如(i)在工作臺(tái)上放置晶圓，在其上按照粘合劑層成為晶圓側(cè)的方式重合本發(fā) 明的粘合片，通過壓接輥等按壓手段邊按壓邊粘附。另外，(ii)也可以在可加壓的容器(例如高壓釜等)中將晶圓與粘合片如上所述 重合，對(duì)容器內(nèi)加壓，從而粘附在晶圓上。此時(shí)，也可以通過按壓手段邊按壓邊粘附。進(jìn)而，(iii)也可以在真空室(chamber)內(nèi)與上述同樣地粘附。
通過這些方法粘附時(shí)，也可以在30 150°C左右下進(jìn)行加熱。在粘附有粘合片的狀態(tài)下，例如對(duì)半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行磨削加工。這種情況下， 適度調(diào)整磨削量是合適的。這是為了防止粘合片對(duì)半導(dǎo)體晶圓過度的加壓、粘合劑層在半 導(dǎo)體晶圓表面的凹凸中過度的埋設(shè)等，避免埋入凹凸間的粘合劑的斷裂、半導(dǎo)體晶圓側(cè)的 殘膠等。所粘附的粘合片可以在半導(dǎo)體晶圓的磨削加工后通過人力或機(jī)械而剝離。此時(shí)， 粘合劑使用輻射線固化型粘合劑時(shí)，通過在剝離前照射適當(dāng)?shù)妮椛渚€，可以降低粘合劑層 的粘接力，容易地剝離。本發(fā)明的粘合片用于磨削加工時(shí)的情況下，半導(dǎo)體晶圓的凸部高度(H)相對(duì)于粘 合劑層的厚度(T)例如可以例示調(diào)整至T/H = 0. 2 2. 0左右。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的粘合片進(jìn)行更詳細(xì)的說明。另外，以下“份”表示的是重量份。首先，作為中間層和/或粘合劑層的材料，調(diào)制以下的壓敏粘合劑及UV(紫外線) 固化型粘合劑。中間層用粘合劑1將50份丙烯酸丁酯、7份丙烯酸和50份丙烯酸乙酯在甲苯中通過溶液聚合法進(jìn)行 共聚，得到聚合物。相對(duì)于100份該聚合物，添加0. 05重量份環(huán)氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制， 制品名“TETRAD C”)、10份紫外線固化型低聚物(日本合成化學(xué)公司制，UV-1700B)和2份 苯乙酮系光聚合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制，IRGACURE 651)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度38 μ m的聚酯薄膜上，在120°C下干燥2分 鐘，得到中間層。初期彈性模量為0. 06MPao中間層用粘合劑2將95份丙烯酸丁酯、5份丙烯酸在甲苯中通過溶液聚合法進(jìn)行共聚，得到聚合物。相對(duì)于100份該聚合物，添加4份三聚氰胺系交聯(lián)劑(大日本油墨化學(xué)工業(yè)公司 制，SUPER BECKAMINE SJ-820-60N)、3. 00重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚氨酯公司制，制 品名“Colonate L”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度38 μ m 的聚酯薄膜上，在120°C下干燥2分鐘，得到中間層。初期彈性模量為2. IMPa。中間層用粘合劑3將作為丙烯酸系單體的50. 0份丙烯酸叔丁酯、30. 0份丙烯酸及20. 0份丙烯酸丁 酯、作為光聚合引發(fā)劑的0. 1份1-[4-(2-羥基乙氧基)_苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙 烷-1-酮(商品名“ IRGA⑶RE 2959”，西巴特殊品化學(xué)公司制)、作為多元醇的73. 4份聚氧 四亞甲基二醇(分子量650，三菱化學(xué)株式會(huì)社制)和作為尿烷反應(yīng)催化劑的0. 05份二月 桂酸二丁基錫投入到容器中。進(jìn)而邊攪拌邊滴加26. 6份苯二甲撐二異氰酸酯，在65°C下反 應(yīng)2小時(shí)，得到尿烷聚合物-丙烯酸系單體混合物。將尿烷聚合物-丙烯酸系單體混合物涂布到厚度75 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯 (PET)薄膜(PET#75，基材)上，用高壓汞燈照射紫外線(照度163mW/cm2，光量2100mJ/cm2) 使其固化，得到中間層。初期彈性模量為15MPa。
粘合劑層用粘合劑1相對(duì)于100重量份將80重量份丙烯酸丁酯、5重量份丙烯酸、20重量份丙烯酸氰 基乙酯共聚而得到的重均分子量80萬(wàn)的共聚物(固體成分30% )，添加30重量份二季戊 四醇六丙烯酸酯(日本化藥株式會(huì)社制)，添加1.00重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚氨 酯公司制，制品名“Colonate L”)、0. 2重量份環(huán)氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制，制品名 "TETRAD C”)作為交聯(lián)劑，并添加1重量份光聚合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制，制品名 “ IRGA⑶RE 651”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度38 μ m的 聚酯薄膜上，在140°C下干燥2分鐘，得到粘合劑。斷裂應(yīng)力為0. 7MPa。粘合劑層用粘合劑2相對(duì)于100重量份將80重量份丙烯酸丁酯、5重量份丙烯酸、20重量份丙烯酸氰 基甲酯共聚而得到的重均分子量80萬(wàn)的共聚物(固體成分30% )，添加20重量份二季戊 四醇六丙烯酸酯(日本化藥株式會(huì)社制)，添加3. 00重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚氨 酯公司制，制品名“Colonate L”)、1. 00重量份環(huán)氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制，制品 名“TETRAD C”)作為交聯(lián)劑，并添加1重量份光聚合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制，制品 名“IRGA⑶RE 651”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度38 μ m 的聚酯薄膜上，在140°C下干燥2分鐘，得到粘合劑。斷裂應(yīng)力為1. 5MPa。粘合劑層用粘合劑3在100重量份將40重量份丙烯酸甲酯、10重量份丙烯酸和60重量份丙烯酸2_乙 基己酯共聚而得到的重均分子量70萬(wàn)的共聚物(固體成分35% )中，添加15重量份二季 戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥株式會(huì)社制)，添加3. 00重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚 氨酯公司制，制品名“Colonate L”)、4. 00重量份環(huán)氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制，制 品名“TETRAD C”)作為交聯(lián)劑，并添加1重量份光聚合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制， 制品名“IRGA⑶RE 651”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度 38 μ m的聚酯薄膜上，在140°C下干燥2分鐘，得到粘合劑。斷裂應(yīng)力為7. IMPa0粘合劑層用粘合劑4相對(duì)于100重量份將40重量份丙烯酸甲酯、10重量份丙烯酸和60重量份丙烯酸 2-乙基己酯共聚而得到的重均分子量70萬(wàn)的共聚物(固體成分35% )，添加50重量份日 本合成株式會(huì)社制的UV-3000B、50重量份UV-1700B作為多官能丙烯酸酯系低聚物，添加 1. 00重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚氨酯公司制，制品名“Colonate L”)、0. 1重量份環(huán) 氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制，制品名“TETRAD C”)作為交聯(lián)劑，并添加3重量份光聚 合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制，制品名“IRGACURE 651”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該 溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度38 μ m的聚酯薄膜上，在140°C下干燥2分鐘，得到粘合 劑。斷裂應(yīng)力為0.2MPa。粘合劑層用粘合劑5在100重量份將40重量份丙烯酸甲酯、10重量份丙烯酸和60重量份丙烯酸2_乙 基己酯共聚而得到的重均分子量70萬(wàn)的共聚物(固體成分35%)中，添加5重量份二季 戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥株式會(huì)社制)，添加4. 50重量份異氰酸酯系交聯(lián)劑(日本聚 氨酯公司制，制品名“Colonate L”)、7. 50重量份環(huán)氧系交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)公司制，制 品名“TETRAD C”)作為交聯(lián)劑，并添加1重量份光聚合引發(fā)劑(西巴特殊品化學(xué)公司制，制品名“ IRGA⑶RE 651”)，配合并調(diào)制樹脂溶液。將該溶液涂布到經(jīng)硅酮?jiǎng)冸x處理的厚度 38 μ m的聚酯薄膜上，在140°C下干燥2分鐘，得到粘合劑。斷裂應(yīng)力為12MPa。實(shí)施例1如圖1所示，作為基材層10，使用厚度115 μ m的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA) 薄膜，在其上形成中間層20(厚度60μπι)及粘合劑層30(厚度5μπι)。實(shí)施例2 5及比較例1 3作為基材層，使用厚度115μπι的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)薄膜或厚度 100 μ m的聚乙烯(PE)薄膜。根據(jù)實(shí)施例1，分別按照表1的厚度在基材層上形成表1所示的中間層及粘合劑層。將所得到的各粘合片粘附于硅晶圓上，磨削，進(jìn)行粘合片的剝離，并進(jìn)行以下所示 的評(píng)價(jià)。另外，分別準(zhǔn)備25張各實(shí)施例及比較例的粘合片，進(jìn)行評(píng)價(jià)。其結(jié)果如表1所示。腿粘貼各粘合片使得在8英寸的硅晶圓的形成有虛擬凸塊(dummy bump)電極的面 側(cè)配置粘合劑層。硅晶圓上以間距P為200 μ m、格子狀形成有高度50 μ m、直徑100 μ m的凸 塊電極，晶圓的厚度為725 μ m(不包括凸塊)。粘合片通過日東精機(jī)株式會(huì)社制DR-3000II 進(jìn)行粘貼。這相當(dāng)于上述(i)的方法(在工作臺(tái)上放置晶圓，在其上按照粘合劑層成為晶 圓側(cè)的方式重合本發(fā)明的薄片，邊通過壓接輥等按壓手段按壓邊粘附)。MM通過DISCO Corporation制的硅晶圓磨削機(jī)DTO8560將粘貼有粘合片的晶圓磨削 至100 μ m的厚度。剝離使用日東精機(jī)株式會(huì)社制HR-8500II在常溫下從進(jìn)行了磨削的晶圓剝離粘合片。 另外，粘合劑使用壓敏粘接劑時(shí)，磨削后在粘合片背面粘附剝離用帶，將粘合片與該帶一起 剝離。另外，粘合劑使用UV粘合劑時(shí)，將晶圓磨削后，對(duì)粘合片照射400mJ/cm2的紫外線， 使粘合劑層固化，同樣地粘附剝離用帶，將粘合片與該帶一起剝離。評(píng)價(jià)項(xiàng)目埋入性將粘合片如上所述粘貼到形成有空凸塊電極的硅晶圓上時(shí)，觀察其埋入性。如圖2(a)所示，粘合劑層30僅與凸塊電極60的頭部分接觸，不與凸塊電極60的 下方側(cè)面接觸，相對(duì)于晶圓50，在凸塊電極60間與晶圓表面接觸，且在沒有形成凸塊電極 60的晶圓50的外周接觸，將這樣粘貼的情況作為埋入性良好，為〇。另一方面，如圖2(b)所示，在凸塊電極60間粘合劑層30不與晶圓表面接觸、凸塊 電極60沒有被填滿的地方只要有1處時(shí)，就作為埋入性不良，為X。磨削性磨削中凸塊的凹凸沒有被粘合片吸收，而產(chǎn)生晶圓的裂紋。磨削中沒有產(chǎn)生晶圓 的裂紋時(shí)為〇，25張中有1張晶圓產(chǎn)生裂紋時(shí)，就作為磨削性不良，為X。BM磨削后，將粘合片剝離，利用光學(xué)顯微鏡(500倍)觀察晶圓的外周。確認(rèn)有粘合劑的殘留時(shí)為X，沒有殘膠時(shí)為〇。表 權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其特征在于，該粘合片用于粘附在半導(dǎo)體晶圓 表面來保持保護(hù)半導(dǎo)體晶圓，其中，中間層及粘合劑層以該順序配置在基材層的單面，所述粘合劑層利用輻射線固化型粘合劑以厚度1 50μπι而形成，且斷裂應(yīng)力為 0. 5 IOMPa,所述中間層以厚度10 500 μ m而形成，彈性模量為0. 01 3MPa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其中，基材的彈性模量為 10 lOOOOkPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其中，粘合劑層在粘貼工 序時(shí)具有1. 0 20N/20mm的粘合力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其中，粘合劑層 含有丙烯酸系聚合物作為構(gòu)成材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其中，粘合劑層 含有分子內(nèi)具有碳_碳雙鍵的輻射線固化型的丙烯酸系聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其中，粘合劑層 為分子內(nèi)含有輻射線固化型低聚物的輻射線固化型粘合劑層。
7.一種半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法，其特征在于，該半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法在將 權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片的粘合劑層粘貼于布有電路 圖案的一側(cè)的半導(dǎo)體晶圓表面的狀態(tài)下，對(duì)半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行磨削加工，其中，電路圖案具備高出所述半導(dǎo)體晶圓表面15μπι以上的凹凸。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片及半導(dǎo)體晶圓的背面磨削方法，該粘合片能夠有效地防止因近年來半導(dǎo)體晶圓的電路圖案等的形成面中的凹凸引起的殘膠。一種半導(dǎo)體晶圓保持保護(hù)用粘合片，其是用于粘附在半導(dǎo)體晶圓表面來保持保護(hù)半導(dǎo)體晶圓的粘合片(40)，中間層(20)及粘合劑層(30)以該順序配置在基材層(10)的單面，粘合劑層(30)利用輻射線固化型粘合劑以厚度1～50μm而形成，且斷裂應(yīng)力為0.5～10MPa，中間層(20)以厚度10～500μm而形成，且彈性模量為0.01～5MPa。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101993667SQ201010249200
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日
發(fā)明者佐佐木貴俊, 水野浩二, 淺井文輝 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社