專利名稱：用于改進(jìn)無引線c4互連可靠性的結(jié)構(gòu)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及制造的結(jié)構(gòu)和方法，并且更具體地，涉及用于改進(jìn)無引線C4互 連可靠性的結(jié)構(gòu)和方法。
背景技術(shù)：
對于有機(jī)襯底上的芯片而言，C4(可控坍塌芯片連接)互連可靠性是產(chǎn)品可靠 性的關(guān)鍵因素。然而，C4在某些情況下會失效是已知的。C4可靠性的一個失效模式是由 于芯片與層壓體之間的熱失配所引起的焊料疲勞。例如，當(dāng)與倒裝芯片塑料球柵格陣列 (FCPBGA)有機(jī)層壓封裝結(jié)合使用時，無Pb的C4傾向于將熱膨脹系數(shù)(CTE)失配應(yīng)力傳導(dǎo) 至底層芯片級后端連線(BEOL)。這可能導(dǎo)致電介質(zhì)破裂和結(jié)構(gòu)性損傷，造成可靠性風(fēng)險。 目前，這種芯片封裝交互(CPI)問題是集成電路制造商所面臨的正在出現(xiàn)的可靠性問題。影響C4可靠性的第二種失效模式由向無引線焊料的遷移造成，其中無引線焊料 導(dǎo)致“白焊塊(white bump)”。術(shù)語“白焊塊”是指在封裝內(nèi)由于芯片接合或者芯片被接合 到有機(jī)層壓體之后的其他熱處理期間的由垂直應(yīng)力傳導(dǎo)所引起的芯片破裂的問題。更具體 地，“白焊塊”是由于熱循環(huán)期間在Si芯片與有機(jī)載體之間的CTE失配所導(dǎo)致的應(yīng)力而引起 的對芯片BEOL金屬化的撕斷。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，該撕斷在芯片接合回流的冷卻期間發(fā)生，其中C4 將芯片剛性地連接至載體。白焊塊具有可靠性問題，因為包含白焊塊的結(jié)構(gòu)可以或者不可 以作為電“開口”來測試。作為一個示例，對于較大的芯片尺寸和有機(jī)層壓體FCPBGA封裝，層壓體與芯片之 間的CTE失配造成了熱處理期間的應(yīng)力，這可能導(dǎo)致芯片級破裂和薄膜剝離。一個失效機(jī) 制與芯片附接過程期間在個體C4焊塊所在處的剪切應(yīng)力有關(guān)，該剪切應(yīng)力繼而引起充分 量的張應(yīng)力，從而引起直接位于焊料球之下的粘結(jié)或者粘合薄膜失效。如果允許應(yīng)力超過 芯片BEOL的強(qiáng)度，則芯片中將發(fā)生損壞。作為示范，模塊級應(yīng)力可以引起無Pb的C4互連 之下的芯片級BEOL破裂。一旦開始，裂痕可能通過附近的BEOL結(jié)構(gòu)側(cè)向傳播，這導(dǎo)致“白 焊塊”失效模式。對于無Pb的C4技術(shù)而言，白焊塊問題尤其嚴(yán)重，這歸因于無Pb焊塊的堅硬度。而 且，白焊塊問題可能特別地影響拐角C4。此外，由于較低的芯片支架，白焊塊問題對于較小 的C4 (例如，節(jié)距< =150 μ m)將惡化。由此，在本領(lǐng)域中需要克服上面描述的缺陷和限制。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面，一種制作集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括形成至少 一個聚酰亞胺層；以及刻蝕所述至少一個聚酰亞胺層，以提供對金屬焊盤和至少一個支撐 肩的最終通孔。而且，該方法包括在所述最終通孔中形成球限定金屬化(BLM)層，并且至 少與金屬焊盤與所述至少一個聚酰亞胺層的部分相接觸，以及形成BLM層上的可控坍塌芯 片 接(C4)焊料球，使得所述C4焊料球由所述至少一個支撐肩支撐。
本發(fā)明的另一方面包括設(shè)計具有多個球限定金屬化(BLM)-可控坍塌芯片連接 (C4)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片塑料球柵格陣列結(jié)構(gòu)的方法，其中每個BLM-C4結(jié)構(gòu)都具有最終通孔。 該方法包括使用在所述多個BLM-C4結(jié)構(gòu)中每一個的芯片邊緣側(cè)上的、直接在BLM邊緣和最 終通孔邊緣之下的后端連線(BEOL)層中的針對布線和通孔連接的禁入?yún)^(qū)域，使得所述禁 入?yún)^(qū)域中沒有布線和通孔連接。在本發(fā)明的另一方面，一種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)，包括球限定金屬化(BLM)層 以及在BLM層上形成的可控坍塌芯片連接(C4)焊料球。而且，該結(jié)構(gòu)包括BLM層之下的最 終金屬焊盤層以及最終金屬焊盤層之下的保護(hù)(cap)層。此外，該結(jié)構(gòu)包括在C4焊料球之 下以及最終金屬焊盤層與BLM層和保護(hù)層之一之間形成的空氣間隙。在本發(fā)明的又一方面，一種結(jié)構(gòu)，包括在芯片上構(gòu)造和排列的多個球限定金屬化 (BLM)，每個容納有可控坍塌芯片連接(C4)焊料球。至少定位在芯片拐角處的、多個BLM的 子集在中性點距離(DNP)軸的方向上的維度小于芯片的多個BLM中其余BLM的DNP軸的方 向上的維度，使得在多個BLM的子集之一處容納的C4焊料球采用橢圓形形狀。在本發(fā)明的另一方面，一種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)，包括具有BLM周長的球限定 金屬化(BLM)層，在BLM層上形成的可控坍塌芯片連接(C4)焊料球，以及具有金屬焊盤層 周長的、在BLM層之下的金屬焊盤層。至少在C4焊料球的芯片邊緣側(cè)上，在與金屬焊盤層 平行的方向上，金屬焊盤層周長超過BLM周長。


下面通過以本發(fā)明示例性實施方式的非限制性示例的方式參考多幅附圖，來詳細(xì) 描述本發(fā)明。圖1-圖7示出了按照本發(fā)明的方面的示例性處理步驟和有關(guān)結(jié)構(gòu)；圖8-圖11示出了按照本發(fā)明的附加方面的示例性處理步驟和有關(guān)結(jié)構(gòu)；圖12和圖13示出了按照本發(fā)明的附加方面的具有空氣間隙的C4結(jié)構(gòu)的示例性 頂視圖；圖14-圖20示出了按照本發(fā)明的附加方面的示例性處理步驟和有關(guān)結(jié)構(gòu)；圖21-圖24示出了按照本發(fā)明的方面用來形成具有空氣間隙的C4結(jié)構(gòu)的示例性 掩膜的頂視圖；圖25示出了記錄工藝(POR) C4結(jié)構(gòu)；圖26示出了按照本發(fā)明的附加方面的具有支撐肩的示例性C4結(jié)構(gòu)；圖27-圖40示出了按照本發(fā)明的附加方面的示例性中間處理步驟以及具有支撐 肩的C4結(jié)構(gòu)；圖41示出了 POR C4結(jié)構(gòu)的應(yīng)力圖；圖42和圖43示出了按照本發(fā)明的附加方面的具有支撐肩的示例性C4結(jié)構(gòu)的應(yīng) 力圖；圖44示出了按照本發(fā)明的附加方面的示出POR C4結(jié)構(gòu)和橢圓形C4結(jié)構(gòu)的芯片 的示例性頂視圖和側(cè)視圖；圖45示出了指示剪切應(yīng)力的軸的延長(或者橢圓形)C4結(jié)構(gòu)的示例性頂視圖；圖46示出了包含附接至層壓體的POR C4結(jié)構(gòu)和示例性延長C4結(jié)構(gòu)的芯片，并且示出了冷卻時C4結(jié)構(gòu)上引起的應(yīng)力；圖47示出了 C4結(jié)構(gòu)的應(yīng)力圖，其示出了最終通孔邊緣和BLM邊緣處引起的應(yīng)力；圖48示出了對于不同的BLM直徑在冷卻時芯片中的相對應(yīng)力相對最終通孔直徑 的圖示；圖49示出了芯片中的相對應(yīng)力相對PSPI層厚度的圖示；圖50示出了一個示例性C4結(jié)構(gòu)，其示出了垂直偏移連接；圖51示出了具有垂直偏移連接的圖50中示例性C4結(jié)構(gòu)的應(yīng)力圖；圖52示出了具有置于高應(yīng)力區(qū)域中的通孔的POR C4設(shè)計；圖53和圖54示出了按照本發(fā)明的方面的設(shè)計用于在高應(yīng)力區(qū)域之上放置通孔的 示例性C4結(jié)構(gòu)；圖55和圖56示出了按照本發(fā)明的方面的C4結(jié)構(gòu)設(shè)計的基本規(guī)則參數(shù)；圖57和圖58示出了按照本發(fā)明的方面的具有POR金屬焊盤和延伸金屬焊盤的芯 片；圖59示出了具有POR金屬焊盤的C4結(jié)構(gòu)的應(yīng)力圖；圖60示出了按照本發(fā)明的方面的具有延伸金屬焊盤的C4結(jié)構(gòu)的應(yīng)力圖；以及圖61是在半導(dǎo)體設(shè)計、制造和/或測試中使用的設(shè)計過程的流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明總體上涉及制造的結(jié)構(gòu)和方法，并且更具體地，涉及用以改進(jìn)無引線C4互 連可靠性的結(jié)構(gòu)和方法。通過實現(xiàn)本發(fā)明的一個或多個方面，可以防止或者減少CPI破裂。 而且，實現(xiàn)本發(fā)明將減小或者降低白焊塊形成。CPI (芯片封裝交互)破裂是一個“集成”問題，其可能受到以下因素的影響B(tài)E0L 芯片級完整性；薄膜的粘合性；界面的粘附性；芯片尺寸；最終芯片級焊盤/通孔模塊設(shè) 計；焊料焊塊BLM維度、類型和/或朝向；晶片完成過程，例如切割；最終芯片級焊盤/通孔 模塊設(shè)計；芯片接合和鍵合以及組裝(B&A)工藝；封裝層壓體結(jié)構(gòu)；以及其他因素。例如， 對于FCPBGA的C4技術(shù)，顯著的可靠性失效模式是張應(yīng)力在C4處(例如，距DNP大于5mm) 引起的破損，這響應(yīng)于旋轉(zhuǎn)CTE應(yīng)力而開始于離開芯片中心的C4側(cè)。這引起了底層BEOL 級別的破損，以及C4的電開口失效。按照本發(fā)明的方面，可以為C4結(jié)構(gòu)設(shè)計用于防止或者減少CPI破裂或者白焊塊形 成的特征。例如，在實施方式中，C4結(jié)構(gòu)可以具有空氣間隙，以使C4結(jié)構(gòu)較為柔軟，并且受 CPI破裂和白焊塊形成的影響較小。而且(或者備選地)，C4結(jié)構(gòu)可以形成為具有側(cè)壁支 撐結(jié)構(gòu)，這使得C4結(jié)構(gòu)受CPI破裂和白焊塊形成的影響較小。此外，在實施方式中，C4結(jié) 構(gòu)可以包括橢圓形C4焊料球，以使C4結(jié)構(gòu)較為柔軟并且受到CPI破裂和白焊塊形成的影 響較小。按照本發(fā)明的其他方面，C4結(jié)構(gòu)可以設(shè)計具有“禁入”區(qū)域，其中沒有定位通孔或 者布線，以防止可能出現(xiàn)的任何CPI破裂和/或白焊塊形成影響通孔或者布線。而且，在實 施方式中，焊盤層(例如，鋁焊盤層)至少可以在朝向芯片邊緣的方向上延伸到BLM焊盤之 上(從上面觀察)，以防止CPI破裂和白焊塊形成?？諝忾g隙按照本發(fā)明的一個方面，C4結(jié)構(gòu)包括焊盤結(jié)構(gòu)(例如，最終鋁焊盤或者BLM層)，其在空氣間隙上跨焊盤結(jié)構(gòu)的寬度在很大程度上是無支撐的，以便在C4結(jié)構(gòu)經(jīng)歷通常將 導(dǎo)致破裂或者白焊塊的接合(或者其他熱CPI)應(yīng)力之前，賦予焊盤(例如，最終鋁焊盤或 者BLM層)柔性(例如，可彎曲性)。在實施方式中，空氣間隙形成于鋁焊盤層與球限定金 屬化(BLM)捕獲焊盤金屬化之間。在另一實施方式中，空氣間隙形成于鋁焊盤層與鋁焊盤 層之下的層(例如，保護(hù)氮化物層)之間。本發(fā)明包括一種結(jié)構(gòu)和用于創(chuàng)建該結(jié)構(gòu)的工藝 二者，所述結(jié)構(gòu)包括“獨立式”BLM捕獲焊盤金屬化薄膜，其可以包含在例如C4NP等任何干 法C4工藝技術(shù)或者其他焊料放置工藝中。該結(jié)構(gòu)本身也能夠附加地連同壓印的C4 一起使 用。圖1到圖6示出了中間處理步驟，并且圖7示出了處理步驟和C4結(jié)構(gòu)，該C4結(jié)構(gòu) 具有牢固的最終BLM捕獲焊盤結(jié)構(gòu)，其跨BLM捕獲焊盤的寬度在很大程度上是無支撐的。 按照本發(fā)明的實施方式，最終BLM捕獲焊盤結(jié)構(gòu)在焊盤的部分經(jīng)歷通常將導(dǎo)致破裂和白焊 塊的接合(或者其他熱CPI)應(yīng)力之前，賦予焊盤柔性(例如，可彎曲性)。更具體地，對于 圖1到圖7的實施方式，空氣間隙形成于BLM捕獲焊盤與鋁焊盤之間。與采用四個掩膜級 別的子焊盤通孔、焊盤形成、最終芯片級通孔和BLM焊料焊盤最終級處理(也即，C4和BLM 的形成)的標(biāo)準(zhǔn)記錄工藝(POR)序列不同，有益地，圖1到圖7的實施方式僅需要三個掩膜 級別，例如，通孔掩膜、鋁焊盤掩膜和BLM掩膜，如下文詳述。圖1示出了用于與本發(fā)明結(jié)合使用的中間結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括形成于電介質(zhì)層5(例 如，高介電絕緣體薄膜或者二氧化硅)中的銅金屬層級10。保護(hù)層15沉積在電介質(zhì)層5和 銅層級10之上。在實施方式中，保護(hù)層15例如可以是用于銅布線層級的標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)層，例如 氮化物薄膜，例如高密度等離子(HDP)氮化物。而且，在實施方式中，保護(hù)層15可以使用例 如等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝或者低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)來沉積。HDP 保護(hù)層15可以是單個層或者多個層。例如，HDP保護(hù)層15可以包括在氧化物層之上形成 的氮化物層，氮化物層又形成在氮化物保護(hù)層之上。在圖1的示例中，氧化物層的厚度可以 約為0. 45 μ m,并且第二氮化物層的厚度可以約為0. 40 μ m,其他厚度也是本發(fā)明所可以設(shè)
術(shù)目的
> LH、U J ο而且，如圖1所示，光敏聚酰亞胺(PSPI)層20應(yīng)用于保護(hù)層15 (例如，旋涂地應(yīng) 用)。對于圖1的示例性實施方式，PSPI層20的厚度可以約為9 μ m，其他厚度也是本發(fā)明 可以設(shè)想的。PSPI層20按照本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的傳統(tǒng)方式來曝光和烘干。如圖2所示，PSPI層20已經(jīng)被顯影和固化，并且對其使用傳統(tǒng)光刻工藝(例如， 利用光抗蝕劑的掩膜和刻蝕)來執(zhí)行圖案轉(zhuǎn)移以及例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的刻蝕，以形 成通過HDP氮化物保護(hù)層15去往最后金屬銅層級10的開口 37。使用例如物理氣相沉積 (PVD)工藝以及隨后對抗蝕劑掩膜的剝離和清除，將鋁焊盤25沉積在開口 37內(nèi)的最后銅層 級10和PSPI層20的其余部分上方。還如圖2所示，旋轉(zhuǎn)(spun-on)玻璃(SOG)層30形成在鋁焊盤25之上。在實施 方式中，SOG層30的厚度可以約為2 μ m-5 μ m,其他厚度也是本發(fā)明可以設(shè)想的。繼而例如 使用化學(xué)機(jī)械拋光/平整化(CMP)工藝對SOG層30進(jìn)行平整化，以便移除鋁焊盤25的部 分“35”(在PSPI層20之上)以及PSPI層20之上的S0G。該工藝留下了填充鋁焊盤覆蓋 的開口 37的SOG層30。SOG層30具有可以利用CMP工藝來控制的形狀，諸如凹陷(如所 示)、升高和/或錐形等的形狀。
如圖3所示，例如使用標(biāo)準(zhǔn)PVD工藝(例如，Tiff/Cu/Ni)，在圖2所示的結(jié)構(gòu)之上 沉積捕獲焊盤球限定金屬化(BLM) 40 (也稱為下焊塊冶金(UBM))。對BLM 40應(yīng)用捕獲焊盤 抗蝕劑掩膜45 (例如，阻擋掩膜抗蝕劑)，以定義BLM捕獲焊盤形狀。如圖4所示，例如使用標(biāo)準(zhǔn)捕獲焊盤濕法刻蝕工藝，將捕獲焊盤抗蝕劑掩膜45轉(zhuǎn) 移到BLM 40。如圖4所示，BLM 40在捕獲焊盤抗蝕劑掩膜45之上的部分已經(jīng)被刻蝕過程 移除。如圖5所示，使用傳統(tǒng)工藝對捕獲焊盤抗蝕劑掩膜45進(jìn)行剝離。如圖6所示，執(zhí)行SOG濕法刻蝕工藝，以移除BLM 40之下的S0G，從而形成間隙50。 按照本發(fā)明的方面，濕法刻蝕通過使用小于例如兩側(cè)上的開口 37(如圖12和圖13所示，并 在下文詳述)的捕獲焊盤抗蝕劑掩膜45來訪問S0G。附加地(或者備選地)，在實施方式 中，BLM 40可以被設(shè)計具有帶狹縫的開口，通過所述開口可以對SOG進(jìn)行刻蝕和移除，這也 將在下文詳述。如圖7所示，在獨立式BLM 40上放置(例如，沉積)C4無Pb的焊料焊塊55。在此 實施方式中，間隙50在C4無Pb的焊料焊塊55之下，BLM 40與鋁焊盤25之間。圖8到圖10示出了中間處理步驟和有關(guān)結(jié)構(gòu)，并且圖11示出了 C4結(jié)構(gòu)和處理步 驟，其得到牢固的最終鋁焊盤結(jié)構(gòu)，所述焊盤結(jié)構(gòu)在空氣間隙之上跨最終鋁焊盤結(jié)構(gòu)的寬 度在很大程度上是無支撐的。對于圖8到圖11的實施方式，空氣間隙形成于BLM捕獲焊盤 與鋁焊盤之間。按照本發(fā)明的實施方式，空氣間隙在焊盤的部分經(jīng)歷通常將導(dǎo)致破裂和白 焊塊的接合(或者其他熱CPI)應(yīng)力之前賦予焊盤柔性(例如，可彎曲性)。而且，對于圖 8到圖11的實施方式，使用第二 PSPI層，而不是在圖1到圖7的實施方式中使用的SOG層 30。如圖8所示，對PSPI層20進(jìn)行顯影和固化，并且使用傳統(tǒng)光刻工藝(例如，利用 光抗蝕劑的掩膜和刻蝕)來執(zhí)行圖案轉(zhuǎn)移以及例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的刻蝕，以形成通 過HDP氮化物保護(hù)層15去往金屬銅層級10的開口 37。例如使用物理氣相沉積(PVD)工藝 以及隨后的抗蝕劑掩膜(未示出)的剝離和清除，將鋁焊盤25沉積在PSPI層20的部分以 及開口 37內(nèi)的最后銅層級10之上。仍然如圖8所示，第二 PSPI層60形成在鋁焊盤25和PSPI層20的部分之上。在 實施方式中，第二 PSPI層60的厚度可以約為9μπι，其他厚度也是本發(fā)明可以設(shè)想的。如圖9所示，第二 PSPI層60繼而被曝光和顯影，以形成鋁焊盤25之上的PSPI塊 65，用于BLM支撐?？梢钥刂频诙?PSPI層60，使得PSPI塊65的形狀是例如凹陷的、升起 的(如圖所示)和/或錐形的等。而且，PSPI塊65被部分地固化以保持其形狀，同時保持 溶解性以用于通過溶劑(例如，熱NMP或者等效物)的后續(xù)移除。此外，如圖9所示，例如 使用標(biāo)準(zhǔn)PVD工藝(例如，Tiff/Cu/Ni)，在PSPI塊65和鋁焊盤25的部分之上沉積捕獲焊 盤球限定金屬化(BLM) 40。對BLM 40應(yīng)用捕獲焊盤抗蝕劑掩膜，例如塊掩膜抗蝕劑(未示 出)，以定義BLM捕獲焊盤形狀。如圖10所示，執(zhí)行PSPI溶劑移除或者濕法刻蝕工藝，以移除BLM 40之下的PSPI 塊65。該過程形成間隙50。按照本發(fā)明的實施方式，濕法刻蝕通過使用小于例如兩側(cè)上的 開口 37(如圖12和圖13所示，并在下文詳述)的捕獲焊盤抗蝕劑掩膜(圖8到圖10中未 示出)來訪問PSPI塊65。附加地(或者備選地)，在實施方式中，BLM 40可以被設(shè)計為具 有帶狹縫的開口，通過該開口 PSPI塊65可以被刻蝕和移除，這也將在下文詳述。
如圖11所示，將C4焊料焊塊55放置在圖10的獨立式BLM結(jié)構(gòu)40上。更具體 地，C4焊料焊塊55沉積在獨立式BLM結(jié)構(gòu)40之中，并且在間隙50之上。該過程可以包括 使用例如C4NP轉(zhuǎn)移工藝，這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的。圖12和圖13示出了按照本發(fā)明的方面的C4結(jié)構(gòu)的頂視圖。可以觀察到，圖12 包括截面線11-11，其指示相對于圖12視圖的圖11視圖。如下文詳述的，圖12的實施方式 包括帶狹縫的BLM焊盤40，用以輔助SOG和/或PSPI的移除從而創(chuàng)建間隙50。在圖12的 實施方式中，可以通過BLM焊盤40中的狹縫63和/或通過BLM焊盤40的兩側(cè)(圖12中 所示的頂部和底部)上對HDP氮化物的開口，來移除SOG和/或PSPI。相反，圖13的實施方式不包括帶狹縫的BLM焊盤40。取而代之，對于圖13的實施 方式，可以通過在BLM焊盤40的兩側(cè)(如圖13中所示的頂部和底部)上對HDP氮化物的 開口，來移除SOG和/或PSPI。而且，應(yīng)當(dāng)理解，這些開口沿垂直于圖11紙面向里延伸的ζ 軸ο如參考圖4所討論的，BLM捕獲焊盤掩膜45應(yīng)當(dāng)小于例如開口掩膜圖像的兩側(cè)上 的開口掩膜圖像(用來形成如圖2中所示的開口 37)。利用如圖12中所示的相應(yīng)掩膜的這 種布置，形成的BLM捕獲焊盤40在兩側(cè)上小于對氮化物層的開口，以允許材料(例如，SOG 和/或PSPI)的清除。對HDP氮化物的開口位于鋁焊盤25向上地在PSPI層20之上的區(qū) 域與BLM 40的底部之間的區(qū)域，所述BLM40的底部例如為鋁焊盤25向下地在銅焊盤10之 上并且未在PSPI層20之上的區(qū)域，也即，圖12中指示的下區(qū)域。而且，如上所述，圖12的 實施方式包括具有狹縫63的帶狹縫的BLM焊盤40。狹縫63附加地允許材料(例如，SOG 和/或PSPI)的清除。對于圖13的示例性實施方式，通過上述對HDP氮化物的開口來進(jìn)行材料(例如， SOG和/或PSPI)的清除。而且，盡管圖12和圖13的示例性實施方式的每一個都包括上 述對HDP氮化物的開口以允許材料(例如，SOG和/或PSPI)的清除，但是本發(fā)明可以設(shè)想 到可以單獨通過BLM焊盤40中的狹縫63來進(jìn)行材料(例如，SOG和/或PSPI)的移除。 也即，本發(fā)明可以設(shè)想到，在實施方式中，BLM捕獲焊盤掩膜45不小于開口掩膜圖像的任何 側(cè)上的開口掩膜圖像(用來形成開口 37)。對于這種布置，不在例如兩側(cè)上提供對HDP氮化 物的開口，并且材料(例如，SOG和/或PSPI)的清除僅通過BLM焊盤的狹縫來進(jìn)行。圖14到圖19示出了中間處理步驟，并且圖20示出了處理步驟和C4結(jié)構(gòu)，其得到 牢固的最終鋁焊盤結(jié)構(gòu)，最終鋁焊盤結(jié)構(gòu)在空氣間隙之上跨焊盤結(jié)構(gòu)的寬度在很大程度上 是無支撐的。按照本發(fā)明的實施方式，空氣間隙在結(jié)構(gòu)經(jīng)歷通常將導(dǎo)致破裂和白焊塊的接 合(或者其他熱CPI)應(yīng)力之前，賦予焊盤柔性(例如，可彎曲性)。圖14示出了用于形成本發(fā)明的中間結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括在電介質(zhì)層5(例如，高電 介質(zhì)絕緣體薄膜或者二氧化硅)中形成的銅金屬層級10。高密度離子(HDP)保護(hù)層15沉 積在電介質(zhì)層5之上。HDP保護(hù)層15可以包括體氮化物層17、體氧化物層18以及保護(hù)氮 化物層19。對于圖14的示例，體氧化物層18的厚度可以約為0. 45 μ m并且體氮化物層17 的厚度可以約為0.40μπι，其他厚度也是本發(fā)明可以設(shè)想到的。而且，如圖14所示，執(zhí)行圖 案轉(zhuǎn)移和例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的刻蝕，以形成對保護(hù)氮化物層19的開口 37。如圖15所示，在圖14的結(jié)構(gòu)之上(包括在開口 37之內(nèi))應(yīng)用SOG層30。SOG抗 蝕劑掩膜70形成于在SOG層30之上，并且使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的光刻工藝
10按照傳統(tǒng)方式被曝光和顯影。如圖16所示，執(zhí)行圖案轉(zhuǎn)移刻蝕工藝(諸如，RIE工藝)，以對SOG層30進(jìn)行構(gòu) 形，從而形成SOG塊75。該過程還對HDP氮化物保護(hù)層19的開放部分進(jìn)行刻蝕(例如，過 刻蝕)，以暴露出銅焊盤10。如圖17所示，使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的傳統(tǒng)光刻 和刻蝕工藝(例如，抗蝕劑和RIE工藝)，在SOG塊75、暴露的銅焊盤10以及氮化物保護(hù)層 15的部分之上，形成鋁焊盤25。如圖18所示，執(zhí)行刻蝕過程(例如，濕法刻蝕過程)，以移除鋁焊盤25之下的SOG 塊75。該過程形成間隙50。按照本發(fā)明的方面，濕法刻蝕通過使用小于例如兩側(cè)上的開口 37 (圖14)的鋁焊盤掩膜(下文詳述)來訪問SOG塊75 (與圖13中的捕獲抗蝕劑掩膜45 的形成相類似的方式)。而且，光敏聚酰亞胺(PSPI)層80被沉積在該結(jié)構(gòu)之上(例如，應(yīng) 用旋涂)，并且使用傳統(tǒng)的光刻和刻蝕工藝被刻蝕，以形成BLM:A1最終通孔83。通孔83與 空氣間隙50對準(zhǔn)。如圖19所示，BLM層40沉積在PSPI層80之上，并且在BLM:Al最終通孔83之內(nèi)。 而且，在BLM層40的部分之上形成捕獲焊盤抗蝕劑85。如圖20所示，執(zhí)行BLM濕法刻蝕工藝，以刻蝕BLM焊盤40的部分。捕獲焊盤抗蝕 劑85也被剝離，以創(chuàng)建獨立的C4NP BLM焊盤40。而且，如圖20所示，使用例如本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員可以理解的C4NP轉(zhuǎn)移工藝，將C4無Pb的焊料焊塊55放置(例如，沉積)在BLM 結(jié)構(gòu)40之上。BLM結(jié)構(gòu)30在空氣間隙50之上。圖21到圖23示出了按照本發(fā)明的方面可以用來形成圖24中所示的示例性C4結(jié) 構(gòu)(也在圖20的側(cè)視圖中示出)的一系列示例性掩膜。圖21示出了掩膜90，其用于刻蝕 通過氮化物層17和體氧化物層18去往保護(hù)氮化物層19的開口 37 (例如，使用RIE)。此 外，圖21示出了氧化物塊狀的形狀92，這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的。圖22示出了按照本發(fā)明的實施方式用于對SOG塊75 (如圖15和圖16所示)進(jìn) 行構(gòu)圖的示例性掩膜70。掩膜70可以用來刻蝕如圖16所示的銅焊盤10之上的氮化物保 護(hù)層19的部分。圖22還示出了用于形成如圖17所示的鋁焊盤25的示例性掩膜95。掩膜 95可以被設(shè)計為在例如兩端處小于用于對SOG塊75進(jìn)行構(gòu)圖的掩膜70，從而允許在完成 鋁焊盤工藝級別后“清除” SOG材料。由此，使用如圖22所示的掩膜，所得結(jié)構(gòu)(圖20所示)包括在SOG塊(以及氮化 物保護(hù)層10的部分)之上和體氮化物層17之上形成的鋁焊盤的部分，其被表示為鋁焊盤 向上區(qū)域。該部分表示為鋁焊盤向上區(qū)域，因為所得結(jié)構(gòu)(圖20中所示)包括在SOG塊75 和體氮化物17之上的鋁焊盤25。而且，所得結(jié)構(gòu)(圖20中所示)包括鋁焊盤25的部分， 其被表示為鋁焊盤“向下”區(qū)域，其與銅焊盤10相接觸。該區(qū)域被表示為鋁焊盤“向下”區(qū) 域，因為鋁焊盤25向下地在銅焊盤層級10之上(如圖20所示)。圖23示出了示例性掩膜97，其用來刻蝕PSPI層80以形成如圖18所示的BLM:A1 最終通孔83。此外，圖23示出了示例性BLM捕獲焊盤抗蝕劑掩膜85，其用來刻蝕如圖19 和圖20所示的BLM層40的部分。圖24示出了已經(jīng)利用C4NP工藝放置了 C4焊料球55的結(jié)構(gòu)的示例性頂視圖。如 圖24所示，最終通孔接觸區(qū)在鋁向上區(qū)域與BLM捕獲焊盤之間，這也在圖19和圖20的側(cè) 視圖中示出。
11
側(cè)壁支撐肩結(jié)構(gòu)按照本發(fā)明的其他方面，在C4邊緣周圍形成的支撐材料允許應(yīng)力的有利分布，這 將阻止白焊塊。在實施方式中，在回流期間，在C4焊料球與之自對準(zhǔn)的晶片層級創(chuàng)建諸如 支撐肩或者套圈結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。以此方式，C4焊料球自動地向側(cè)壁支撐(例如，套圈結(jié)構(gòu)或 者支撐肩)傾斜。在實施方式中，側(cè)壁支撐通過充當(dāng)C4本身的外周長之下的BLM覆蓋的基 礎(chǔ)，而被創(chuàng)建為C4支撐結(jié)構(gòu)的部分。在實施方式中，本發(fā)明可以采用網(wǎng)目掩膜或者薄第二 PSPI薄膜應(yīng)用工藝，以形成在表面平面中連續(xù)但是非均勻高度的最終套圈。圖25示出了傳統(tǒng)C4結(jié)構(gòu)100，其不包括支撐肩結(jié)構(gòu)。相反，圖26示出了具有示例 性支撐肩結(jié)構(gòu)或者套圈結(jié)構(gòu)的C4結(jié)構(gòu)105。在實施方式中，支撐肩包括C4邊緣周圍的支撐 材料(例如，PSPI)。按照本發(fā)明的方面，支撐材料允許應(yīng)力的有利分布，這將防止白焊塊。圖27到圖30示出了圖31中所示的C4結(jié)構(gòu)的形成中的示例性中間處理步驟，其使 用C4NP轉(zhuǎn)移工藝。如圖27所示，芯片110包括銅焊盤層10和PSPI層20。如圖28所示， 使用傳統(tǒng)光刻和刻蝕工藝(例如，漸變曝光或者灰階)將PSPI層20刻蝕到銅焊盤層10，以 便除BLM:A1焊盤通孔37以外形成支撐肩115。如圖29所示，BLM層40沉積在PSPI層20和銅焊盤層10之上，在開口之內(nèi)。使 用傳統(tǒng)光刻和刻蝕工藝來移除支撐肩115和BLM:A1焊盤通孔37之上的BLM層40的部分， 如圖29所示。圖30示出了使用C4NP轉(zhuǎn)移工藝在支撐肩115和BLM:A1焊盤通孔37之中放置C4 焊料球55，以形成如圖31所示的最終C4結(jié)構(gòu)。C4焊料球55由支撐肩115來支撐，以提供 比圖25中所示的傳統(tǒng)C4結(jié)構(gòu)所提供的更大程度的支撐。圖32和圖33示出了中間處理步驟和有關(guān)結(jié)構(gòu)，并且圖34示出了按照本發(fā)明實施 方式的C4結(jié)構(gòu)和處理步驟。該實施方式使用“壓印”工藝來形成C4結(jié)構(gòu)。圖32跟隨著圖 29的處理(上文描述)，而沒有對BLM層40的光刻和刻蝕過程。也即，如圖32所示，在支 撐肩115和BLM:A1焊盤通孔37之上的那些區(qū)域，尚未刻蝕BLM層40。而且，如圖32所示， 使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的傳統(tǒng)光刻、刻蝕和沉積工藝，在BLM層40上形成干膜 (riston) 120和壓印片(plate) 125 (包括焊料球材料)。如圖33所示，使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解的傳統(tǒng)工藝對支撐肩115和 BLM: Al焊盤通孔37之上的干膜120和BLM層40的部分進(jìn)行剝離。如圖34所示，使用本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員可以理解的工藝對壓印片125進(jìn)行回流，以形成C4焊料球55。而且，如圖 34所示，C4焊料球55由支撐肩115支撐，以提供比圖25中所示的傳統(tǒng)C4結(jié)構(gòu)所提供的支 撐更大程度的支撐。圖35到圖40示出了按照本發(fā)明的方面的具有變化的肩支撐結(jié)構(gòu)的示例性C4結(jié) 構(gòu)。圖35示出了上文圖34中所示的C4結(jié)構(gòu)以用于比較。圖36示出了具有帶輪廓的PSPI 層130的C4結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)理解，帶輪廓的PSPI層130可以使用本領(lǐng)域普通人員公知的傳統(tǒng) 光刻和刻蝕工藝(例如，灰階工藝)來形成。對于灰階工藝，可以使用一步光刻工藝而不是 兩個或者更多光刻工藝來形成帶輪廓的PSPI層。也即，“灰階”掩膜是在完全曝光(掩膜上 的透明區(qū)域)與非曝光(掩膜上不透明部分)區(qū)域之間的過渡區(qū)域提供部分光學(xué)曝光的掩 膜。帶輪廓的PSPI層130允許C4焊料球55周圍的未充滿的流動。圖37示出了具有在PSPI層20之上形成的附加層135的示例性C4結(jié)構(gòu)。附加層135可以是PSPI或者其他適當(dāng)?shù)牟牧?例如，S0G、電介質(zhì)等)。附加層135可以使用本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員能夠理解的傳統(tǒng)光刻和刻蝕工藝來形成。與使用漸變刻蝕工藝(例如，利 用“灰階”專用光掩膜)來形成單個PSPI層20以具有BLM:A1焊盤通孔37和支撐肩115的 圖35的實施方式對比，圖37的實施方式需要附加的掩膜步驟和刻蝕步驟?！盎译A”掩膜是 在完全曝光(掩膜上的透明區(qū)域)與非曝光(掩膜上不透明部分)區(qū)域之間的過渡區(qū)域提 供部分光學(xué)曝光的掩膜。更具體地，如圖37的示例中所示，BLMiAl焊盤通孔37使用傳統(tǒng) 的掩膜和刻蝕工藝形成于PSPI層20中。而且，支撐肩115使用傳統(tǒng)的掩膜和刻蝕工藝形 成于附加層135中。然而，使用兩個層(也即，PSPI層20和附加層135)可以避免在對例 如圖35的實施方式所使用的灰階掩膜進(jìn)行優(yōu)化時遇到的任何困難。圖38到圖40對應(yīng)于 圖35到圖37的實施方式，然而圖38到圖40的實施方式的每一個都是用BLM掩膜，從而未 在支撐肩115上形成BLM層40。圖41到圖43示出了 C4結(jié)構(gòu)的示例性應(yīng)力圖(每個具有相同的應(yīng)力標(biāo)尺)。更具 體地，圖41示出了 POR結(jié)構(gòu)(如圖25所示)的應(yīng)力圖。圖42示出了按照本發(fā)明的方面的 具有帶輪廓的PSPI層130的結(jié)構(gòu)(如圖36所示)的應(yīng)力圖。圖43示出了按照本發(fā)明的 其他方面的具有延伸PSPI層20的結(jié)構(gòu)(如圖35所示)的應(yīng)力圖。存在兩個值得關(guān)注的 高應(yīng)力區(qū)域，一個直接在最終聚酰亞胺通孔邊緣之下延伸，第二個從外BLM邊緣從低到高 延伸到聚酰亞胺頂部。而且，對于POR結(jié)構(gòu)(例如，如圖41所示)，這兩個應(yīng)力區(qū)域可能匯 聚并且相互加強(qiáng)。然而，按照本發(fā)明的方面，支撐肩115具有如下效果將高應(yīng)力區(qū)域從最 終通孔邊緣移走，并且針對芯片接合和熱循環(huán)期間引起的張應(yīng)力在BLM/C4結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵邊 緣處提供緩沖。如圖41中可以觀察到的，POR結(jié)構(gòu)的應(yīng)力位于BLM層40和鋁焊盤層25之下，并 且創(chuàng)建了層離的起始點，如圖所示。而且，如圖41所示，兩個應(yīng)力區(qū)域在彼此的頂部，例如， 匯聚，這帶來了布線層級中BEOL損壞的較高風(fēng)險。相反，如圖42和圖43中每一個所示，其示出了按照本發(fā)明的方面的結(jié)構(gòu)的應(yīng)力 圖，應(yīng)力已經(jīng)基本上被移至鋁焊盤層25之上，并且不會具有圖41的POR結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的層離 起始點。而且，如圖42和圖43所示，高應(yīng)力區(qū)域彼此隔離，使得它們不會彼此匯聚，這使布 線層級中BEOL損壞的風(fēng)險較低。而且，圖43中所示的應(yīng)力區(qū)域沒有圖41的應(yīng)力區(qū)域大。 而且，在帶輪廓的PSPI層實施方式(圖42)和延伸的PSPI層實施方式(圖43) 二者中的 總體應(yīng)力水平低于POR結(jié)構(gòu)(圖41)。表1示出了針對C4結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵層離位置處的示例性最大相對應(yīng)力水平，這些C4 結(jié)構(gòu)包括POR結(jié)構(gòu)(例如，如圖25所示)、C4周圍的帶輪廓的PSPI層130 (或者楔子)(例 如，如圖36所示)、延伸PSPI層20 (例如，如圖35所示)以及延伸的較高系數(shù)材料層。
權(quán)利要求
一種制作集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括形成至少一個聚酰亞胺層；刻蝕所述至少一個聚酰亞胺層，以提供去往金屬焊盤和至少一個支撐肩的最終通孔；在所述最終通孔內(nèi)、并且至少與所述金屬焊盤和所述至少一個聚酰亞胺層的部分相接觸地形成球限定金屬化(BLM)層；以及在所述BLM層上形成可控坍塌芯片連接(C4)焊料球，使得所述C4焊料球由所述至少一個支撐肩支撐。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述C4焊料球通過與所述至少一個支撐肩的直接接 觸，而由所述至少一個支撐肩來支撐。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述BLM層還與所述至少一個支撐肩相接觸，并且所 述C4焊料球通過在所述至少一個支撐肩處與所述BLM層的直接接觸，而由所述至少一個支 撐肩來支撐。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕所述至少一個聚酰亞胺層包括以下至少一個 使用灰階刻蝕工藝；形成具有所述至少一個支撐肩的帶輪廓的聚酰亞胺層； 形成具有所述至少一個支撐肩的延伸聚酰亞胺層；以及 刻蝕至少兩個聚酰亞胺層，以形成所述至少一個支撐肩。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述至少一個聚酰亞胺層上形成層，其中所述層具有高于所述至少一個聚酰亞胺層 的彈性系數(shù)；以及刻蝕所述層，以提供去往所述金屬焊盤和所述至少一個支撐肩的所述最終通孔。
6.一種設(shè)計具有多個球限定金屬化(BLM)-可控坍塌芯片連接(C4)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片塑 料球柵格陣列結(jié)構(gòu)的方法，其中每個所述BLM-C4結(jié)構(gòu)都具有最終通孔，所述方法包括在所述多個BLM-C4結(jié)構(gòu)中每一個的芯片邊緣側(cè)上直接處于BLM邊緣和最終通孔邊緣 之下的后端連線(BEOL)層中，使用針對布線和通孔連接的禁入?yún)^(qū)域，使得所述禁入?yún)^(qū)域中 沒有布線和通孔連接。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述禁入?yún)^(qū)域的寬度約為5μ m到10 μ m。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括對于所述多個BLM-C4結(jié)構(gòu)中的至少一個 BLM-C4結(jié)構(gòu)，根據(jù)針對所述至少一個BLM-C4的特定局部布線要求，最大化BLM邊緣與最終 通孔邊緣之間的距離。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中最大化所述距離通過最小化所述最終通孔的維度來 實現(xiàn)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中最小化所述最終通孔的維度按照以下來執(zhí)行 (電流所需的最小通孔尺寸)< {a} <b:{(b-a)/2>/= 10ym}其中b = BLM直徑；并且a=最終通孔直徑。
11.一種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)，包括 球限定金屬化(BLM)層；形成于所述BLM層之上的可控坍塌芯片連接(C4)焊料球； 所述BLM層之下的最終金屬焊盤層；所述最終金屬焊盤層之下的保護(hù)層；以及在所述C4焊料球之下、并且在所述最終金屬焊盤層與所述BLM層和所述保護(hù)層之一之 間形成的空氣間隙。
12.如權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中所述BLM層具有去往所述最終金屬焊盤層的至少 一個開口，其提供用于移除所述最終金屬焊盤層與所述BLM層之間沉積的材料以便創(chuàng)建所 述空氣間隙的至少一個通路。
13.如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個開口是所述BLM層中的帶狹縫的開
14.如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)，其中至少在一個方向上，所述BLM層的維度小于所述最 終金屬焊盤層的維度，以提供所述至少一個開口。
15.如權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中至少在一個方向上，所述最終金屬焊盤層的維度 小于所述保護(hù)層的維度，以提供去往所述保護(hù)層的至少一個開口，所述開口提供用于移除 所述最終金屬焊盤層與所述保護(hù)層之間沉積的材料以創(chuàng)建所述空氣間隙的至少一個通路。
16.如權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中所述空氣間隙為所述結(jié)構(gòu)提供了柔性，這降低了 芯片封裝交互破裂和白焊塊形成的至少一個。
17.一種結(jié)構(gòu)，包括在芯片上構(gòu)造和排列的多個球限定金屬化(BLM)，每個容納有可控坍塌芯片連接(C4) 焊料球，其中至少定位在所述芯片的拐角處的、所述多個BLM的子集在中性點距離(DNP)軸方 向上的維度小于所述芯片的所述多個BLM中其余BLM在DNP軸方向上的維度，使得在所述 多個BLM的所述子集之一處容納的所述C4焊料球采用橢圓形形狀。
18.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述多個BLM的所述子集包括在所述芯片的拐角 處的、所述多個BLM的外部兩行或者更多行。
19.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述多個BLM的所述子集包括所述芯片上的所述 多個BLM的外部兩行或者多行。
20.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括通過多個C4焊料球中的每一個而附接至所述芯片的層壓體；其中所述層壓體包括與所述多個BLM的所述子集的位置相對應(yīng)的多個橢圓形焊料抗 蝕劑開口。
21.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述多個BLM的所述子集至少包括多數(shù)所述BLM， 使得多數(shù)所述C4焊料球采用橢圓形形狀。
22.—種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)，包括球限定金屬化(BLM)層，其具有BLM周長；在所述BLM層上形成的可控坍塌芯片連接(C4)焊料球；以及在所述BLM層之下的金屬焊盤層，其具有金屬焊盤層周長，其中至少在所述C4焊料球的芯片邊緣側(cè)上，在與所述金屬焊盤層平行的方向上，所述 金屬焊盤層周長超過所述BLM周長。
23.如權(quán)利要求22所述的結(jié)構(gòu)，其中在所述C4焊料球的至少兩側(cè)上，在與所述金屬焊 盤層平行的方向上，所述金屬焊盤層周長超過所述BLM周長。
24.如權(quán)利要求22所述的結(jié)構(gòu)，其中在所述C4焊料球的所有側(cè)上，在與所述金屬焊盤 層平行的方向上，所述金屬焊盤層周長超過所述BLM周長。
25.如權(quán)利要求22所述的結(jié)構(gòu)，其中作用于所述C4焊料球的芯片邊緣側(cè)的張力拉拽所 述金屬焊盤層，從而減輕了向所述金屬焊盤之下的BEOL層的應(yīng)力轉(zhuǎn)移。
全文摘要
可控坍塌芯片連接(C4)結(jié)構(gòu)和制造方法，并且更具體地，涉及用以改進(jìn)無引線C4互連可靠性的結(jié)構(gòu)和方法。一種結(jié)構(gòu)，包括球限定金屬化(BLM)層和形成于所述BLM層之上的可控坍塌芯片連接(C4)焊料球。此外，該結(jié)構(gòu)包括所述BLM層之下的最終金屬焊盤層以及所述最終金屬焊盤層之下的保護(hù)層。而且，該結(jié)構(gòu)包括在所述C4焊料球之下、并且在所述最終金屬焊盤層與所述BLM層和所述保護(hù)層之一之間形成的空氣間隙。
文檔編號H01L23/485GK101958260SQ20101022958
公開日2011年1月26日 申請日期2010年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月13日
發(fā)明者C·D·穆茲, D·L·奎斯塔德, J·P·甘比諾, P·P·弗蒂爾, T·D·沙利文, T·H·道本斯佩克, W·索特 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司