專利名稱：堆疊裝置的制造方法及裝置晶片處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置的制作，特別涉及一種半導體裝置制造期間處理 (handle)薄化的晶片所使用的臨時承載板的接合與卸離(detaching)方法。
背景技術：
由于各個電子部件(S卩，晶體管、二極管、電阻、電容等等)的集成度(integration density)持續(xù)不斷的改進，使半導體業(yè)持續(xù)的快速成長發(fā)展。主要來說，集成度的改進來自于最小特征尺寸(minimum feature size)不斷縮小而容許更多的部件整合至既有的芯片面積內。因此創(chuàng)造出三維集成電路(three-dimensional integrated circuit，3DIC)來解決裝置數(shù)量增加時，存在于裝置之間內連線長度及數(shù)量的限制因素。裸片對晶片(die to wafer)堆疊接合為形成3DIC的一種方式，其中一或一個以上的裸片接合至一晶片上，而裸片的尺寸可小于晶片上的芯片(chip)。為了減少半導體封裝的厚度、增加芯片的速度，以及高密度元件制作，因而致力于縮減半導體晶片的厚度。因此，重要的3D技術工藝其中之一在于如何處理晶片薄化。用于臨時性接合的典型工藝包括在承載晶片及/或裝置晶片上涂覆一粘著劑、將裝置晶片與承載板接合、對裝置晶片進行加工以及接著去除承載板。厚度縮減即為對背向于半導體晶片中含有電路圖案(pattern-formed circuity) 的表面進行所謂的晶背研磨，半導體晶片上通常通過一粘著材料來貼附一載板，以協(xié)助晶片的處理。由于薄化的晶片強度不足且較容易發(fā)生變形，例如彎曲(bending)及/或翹曲 (warping)，因此在利用切割工藝使晶片分割成個別的芯片封裝之前，晶片表面先以成型材料(molding compound)進行封膠(例如，熱固型環(huán)氧樹脂)。傳統(tǒng)成型工藝中晶片邊緣會露出一部分的粘著材料，使晶片邊緣在進行后續(xù)工藝(例如時蝕刻或干蝕刻)期間容易受損，例如在卸離承載板之后發(fā)生破片(chipped)。特別是使用熱固性(thermosetting)的粘著材料時，裝置晶片所進行的高溫背側工藝，使粘著強度大于裝置晶片中的低介電常數(shù)材料層而在承載板卸離工藝期間造成低介電常數(shù)材料層的損害。同樣地，在進行背側工藝期間，粘著材料的粘度降低，使粘著材料流入玻璃承載板而引發(fā)其他的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中的缺陷。本發(fā)明一實施例中，一種堆疊裝置的制造方法，包括提供一晶片，其具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中第一表面上涂覆了一第一粘著層；提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出承載板的一邊緣區(qū)；經由第一粘著層及第二粘著層將晶片的第一表面接合至承載板，其中承載版的邊緣區(qū)被第一粘著層覆蓋；自第二表面薄化晶片，以形成一薄化的晶片；將多個裸片接合至薄化的晶片上；去除鄰近于薄化的晶片邊緣的第一粘著層，而露出承載板的邊緣區(qū)以及鄰近于承載板的邊緣區(qū)的該二粘著層；施加一光能或熱能，以分解第二粘著層；自晶片卸離承載板；以及去除余留于晶片的第一表面上的第一粘著層。
本發(fā)明另一實施例中，一種堆疊裝置的制造方法，包括提供一晶片，其具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中第一表面上涂覆了一第一粘著層；提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出承載板的一邊緣區(qū)；經由第一粘著層及第二粘著層將晶片的第一表面接合至承載板，其中承載版的邊緣區(qū)被第一粘著層覆蓋；自第二表面薄化晶片，以形成一薄化的晶片；將多個裸片接合至薄化的晶片上，以形成一裸片對晶片的堆疊；在裸片對晶片的堆疊上形成一成型材料；在鄰近成型材料的邊緣形成一通道，其中通道穿過成型材料、晶片的邊緣以及一部分的第一粘著層；去除成型材料、晶片的邊緣以及第一粘著層中環(huán)繞通道的部分，而露出承載板的邊緣區(qū)以及鄰近于承載板的該邊緣區(qū)的第二粘著層； 去除第二粘著層；自晶片卸離該承載板；以及去除余留于晶片的第一表面上的第一粘著層。本發(fā)明又一實施例中，一種裝置晶片的處理方法，包括提供一裝置晶片，其包括具有一前表面及一背表面的一半導體基底，其中一填有導電材料的通孔電極形成于半導體基底內且從前表面往被表面延伸入半導體基底至一深度；在半導體基底的前表面形成一第一粘著層，以覆蓋裝置晶片的邊緣；提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出承載板的一邊緣區(qū)；經由第一粘著層及第二粘著層將裝置晶片接合至承載板，其中承載版的邊緣區(qū)被第一粘著層覆蓋；自半導體基底的背表面薄化裝置晶片，以露出通孔電極的一端點；在半導體基底的背表面上方形成一金屬化結構，以電性連接至通孔電極的露出的端點；將一裸片接合至裝置晶片上，以電性連接金屬化結構；去除鄰近裝置晶片邊緣的第一粘著層，以露出承載板的該邊緣區(qū)；去除第二粘著層；自晶片卸離承載板；以及去除第一粘著層。本發(fā)明能在后續(xù)進行薄化及背側工藝期間輕易處理裝置晶片，更容易在不發(fā)生損害的情形下自薄化的裝置晶片卸離承載板。


圖1示出根據一實施例的垂直式裸片對裸片堆疊的制造流程圖，其包括臨時承載板的接合及卸離。圖2A至圖觀示出根據圖1的方法來制造裸片對裸片堆疊的各個階段的一實施例的剖面示意圖。圖3A至圖3C示出根據臨時承載板的接合及卸離方法來處理具有通孔電極的裝置晶片的方法的一實施例的剖面示意圖。圖4示出根據一實施例的垂直式裸片對裸片堆疊的制造流程圖，其包括臨時承載板的接合及卸離。圖5A至圖5G示出根據圖4的方法來制造裸片對裸片堆疊的各個階段的一實施例的剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下100、500 方法；102、104、106、108、112、114、116、118、120、122、124、126、510、512、514、516、518
步驟；200 裝置晶片；200” 薄化的裝置晶片；
200a 第一側；200b、200b，， 第二側；200e 邊緣；202 第一粘著層；204 金屬化結構；210 半導體基底；210” 薄化的基底；210a 前表面；210b、210，， 背表面；220 通孔電極；220a 端點；240 內連結構；250 背側隔離層；260 接墊；280 導電結構；300 承載板；300e 邊緣區(qū)；302 第二粘著層；400 裸片；402 裸片對晶片的堆疊；402a 成型堆疊；404 成型材料；405 通道；406 光源；408 裸片對裸片的堆疊。
具體實施例方式在以下說明中，提出了許多特定細節(jié)部分，以充分了解本發(fā)明。然而，任何所屬技術領域中普通技術人員將會了解本發(fā)明能夠在沒有這些特定細節(jié)情形下實行。在一些范例中，并未詳述公知結構及工藝，以避免使本發(fā)明產生不必要的混淆。本說明書全文中所提及關于“一實施例”的意思是指有關于本實施例中所提及特定的特征(feature)、結構、或特色包含于本發(fā)明的至少一實施例中。因此，本說明書全文中各處所出現(xiàn)的“在一實施例中”用語所指的并不全然表示為相同的實施例。再者，特定的特征、結構、或特色能以任何適當方式而與一或多個實施例作結合。可以理解的是以下的附圖并未依照比例示出，而僅僅提供說明之用。請參照圖1，其示出根據一實施例的垂直式裸片對裸片(die to die)堆疊的制造流程圖，其包括臨時承載板(temporary caiier)的接合及卸離。請參照圖2A至圖I，其示出根據圖1的方法來制造裸片對裸片堆疊的各個階段的一實施例。方法100的起始步驟102為在一裝置晶片上涂覆一第一粘著層，且接著進行步驟104，在一承載板上涂覆一第二粘著層。圖2A示出一實施例的在一裝置晶片200上涂覆一第一粘著層202的剖面示意圖，用以貼附于涂覆第二粘著層302的承載板300。裝置晶片 200內具有多個半導體芯片，其中每一芯片包括一基底，其上形成有公知的電子裝置。基底可由半導體材料、硅、砷化鍺、白水晶(rock crystal)晶片、藍寶石、玻璃、石英、陶瓷、熱固性材料等等所構成?；咨贤ǔ８采w一或多層介電層及導電層。導電層提供下方電子裝置的連接及布線(routing)。裝置晶片200具有第一側200a及相對于第一側200a的第二側 200b。在第一側200a上，形成有集成電路，包括有源(active)及無源(passive)裝置，例如晶體管、電阻、電容等等，用以連接接墊及/或其他內連結構。第一粘著層202置于第一側200a上方，以將裝置晶片200貼附承載板300。在一實施例中，第一粘著層202覆蓋裝置晶片200的第一側200a的邊緣200e。第一粘著層202 可為一單層、多層粘著結構、或復合層而應用于旋涂(spin on)或多層貼合(lamination) 工藝，其中至少一粘著層包括施化學去除型粘著材料，例如熱塑性(thermal plastic)材料、溶劑可溶型材料。也可使用其他類型的粘著材料，例如壓力敏感性粘著材料、光固化性粘著材料、環(huán)氧化物、或其組合等等。粘著材料可置于半液狀或膠體的表面上，其在受壓之下可立即變形。第一粘著層202可輕易進行物理性或化學性剝除。承載板300由可去除或可溶材料所構成，例如，硅、玻璃、石英、陶瓷、氧化硅、氧化鋁、高分子、塑膠、丙烯酸基(acrylic-based)材料、任何其他透明材料、或其組合。承載板 300為平整的，使其能夠貼附于裝置晶片200。承載板300的厚度在550微米(μ m)至850 微米的范圍。承載板300的直徑大于裝置晶片200的直徑，然而承載板300的尺寸不盡然取決于裝置晶片200的尺寸。在進行處理或加工期間，承載板300提供裝置晶片200的物理性支撐，且承載板300為透明的，以容許光線的穿透，例如激光或紫外光(UV)。第二粘著層302置于承載板300上方，以將裝置晶片200貼附承載板300。在一實施例中，除了承載板300的邊緣區(qū)300e之外，第二粘著層302覆蓋承載板300的主要部分。第二粘著層302可為一單層或復合層而應用于旋涂或多層貼合工藝。在一實施例中， 第二粘著層302由光分解性粘著材料所構成，例如激光敏感性材料、UV敏感性材料或熱分解性材料，其能夠在暴露于光能或熱能(例如，紅外光(IR)、激光、UV等等)時被分解而失去粘性。在另一實施例中，第二粘著層302由溶劑分解性粘著材料所構成，例如熱塑性材料，其能夠以溶劑進行分解，例如光致抗蝕劑相關溶劑(如，丙二醇單甲基醚酯(propylene glycol methyl ether acetate， PGMEA) g N—甲■ 口比口各 (N_methyl pyrrolidinone, NMP))ο進行方法100的步驟106，將裝置晶片與承載板接合。圖2B示出將裝置晶片200 倒置且經由粘著層202及302而接合至承載板300上的剖面示意圖，使其能在后續(xù)進行薄化及背側工藝期間輕易處理裝置晶片200。第一粘著層302覆蓋第二粘著層302以及承載板300的邊緣區(qū)300e。進行方法100的步驟108，對裝置晶片的背側進行薄化。圖2C示出裝置晶片200 進行晶片薄化工藝的剖面示意圖。在貼合至承載板300之后，對裝置晶片200的無結構 (structure-free)區(qū)(第二側200b)進行加工至所需的最終厚度。舉例來說，可通過磨削 (grinding)、蝕刻及/或磨拋的方式來進行而形成具有既定厚度(取決于半導體封裝使用目的)的薄化晶片200”。在一實施例中，裝置晶片200薄化至約5微米至50微米的厚度。在另一實施例中，裝置晶片200薄化至約25微米至250微米的厚度。進行方法100的步驟110，在裝置晶片的背側形成金屬化結構。圖2D示出在薄化的裝置晶片200”的第二側200b”上形成金屬化結構204的剖面示意圖。背側的金屬化結構204包括內連結構(例如，重布線(re-distribution line，RDL))、外部接觸結構(例如， 個別的半導體芯片的焊料凸塊(solder bump)或含銅凸塊)及/或作為電源線、電感、電容或任何無源部件的其它結構。金屬化結構204可由電鍍、無電電鍍、濺鍍(sputtering)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition)等方法所形成的銅、鋁、銅合金或其他導電材料所構成。進行方法100的步驟112，將芯片接合至裝置晶片的背側上。圖2E示出將多個裸片400接合以及電性連接至薄化的裝置晶片200”的第二側200b”上的金屬化結構400而形成裸片對晶片的堆疊402的剖面示意圖。接合方法包括一般所使用的方法，例如氧化層對氧化層接合、氧化層對硅層接合、銅對銅接合、粘著接合以及焊料凸塊接合等等。裸片400 可包括存儲器芯片、射頻(radio frequency, RF)芯片、邏輯芯片、或其他芯片。每一裸片 400具有第一表面及第二表面，且集成電路形成于第一表面上。在一實施例中，裸片400的第一表面接合至薄化的裝置晶片200”。在一實施例中，裸片400的第二表面14b接合至薄化的裝置晶片200”。進行方法100的步驟114，將裸片對晶片的堆疊進行成型(molding)。圖2F示出將裸片對晶片的堆疊402進行成型工藝而形成一成型堆疊40 的剖面示意圖。一成型材料404涂覆于裸片對晶片的堆疊402上，且填入相鄰的裸片400之間的空間。成型工藝在薄化的裝置晶片200”的邊緣保留一未覆蓋區(qū)。成型材料404可由固化材料所構成，例如高分子材料、樹脂材料、聚酰亞胺(polyimide)、氧化硅、環(huán)氧化物、苯并環(huán)丁烯 (benzocyclobutene，BCB)、Silk (陶式化學公司(Dow Chemical))、或其組合。成型工藝包括射出成型、壓縮成型、鋼板印刷、旋轉涂布或是未來所發(fā)展的成型工藝。在涂覆成型材料404之后，進行固化或烘烤步驟，以凝固成型材料404。進行方法100的步驟116，自成型堆疊40 卸離承載板300。圖2G至圖21示出承載板卸離工藝的各個階段剖面示意圖。開始進行步驟116的步驟118，通過一清潔方法來去除位于薄化的裝置晶片200”的邊緣200e的第一粘著層202，以露出承載板300的邊緣區(qū)300e以及鄰近于邊緣區(qū)300e的第二粘著層302，如圖2G所示。清潔方法可為化學噴洗 (jetting)工藝或濕式槽洗(wet bench)工藝。進行步驟116的步驟120，去除第二粘著層 302。在一實施例中，通過光源406分解來去除第二粘著層302，如圖2H所示。光源406通往承載板300并穿過承載板300，使第二粘著層302在吸收光能之后被分解。光源406可包括紅外光(IR)、激光、照射燈等等。在其他實施例中，可通過溶劑分解法來去除第二粘著層 302，例如 NH40H。通常在完成晶片級測試之后，進行步驟116的步驟122，分開承載板300及成型堆疊40加，如圖21所示。由于第二粘著層302通過分解或溶劑而去除，因此更容易在不發(fā)生損害的情形下自薄化的裝置晶片200”卸離承載板300。卸離工藝可為任何適當?shù)膭冸x (de-bonding)工藝，使薄化的裝置晶片200”中的半導體結構保有其完整性。舉例來說，利用溶劑、UV照射、或拉脫(pulled off)方式來進行卸離工藝，以自第一粘著層202去除承載板300。
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進行方法100的步驟124，去除留在薄化的裝置晶片200”上第一粘著層202。圖 2J示出對薄化的裝置晶片200”的第一側200a進行晶片清潔工藝以去除第一粘著層202的剖面示意圖。在一實施例中，晶片清潔工藝為濕式工藝，以化學剝除第一粘著層302。在其他實施中，可通過熱分解、剝離、等離子體清潔、粒劑清潔(pellet cleaning)等等來去除第一粘著層202，因而露出了個別的半導體芯片中用以接合至電性接頭且形成于薄化的裝置晶片200”的第一側200a的外部接觸。進行方法100的步驟126，以慣用方法沿著切割道將成型堆疊40 切割成個別的裸片對裸片的堆疊408。圖2K示出多個裸片對裸片的堆疊408的剖面示意圖。在進行切割工藝之后,堆疊的晶片可通過異方性導電膜(anisotropically conductive connection film)而組裝于IC卡上。裝置晶片200的一或多個裸片可具有一或多個基底通孔電極(through substrate via, TSV)形成于內。圖3A至圖3C示出根據圖1及圖2A至圖I的方法來制造具有通孔電極的裝置晶片的一實施例，其中省略相同或相似部分的解釋說明。根據方法100的步驟102至106，圖3A示出具有多個硅通孔電極(through silicon via, TSV)的裝置晶片200通過粘著層202及302而接合至承載板300的剖面示意圖。裝置晶片200包括具有前表面210a及背表面210b的一半導體基底210，其中集成電路及內連結構形成于前表面210a上，且多個通孔電極220穿過至少一部分的半導體基底210。每一通孔電極220充填金屬的插塞，自前表面210a往背表面210b延伸至一預定深度。通孔電極220可電性連接形成于內連結構240上的接墊沈0。通孔電極220的制作可在制作“第一層位內連線”(其表示位于接觸窗結構(via structure)與晶體管上方的最底層金屬層間介電(inter-metal dielectric, IMD)層中最底層金屬圖案層)之前進行。另外，金屬填充通孔(metal-filled via)工藝可在制作內連線結構之后進行。根據方法100的步驟108至112，圖示出包括多個硅通孔電極(TSV)的成型堆疊40 的剖面示意圖。在進行背側薄化工藝之后，通孔電極220的一端點220a露出及/ 或突出于薄化的基底210”的背表面210b”，如圖2B所示。形成背側隔離層250，以覆蓋薄化的晶片210”的背側。導電結構觀0，例如焊料凸塊或銅凸塊，形成于通孔電極220的端點 220a上方，以接合至裸片400。導電結構280也包括重布局層(RDL)及接墊，其可在制作焊料凸塊或銅凸塊之前形成。根據方法100的步驟114至124，圖3C示出承載板300自承型堆疊40 卸離的剖面示意圖。再將成型材料404涂覆于裸片對晶片的堆疊402上方之后，通過一清潔方法來去除位于薄化的裝置晶片200”邊緣的第一粘著層202，以露出承載板300的邊緣區(qū)300e 以及鄰近邊緣區(qū)300e的第二粘著層302(未示出于圖3C)。接著利用光源406來分解去除第二粘著層302，如圖2H所示。另外，可通過溶劑分解法來去除第二粘著層302。接下來， 自成型堆疊40 卸離承載板300而無造成損害。接著進行以下步驟，通過晶片清潔工藝去除余留于薄化的裝置晶片200”上的第一粘著層202，例如以濕式工藝，化學性剝除第一粘著層202。以上說明了許多實施例的特征，雖然所揭示的臨時承載板的使用是有關于TSV裝置晶片的制作，然而可以理解的是此處所揭示的方法可實施于其他需使用臨時性承載板的應用類型，例如圖像傳感器、微機電系統(tǒng)(microelectromechanical systems, MEMS)、或其他3DIC應用。請參照圖4，其示出根據一實施例的垂直式裸片對裸片堆疊的制造流程圖，其包括臨時承載板的接合及卸離。請參照圖5A至圖5G，其示出根據圖4的方法來制造裸片對裸片堆疊的各個階段的一實施例的剖面示意圖，其中省略相同或相似于圖1至圖3的解釋說明。方法500起始于步驟102及104，接著進行步驟106至114，形成以成型材料404 封膠的成型堆疊40 ，如圖5A所示。接著，方法500進行步驟510，自裸片對晶片的堆疊402卸離承載板300。圖5A 至圖5G示出承載板卸離工藝的各個階段剖面示意圖。開始進行步驟510的步驟512，微削 (trimming)薄化的裝置晶片200”的邊緣，以形成環(huán)繞且鄰近成型堆疊40 邊緣的通道 405，如圖5B所示。通過切割法，例如激光切割工具，使通道405切穿成型材料404及薄化的裝置晶片200”，且延伸置一部分的第一粘著層202而未接觸承載板300及/或第二粘著層302。另外，也可使用蝕刻工藝來形成通道405。通道405的直徑小于5毫米(mm)。進行步驟510的步驟514，通過一清潔方法來去除位于薄化的裝置晶片200”的邊緣200e的第一粘著層202，以露出承載板300的邊緣區(qū)300e以及鄰近于邊緣區(qū)300e的第二粘著層302，如圖5C所示。清潔方法可為化學噴洗工藝或濕式槽洗工藝，用以去除環(huán)繞通道405的部分，包括了鄰近成型堆疊40 邊緣的成型材料404、薄化的裝置晶片200”以及第一粘著層202，因而露出鄰近承載板300的邊緣區(qū)300e的第二粘著層302，同樣也露出了承載板300的邊緣區(qū)300e。進行步驟510的步驟516，去除第二粘著層302。在一實施例中，通過光源406分解來去除第二粘著層302，如圖5D所示。光源406通往承載板300并穿過承載板300，使第二粘著層302在吸收光能之后被分解。光源406可包括紅外光(IR)、激光、照射燈等等。在其他實施例中，可通過溶劑分解法來去除第二粘著層302。通常在完成晶片級測試之后，進行步驟510的步驟518，分開承載板300及裸片對晶片的堆疊402，如圖5E所示。由于第二粘著層302通過分解或溶劑而去除，因此更容易在不發(fā)生損害的情形下自薄化的裝置晶片200”卸離承載板300。卸離工藝可為任何適當?shù)膭冸x工藝，使薄化的裝置晶片200”中的半導體結構保有其完整性。舉例來說，利用溶劑、UV 照射、或拉脫方式來進行卸離工藝，以自第一粘著層202去除承載板300。進行方法500的步驟124，去除留在薄化的裝置晶片200”上第一粘著層202。圖 5F示出對薄化的裝置晶片200”的第一側200a進行晶片清潔工藝以去除第一粘著層202的剖面示意圖。在一實施例中，晶片清潔工藝為濕式工藝，以化學剝除第一粘著層302。因此， 露出了個別的半導體芯片中用以接合至電性接頭且形成于薄化的裝置晶片200”的第一側 200a的外部接觸。進行方法500的步驟126，以慣用方法沿著切割道將成型堆疊40 切割成個別的裸片對裸片的堆疊408。圖5G示出多個裸片對裸片的堆疊408的剖面示意圖。在進行切割工藝之后，堆疊的晶片可通過異方性導電膜組裝于IC卡上。以上的詳細說明中，本發(fā)明對照其特定實施例作說明。然而，很清楚的是在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作出各種更動、結構、工藝及改變，如權利要求所述。因此，說明書及附圖用于范例說明而不是用以限定本發(fā)明?？梢岳斫獾氖潜景l(fā)明能夠使用其他不同的組合與環(huán)境，且能夠在此處所表達的發(fā)明概念范圍內作改變與更動。
權利要求
1.一種堆疊裝置的制造方法，包括提供一晶片，其具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中該第一表面上涂覆了一第一粘著層；提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出該承載板的一邊緣區(qū)； 經由該第一粘著層及該第二粘著層將該晶片的該第一表面接合至該承載板，其中該承載版的該邊緣區(qū)被該第一粘著層覆蓋；自該第二表面薄化該晶片，以形成一薄化的晶片； 將多個裸片接合至該薄化的晶片上；去除鄰近于該薄化的晶片邊緣的該第一粘著層，而露出該承載板的該邊緣區(qū)以及鄰近于該承載板的該邊緣區(qū)的該第二粘著層；施加一光能或熱能，以分解該第二粘著層；自該晶片卸離該承載板；以及去除余留于該晶片的該第一表面上的該第一粘著層。
2.如權利要求1所述的堆疊裝置的制造方法，其中該光能包括紅外光、激光、或紫外光。
3.如權利要求1所述的堆疊裝置的制造方法，其中該第一粘著層由濕化學去除型粘著材料所構成。
4.如權利要求1所述的堆疊裝置的制造方法，其中該第二粘著層由光分解型或熱分解型或溶劑分解型粘著材料所構成。
5.一種堆疊裝置的制造方法，包括提供一晶片，其具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中該第一表面上涂覆了一第一粘著層；提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出該承載板的一邊緣區(qū)； 經由該第一粘著層及該第二粘著層將該晶片的該第一表面接合至該承載板，其中該承載版的該邊緣區(qū)被該第一粘著層覆蓋；自該第二表面薄化該晶片，以形成一薄化的晶片； 將多個裸片接合至該薄化的晶片上，以形成一裸片對晶片的堆疊； 在該裸片對晶片的堆疊上形成一成型材料；在鄰近該成型材料的邊緣形成一通道，其中該通道穿過該成型材料、該晶片的邊緣以及一部分的該第一粘著層；去除該成型材料、該晶片的邊緣以及該第一粘著層中環(huán)繞該通道的部分，而露出該承載板的該邊緣區(qū)以及鄰近于該承載板的該邊緣區(qū)的該第二粘著層； 去除該第二粘著層； 自該晶片卸離該承載板；以及去除余留于該晶片的該第一表面上的該第一粘著層。
6.如權利要求5所述的堆疊裝置的制造方法，其中該通道的直徑小于5毫米。
7.如權利要求5所述的堆疊裝置的制造方法，其中去除該第二粘著層的步驟包括施加一光能或熱能或溶劑以分解該第二粘著層。
8.如權利要求5所述的堆疊裝置的制造方法，其中該第一粘著層由濕化學去除型粘著材料所構成。
9.一種裝置晶片的處理方法，包括提供一裝置晶片，其包括具有一前表面及一背表面的一半導體基底，其中一填有導電材料的通孔電極形成于該半導體基底內且從該前表面往該被表面延伸入該半導體基底至一深度；在該半導體基底的該前表面形成一第一粘著層，以覆蓋該裝置晶片的邊緣； 提供涂覆了一第二粘著層的一承載板，而露出該承載板的一邊緣區(qū)； 經由該第一粘著層及該第二粘著層將該裝置晶片接合至該承載板，其中該承載版的該邊緣區(qū)被該第一粘著層覆蓋；自該半導體基底的該背表面薄化該裝置晶片，以露出該通孔電極的一端點； 在該半導體基底的該背表面上方形成一金屬化結構，以電性連接至該通孔電極的該露出的端點；將一裸片接合至該裝置晶片上，以電性連接該金屬化結構； 去除鄰近該裝置晶片邊緣的該第一粘著層，以露出該承載板的該邊緣區(qū)； 去除該第二粘著層； 自該晶片卸離該承載板；以及去除該第一粘著層。
10.如權利要求9所述的裝置晶片的處理方法，其中去除該第二粘著層的步驟為施加一光能或熱能以分解該第二粘著層。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種堆疊裝置的制造方法及裝置晶片處理方法，該堆疊裝置的制造方法包括經由第一粘著層及第二粘著層而將一晶片接合至一承載板，其中晶片與承載板的邊緣區(qū)被第一粘著層覆蓋，但未被第二粘著層覆蓋。進行晶片邊緣清潔工藝，以去除鄰近晶片邊緣的第一粘著層而露出承載板的邊緣區(qū)，接著自承載板處去除第二粘著層。自晶片卸離承載板之后，去除余留在晶片上的第一粘著層。本發(fā)明容易在不發(fā)生損害的情形下自薄化的裝置晶片卸離承載板。
文檔編號H01L21/98GK102163559SQ20101024668
公開日2011年8月24日 申請日期2010年8月4日 優(yōu)先權日2010年2月18日
發(fā)明者吳文進, 眭曉林, 邱文智 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司