用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層為集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路尺寸的不斷縮小，在集成電路的金屬互連結(jié)構(gòu)中采用雙鑲嵌結(jié)構(gòu)越來(lái)越受到歡迎。由于金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層有著至關(guān)重要的作用，故需對(duì)該介質(zhì)層的可靠性進(jìn)行測(cè)試?，F(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)測(cè)試方法是:準(zhǔn)備一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)具有包含雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)；利用與時(shí)間相關(guān)的介質(zhì)擊穿(Time Dependent DielectricBreakdown,簡(jiǎn)稱(chēng)TDDB)、或電壓擊穿(Voltage Breakdown,簡(jiǎn)稱(chēng)Vbd)方法測(cè)量該測(cè)試結(jié)構(gòu)中介質(zhì)層的可靠性，根據(jù)該測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試結(jié)果可以得到集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。
[0003]但是，在該集成電路的應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，該集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)的實(shí)際介質(zhì)層可靠性往往比測(cè)量的介質(zhì)層可靠性差，換言之，根據(jù)現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)無(wú)法準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的問(wèn)題是:根據(jù)現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)無(wú)法準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層為集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層，集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)包括位于介質(zhì)層內(nèi)的互連線及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，該雙鑲嵌結(jié)構(gòu)具有與一互連線接觸電連接的插塞，該插塞位于相鄰兩互連線之間的介質(zhì)層上方，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括金屬互連結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)包括:
[0006]襯底；
[0007]位于所述襯底上的介質(zhì)層；
[0008]位于所述介質(zhì)層內(nèi)的多條第一金屬互連線；
[0009]位于所述介質(zhì)層內(nèi)并位于所述第一金屬互連線上方的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，所述雙鑲嵌結(jié)構(gòu)具有與所述第一金屬互連線接觸電連接的插塞，且所述插塞的一部分位于相鄰兩第一金屬互連線之間的介質(zhì)層上方。
[0010]可選的，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)還具有:位于所述插塞上方并與所述插塞為一體的第二金屬互連線。
[0011]可選的，所述第二金屬互連線在所述襯底表面上的投影至少與一條所述第一金屬互連線在所述襯底表面上的投影交叉垂直。
[0012]可選的，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)至少具有兩條均呈梳齒狀的第一金屬互連線，兩個(gè)所述第一金屬互連線的梳齒部交錯(cuò)排列。
[0013]可選的，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)至少具有三條第一金屬互連線，分別為第一、二、三條第一金屬互連線，所述第一、二條第一金屬互連線均呈梳齒狀，所述第三條第一金屬互連線具有多個(gè)平行間隔排列的第一連接線，任意三個(gè)相鄰的第一連接線中，位于中間位置的第一連接線的兩個(gè)端部均通過(guò)第二連接線與兩側(cè)的第一連接線固定連接，所述第一、二條第一金屬互連線的梳齒部均與相鄰兩第一連接線交錯(cuò)排列，且所述第一條第一金屬互連線的梳齒部與第二條第一金屬互連線的梳齒部交錯(cuò)排列。
[0014]可選的，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)具有多條平行間隔排列的條狀第一金屬互連線。
[0015]可選的，雙鑲嵌結(jié)構(gòu)為利用自對(duì)準(zhǔn)通孔工藝形成的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
[0016]可選的，所述介質(zhì)層的材料為氧化硅、氮氧化硅或有機(jī)氮氧化物。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018]同集成電路中的金屬互連結(jié)構(gòu)一樣，測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)中，插塞的一部分也位于相鄰兩第一金屬互連線之間的介質(zhì)層上方，使插塞與鄰近的第一金屬互連線之間的水平間隔較小。由于測(cè)試結(jié)構(gòu)考慮到了金屬互連結(jié)構(gòu)中插塞對(duì)介質(zhì)層可靠性造成的影響，故根據(jù)該測(cè)試結(jié)構(gòu)可以準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是集成電路中金屬互連結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例中用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0021]圖3是沿圖2中AA方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例中用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0023]圖5是本發(fā)明的第三實(shí)施例中用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0024]圖6是本發(fā)明的第四實(shí)施例中用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]經(jīng)研究分析發(fā)現(xiàn)，造成根據(jù)現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)無(wú)法準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性的原因如下:
[0026]如圖1所示，集成電路的金屬互連結(jié)構(gòu)包括:襯底I ;位于襯底I上的介質(zhì)層2 ;位于介質(zhì)層2內(nèi)的多條(圖中僅示意兩條)間隔排列的第一金屬互連線3、及位于第一金屬互連線3上方的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，該雙鑲嵌結(jié)構(gòu)具有與其中一個(gè)第一金屬互連線3接觸電連接的插塞4。
[0027]插塞4可以設(shè)置得比與該插塞4接觸電連接的第一金屬互連線3寬一些，使得在平行于襯底I表面的方向上，插塞4的一部分會(huì)位于相鄰兩第一金屬互連線3之間的介質(zhì)層2上方，造成插塞4與鄰近的第一金屬互連線3之間的水平間隔G較小，進(jìn)而導(dǎo)致介質(zhì)層2中位于插塞4與鄰近的第一金屬互連線3之間的部分5可靠性較差，使整個(gè)介質(zhì)層2的可靠性受到影響。
[0028]但是，現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)中，相鄰兩第一金屬互連線之間的介質(zhì)層上方并未被與其中一個(gè)第一金屬互連線接觸電連接的插塞覆蓋，忽略了該插塞對(duì)介質(zhì)層可靠性造成的影響，進(jìn)而造成根據(jù)現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)無(wú)法準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。
[0029]鑒于此，本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)同集成電路中的金屬互連結(jié)構(gòu)一樣，插塞的一部分也位于相鄰兩第一金屬互連線之間的介質(zhì)層上方，使插塞與鄰近的第一金屬互連線之間的水平間隔較小。由于在測(cè)試結(jié)構(gòu)中考慮到了插塞對(duì)介質(zhì)層可靠性造成的影響，故根據(jù)該測(cè)試結(jié)構(gòu)可以準(zhǔn)確地測(cè)試出集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層可靠性。
[0030]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0031]第一實(shí)施例
[0032]結(jié)合圖2和圖3所示，本實(shí)施例提供了一種用于對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行可靠性測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層為集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層，集成電路金屬互連結(jié)構(gòu)包括位于介質(zhì)層內(nèi)的互連線及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，該雙鑲嵌結(jié)構(gòu)具有與其中一互連線接觸電連接的插塞，該插塞的一部分位于相鄰兩互連線之間的介質(zhì)層上方，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括金屬互連結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬互連結(jié)構(gòu)包括:
[0033]襯底100 ；
[0034]位于襯底100上的介質(zhì)層110 ;
[0035]位于介質(zhì)層110內(nèi)的兩條第一金屬互連線120，兩條第一金屬互連線120均呈梳齒狀，兩條第一金屬互連線120的梳齒部121交錯(cuò)排列；
[0036]位于介質(zhì)層110內(nèi)并位于第一金屬互連線120上方的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)130，雙鑲嵌結(jié)構(gòu)130具有與第一金屬互連線120接觸電連接的插塞131，