專利名稱：半導(dǎo)體光電元件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光電元件及其制作方法，尤其是涉及一種轉(zhuǎn)移設(shè)置于承載操作基板上的半導(dǎo)體光電元件以及此半導(dǎo)體光電元件的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著科技日新月異，半導(dǎo)體光電元件在信息的傳輸以及能量的轉(zhuǎn)換上有極大的貢獻(xiàn)。以系統(tǒng)的運用為例，例如光纖通訊、光學(xué)儲存及軍事系統(tǒng)等，半導(dǎo)體光電元件皆能有所發(fā)揮。以能量的轉(zhuǎn)換方式進(jìn)行區(qū)分，半導(dǎo)體光電元件一般可分為三類將電能轉(zhuǎn)換為光的發(fā)射，如發(fā)光二極管及激光二極管；將光的信號轉(zhuǎn)換為電的信號，如光檢測器；將光的輻射能轉(zhuǎn)換為電能，如太陽能電池。在半導(dǎo)體光電元件之中，生長基板扮演著非常重要的角色。形成半導(dǎo)體光電元件所必要的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)皆生長于基板之上，并通過基板產(chǎn)生支持的作用。因此，選擇一個適合的生長基板，往往成為決定半導(dǎo)體光電元件中元件生長品質(zhì)的重要因素。然而，有時一個好的元件生長基板并不一定是一個好的元件承載基板。以發(fā)光二極管為例，在已知的紅光元件工藝中，為了提升元件的生長品質(zhì)，會選擇晶格常數(shù)與半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)較為接近但不透明的GaAs基板作為生長基板。然而，對于以放光為操作目的的發(fā)光二極管元件而言，在操作過程之中，不透明的生長基板卻會造成元件的發(fā)光效率下降。為了滿足半導(dǎo)體光電元件對于生長基板與承載基板不同需求條件的要求，基板的轉(zhuǎn)移技術(shù)于是因應(yīng)而生。亦即，半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)先于生長基板上進(jìn)行生長，再將生長完成的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至承載基板，以方便后續(xù)的元件操作進(jìn)行。在半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)與承載基板結(jié)合之后，原有生長基板的移除則成為此轉(zhuǎn)移技術(shù)的關(guān)鍵之一。已知生長基板的移除方式主要包括將原有的生長基板以蝕刻液蝕刻溶解，以物理方式切割磨除，或事先在生長基板與半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)之間生成犧牲層，再通過蝕刻去除犧牲層的方式將生長基板與半導(dǎo)體分離等。然而，不論是以蝕刻液溶解基板或是以物理性切割方式磨除基板，對原有的生長基板而言，都是一種破壞。生長基板無法再利用，在強(qiáng)調(diào)環(huán)保及節(jié)能的現(xiàn)代，無疑是一種材料的浪費。然而，若是使用犧牲層結(jié)構(gòu)進(jìn)行分離時，對于半導(dǎo)體光電元件而言，如何進(jìn)行有效地選擇性轉(zhuǎn)移，則是目前研究的方向之一。

發(fā)明內(nèi)容
為了有效地選擇性轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體光電元件，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體光電元件及其制作方法，尤其是關(guān)于一種轉(zhuǎn)移設(shè)置于操作基板上的半導(dǎo)體光電元件以及此半導(dǎo)體光電元件的制作方法。本發(fā)明的實施例提供一種半導(dǎo)體光電元件，包括操作基板；半導(dǎo)體外延疊層單元，設(shè)置于操作基板上，包括設(shè)置于操作基板上，具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層、 以及設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層；透明導(dǎo)電層，設(shè)置于第二半導(dǎo)體材料層上，透明導(dǎo)電層包括第一表面、直接接觸部，設(shè)置于第一表面并與第
5二半導(dǎo)體材料層直接接觸、第二表面，實質(zhì)平行第一表面、直接接觸對應(yīng)部，設(shè)置于第二表面相對于直接接觸部；以及第一電極，設(shè)置于操作基板上，通過透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體外延疊層單元電性連結(jié)；其中，第一電極與透明導(dǎo)電層通過直接接觸部與直接接觸對應(yīng)部之外的區(qū)域相互電性連結(jié)。依照本發(fā)明的實施例，半導(dǎo)體外延疊層單元還包括發(fā)光層，設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層與第二半導(dǎo)體材料層之間。依照本發(fā)明的實施例，其中，半導(dǎo)體光電元件為發(fā)光二極管。依照本發(fā)明的實施例，還包括第二電極，設(shè)置于操作基板與半導(dǎo)體外延疊層單元之間或操作基板相對于半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。依照本發(fā)明的實施例，其中，透明導(dǎo)電層的透光度大于90%。依照本發(fā)明的實施例，其中，半導(dǎo)體光電元件為太陽能電池。依照本發(fā)明的實施例，其中，透明導(dǎo)電層材料選自于由氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化銅鋁、氧化銅鎵、氧化鍶銅、氧化鋁鋅、氧化鋅鎵以及上述材料的任意組合所組成的族群。依照本發(fā)明的實施例，還包括多個金屬導(dǎo)線，自第一電極延伸至透明導(dǎo)電層的直接接觸對應(yīng)部。依照本發(fā)明的實施例，其中上述金屬導(dǎo)線具有寬度小于20μπι。依照本發(fā)明的實施例，其中第一電極與上述金屬導(dǎo)線為不同材料。依照本發(fā)明的實施例，其中第一電極的材料是由鈦、鋁、金、鉻、鎳、鍺或上述材料的任意合金所構(gòu)成的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)。依照本發(fā)明的實施例，其中操作基板還具有粗糙表面朝向半導(dǎo)體外延疊層單元， 粗糙表面包括至少一突起(Protrusion)和/或至少一凹洞(Cavity)。本發(fā)明的另一實施例提供一種半導(dǎo)體光電元件的制作方法，包括提供生長基板； 形成犧牲層于生長基板上；形成半導(dǎo)體外延疊層于犧牲層上；分隔半導(dǎo)體外延疊層為多個半導(dǎo)體外延疊層單元并裸露出半導(dǎo)體外延疊層單元下的犧牲層；形成圖案化光致抗蝕劑， 覆蓋部分半導(dǎo)體外延疊層單元及部分裸露的犧牲層；移除未被圖案化光致抗蝕劑覆蓋的犧牲層；提供轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)，將下方犧牲層被移除的半導(dǎo)體外延疊層單元轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上；提供操作基板，具有多個電極區(qū)域與多個外延區(qū)域，電極區(qū)域與外延區(qū)域以特定距離相隔；轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上的半導(dǎo)體外延疊層單元至操作基板的外延區(qū)域上；以及形成多個第一電極于操作基板的電極區(qū)域上，第一電極并與被轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體外延疊層單元電性連結(jié)。依照本發(fā)明的另一實施例，其中生長基板的材料選自于由藍(lán)寶石(Al2O3)、硅 (Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)以及砷化鎵(GaAs)所組成的族群。依照本發(fā)明的另一實施例，其中生長基板的材料選自于由PCB基板及FR4基板所組成的族群。依照本發(fā)明的另一實施例，其中轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)主要是由有機(jī)高分子材料所組成。依照本發(fā)明的另一實施例，還包括形成粘著層于操作基板與半導(dǎo)體外延疊層單元之間，粘著層的材料選自于有機(jī)高分子材料、金屬材料以及金屬合金所組成的族群。依照本發(fā)明的另一實施例，其中半導(dǎo)體外延疊層單元為發(fā)光二極管外延疊層區(qū)域和/或太陽能電池外延疊層區(qū)域。
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依照本發(fā)明的另一實施例，還包括粗糙化操作基板的表面，使表面包括至少一突起和/或至少一凹洞。依照本發(fā)明的另一實施例，其中操作基板的材料選自于由藍(lán)寶石(Al2O3)、硅 (Si)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)以及砷化鎵(GaAs)所組成的族群。依照本發(fā)明的另一實施例，還包括形成至少一個第二電極于半導(dǎo)體外延疊層單元與操作基板之間或操作基板相對于半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。依照本發(fā)明的另一實施例，其中轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)具有轉(zhuǎn)移表面，表面具有粘著性和/或?qū)?yīng)于下方犧牲層被移除的半導(dǎo)體外延疊層單元的至少一突起。本發(fā)明的又一實施例提供一種發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，包括操作基板，具有表面，包括多個第一外延區(qū)域以及多個第二外延區(qū)域；多個第一發(fā)光二極管外延疊層單元設(shè)置于第一外延區(qū)域上，可放射第一主放射波長，其中任一第一發(fā)光二極管外延疊層單元平行操作基板的表面的第一邊，且第一邊的延長線具有實質(zhì)相互平行的第一延長方向；多個第二發(fā)光二極管外延疊層單元設(shè)置于第二外延區(qū)域上，可放射第二主放射波長，其中任一第二發(fā)光二極管外延疊層單元具有相對應(yīng)于第一邊的第二邊，且第二邊的延長線具有實質(zhì)相互平行的第二延長方向；以及第一方向，平行操作基板的表面，其中，第一延長方向與第一方向具有夾角θ ”第二延長方向與第一方向具有夾角θ2，且Q1不等于θ2。依照本發(fā)明的又一實施例，其中第一主放射波長介于600nm至650nm之間。依照本發(fā)明的又一實施例，其中第一主放射波長介于510nm至550nm之間。依照本發(fā)明的又一實施例，其中第一主放射波長介于390nm至440nm之間。依照本發(fā)明的又一實施例，其中第一主放射波長不等于第二主放射波長。依照本發(fā)明的又一實施例，其中任一第一發(fā)光二極管外延疊層單元及任一第二發(fā)光二極管外延疊層單元還包括半導(dǎo)體外延疊層，設(shè)置于操作基板的表面上，半導(dǎo)體外延疊層包括設(shè)置于操作基板的表面上，具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層；設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層；以及發(fā)光層，設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層與第二半導(dǎo)體材料層之間。依照本發(fā)明的又一實施例，其中任一第一發(fā)光二極管外延疊層單元和/或任一第二發(fā)光二極管外延疊層單元還包括第一電極，設(shè)置于半導(dǎo)體外延疊層單元相對應(yīng)于操作基板的相反側(cè)、半導(dǎo)體外延疊層單元與操作基板的表面之間、或操作基板相對于半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。


圖IA為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法第一步驟的側(cè)視示意圖；圖IB為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法第一步驟的俯視示意圖；圖IC為示意圖，顯示依俯視圖IB的C-C’線段切割的側(cè)視示意圖；圖2為示意圖，顯示多彩顯示裝置俯視示意圖；圖3A為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法第二步驟的俯視示意圖；圖;3B為示意圖，顯示依俯視圖3A的B_B’線段切割的第二步驟側(cè)視示意圖；圖3C為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第三步驟部分側(cè)視示意圖；圖4A為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第四步驟部分側(cè)視示意圖4B為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第四步驟的選擇性步驟側(cè)視示意圖；圖4C為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第四步驟的選擇性步驟側(cè)視示意圖；圖4D為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第四步驟的選擇性步驟側(cè)視示意圖；圖4E為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法的第四步驟的選擇性步驟側(cè)視示意圖；圖5A為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法第五步驟的俯視示意圖；圖5B為示意圖，顯示依俯視圖5A的B-B’線段切割的第五步驟側(cè)視示意圖；圖6為示意圖，顯示半導(dǎo)體光電元件制作方法第六步驟的俯視示意圖；圖7A為示意圖，顯示依本發(fā)明另一實施例所示的半導(dǎo)體光電元件結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖7B為示意圖，顯示依側(cè)視圖7A的半導(dǎo)體外延疊層單元4部分的側(cè)視示意圖；圖7C為示意圖，顯示依側(cè)視圖7A的半導(dǎo)體外延疊層單元4與透明導(dǎo)電層16部分的立體示意圖；圖8為示意圖，顯示依本發(fā)明另一實施例所示的半導(dǎo)體光電元件結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖9A為示意圖，顯示依本發(fā)明另一實施例所示的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖9B為示意圖，顯示依側(cè)視圖9A的半導(dǎo)體外延疊層單元部分的側(cè)視示意圖；圖10為示意圖，顯示依本發(fā)明另一實施例所示的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖。附圖標(biāo)記說明1 生長基板；2:犧牲層；2’ 犧牲層側(cè)壁；3 半導(dǎo)體外延疊層；4 半導(dǎo)體外延疊層單元；4’ 第一半導(dǎo)體外延疊層單元；4” 第二半導(dǎo)體外延疊層單元；5 圖案化光致抗蝕劑層；6、6”轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)；6，轉(zhuǎn)移表面；7 操作基板；7”:操作基板表面；8 電極區(qū)域；9 外延區(qū)域；10 粘著層；
11:第一電極；12 金屬導(dǎo)線；13 第一半導(dǎo)體材料層；14 第二半導(dǎo)體材料層；15 :發(fā)光層；16:透明導(dǎo)電層；16’ 第一表面；16”第二表面；17 絕緣層；18 直接接觸部；18’ 直接接觸對應(yīng)部；19 第一外延區(qū)域；20、30 半導(dǎo)體光電元件；21 第二外延區(qū)域；22 第一發(fā)光二極管外延疊層單元；23 第二發(fā)光二極管外延疊層單元；24:第一方向；25,27 第一邊；26:第一延長方向；28:第二延長方向；40、50 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)；61 轉(zhuǎn)移表面的突起；62 轉(zhuǎn)移表面的突起；71 操作基板的下表面；101 紅光半導(dǎo)體外延疊層單元；102 綠光半導(dǎo)體外延疊層單元；103 藍(lán)光半導(dǎo)體外延疊層單元。
具體實施例方式請參照圖1，圖1為依據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體光電元件的制作方法。首先，根據(jù)側(cè)視圖1A，先提供生長基板1，并形成犧牲層2于生長基板1之上，再形成半導(dǎo)體外延疊層 3于犧牲層2之上。其中，生長基板1的材料例如可選自于由藍(lán)寶石(A1203)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)以及砷化鎵(GaAs)所組成的族群，而犧牲層2的材料例如可為砷化鋁(AlAs)、鋁化鎵砷(AKiaAs)、以及氧化鋅(ZnO)，而半導(dǎo)體外延疊層3例如可以為發(fā)光二極管外延疊層和/或太陽能電池外延疊層。接著，請分別同時參照俯視圖IB及側(cè)視圖1C， 以已知的制作方式，例如為干蝕刻、濕蝕刻或激光切割等方式分隔半導(dǎo)體外延疊層為多個半導(dǎo)體外延疊層單元4。分隔后，如圖IC所示，裸露出多個半導(dǎo)體外延疊層單元4下的犧牲層2的側(cè)壁2’。同樣地，半導(dǎo)體外延疊層單元4例如可以為發(fā)光二極管外延疊層區(qū)域和/ 或太陽能電池外延疊層區(qū)域。
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以上述的方式于生長基板1上形成多個半導(dǎo)體外延疊層單元4的結(jié)構(gòu)之后，半導(dǎo)體外延疊層單元4將依據(jù)后續(xù)工藝或應(yīng)用需求選擇性地將半導(dǎo)體外延疊層單元轉(zhuǎn)移至操作基板上。以圖2為例，顯示分別由紅光半導(dǎo)體外延疊層單元101、綠光半導(dǎo)體外延疊層單元102、以及藍(lán)光半導(dǎo)體外延疊層單元103所組成的多彩顯示裝置。為配合此多彩顯示裝置，當(dāng)生長基板上的多個半導(dǎo)體外延疊層單元4放射紅光波長時，依據(jù)多彩顯示裝置上紅光半導(dǎo)體外延疊層單元101的配置，半導(dǎo)體外延疊層單元4將交錯地由生長基板1上被選擇性地轉(zhuǎn)移至操作基板，即多彩顯示裝置上。轉(zhuǎn)移的工藝如接下來圖3A至3C所述，需要被轉(zhuǎn)移的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4” 和不需要轉(zhuǎn)移的第一半導(dǎo)體外延疊層單元4’透過不同的光致抗蝕劑覆蓋方式依后續(xù)的步驟達(dá)到可進(jìn)行選擇性轉(zhuǎn)移的效果。為了選擇性地轉(zhuǎn)移特定部分的半導(dǎo)體外延疊層單元4，如俯視圖3A及俯視圖3A中B-B’線段的側(cè)視圖:3B所示，以圖案化的光致抗蝕劑層5覆蓋部分半導(dǎo)體外延疊層單元4 對于無須轉(zhuǎn)移的第一半導(dǎo)體外延疊層單元4’，以完全覆蓋的方式包覆住包含半導(dǎo)體外延疊層的表面以及其下裸露的犧牲層側(cè)壁2’ ；對于需要被轉(zhuǎn)移的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”，則覆蓋部分達(dá)到簡單固定的效果，并裸露出犧牲層側(cè)壁2’。然后，使用已知的蝕刻技術(shù)，例如濕蝕刻，利用蝕刻液經(jīng)由裸露出的犧牲層側(cè)壁2’去除第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”之下的犧牲層2。在此步驟之后，部分半導(dǎo)體外延疊層單元4下方的犧牲層2被選擇性地移除，如側(cè)視圖3C所示，圖中表示俯視圖3A中線段B-B’經(jīng)由移除步驟后部分犧牲層2被移除的結(jié)果。透過此種方式，當(dāng)生長基板上所有的半導(dǎo)體外延疊層單元4皆被移除后，原有的生長基板由于并未遭受破壞，將可透過一般的清洗過程后，再度回收使用。除此之外，亦可以使用濕氧蝕刻的方式，通過加入高溫高濕的氧氣，氧化犧牲層2 材料，使?fàn)奚鼘?材料本身體積膨脹，減少犧牲層2與半導(dǎo)體外延疊層單元4彼此間的粘著性(圖未示)，并可使半導(dǎo)體外延疊層單元4與犧牲層2主動分離。待兩者相互分離后，再以蝕刻液去除材留在半導(dǎo)體外延疊層單元4表面的部分被氧化的犧牲層2。為了有效地選擇性轉(zhuǎn)移下方犧牲層2被移除的部分半導(dǎo)體外延疊層單元，即第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”，使用轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6進(jìn)行轉(zhuǎn)移程序。轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6的材料主要是由有機(jī)高分子材料所組成，例如為發(fā)泡膠或PI膠帶(tape)。轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6具有朝向半導(dǎo)體外延疊層單元4的轉(zhuǎn)移表面6’，其中轉(zhuǎn)移表面6’可為具有粘著性的表面或包括至少一個與須轉(zhuǎn)移的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”相對應(yīng)的突起61。透過轉(zhuǎn)移表面6’的粘著力或通過累積在轉(zhuǎn)移表面突起61與第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”表面之間的電荷所產(chǎn)生的靜電吸引力，可選擇性地對第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”進(jìn)行吸附作用，而將第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6上，如圖4A所示。此外，被轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6的第二半導(dǎo)體外延疊層4”上仍然附著有部分圖案化光致抗蝕劑層5。因此，為了去除圖案化光致抗蝕劑層5或依結(jié)構(gòu)設(shè)計需求需要將第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”上下倒置地設(shè)置于操作基板上時，可以選擇性地進(jìn)行二次轉(zhuǎn)移技術(shù)。艮口， 如圖4B至4D所示，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體外延疊層單元4”被轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6后，原先覆蓋在部分第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”上表面的圖案化光致抗蝕劑層5仍附著在第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”與轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6未被移除。此時，可先將轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6上的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”轉(zhuǎn)移至第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”，以光致抗蝕劑去除液去除仍附著于第二半導(dǎo)體外延疊層單
10元4”的圖案化光致抗蝕劑層5后，再進(jìn)行二次轉(zhuǎn)移將第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”上的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”轉(zhuǎn)移至操作基板7上。相似地，第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”的材料主要是由有機(jī)高分子材料所組成，例如為發(fā)泡膠或PI膠帶。第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”具有朝向轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體外延疊層單元4”的轉(zhuǎn)移表面，其中轉(zhuǎn)移表面可為具有粘著性的表面或包括至少一個與須轉(zhuǎn)移的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”相對應(yīng)的突起62。透過第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”表面的粘著力或累積在轉(zhuǎn)移表面的突起62與第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”表面之間的電荷所產(chǎn)生的靜電吸引力， 選擇性地對第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”再次進(jìn)行吸附作用，將第二半導(dǎo)體外延疊層單元 4”轉(zhuǎn)移至第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”上。最后，如圖4E所示，再將第二半導(dǎo)體外延單元4”由第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”轉(zhuǎn)移至操作基板7上。當(dāng)然，若只進(jìn)行一次轉(zhuǎn)移步驟時，第二半導(dǎo)體外延單元4”亦可以相似的方式直接由轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6轉(zhuǎn)移至操作基板7上。如圖5A所示，操作基板7上具有多個電極區(qū)域8及多個外延區(qū)域9，其中，電極區(qū)域8與外延區(qū)域9以一定的距離相隔，而操作基板7的材料可例如為藍(lán)寶石(Al2O3)、硅 (Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)或氮化鋁(AlN)?；蛘撸僮骰?為PCB 基板或FR4基板。FR4基板為玻璃布基板，是由玻璃布浸以環(huán)氧酚醛樹脂等材料經(jīng)高溫高壓熱壓而成的板狀層壓制品。將置于轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6 (或是第二轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6”)上的多個第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”轉(zhuǎn)移至操作基板7上，其方式例如為形成粘著層10于操作基板7與第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”之間，通過加熱的方式對操作基板7與第二半導(dǎo)體外延疊層單元 4”進(jìn)行粘著。因為加熱的作用，同時可使第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”與轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6(6”) 之間的吸附力下降(轉(zhuǎn)移表面6’的粘著性因加熱而降低)，再加上粘著層10對第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”與操作基板7的吸附力，可以將第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”自轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu) 6(6”)上轉(zhuǎn)移至操作基板7。其中，粘著層10的材料可以為有機(jī)高分子材料、金屬材料或金屬合金材料。此外，為了增加元件的出光效率或其他目的，還可以選擇性地在操作基板7的表面7”進(jìn)行粗糙化，使表面7”包括至少一突起(圖未示)和/或至少一凹洞(圖未示)。 如圖5A中B-B’線段側(cè)視圖5B所示，選擇性地轉(zhuǎn)移部分第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”于操作基板7的外延區(qū)域9上，并與電極區(qū)域8以特定距離相隔。最后，如圖6所示，在操作基板7的電極區(qū)域8形成第一電極11，第一電極11并通過自其本體延伸的金屬導(dǎo)線12或透過其他導(dǎo)電介質(zhì)，例如為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、 氧化銦、氧化錫、氧化銅鋁、氧化銅鎵、氧化鍶銅、氧化鋁鋅、氧化鋅鎵或上述材料的任意組合等的透明導(dǎo)電材料與轉(zhuǎn)移并設(shè)置在相對應(yīng)外延區(qū)域9的第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”各自電性連結(jié)。此外，為達(dá)到元件導(dǎo)電的目的，制作步驟中還可包括形成第二電極(圖未示)于第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”與操作基板7之間或操作基板7相對于第二半導(dǎo)體外延疊層單元4”的相反側(cè)。請參照圖7A及圖8，顯示為依據(jù)本發(fā)明精神上述的制作方式所制作的單一半導(dǎo)體光電元件20及半導(dǎo)體光電元件30的側(cè)視圖。半導(dǎo)體光電元件20及30例如可以為太陽能電池或發(fā)光二極管。如圖7A至圖7C所示，半導(dǎo)體光電元件20包含操作基板7，半導(dǎo)體外延疊層單元4 設(shè)置于操作基板7之上。接著，放大半導(dǎo)體外延疊層單元4如圖7B所示，半導(dǎo)體外延疊層單元4包含設(shè)置于操作基板7之上，具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層13，例如為ρ型半導(dǎo)體材料層，以及設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層13之上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層14，例如為η型半導(dǎo)體材料層。當(dāng)半導(dǎo)體光電元件20及30為發(fā)光二極管元件時，半導(dǎo)體外延疊層單元4則又可包含發(fā)光層15，設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層13與第二半導(dǎo)體材料層 14之間。參考圖7Α，在半導(dǎo)體光電元件20之中還包含透明導(dǎo)電層16，設(shè)置于操作基板7之上。透明導(dǎo)電層16包含第一表面16’以及大致平行第一表面的第二表面16”。在第一表面 16’上，第二半導(dǎo)體材料層14與透明導(dǎo)電層16有部分直接接觸，定義為一個直接接觸部18。 在第二表面16”相對于第一表面16’直接接觸部的位置則稱為直接接觸對應(yīng)部18’，放大如圖7C所示。請注意，圖7C中為清楚表示透明導(dǎo)電層16與半導(dǎo)體外延疊層單元4中第二半導(dǎo)體材料層14兩者接觸的相對位置，故稍微分隔兩者，但兩者實質(zhì)上為相互接觸。其中， 透明導(dǎo)電層16的材料可為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化銅鋁、氧化銅鎵、氧化鍶銅、氧化鋁鋅、氧化鋅鎵或上述材料的任意組合。為了增加元件出光或吸光的效率，在優(yōu)選的情況下，覆蓋于半導(dǎo)體外延疊層單元4之上的透明導(dǎo)電層16透光效率應(yīng)大于 90%。繼續(xù)參考圖7Α，為達(dá)成元件與外界的電性連結(jié)，在本實施例之中，在操作基板7之上，還包含有一個第一電極11設(shè)置在透明導(dǎo)電層16上直接接觸部18與直接接觸對應(yīng)部 18’之外的區(qū)域，通過透明導(dǎo)電層16與半導(dǎo)體外延疊層單元4進(jìn)行電性連結(jié)。透過這樣的設(shè)計，由于半導(dǎo)體外延疊層單元4上方覆蓋的為透明的材料，半導(dǎo)體光電元件20不論是出光或吸光的效率都可以獲得大幅的提升。值得注意的是，為了增加元件結(jié)構(gòu)的穩(wěn)固與效率， 在半導(dǎo)體外延疊層單元4的部分表面還可以選擇性的以絕緣材料層17進(jìn)行保護(hù)，絕緣材料可例如以為常見的氧化硅或氮化硅材料。此外，如上述制作方法中所述，在本結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體外延疊層單元4與操作基板7之間還可選擇性的設(shè)置一層粘著層10以達(dá)到相互粘著的效果。接著參照圖8，圖8為根據(jù)本發(fā)明精神所制作的另一半導(dǎo)體光電元件30。在此實施例中，與前一實施例相似的結(jié)構(gòu)則不再贅述。不同的是，本實施例中，半導(dǎo)體光電元件30 上的第一電極11還包括多個金屬導(dǎo)線12自第一電極延伸至直接接觸對應(yīng)部18’，通過金屬較低的電阻值特性增加元件的導(dǎo)電效率，其俯視圖可以一并參照圖6。其中，第一電極11 的材料可以由鈦、鋁、金、鉻、鎳、鍺或上述的任意合金所構(gòu)成的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)，金屬導(dǎo)線12優(yōu)選為具有寬度小于20 μ m，而金屬導(dǎo)線12亦可以選擇性地與第一電極11由不同材料所制成。此外，為達(dá)到元件導(dǎo)電的目的，結(jié)構(gòu)中還可包括形成第二電極(圖未示)于半導(dǎo)體外延疊層單元4與操作基板7之間或操作基板7相對于半導(dǎo)體外延疊層單元4的相反側(cè)， 即操作基板的下表面71。為了增加元件的出光效率或其他目的，在操作基板7的表面亦可以包括有至少一突起(圖未示)和/或至少一凹洞(圖未示)的粗糙化結(jié)構(gòu)。圖9A所示為依據(jù)本發(fā)明精神所制作的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)40。在結(jié)構(gòu)40中，包括操作基板7，操作基板7具有表面7”，表面上包括多個第一外延區(qū)域19與多個第二外延區(qū)域21。每一個外延區(qū)域中，皆包括一個上述的半導(dǎo)體光電元件(在此為發(fā)光二極管元件)。 也就是說，在每一個外延區(qū)域上，皆包括一個發(fā)光二極管外延疊層單元。值得注意的是，在
1第一外延區(qū)域19上所包括的是放射第一主放射波長的第一發(fā)光二極管外延疊層單元22， 在本實施例中第一主放射波長為放射紅光，波長介于600nm至650nm之間。當(dāng)然，根據(jù)不同的需求，第一主放射波長或可以為綠光，波長介于510nm至550nm之間，或可以為藍(lán)光，波長介于390nm至440nm之間；而在第二外延區(qū)域21上所包括的是放射第二主放射波長的第二發(fā)光二極管外延疊層單元23，在本實施例中第二主放射波長為放射綠光，波長介于510nm 至550nm之間。由實施例中可知，第一主放射波長可不等于第二主放射波長。通過上述實施例所介紹的半導(dǎo)體光電元件的制作方式，即使在單一操作基板上包含有兩種(如本結(jié)構(gòu)40)或以上不同的外延疊層單元(在此為具有不同主放射波長的發(fā)光二極管外延疊層單元)，可以容易地依據(jù)需求經(jīng)過一次的轉(zhuǎn)移，即可選擇性自生長基板上轉(zhuǎn)移多個生長于單一相同生長基板上不同位置但可放射相同主放射波長的發(fā)光二極管外延疊層單元至操作基板上。因此，以圖9A的結(jié)構(gòu)40為例，僅需要兩次的轉(zhuǎn)移動作，即第一次自生長紅光發(fā)光二極管元件的生長基板轉(zhuǎn)移紅光外延疊層單元，第二次自生長綠光發(fā)光二極管元件的生長基板轉(zhuǎn)移綠光外延疊層單元，即可完成操作基板上所有外延疊層單元設(shè)置的初步結(jié)構(gòu)，而不需以人工選取或機(jī)器手臂夾取等方式一單元一單元地轉(zhuǎn)移，可縮短工藝的時間。同樣的，請參考圖9B，在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)40之中，每一個發(fā)光二極管外延疊層單元22及23分別包含具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層13，例如為ρ型半導(dǎo)體材料層， 設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層13之上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層14，例如為η型半導(dǎo)體材料層，以及發(fā)光層15，設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層13與第二半導(dǎo)體材料層14之間。此外，如同上述的實施例所述，為達(dá)到元件導(dǎo)電的目的，在結(jié)構(gòu)40中，每一個第一發(fā)光二極管外延疊層單元22和/或第二發(fā)光二極管外延疊層單元23還可包括一個第一電極(圖未示)設(shè)置于半導(dǎo)體外延疊層單元相對于操作基板7的相反側(cè)，在本實施例，即為設(shè)置在半導(dǎo)體外延疊層單元之上；或是設(shè)置于半導(dǎo)體外延疊層單元與操作基板7的表面7”之間；或是操作基板7相對于半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)，即操作基板的下表面。為了增加元件的出光效率或其他目的，在操作基板7的表面亦可以包括有至少一突起(圖未示)和 /或至少一凹洞(圖未示)的粗糙化結(jié)構(gòu)。值得注意的是，每一次進(jìn)行轉(zhuǎn)移工藝的時候，操作基板7與轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)6 (6”)之間會有產(chǎn)生對位誤差的可能性。因此，進(jìn)行選擇性轉(zhuǎn)移工藝的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)將可能發(fā)生如圖 10的情況。以發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)50為例，定義第一方向M平行操作基板7的表面7”，由于放射第一主放射波長的第一發(fā)光二極管外延疊層單元22是在同一次轉(zhuǎn)移工藝中一起轉(zhuǎn)移到操作基板7上，因此，會產(chǎn)生轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)本身的角度偏移間接影響附著在轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上所有的第一發(fā)光二極管外延疊層單元22 —起產(chǎn)生相同的對位角度偏移的情況。相同地，放射第二主放射波長的第二發(fā)光二極管外延疊層單元23是在同一次轉(zhuǎn)移工藝中一起轉(zhuǎn)移到操作基板7上，因此，也會有一起產(chǎn)生相同的對位角度偏移的情況。以其中一個第一發(fā)光二極管外延疊層單元22為例，具有任一一個平行于操作基板7表面7”的第一邊25。對每一個第一發(fā)光二極管外延疊層單元22的第一邊25作延長線，會發(fā)現(xiàn)所有的延長線會具有實質(zhì)平行的第一延長方向26。相同地，以其中任一個第二發(fā)光二極管外延疊層單元23為例，會具有一個相對應(yīng)于第一發(fā)光二極管外延疊層單元22平行于操作基板7表面7”的第一邊27。 對每一個第二發(fā)光二極管外延疊層單元23的第一邊27作延長線，會發(fā)現(xiàn)所有的延長線具有實質(zhì)平行的第二延長方向觀。由于兩次轉(zhuǎn)移所產(chǎn)生的對位角度偏移不盡相同，因此，以原本定義的第一方向M為基準(zhǔn)，第一延長方向26與第一方向M會產(chǎn)生夾角θ i，而第二延長方向觀與第一方向M會產(chǎn)生另一夾角θ2，而且Q1不等于θ2。本實施例中，Q1約等于 70度而θ 2約等于90度。通過以上的說明，可了解本發(fā)明所揭示的一種半導(dǎo)體光電元件的轉(zhuǎn)移制作方法除了完整地保留半導(dǎo)體光電元件的生長基板，可以重復(fù)使用之外，并且可以以具有選擇性地方式單次轉(zhuǎn)移多個半導(dǎo)體光電元件單元于操作基板上，簡化工藝。這種方式，對于發(fā)展中的多色發(fā)光元件或是多色顯示器的制作，具有節(jié)省成本以及縮短工藝時間的良好功效。本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
1權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體光電元件，包括 操作基板；半導(dǎo)體外延疊層單元，設(shè)置于該操作基板上，該半導(dǎo)體外延疊層單元包括 設(shè)置于該操作基板上、具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層；和設(shè)置于該第一半導(dǎo)體材料層上、具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層； 透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二半導(dǎo)體材料層上，該透明導(dǎo)電層包括 第一表面，具有直接接觸部與該第二半導(dǎo)體材料層直接接觸； 第二表面，實質(zhì)平行該第一表面，具有直接接觸對應(yīng)部，該直接接觸對應(yīng)部相對于該直接接觸部；以及第一電極，設(shè)置于該操作基板上，通過該透明導(dǎo)電層與該半導(dǎo)體外延疊層單元電性連結(jié)，其中該第一電極與該透明導(dǎo)電層通過該直接接觸部與該直接接觸對應(yīng)部之外的區(qū)域相互電性連結(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該半導(dǎo)體外延疊層單元還包括發(fā)光層， 設(shè)置于該第一半導(dǎo)體材料層與該第二半導(dǎo)體材料層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，還包括第二電極，設(shè)置于該操作基板與該半導(dǎo)體外延疊層單元之間或該操作基板相對于該半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該透明導(dǎo)電層的透光度大于90%。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該半導(dǎo)體光電元件為太陽能電池或發(fā)光二極管。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該透明導(dǎo)電層材料選自于由氧化銦錫、 氧化鎘錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化銅鋁、氧化銅鎵、氧化鍶銅、氧化鋁鋅、氧化鋅鎵以及上述材料的任意組合所組成的族群。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，還包括多個金屬導(dǎo)線，自該第一電極延伸至該透明導(dǎo)電層的該直接接觸對應(yīng)部。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該金屬導(dǎo)線具有寬度小于20μ m，和/或該多個金屬導(dǎo)線的材料與該第一電極不同。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電極的材料是由鈦、鋁、金、鉻、 鎳、鍺或上述的任意合金所構(gòu)成的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該操作基板還具有粗糙表面，該粗糙表面包括至少一突起和/或至少一凹洞。
11.一種半導(dǎo)體光電元件的制作方法，包括 提供生長基板；形成犧牲層于該生長基板上； 形成半導(dǎo)體外延疊層于該犧牲層上；分隔該半導(dǎo)體外延疊層為多個半導(dǎo)體外延疊層單元并裸露出該多個半導(dǎo)體外延疊層單元下的犧牲層；形成圖案化光致抗蝕劑，覆蓋部分該多個半導(dǎo)體外延疊層單元及部分該多個裸露的犧牲層；移除該多個未被該圖案化光致抗蝕劑覆蓋的犧牲層；提供轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)，將該多個下方犧牲層被移除的半導(dǎo)體外延疊層單元轉(zhuǎn)移至該轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上；提供操作基板，具有多個電極區(qū)域與多個外延區(qū)域，該多個電極區(qū)域與該多個外延區(qū)域以特定距離相隔；轉(zhuǎn)移該轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上的該多個半導(dǎo)體外延疊層單元至該操作基板的該多個外延區(qū)域上；以及形成多個第一電極于該操作基板的該多個電極區(qū)域上，該多個第一電極并與該多個被轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體外延疊層單元電性連結(jié)。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，其中該生長基板的材料選自于由藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵以及砷化鎵所組成的族群，和/或該操作基板的材料選自于由藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵以及砷化鎵所組成的族群或由PCB基板及FR4基板所組成的族群。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，其中該轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)主要是由有機(jī)高分子材料所組成。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，還包括形成粘著層于該操作基板與該多個半導(dǎo)體外延疊層單元之間，該粘著層的材料選自于有機(jī)高分子材料、金屬材料以及金屬合金所組成的族群。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，其中該多個半導(dǎo)體外延疊層單元為發(fā)光二極管外延疊層區(qū)域和/或太陽能電池外延疊層區(qū)域。
16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，還包括粗糙化該操作基板的表面，使該表面包括至少一突起和/或至少一凹洞。
17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，還包括形成至少一個第二電極于該多個半導(dǎo)體外延疊層單元與該操作基板之間或該操作基板相對于該半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。
18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光電元件的制作方法，其中該轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)具有轉(zhuǎn)移表面，該表面具有粘著性和/或包括相對應(yīng)于該多個下方犧牲層被移除的半導(dǎo)體外延疊層單元的至少一突起。
19.一種發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，包括操作基板，具有表面，包括多個第一外延區(qū)域以及多個第二外延區(qū)域； 多個第一發(fā)光二極管外延疊層單元，設(shè)置于該多個第一外延區(qū)域上，可放射第一主放射波長，其中任一該多個第一發(fā)光二極管外延疊層單元具有平行該操作基板的該表面的第一邊，且該多個第一邊的延長線具有實質(zhì)相互平行的第一延長方向；多個第二發(fā)光二極管外延疊層單元，設(shè)置于該多個第二外延區(qū)域上，可放射第二主放射波長，其中任一該多個第二發(fā)光二極管外延疊層單元具有相對應(yīng)于該第一邊的第二邊， 且該多個第二邊的延長線具有實質(zhì)相互平行的第二延長方向；以及第一方向，平行該操作基板的該表面，其中該第一延長方向與該第一方向具有夾角 Q1，該第二延長方向與該第一方向具有夾角θ2，且Q1不等于θ2。
20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，其中該第一主放射波長介于600nm至650nm之間、510nm至550nm之間、或390nm至440nm之間。
21.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，其中 該第一主放射波長不等于該第二主放射波長。
22.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，其中任一該多個第一發(fā)光二極管外延疊層單元及任一該多個第二發(fā)光二極管外延疊層單元還包括半導(dǎo)體外延疊層，設(shè)置于該操作基板的該表面上，該半導(dǎo)體外延疊層包括 設(shè)置于該操作基板的該表面上，具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層； 設(shè)置于該第一半導(dǎo)體材料層上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層；以及發(fā)光層，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體材料層與該第二半導(dǎo)體材料層之間。
23.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，其中該操作基板還具有粗糙表面，該粗糙表面包括至少一突起和/或至少一凹洞。
24.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，其中任一該多個第一發(fā)光二極管外延疊層單元和/或任一該多個第二發(fā)光二極管外延疊層單元還包括第一電極，設(shè)置于該多個半導(dǎo)體外延疊層單元相對應(yīng)于該操作基板的相反側(cè)、該多個半導(dǎo)體外延疊層單元與該操作基板的該表面之間、或該操作基板相對于該半導(dǎo)體外延疊層單元的相反側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體光電元件及其制作方法。該半導(dǎo)體光電元件包括操作基板；半導(dǎo)體外延疊層單元，設(shè)置于操作基板上；半導(dǎo)體外延疊層單元包括設(shè)置于操作基板上，具有第一導(dǎo)電特性的第一半導(dǎo)體材料層，以及設(shè)置于第一半導(dǎo)體材料層上，具有第二導(dǎo)電特性的第二半導(dǎo)體材料層；透明導(dǎo)電層，設(shè)置于第二半導(dǎo)體材料層上，透明導(dǎo)電層包括第一表面、直接接觸部，設(shè)置于第一表面上，與第二半導(dǎo)體材料層直接接觸、第二表面，實質(zhì)平行第一表面、直接接觸對應(yīng)部，設(shè)置于第二表面相對于直接接觸部上；以及第一電極，設(shè)置于操作基板上，通過透明導(dǎo)電層與半導(dǎo)體外延疊層電性連結(jié)；其中，第一電極與透明導(dǎo)電層通過直接接觸部與直接接觸對應(yīng)部之外的區(qū)域相互電性連結(jié)。
文檔編號H01L31/18GK102376826SQ20101024919
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月6日
發(fā)明者張湘苓, 徐子杰, 王心盈, 陳吉興, 陳怡名 申請人:晶元光電股份有限公司