專利名稱：陣列式發(fā)光元件、光源產(chǎn)生裝置和背光模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及陣列式光電元件，尤其涉及一種具有斜角的半導體層的陣列式發(fā)光元件。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light-emitting Diode ；LED)為一種固態(tài)半導體元件，其至少包含一 p-n結(p-n junction)，此p-n結形成于ρ型與η型半導體層之間。當于ρ_η結上施加一定程度的偏壓時，P型半導體層中的空穴與η型半導體層中的電子會結合而釋放出光。產(chǎn)生此光的區(qū)域一般又被稱為發(fā)光區(qū)(light-emitting region)。如圖8所示，傳統(tǒng)LED 8具有長方形η型半導體層81與長方形ρ型半導體層82， η型半導體層81與ρ型半導體層82之上分別有η型墊片83與ρ型墊片84，提供偏壓于η 型墊片83與ρ型墊片84，電流會沿路徑c從ρ型墊片84流向η型墊片83。然而ρ型半導體層82的側向電阻值較η型半導體層81高，電流在ρ型半導體層擴散速率較差，所以長方形的P型半導體層82位于ρ型墊片84附近的部分區(qū)域821電流通過的機率較低，導致位于部分區(qū)域821之下的區(qū)域產(chǎn)生光線的機率也較低。LED的主要特征在于尺寸小、發(fā)光效率高、壽命長、反應快速、可靠度高和色度良好，目前已經(jīng)廣泛地使用在電器、汽車、招牌和交通號志上。隨著全彩LED的問世，LED已逐漸取代傳統(tǒng)的照明設備，如熒光燈和白熱燈泡。上述發(fā)光二極管可進一步地經(jīng)由焊塊或膠材將基板與基座連接，以形成發(fā)光裝置。另外，基座還具有至少一電路，經(jīng)由導電結構，例如金屬線，電連接發(fā)光裝置的電極。

發(fā)明內(nèi)容
一個實施例的陣列式發(fā)光元件包含基板以及位于基板之上的多個發(fā)光元件，每一發(fā)光元件包含第一半導體層，包含第一邊、第二邊、第三邊與第四邊，其中第二邊與第一邊相對并小于第一邊，第三邊與第四邊相對，第一邊的兩端與第三邊和第四邊的一端相接，第二邊的兩端與第三邊和第四邊的另一端相接，其中第二邊至少與第三邊及第四邊其中之一形成斜角；第二半導體層位于第一半導體層之上；第一電接觸區(qū)，位于第一半導體層之上并與第一半導體層電性連接；以及第二電接觸區(qū)，位于第二半導體層之上并與第二半導體層電性連接，其中第一電接觸區(qū)與第二電接觸區(qū)位于基板同一側。另一實施例的陣列式發(fā)光元件與上述實施例基本相似，差異在于另一實施例的第二半導體層的第二邊的邊長大致趨近于零，或為第三邊與第四邊交會的點，此時第二半導體層約略為三角形。


附圖用以促進對本發(fā)明的理解，為本說明書的一部分。附圖的實施例配合實施方式的說明以解釋本發(fā)明的原理。
圖1為依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的剖面圖。圖2A為依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的俯視圖。圖2B為依據(jù)本發(fā)明的第三實施例的俯視圖。圖3A為依據(jù)本發(fā)明的第四實施例的俯視圖。圖;3B為依據(jù)本發(fā)明的第五實施例的俯視圖。圖4A為依據(jù)本發(fā)明的第六實施例的俯視圖。圖4B為依據(jù)本發(fā)明的第七實施例的俯視圖。圖5A為依據(jù)本發(fā)明的第八實施例的俯視圖。圖5B為依據(jù)本發(fā)明的第九實施例的俯視圖。圖6顯示了利用本發(fā)明實施例所組成的光源產(chǎn)生裝置的示意圖。圖7顯示了利用本發(fā)明實施例所組成的背光模塊的示意圖。圖8顯示了傳統(tǒng)LED的示意圖。附圖標記說明1 陣列式發(fā)光元件10 支持基板102 粘結層11 第一發(fā)光元件12 發(fā)光疊層122 第一半導體層124 活性層126 第二半導體層13 第二發(fā)光元件14:第一溝槽15:第一電接觸區(qū)16 絕緣層17:第二電接觸區(qū)18 電連接線19 電極或墊片20 第二溝槽21、31、41、51 第一邊22、32、42、52 第二邊23、33、43、53 第三邊24、34、44、54 第四邊6 光源產(chǎn)生裝置61 光源62 電源供應系統(tǒng)63 控制元件7 背光模塊71 光學元件
8 傳統(tǒng) LED81:長方形η型半導體層82:長方形ρ型半導體層821 部分區(qū)域83 :η 型墊片A-A，剖面線C 路徑
具體實施例方式本發(fā)明的實施例會被詳細地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各附圖以及說明出現(xiàn)。圖1為沿圖2Β中的剖面線Α-Α’所視的剖面圖。如圖1所示，第一實施例的陣列式發(fā)光元件1包含基板10 ；發(fā)光疊層12，形成于基板10之上，其中發(fā)光疊層12至少包含第一半導體層122、活性層124與第二半導體層126，第二半導體層126的面積較第一半導體層122的面積小，活性層124的面積與第二半導體層126的面積大致相同。第二半導體層 126可為ρ型半導體層或η型半導體層，第二半導體層1 與第一半導體層122電性相異。 活性層1 位于第一半導體層122與第二半導體層1 之間。陣列式發(fā)光元件1包含第一溝槽14，其中第一溝槽14將發(fā)光疊層12分隔成第一發(fā)光元件11與第二發(fā)光元件13。第一半導體層122包含第一電接觸區(qū)15位于第一半導體層122的上表面，第二半導體層1 包含第二電接觸區(qū)17位于第二半導體層126的上表面。接著絕緣層16形成于第一溝槽14、 第一發(fā)光元件11與第二發(fā)光元件13之上，但裸露出第一電接觸區(qū)15與第二電接觸區(qū)17， 其中絕緣層16的形成方式包含但不限于電子束蒸鍍法(E-Gim)、濺鍍法(Sputtering)或等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)。電連接線18形成于絕緣層16之上，以電連接第一發(fā)光元件11的第一電接觸區(qū)15與第二發(fā)光元件13的第二電接觸區(qū)17，其中電連接線18的形成方式包含蒸鍍、化鍍或電鍍，例如物理氣相沉積法(PVD)，化學氣相沉積法(CVD)，有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)或電子束蒸鍍法(E-Gim)。發(fā)光元件可通過電接觸區(qū)經(jīng)由電連接線18形成電連接，或在電接觸區(qū)上形成電極或墊片19，發(fā)光元件再通過電極或墊片19 與電連接線18形成電連接；電連接的方式可為串聯(lián)或并聯(lián)。陣列式發(fā)光元件1可選擇性地包含粘結層102位于基板10與發(fā)光疊層12之間。發(fā)光元件可以交流電或直流電驅(qū)動?；?0可用以生長及/或支持發(fā)光疊層12，其材料可為透明或絕緣材料，例如為電絕緣材料、藍寶石(Sapphire)、金剛石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋅(SiO)或氮化鋁(AlN)等?；?0的材料亦可為高散熱或反射材料，包含銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘 (Cu-Cd)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、類金剛石碳薄膜(Diamond Like Carbon ;DLC)、石墨(Graphite)、碳化硅(SiC)、碳纖維、復合材料、金屬基復合材料 (Metal Matrix Composite ;MMC)、陶瓷基復合材料(Ceramic Matrix Composite ;CMC)、高分子基復合材料(Polymer Matrix Composite ；PMC)、硅(Si)、磷化碘(IP)、硒化鋅(ZnSe)、 砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)、磷砷化鎵(GaAsP)、硒化鋅 (&ι%)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)15可用以成長發(fā)光疊層12的材料例如為藍寶石(Sapphire)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。發(fā)光疊層12的材料包含一種以上選自鎵(( )、鋁(Al)、銦an)、磷(P)、氮(N)、 鋅(Si)、鎘(Cd)或硒(Se)所構成的群組的元素。粘結層102的材料包含導電或非導電材料，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、 介電材料、SuS光刻膠、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物 (C0C)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、硅膠(Silicone)、玻璃、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或其他有機粘結材料、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、砷鎵化鋁(AKiaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵 (GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵砷(GaAsP)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類金剛石碳薄膜(DLC)。當粘結層102為導電材料，第一溝槽14會向下延伸以裸露部分基板10。如圖2A所示，第二實施例以第一發(fā)光元件11為例，俯視觀察時大致為具有至少不相等兩邊的四邊形，第一半導體層122包含第一邊21、第二邊22、第三邊23與第四邊M，其中第二邊22與第一邊21相對并小于第一邊21，第三邊23與第四邊M相對，第一邊21的兩端與第三邊23和第四邊M的一端相接，第二邊22的兩端與第三邊23和第四邊M的另一端相接，其中第二邊22至少與第三邊23及第四邊M其中之一形成斜角，其中第二邊22 亦可為四邊中最短邊，或可大致為弧線。另外，第一邊21與第二邊22可為四邊中最短的兩邊，第一邊21、第三邊23與第四邊M的邊長亦可相同或相異。于本實施例中，第二半導體層126的側向電阻值大于第一半導體層122的側向電阻值，第二電接觸區(qū)17位于第二半導體層1 之上并與第二半導體層1 電性連接，優(yōu)選為接近第二邊22，更優(yōu)選為至少包含部分第二邊22。第一電接觸區(qū)15位于第一半導體層122之上并與第一半導體層122電性連接，優(yōu)選為接近第一邊21，更優(yōu)選為至少包含部分第一邊21。第二實施例的第二半導體層 126可為ρ型半導體層或η型半導體層，優(yōu)選為ρ型半導體層。實施例不限于四邊形，亦可為多于四邊的多邊形。此外，發(fā)光元件11可選擇性地包含粘結層(圖未示)位于基板(圖未示)與第一半導體層122之間。如圖2Β所示，第三實施例的陣列式發(fā)光元件1包含多個第二實施例的第一發(fā)光元件11，其中多個發(fā)光元件彼此電性相連，此處以串聯(lián)進行。本實施例形成第二溝槽20以區(qū)隔多個發(fā)光元件，使每一發(fā)光元件的第一邊21與其相鄰的發(fā)光元件的第二邊22相近，及/ 或每一發(fā)光元件的第四邊M與其相鄰的發(fā)光元件的第四邊M平行相近。另外，發(fā)光元件陣列1的多個發(fā)光元件的電連接方式亦可為并聯(lián)(圖未示)，可以交流電或直流電驅(qū)動。由于第二半導體層1 的側向電阻值大于第一半導體層122的側向電阻值，電流在第二半導體層126的擴散速度相對于在第一半導體層122為慢。若第二電接觸區(qū)17接近第二邊22，而第二邊22較相對的第一邊21短，則第二半導體層126中靠近第二邊22的面積相對于第一邊21較小，電流可于第二電接觸區(qū)17周圍大致充分擴散，使電流于第二半導體層126中分布更為均勻。第二半導體層1 包含部分的第一邊21，活性層124的面積與第二半導體層126的面積大致相同，所以于第二半導體層1 分布更為均勻的電流可大致通過整面的活性層124，增加活性層IM有效發(fā)光的面積，進而提升發(fā)光元件的發(fā)光效率。如圖3A所示，第四實施例與第二實施例約略相似，差異在于第四實施例的第一發(fā)光元件11俯視觀的大致為三角形，包含第一邊31、第二邊32、第三邊33與第四邊34，其中第二邊32的邊長大致趨近于零，或為第三邊33與第四邊34交會的點，此時第二半導體層 126俯視觀之大致為三角形，第二邊32為三角型的頂點。第一半導體層122包含第一邊31、 第二邊32、第三邊33與第四邊34。本實施例中，第二半導體層126的側向電阻值大于第一半導體層122的側向電阻值，第二電接觸區(qū)17位于第二半導體層1 之上并與第二半導體層126電性連接，優(yōu)選為接近第二邊32，更優(yōu)選為至少包含部分第二邊32。第一電接觸區(qū) 15位于第一半導體層122之上并與第一半導體層122電性連接，優(yōu)選為接近第一邊31，更優(yōu)選為至少包含部分第一邊31。第四實施例的第二半導體層1 可為ρ型半導體層或η型半導體層，優(yōu)選為P型半導體層。此外，發(fā)光元件11可選擇性地包含粘結層(圖未示)位于基板(圖未示)與第一半導體層122之間。如圖IBB所示，第五實施例的陣列式發(fā)光元件1包含多個第四實施例的第一發(fā)光元件11，其中多個發(fā)光元件彼此電性相連，此處以串聯(lián)為之。本實施例形成第二溝槽20以區(qū)隔多個發(fā)光元件，使每一發(fā)光元件的第一邊31與其相鄰的發(fā)光元件的第二邊32相近，及/ 或每一發(fā)光元件的第四邊34與其相鄰的發(fā)光元件的第四邊34平行相近。另外，陣列式發(fā)光元件1的多個發(fā)光元件的電連接方式亦可為并聯(lián)(圖未示)，可以交流電或直流電驅(qū)動。由于第二電接觸區(qū)17接近第二邊32，若第二邊32的邊長大致趨近于零，則第二半導體層126中靠近第二邊32的面積相對于第一邊31較小，電流可于第二電接觸區(qū)17周圍大致充分擴散，使電流可于第二半導體層126中分布更為均勻。第二半導體層1 包含部分的第一邊31，活性層IM的面積與第二半導體層1 的面積大致相同，所以于第二半導體層1 分布更為均勻的電流可大致通過整面的活性層124，增加發(fā)光層IM有效發(fā)光的面積，進而提升發(fā)光元件的發(fā)光效率。如圖4A所示，第六實施例以第一發(fā)光元件11為例，俯視觀察時大致為具有至少不相等兩邊的四邊形，第一半導體層122包含第一邊41、第二邊42、第三邊43與第四邊44，其中第二邊42與第一邊41相對并小于第一邊41，第三邊43與第四邊44相對，第一邊41的兩端與第三邊43和第四邊44的一端相接，第二邊42的兩端與第三邊43和第四邊44的另一端相接，其中第二邊42至少與第三邊43及第四邊44其中之一形成斜角，其中第二邊42 亦可為四邊中最短邊，或可大致為弧線。另外，第一邊41與第二邊42可為四邊中最短的兩邊，第一邊41、第三邊43與第四邊44的邊長亦可相同或相異。本實施例中，第一半導體層 122的側向電阻值大于第二半導體層126的側向電阻值，第一電接觸區(qū)15位于第一半導體層122之上并與第一半導體層122電性連接，優(yōu)選為接近第二邊42，更優(yōu)選為至少包含部分第二邊42。第二電接觸區(qū)17位于第二半導體層1 之上并與第二半導體層126電性連接，優(yōu)選為接近第一邊41，更優(yōu)選為至少包含部分第一邊41。第六實施例的第一半導體層 122可為ρ型半導體層或η型半導體層，優(yōu)選為ρ型半導體層。實施例不限于四邊形，亦可為多于四邊的多邊形。此外，發(fā)光元件11可選擇性地包含粘結層(圖未示)位于基板(圖未示)與第一半導體層122之間。如圖4Β所示，第七實施例的陣列式發(fā)光元件1包含多個第六實施例的第一發(fā)光元件11，其中多個發(fā)光元件彼此電性相連，此處以串聯(lián)進行。本實施例形成第二溝槽20以區(qū)隔多個發(fā)光元件，使每一發(fā)光元件的第一邊41與其相鄰的發(fā)光元件的第二邊42相近，及/ 或每一發(fā)光元件的第四邊44與其相鄰的發(fā)光元件的第四邊44平行相近。另外，陣列式發(fā)光元件1的多個發(fā)光元件的電連接方式亦可為并聯(lián)(圖未示)，可以交流電或直流電驅(qū)動。由于第一半導體層I22的側向電阻值大于第二半導體層1 的側向電阻值，電流在第一半導體層122的擴散速度相對于在第二半導體層126為慢。若第一電接觸區(qū)15接近第二邊42，而第二邊42較相對的第一邊41短，則第一半導體層122中靠近第二邊42的面積較相對于第一邊41小，電流于第一電接觸區(qū)15周圍大致充分擴散，使電流可于第一半導體層122中分布更為均勻。于第一半導體層122分布更為均勻的電流可大致通過整面的活性層124，增加活性層IM有效發(fā)光的面積，進而提升發(fā)光元件的發(fā)光效率。如圖5A所示，第八實施例與第六實施例約略相似，差異在于第八實施例的第一發(fā)光元件11俯視觀之大致為三角形，包含第一邊51、第二邊52、第三邊53與第四邊M，其中第二邊52的邊長大致趨近于零，或為第三邊53與第四邊M交會的點，或為三角型的頂點。 第一半導體層122包含第一邊51、第二邊52、第三邊53與第四邊M。本實施例中，第一半導體層122的側向電阻值大于第二半導體層1 的側向電阻值，第一電接觸區(qū)15位于第一半導體層122之上并與第一半導體層122電性連接，優(yōu)選為接近第二邊52，更優(yōu)選為至少包含部分第二邊52。第二電接觸區(qū)17位于第二半導體層1 之上并與第二半導體層126電性連接，優(yōu)選為接近第一邊51，更優(yōu)選為至少包含部分第一邊51。第八實施例的第一半導體層122可為ρ型半導體層或η型半導體層，優(yōu)選為ρ型半導體層。此外，發(fā)光元件11可選擇性地包含粘結層(圖未示)位于基板(圖未示)與第一半導體層122之間。如圖5Β所示，第九實施例的陣列式發(fā)光元件1包含多個第八實施例的第一發(fā)光元件11，其中多個發(fā)光元件彼此電性相連，此處以串聯(lián)為之。本實施例形成第二溝槽20以區(qū)隔多個發(fā)光元件，使每一發(fā)光元件的第一邊51與其相鄰的發(fā)光元件的第二邊52相近，及/ 或每一發(fā)光元件的第四邊M與其相鄰的發(fā)光元件的第四邊M平行相近。另外，陣列式發(fā)光元件1的多個發(fā)光元件的電連接方式亦可為并聯(lián)(圖未示)，可以交流電或直流電驅(qū)動。由于第一電接觸區(qū)15接近第二邊52，若第二邊52的邊長大致趨近于零，第一半導體層122中靠近第二邊52的面積相對于第一邊51較小，因此電流可于第一電接觸區(qū)15周圍大致充分擴散，使電流可于第一半導體層122中分布更為均勻。于第一半導體層122分布更為均勻的電流可大致通過整面的活性層124，增加發(fā)光層IM有效發(fā)光的面積，進而提升發(fā)光元件的發(fā)光效率。圖6繪示出光源產(chǎn)生裝置示意圖，光源產(chǎn)生裝置6包含本發(fā)明任一實施例中的發(fā)光元件或發(fā)光元件陣列。光源產(chǎn)生裝置6可以是照明裝置，例如路燈、車燈或室內(nèi)照明光源，也可以是交通號志或平面顯示器中背光模塊的背光光源。光源產(chǎn)生裝置6包含前述發(fā)光元件或發(fā)光元件陣列組成的光源61、電源供應系統(tǒng)62以供應光源61電流、以及控制元件 63，用以控制電源供應系統(tǒng)62。圖7繪示出背光模塊剖面示意圖，背光模塊7包含前述實施例中的光源產(chǎn)生裝置 6，以及光學元件71。光學元件71可將由光源產(chǎn)生裝置6發(fā)出的光加以處理，以應用于平面顯示器，例如散射光源產(chǎn)生裝置6發(fā)出的光。上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術領域中普通技術人員均可在不違背本發(fā)明的技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發(fā)明的權利保護范圍如權利要求所列。
權利要求
1.一種陣列式發(fā)光元件，包含多個發(fā)光元件，任一該發(fā)光元件包含第一半導體層，包含第一邊以及相對且遠離該第一邊的第二邊； 第二半導體層，位于該第一半導體層之上； 第一電接觸區(qū)，位于該第一半導體層之上且鄰近該第一邊；以及第二電接觸區(qū)，位于該第二半導體層之上且鄰近該第二邊，其中該第二半導體層的側向電阻值大于該第一半導體層的側向電阻值，且該第二邊的邊長小于該第一邊的邊長。
2.如權利要求1所述的陣列式發(fā)光元件，其中該第二半導體層為P型半導體層。
3.一種陣列式發(fā)光元件，包含多個發(fā)光元件，任一該發(fā)光元件包含第一半導體層，包含第一邊以及相對且遠離該第一邊的第二邊； 第二半導體層，位于該第一半導體層之上； 第一電接觸區(qū)，位于該第一半導體層之上且鄰近該第二邊；以及第二電接觸區(qū)，位于該第二半導體層之上且鄰近該第一邊，其中該第一半導體層的側向電阻值大于該第二半導體層的側向電阻值，該第二邊的邊長小于該第一邊的邊長。
4.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，還包含基板，該基板支撐該多個發(fā)光元件。
5.如權利要求4所述的陣列式發(fā)光元件，還包含粘結層，該粘結層位于該基板與該多個發(fā)光元件之間。
6.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中該第二邊的邊長大致趨近于零。
7.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中該第二邊大致為弧線。
8.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中每一該發(fā)光元件通過該第一電接觸區(qū)與該第二電接觸區(qū)彼此串聯(lián)或并聯(lián)。
9.如權利要求3所述的陣列式發(fā)光元件，其中該第二半導體層為η型半導體層。
10.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中每一該發(fā)光元件還包含活性層，該活性層位于該第一半導體層與該第二半導體層之間。
11.如權利要求10所述的陣列式發(fā)光元件，其中該活性層的材料包含一種以上選自鎵、鋁、銦、磷、氮、鋅、鎘與硒所構成的群組的元素。
12.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中任一該發(fā)光元件還包含電極或墊片，該電極或墊片形成于該第一電接觸區(qū)及/或該第二電接觸區(qū)之上。
13.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中該多個發(fā)光元件以交流電或直流電驅(qū)動。
14.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中任一該發(fā)光元件的第一邊與其相鄰的該發(fā)光元件的第二邊相近。
15.如權利要求1或3所述的陣列式發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件以俯視觀察時大致為四邊形或三角形。
16.一種光源產(chǎn)生裝置，包含光源，包含至少一如權利要求1至15中任一所述的陣列式發(fā)光元件； 電源供應系統(tǒng)，供應該光源電流；以及控制元件，控制該電流。
17. 一種背光模塊,包含至少一光源產(chǎn)生裝置，該光源產(chǎn)生裝置包含至少一如權利要求1至15中任一所述的陣列式發(fā)光元件；以及光學元件，處理該光源產(chǎn)生裝置所發(fā)的光。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列式發(fā)光元件、光源產(chǎn)生裝置和背光模塊。該陣列式發(fā)光元件包含基板以及位于基板之上的多個發(fā)光元件，其中每一發(fā)光元件包含第一半導體層，包含第一區(qū)域與第二區(qū)域；以及具有斜角的第二半導體層位于第二區(qū)域之上。發(fā)光元件還包含第一電接觸區(qū)位于第一區(qū)域之上；以及第二電接觸區(qū)位于第二半導體層之上，其中第二半導體層的側向電阻值大于第一半導體層的側向電阻值。
文檔編號H01L33/48GK102376833SQ20101024919
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月6日 優(yōu)先權日2010年8月6日
發(fā)明者謝明勛 申請人:晶元光電股份有限公司