專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個或一個以上的實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，更具體的講，涉 及一種包括第一電極的0LED，所述第一電極包括鋁(Al)基反射膜和透明導(dǎo)電膜。所述OLED 可具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、發(fā)光效率和耐久性。
背景技術(shù)：
作為自發(fā)射型的裝置，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有寬的視角、優(yōu)良的對比度、快 速的響應(yīng)時間、優(yōu)良的亮度、優(yōu)良的驅(qū)動電壓和高的響應(yīng)速度，并且有機(jī)發(fā)光二極管可實(shí)現(xiàn) 多色彩的圖像。普通的OLED可具有這樣的結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中，陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層 (EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極順序形成在基底上。HTL、EML和ETL是由有機(jī)化合物形成 的有機(jī)薄膜。具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的操作原則如下。當(dāng)將電壓施加在陽極和陰極之間時，從陽 極注入的空穴穿過HTL并到達(dá)EML，從陰極注入的電子穿過ETL并到達(dá)EML?？昭ê碗娮釉?EML中彼此復(fù)合并產(chǎn)生激子。激子的狀態(tài)從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)，從而發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例包括一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，所述有機(jī)發(fā)光二極 管包括電極，所述電極包括鋁(Al)基反射膜和透明導(dǎo)電膜，其中，OLED具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定 性、發(fā)光效率和耐久性。在下面的描述中將部分地闡述另外的方面，而且在某種程度上，從描述中另外的 方面將是清楚的，或者可通過實(shí)施提供的實(shí)施例來了解。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括基底；第一電極， 形成在基底上；第二電極，設(shè)置在第一電極上；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間， 其中，第一電極包括鋁(Al)基反射膜，包括第一元素和鎳(Ni)；透明導(dǎo)電膜。Al基反射 膜被設(shè)置為比透明導(dǎo)電膜更靠近基底，Al基反射膜接觸透明導(dǎo)電膜。第一元素包括從由 鑭(La)、鋪(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺 (Er)、銩(Tm)、镥(Lu)和它們的組合組成的組中選擇的一種。Al基反射膜可包括AlxNi相，這里，χ在大約2. 5至大約3. 5的范圍內(nèi)。AlxNi相 可接觸透明導(dǎo)電膜。“X”可以是3。Al基反射膜可包括在所述鋁基反射膜的面對透明導(dǎo)電膜的表面上的富含M的氧 化物層。Al基反射膜中的Ni含量可以在大約0. 6wt%至大約5wt%的范圍內(nèi)。
第一元素可包括鑭(La)。鋁基反射膜中的第一元素的含量可以為大約0. 至大約3wt%。Al基反射膜的厚度可以為大約50nm或更大。透明導(dǎo)電膜可包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅 (ZnO)。透明導(dǎo)電膜的厚度可以為大約5nm至lOOnm。第一電極還可包括金屬層。所述金屬層可形成在Al基反射膜和基底之間。金屬層可包括從由鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)和它們的組 合組成的組中選擇的一種。有機(jī)層可包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、空穴阻擋 層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和它們的組合組成的組中選擇的一種。


當(dāng)結(jié)合附圖來考慮時，通過參照下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的更加完整的理解及本 發(fā)明帶來的諸多優(yōu)點(diǎn)將更加清楚并更好理解，在附圖中相同的標(biāo)號表示相同或相似的組 件，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的剖視圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的鋁(Al)基反射膜的剖面透射電子顯微鏡(TEM)圖 片；圖2B示出在圖2A中示出的鋁(Al)基反射膜的掃描透射電鏡(STEM)-高角度環(huán) 形暗場(HAADF)圖片；圖2C顯示了示出圖2A的鋁(Al)基反射膜的異常生長的晶粒的成分分析結(jié)果的 圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的第一電極的剖面的照片；圖4A是用肉眼觀察根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED的圖像的照片；圖4B是用虛線矩形F指示的圖4A中的圖像的一部分的顯微圖像；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED的剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將詳細(xì)地參照實(shí)施例，在附圖中示出了所述實(shí)施例的示例，附圖中，相同的 標(biāo)號始終代表相同的元件。就此而言，當(dāng)前實(shí)施例可具有不同的形式，并且不應(yīng)被理解為限 制于這里所作出的描述。從而，下面僅通過參照附圖來描述實(shí)施例，以解釋本發(fā)明的方面。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 10的剖視圖。參照圖1，根據(jù) 本實(shí)施例的OLED 10具有這樣的結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中，第一電極5、有機(jī)層7和第二電極9以 這樣的次序順序形成在基底1上。第一電極5包括鋁(Al)基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜5b， 所述鋁(Al)基反射膜5a包括第一元素和鎳(Ni)。Al基反射膜5a設(shè)置為比透明導(dǎo)電膜5b 更靠近基底1，且Al基反射膜5a與透明導(dǎo)電膜5b接觸?；?可以是用在普通OLED中的任何基底，并可以是具有優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn) 定性、透明性、表面光滑度、易加工性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。
Al基反射膜5a包括鋁(Al)、第一元素和鎳(Ni)，并形成在基底1上。第一元素 還可包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥 (Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、镥(Lu)或它們的組合。Al基反射膜5a具有高的反射率，因此OLED 10可具有優(yōu)良的發(fā)光效率。此外，Al 基反射膜5a具有基于Al的性質(zhì)的高的熱穩(wěn)定性，從而即使將Al基反射膜5a暴露到高溫 制造工藝，Al基反射膜5a也具有優(yōu)良的耐久性。另外，Al基反射膜5a具有優(yōu)良的與無機(jī) 層或有機(jī)層粘合的性質(zhì)。參照圖1，透明導(dǎo)電膜5b設(shè)置在Al基反射膜5a上，并且與Al基反射膜5a接觸。 然而，在Al基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜5b之間不會發(fā)生因電極的電勢差而產(chǎn)生的電偶腐 蝕。電偶腐蝕是電化學(xué)過程，其中，因在彼此電接觸的兩種不同的金屬之間的電勢差 產(chǎn)生電壓，電流流動，產(chǎn)生電。如此，由于在兩種金屬之間的界面處的功函數(shù)的差異而具有 更大活性(低電勢)的金屬作為陽極，具有相對小的活性(高電勢)的金屬作為陰極。當(dāng) 將兩種金屬暴露到腐蝕性溶液并且因這兩種金屬之間的電勢差而在這兩種金屬中產(chǎn)生腐 蝕時，發(fā)生電偶腐蝕。具有更大的活性的陽極快速腐蝕，具有小的活性的陰極緩慢腐蝕。當(dāng) 電偶腐蝕沿分別由不同的金屬形成的兩個電極層之間的界面蔓延時，電極層之間的接觸電 阻(contact resistance)快速增加，且會導(dǎo)致不穩(wěn)定的電阻分布。因此，當(dāng)驅(qū)動具有這樣 的電極層的OLED時，一些像素的色彩變得更亮，另一些像素的色彩變得較為不亮，導(dǎo)致對 像素來說亮度不均勻。因此，圖像質(zhì)量會變差。因此，電偶腐蝕可以成為降低OLED質(zhì)量的 一個因素。然而，因?yàn)锳l基反射膜5a包括第一元素，這將在下文描述，所以電偶腐蝕不會在 Al基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜5b之間開始。從而，根據(jù)本實(shí)施例的OLED可隨著時間的推移 保持高的圖像質(zhì)量。Al基反射膜5a包括Ni。因此，Al基反射膜5a可包括AlxNi相(這里，χ代表在 AlxNi相中的Al與Ni的原子個數(shù)比，并可以在大約2. 5至3. 5的范圍內(nèi))?！癤”可在上述 的大約2. 5至3. 5的范圍內(nèi)變化。圖2Α是形成在Ti層(層B)上的包括大約2wt%的Ni和大約0. 35wt%的La的 Al基反射膜(層A)的剖面透射電子顯微鏡(TEM)圖片，圖2B是圖2中的形成在Ti層上的 Al基反射膜的STEM-HAADF圖片，圖2C顯示了示出使用能量色散譜儀(EDS)半定量分析呈 灰圓塊的異常生長的晶粒(第一測量位置和第二測量位置)的分析結(jié)果的圖。因此，由于 Al和Ni以大約Al (K) Ni (K) =73 27(基于原子百分比)的比率存在于圖4A中的異 常生長的晶粒中，所以Al基反射膜可包括推定為AlxNi (χ大約是3)的材料。AlxNi相(這里，χ代表在AlxNi相中的Al與Ni的原子個數(shù)比，并可以在大約2. 5 至大約3. 5的范圍內(nèi))可接觸透明導(dǎo)電膜。此外，富含M的氧化物層可存在于Al基反射膜5a的面對透明導(dǎo)電膜5b的表面 上。例如，富含Ni的氧化物層可存在于圖1中的Al基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜5b之間。圖3是由Al基反射膜和ITO透明導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu)的剖面TEM圖像。包括大約 2襯％的Ni和大約0. 35襯％的La的Al基反射膜C形成在普通的TFT基底上。ITO透明導(dǎo) 電膜D形成在Al基反射膜上。在圖3中，表示為斜線并形成在Al基反射膜和ITO導(dǎo)電膜之間的白線的一部分(參照由E表示的線)為富含Ni的氧化物層。富含Ni的氧化物層的 厚度可在大約7nm至大約8nm的范圍內(nèi)。因上述的AlxNi相(這里，χ代表在AlxNi相中的Al與Ni的原子個數(shù)比，并可以 在大約2. 5至大約3. 5的范圍內(nèi))和/或富含Ni的氧化物層，所以在Al基反射膜5a和透 明導(dǎo)電膜5b之間可形成歐姆接觸。在Al基反射膜5a中的Ni的含量可以在大約0. 6wt %至大約5wt %的范圍內(nèi)，例 如，大約Iwt %至大約4wt%。在根據(jù)本實(shí)施例的OLED中的Ni的含量可以是大約2wt%。當(dāng) Al基反射膜5a中的Ni的含量為大約0. 6wt%或更多時，在Al基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜 5b之間的接觸電阻穩(wěn)定性可以是優(yōu)良的。當(dāng)Al基反射膜5a中的M的含量為大約5wt% 或更少時，Al基反射膜5a的反射性和耐化學(xué)性不會實(shí)質(zhì)性降低。上述M的量僅是示例而 并非限制于此。Al基反射膜5a除了包括Ni，還包括第一元素。第一元素可包括La、Ce、Pr、Pm、 Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu 或它們的組合。由于Al基反射膜5a包括上述的第一元素，所以可改善熱穩(wěn)定性并抑制電偶腐蝕。 例如，第一元素可包括La，但不限于此。鋁基反射膜中的第一元素的含量可以在大約0. 1襯％至3襯％的范圍內(nèi)，例如，大 約0. 至大約lwt%。當(dāng)?shù)谝辉氐暮繛榇蠹s0. 或更多時，Al基反射膜5a中 的Al的熱穩(wěn)定性不會實(shí)質(zhì)性降低。當(dāng)?shù)谝辉氐暮繛榇蠹s3襯％或更少時，可實(shí)質(zhì)上防 止反射性的降低。第一元素的上述含量僅是示例而并非限制于此。Al基反射膜5a的厚度可以是大約50nm或50nm以上，例如，在大約IOOnm至大約 500nm的范圍內(nèi)。當(dāng)Al基反射膜5a的厚度為大約50nm或50nm以上時，從有機(jī)層7產(chǎn)生的 光進(jìn)入Al基反射膜5a，因此，可實(shí)質(zhì)上防止發(fā)光效率的降低。透明導(dǎo)電膜5b可以是透明并導(dǎo)電的金屬氧化物。透明導(dǎo)電膜5b的示例可包括氧 化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)。然而，透明導(dǎo)電膜5b不限 于此。透明導(dǎo)電膜5b的厚度可以在大約5nm至大約IOOnm的范圍內(nèi)，例如，大約7nm至 大約80nm。當(dāng)透明導(dǎo)電膜5b的厚度在上述范圍內(nèi)時，可使Al基反射膜5a的反射性的降低 最小化，并可實(shí)現(xiàn)具有高的效率的第一電極。有機(jī)層7形成在透明導(dǎo)電膜5b上。在本說明書中，“有機(jī)層”代表設(shè)置在第一電極 和第二電極之間的所有層，并包括金屬絡(luò)合物。因此，有機(jī)層并非總是由有機(jī)材料形成。有機(jī)層7可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、空穴阻擋層 (HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)或它們的組合。可通過使用諸如真空沉積法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、鑄造法或LB(Langmuir-Blodgett)沉 積法的方法來將HIL形成在第一電極5上。如果使用真空沉積法形成HIL，則沉積條件可根據(jù)用作形成HIL的材料的化合物 以及HIL的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。例如，沉積溫度可以在大約100°C至大約500°C的范圍內(nèi)， 真空度可以在大約10_8托至大約ιο_3托的范圍內(nèi)，沉積速度可以在大約0.0lA/sec至大約 100 A/sec的范圍內(nèi)。如果使用旋轉(zhuǎn)涂覆形成HIL，則涂覆條件可根據(jù)用作形成HIL的材料的化合物以及HIL的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。涂覆速度可以在大約2000rpm至大約5000rpm的范圍內(nèi)， 涂覆后用于除去溶劑的熱處理溫度可以在大約80°C至大約200°C的范圍內(nèi)。用于形成HIL的材料可以是已知的空穴注入材料。所述材料的示例可包括酞菁 化合物(如銅酞菁)、4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺(4，4'，4〃 -tris(3-m ethylphenylphenylamino) triphenyIamine, m-MTDATA) > N, N' -二 (I-^S)-N, N' -二 苯基聯(lián)苯胺(N，N' -di(l-naphthyl)-N, N' -diphenylbenzidine，NPB)、TDATA、2T_NATA、 聚苯胺 / 十二燒基苯磺酸(polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid, Pani/DBSA)、 聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(P0ly(3，4-ethylenedi0Xythi0phene)/ Poly (4-styrenesulfonate)，PED0T/PSS)、聚苯胺 / 樟腦磺酸(Polyaniline/Camphor sulfonicacid, Pani/CSA)或(聚苯胺)/ 聚(4_ 苯乙烯磺酸鹽)((Polyaniline)/ Poly (4-styrenesulfonate)，PANI/PSS))。然而，用于形成 HIL 的材料不限于此。 m-MTDATATDATA2T-NATAHIL的厚度可以是從大約IOOA至大約IOOOOA,例如，大約IOOA至大約ιοοοΑ。當(dāng)
HIL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到令人滿意的空穴 注入特性。然后，可通過使用諸如真空沉積法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、鑄造法或LB沉積法的方法將空 穴傳輸層(HTL)形成在空穴注入層(HIL)上。如果使用真空沉積法或旋轉(zhuǎn)涂覆法來形成 HTL，則沉積條件或涂覆條件可根據(jù)所使用的化合物而改變。然而，通常，所述條件可以與用 來形成HIL的條件類似。用于形成HTL的材料可以是已知的空穴傳輸材料。所述材料的示例可包括咔唑 衍生物，如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)；具有 芳香稠環(huán)(aromatic fused ring)的胺衍生物，如N，N' - 二(3-甲基苯基)-N，N' - 二 苯基-[1，1-聯(lián)苯]-4，4' -二胺(N，N' -bis(3-methylphenyl)-N, N' -diphenyl-[l, l-biphenyl]-4,4' -diamine，TPD)或 N，N ‘ -二(萘 基)-N，N ‘ - 二苯基聯(lián)苯胺 (N, N' -di (naphthalene-1-yl) -N, N' -diphenylbenzidine, α -NPD)；三苯胺類材料(如 4,4'，4〃 -三(N-咔唑基)三苯胺(4，4'，4〃 -tris (N-carbazolyl) triphenylamine, TCTA))。這里，TCTA除了具有傳輸空穴的功能之外，還可防止來自EML的激子的擴(kuò)散。 α -NPDTPDHTL的厚度可以在大約50A至大約1OOOA的范圍內(nèi)，例如，大約100A至大約 800人。當(dāng)HTL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到令人滿 意的空穴傳輸特性?？赏ㄟ^使用諸如真空沉積法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、鑄造法或LB沉積法的方法將發(fā)射層 (EML)形成在空穴傳輸層(HTL)上。當(dāng)使用真空沉積法或旋轉(zhuǎn)涂覆法來形成EML時，沉積條 件或涂覆條件可根據(jù)所使用的化合物而改變。然而，通常，這些條件可以與形成空穴注入層 (HIL)所使用的那些條件相似。EML可包括一種化合物或者基質(zhì)和摻雜劑的組合?；|(zhì)的示例可包括Alq3、4， 4' -N,N' - 二咔唑-聯(lián)苯(4，4' -N,N' -dicarbazole-biphenyl，CBP)、聚(η-乙烯基咔 唑)(poly(n-vinylcarbazole)，PVK)、9，10-二 (萘 _2_基)蒽(9，10-di (naphthalen-2-yl) anthracene，ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1, 3, 5-tris (N-phenylbe nzimidazole-2-yl)benzene，TPBI)、3_叔丁基-9，10-二(萘 _2_基)蒽(3-tert-butyl-9, 10-di (naphth-2-yl) anthracene, TBADN)、Ε3、·$乙 (distyrylarylene, DSA) 。 M胃，·
質(zhì)不限于此。 TPBITBADN E3 PVKADN紅色摻雜劑可以是公知的紅色摻雜劑，諸如PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir (acac)或 DCJTB。然而，紅色摻雜劑不限于此。 PtOEPIr(Piq)3 Btp2Ir (acac)綠色摻雜劑可以是公知的綠色摻雜劑，諸如Ir (ppy) 3 (ppy為苯基吡啶)、 Ir (ppy) 2 (acac)、Ir (mpyp) 3或C545T。然而，綠色摻雜劑不限于此。 Ir(ppy)3Ir (ppy) 2 (acac)Ir (mpyp) 3藍(lán)色摻雜劑可以是公知的藍(lán)色摻雜劑，諸如F2Irpic, (F2ppy)2Ir (tmd)、 Ir (dfppz) 3、三芴(ter-f luorene) ,4,4 ‘ -二 4-二-苯基氨基苯乙烯基聯(lián)苯(4， 4' -bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl, DPAVBi)或 2，5，8，11_ 四叔丁基茈(2,5,8, 11-tetra-t-butyl perylene，TBPe)。然而，藍(lán)色摻雜劑不限于此。 F2Irpic(F2PPy) 2 Ir (tmd)Ir(dfppz)3 DPAVBiTBPe當(dāng)摻雜劑和基質(zhì)一起使用時，不限制摻雜劑的摻雜濃度。然而，通常，基于重量為 100份的基質(zhì)，摻雜劑的量可在重量大約0. 01份至重量大約15份的范圍內(nèi)。發(fā)射層(EML)的厚度可以在大約100人至大約IOOOA的范圍內(nèi)，例如，大約200A 至大約600A。當(dāng)EML的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到 優(yōu)良的發(fā)射特性。當(dāng)將磷光摻雜劑用于EML中時，可通過使用諸如真空沉積法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、鑄造法 或LB沉積法的方法將空穴阻擋層(HBL)形成在空穴傳輸層(HTL)和EML之間，以防止三 重態(tài)激子或空穴向HTL擴(kuò)散。當(dāng)使用真空沉積法或旋轉(zhuǎn)涂覆法來形成HBL時，HBL的沉積 條件或涂覆條件可根據(jù)所使用的化合物而改變。然而，通常，這些條件可以與形成空穴注 入層(HIL)所使用的那些條件相似。用于形成HBL的材料可以是公知的空穴阻擋材料。 所述材料的示例可包括噁二唑衍生物(oxadiazole derivative)、三唑衍生物(triazole derivative)或菲P各H|木 ^ 生物(phenanthroline derivative) HBL的厚度可在大約50人至大約1000人的范圍內(nèi)，例如，大約IOOA至大約300A。 當(dāng)HBL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到優(yōu)良的空穴阻 擋特性。然后，可利用諸如真空沉積法、旋轉(zhuǎn)涂覆法或鑄造法的方法將電子傳輸層(ETL) 形成在EML或HBL上。當(dāng)使用真空沉積法或旋轉(zhuǎn)涂覆法來形成ETL時，它們的沉積條件或 涂覆條件可根據(jù)所使用的化合物而改變。然而，通常，這些條件可以與形成HIL所使用的那 些條件相似。用于形成ETL的材料可穩(wěn)定地傳輸從電子注入電極(陰極)注入的電子，并 且用于形成ETL的材料可包括電子傳輸材料。所述材料的示例可包括喹啉衍生物，例如，三 (8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、TAZ和BAlq0然而，形成ETL的材料不限于此。
TAZ
ETL的厚度可在大約1OOA至大約1OOOA的范圍內(nèi)，例如，大約150A至大約 500人。當(dāng)ETL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到令人滿 意的電子傳輸特性。此外，用于促進(jìn)來自陰極的電子的注入的電子注入層(EIL)可形成在ETL上，并且 不限制用于形成EIL的材料。用于形成EIL的材料可以是用作電子注入材料的任何材料，例如，LiF,NaCl,CsF, Li2O或BaO。可使用諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂覆、鑄造或LB沉積的方法來形成EIL。沉積條件 和涂覆條件可根據(jù)所使用的化合物而改變。然而，通常，這些條件可以與形成HIL所使用的 那些條件相似。EIL的厚度可在大約IA至大約IOOA的范圍內(nèi)，例如，大約5入至大約90A。當(dāng)EIL 的厚度在上述范圍內(nèi)時，可在不增加OLED的驅(qū)動電壓的情況下，得到優(yōu)良的電子注入特性。第二電極9是透射電極，第二電極9形成在有機(jī)層7上。第二電極9可以是電子 注入電極，即，陰極。用于形成第二電極9的材料可包括具有低的功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電 化合物或它們的混合物。用于形成第二電極9的材料的示例可包括由鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁 (Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)或鎂-銀(Mg-Ag)形成的薄膜。此外，為了 得到頂發(fā)射裝置，可以使用ITO或IZO形成透射電極。圖4A是用肉眼觀察的OLED的照片，圖4B是圖4A中的圖像的一部分的顯微圖像。 參照圖4A，具有大約125nm的厚度并包括Ni和La (Ni的含量大約為2wt%，La的含量大約 為0. 35wt% )的Al基反射膜和具有大約70nm的厚度的ITO透明導(dǎo)電膜順序形成在TFT基 底上。Al基反射膜和ITO透明導(dǎo)電膜一起組成第一電極。然后，普通的有機(jī)層和透明陰極 順序形成在ITO透明導(dǎo)電膜上，以形成OLED，驅(qū)動OLED，并用肉眼觀察OLED。在圖4B中，使 用顯微鏡觀察在圖4A的圖像中用虛線矩形F標(biāo)出的部分。圖4A和圖4B示出包括上述組成的第一電極的OLED可提供均勻的亮度和清晰的 圖像。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED 20的剖視圖。參照圖5，根據(jù)本實(shí)施例的 OLED 20包括基底21、第一電極25、有機(jī)層27和第二電極29。第一電極25包括金屬層25c、 包括鎳(Ni)和第一元素的Al基反射膜25a和透明導(dǎo)電膜25b，金屬層25c、包括鎳(Ni)和 第一元素的Al基反射膜25a及透明導(dǎo)電膜25b按次序順序形成在基底21上。這里，基底 21、有機(jī)層27、第二電極29、包括鎳(Ni)和第一元素的Al基反射膜25a及透明導(dǎo)電膜25b 與參照圖1所描述的實(shí)施例的那些相似。參照圖5，在OLED 20中的第一電極25還包括金屬層25c。金屬層25c可設(shè)置在 包括Ni和第一元素的Al基反射層25a和基底21之間。例如，金屬層25c可形成在Al基 反射膜25a的不與透明導(dǎo)電膜25b接觸的表面上。金屬層25c可以是用來防止包括在第一電極25中的Al基反射膜25a中的Al成 分?jǐn)U散的阻擋層。金屬層25c可包括諸如鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)的金屬 或它們的組合。然而，金屬層25c不限于此。例如，圖4A中的Al基反射膜可形成在Ti層 上。
11
金屬層25c的厚度可在大約20nm至大約200nm的范圍內(nèi)，例如，大約50nm至大約 lOOnm。當(dāng)金屬層25c的厚度在上述范圍內(nèi)時，可防止Al成分的擴(kuò)散。然而，金屬層25c的 厚度不限于此。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例中的一個或多個實(shí)施例，包括上述第一電極 的OLED可具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、發(fā)光效率和耐久性。應(yīng)該理解，應(yīng)該僅將這里描述的示例性實(shí)施例視為描述性的，而并非出于限制的 目的。通常應(yīng)該認(rèn)為對每個實(shí)施例中的特征或方面的描述可用于其它實(shí)施例中的其它相似 的特征或方面。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基底；第一電極，形成在基底上；第二電極，設(shè)置在第一電極上；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，第一電極包括鋁基反射膜和透明導(dǎo)電膜，鋁基反射膜包括第一元素和鎳，鋁基反射膜被設(shè)置為比透明導(dǎo)電膜更靠近基底，鋁基反射膜接觸透明導(dǎo)電膜，第一元素包括從由鑭、鈰、鐠、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、镥和它們的組合組成的組中選擇的一種。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，鋁基反射膜包括AlxM相，χ在2.5至 3.5的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，AlxM相接觸透明導(dǎo)電膜。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，χ是3。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，鋁基反射膜包括在所述鋁基反射膜的 面對透明導(dǎo)電膜的表面上的富含M的氧化物層。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，鋁基反射膜中的M含量在0.6襯％至 5wt%的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，第一元素包括鑭。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，鋁基反射膜中的第一元素的含量為 0.3wt%。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，鋁基反射膜的厚度為50nm或更大。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，透明導(dǎo)電膜包括氧化銦錫、氧化銦鋅、 氧化錫或氧化鋅。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，透明導(dǎo)電膜的厚度為5nm至lOOnm。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，第一電極還包括金屬層，所述金屬層 形成在鋁基反射膜和基底之間。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，金屬層包括從由鉬、鎢、鈦、鈀、鉬、金 和它們的組合組成的組中選擇的一種。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，有機(jī)層包括從由空穴注入層、空穴傳 輸層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和它們的組合組成的組中選擇的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括基底、第一電極、第二電極和設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)層。第一電極包括鋁(Al)基反射膜和與Al基反射膜接觸的透明導(dǎo)電膜。Al基反射膜包括鋁、第一元素和鎳(Ni)。在此結(jié)構(gòu)中，不會在Al基反射膜5a和透明導(dǎo)電膜5b之間發(fā)生因電極之間的電勢差而產(chǎn)生的電偶腐蝕。因而，防止OLED質(zhì)量的劣化。
文檔編號H01L51/54GK101901878SQ201010193908
公開日2010年12月1日 申請日期2010年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月1日
發(fā)明者任忠烈, 俞庚辰, 劉喆浩 申請人:三星移動顯示器株式會社