技術(shù)編號(hào)：6949930
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及陣列式光電元件，尤其涉及一種具有斜角的半導(dǎo)體層的陣列式發(fā)光元件。背景技術(shù)發(fā)光二極管(Light-emitting Diode ；LED)為一種固態(tài)半導(dǎo)體元件，其至少包含一 p-n結(jié)(p-n junction)，此p-n結(jié)形成于ρ型與η型半導(dǎo)體層之間。當(dāng)于ρ_η結(jié)上施加一定程度的偏壓時(shí)，P型半導(dǎo)體層中的空穴與η型半導(dǎo)體層中的電子會(huì)結(jié)合而釋放出光。產(chǎn)生此光的區(qū)域一般又被稱為發(fā)光區(qū)(light-emitting region)。如圖8所示，傳統(tǒng)LED ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。