專利名稱：主動元件陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示面板的主動元件陣 列基板。
背景技術(shù)：
針對多媒體社會的急速進步，多半受惠于半導(dǎo)體元件或人機顯示裝置的飛躍性進 步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)已經(jīng)被薄膜晶體管液晶顯示面板 所取代，因此具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的平面顯示器， 諸如薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-IXDpanel)、有機電激發(fā)光顯示面板等，已逐漸成為市 場主流。一般而言，平面顯示器主要是由一顯示面板以及多個驅(qū)動芯片(Driver IC)所構(gòu) 成，其中顯示面板具有像素陣列，而像素陣列的像素是通過對應(yīng)的掃描線以及對應(yīng)的數(shù)據(jù) 線所驅(qū)動。為了使得平面顯示器更為普及，制造者皆如火如荼地進行降低成本作業(yè)，近年 來，一種數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片減半(Half Source Driver, HSD)的架構(gòu)設(shè)計已被提出，其主要是利 用像素陣列上的布局來降低數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的使用數(shù)量。詳細來說，在HSD架構(gòu)的像素陣列 中，兩相鄰的子像素(sub-pixel)是共用同一條數(shù)據(jù)線，故數(shù)據(jù)線的總數(shù)目減半，但掃描線 的總數(shù)目則增加一倍。由于HSD架構(gòu)可以使得數(shù)據(jù)線的總數(shù)目減半，因此所需的源極驅(qū)動 器(source drivers)的數(shù)量亦減半，但所需的柵極驅(qū)動器(gate drivers)的數(shù)量則增加 一倍。值得注意的是，由于柵極驅(qū)動器的造價低于源極驅(qū)動器的造價，因此整體而言，平面 顯示器的制造成本仍可有效地被降低。以薄膜晶體管液晶顯示面板為例，其主要是由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光基 板以及液晶層所構(gòu)成，且在薄膜晶體管陣列基板上，對應(yīng)到各個子像素的共通線皆為H型 共通線設(shè)計(H-Shaped Com design) 0由于公知的H型共通線與數(shù)據(jù)線之間的電容耦合效 應(yīng)十分顯著，因此共通電壓會因為數(shù)據(jù)線的耦合效應(yīng)(coupling effect)而偏移，導(dǎo)致薄膜 晶體管液晶顯示面板在顯示時出現(xiàn)亮暗線的問題，進而造成顯示品質(zhì)不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種主動元件陣列基板，其可降低共通線與數(shù)據(jù)線之間的耦合效應(yīng)。本發(fā)明提供一種主動元件陣列基板，其包括基板、多條第一掃描線、多條第二掃描 線、多條數(shù)據(jù)線、多個顯示單元以及網(wǎng)狀共通線。第一掃描線與第二掃描線交替排列于基 板上。數(shù)據(jù)線配置于基板上，并與第一掃描線以及第二掃描線交錯。顯示單元配置于基板 上，各顯示單元分別位于二條相鄰數(shù)據(jù)線之間，且各顯示單元包括第一像素以及第二像素， 其中第一像素與其中一條第一掃描線電性連接，而第二像素與其中一條第二掃描線電性連 接，且第一像素與第二像素分別與不同條數(shù)據(jù)線電性連接。此外，網(wǎng)狀共通線配置于基板 上，并且位于顯示單元下方，網(wǎng)狀共通線包括多個彼此電性連接的環(huán)狀圖案，各環(huán)狀圖案包 括二個彼此連接但分別位于單一數(shù)據(jù)線兩側(cè)的半環(huán)狀圖案，且同一環(huán)狀圖案中的二個半環(huán)狀圖案分別位于不同顯示單元的下方。在本發(fā)明的一實施例中，各第一像素包括一第一主動元件以及一與該第一主動元 件電性連接的第一像素電極，而各該第二像素包括一第二主動元件以及一與該第二主動元 件電性連接的第二像素電極。舉例而言，在同一顯示單元中，其中一個半環(huán)狀圖案沿著第一 像素電極的邊緣延伸，而另一個半環(huán)狀圖案沿著第二像素電極的邊緣延伸。此外，在同一顯 示單元中，二個半環(huán)狀圖案的連接處例如是對應(yīng)于第一像素電極與第二像素電極之間的區(qū) 域。在本發(fā)明的一實施例中，前述的網(wǎng)狀共通線可進一步包括多個連接圖案，其中連 接圖案與第一掃描線以及第二掃描線交錯，且連接圖案連接于環(huán)狀圖案之間。舉例而言，前 述的連接圖案的材料與第一像素電極以及第二像素電極的材料實質(zhì)上相同。在本發(fā)明的一實施例中，前述的第一掃描線、第二掃描線以及環(huán)狀圖案的材質(zhì)實 質(zhì)上相同。在本發(fā)明的一實施例中，前述的網(wǎng)狀共通線在數(shù)據(jù)線的下方的位置上不具有與數(shù) 據(jù)線平行的圖案?；谏鲜?，由于本發(fā)明的網(wǎng)狀共通線與數(shù)據(jù)線的重疊面積很小，因此在本發(fā)明的 主動元件陣列基板上，數(shù)據(jù)線與網(wǎng)狀共通線之間的寄生電容可以被有效地降低。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細說明如下。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說 明如下圖1為本發(fā)明一實施例的主動元件陣列基板的示意圖；圖2為本發(fā)明一實施例的主動元件陣列基板的布局示意圖；圖3為本發(fā)明一實施例的網(wǎng)狀共通線的示意圖。其中，附圖標(biāo)記100:主動元件陣列基板120:第一掃描線140 數(shù)據(jù)線152:第一像素160:網(wǎng)狀共通線SR1、SR2 半環(huán)狀圖案TFT2 第二主動元件P2:第二像素電極D1 列方向X:區(qū)域
具體實施例方式圖1為本發(fā)明一實施例的主動元件陣列基板的示意圖，而圖2為本發(fā)明一實施例
110 基板
130 第二掃描線 150 顯示單元 154 第二像素 SR:環(huán)狀圖案 TFT1 第一主動元件 P1 第一像素電極 C:連接圖案 D2 行方向的主動元件陣列基板的布局示意圖。請參照圖1與圖2，本實施例的主動元件陣列基板100 包括基板110、多條第一掃描線120、多條第二掃描線130、多條數(shù)據(jù)線140、多個顯示單元 150以及網(wǎng)狀共通線160。第一掃描線120與第二掃描線130交替排列于基板110上。數(shù) 據(jù)線140配置于基板110上，并與第一掃描線120以及第二掃描線130交錯。顯示單元150 配置于基板110上，各顯示單元150分別位于二條相鄰數(shù)據(jù)線140之間，且各顯示單元150 包括第一像素152以及第二像素154，其中第一像素152與其中一條第一掃描線120電性連 接，而第二像素154與其中一條第二掃描線130電性連接，且第一像素152與第二像素154 分別與不同條數(shù)據(jù)線140電性連接。圖3為本發(fā)明一實施例的網(wǎng)狀共通線的示意圖。請參照圖1至圖3，網(wǎng)狀共通線 160配置于基板110上，并且位于顯示單元150下方，網(wǎng)狀共通線160包括多個彼此電性連 接的環(huán)狀圖案SR，各環(huán)狀圖案SR包括二個彼此連接但分別位于單一數(shù)據(jù)線140兩側(cè)的半環(huán) 狀圖案SR1、SR2，且同一環(huán)狀圖案SR中的二個半環(huán)狀圖案SR1、SR2分別位于不同顯示單元 150。在本實施例中，基板100可以采用可撓性基板(flexible substrate)或是硬質(zhì)基 板(rigid substrate)。舉例而言，基板100例如為玻璃基板、塑膠基板或是其他適當(dāng)材質(zhì) 的基板，本發(fā)明不限制所使用的基板100的材質(zhì)。第一掃描線120、第二掃描線130以及環(huán)狀圖案SR例如通過同一道光刻與刻蝕工 藝(Photolithography and Etch Process,PEP)來制作。換言之,第一掃描線 120、第二掃 描線130以及環(huán)狀圖案SR屬于同一層圖案化薄膜，且具有實質(zhì)上相同的材質(zhì)。此外，第一掃 描線120與第二掃描線130例如沿著列方向D1延伸，且第一掃描線120與第二掃描線130 沿著行方向D2交替排列于基板110上。第一掃描線120、第二掃描線130與環(huán)狀圖案SR彼 此相互電性絕緣。如圖1至圖3所示，數(shù)據(jù)線140沿著行方向D2延伸，且數(shù)據(jù)線140例如通過另一 道光刻與刻蝕工藝(PEP)來制作。值得注意的是，在制作數(shù)據(jù)線140之前，通常會先形成一 柵絕緣層(未繪示)以覆蓋住前述的第一掃描線120、第二掃描線130以及環(huán)狀圖案SR，以 確保數(shù)據(jù)線140不會與第一掃描線120、第二掃描線130、環(huán)狀圖案SR在交錯處發(fā)生短路。在本實施例中，各個第一像素150包括第一主動元件TFT1以及與該第一主動元件 TFT1電性連接的第一像素電極P1，而各該第二像素154包括第二主動元件TFT2以及與該 第二主動元件TFT2電性連接的第二像素電極P2。如圖1至圖3所示，第一主動元件TFT1 與第二主動元件TFT2例如為薄膜晶體管，而薄膜晶體管的柵極、源極、漏極可與前述的數(shù) 據(jù)線140、第一掃描線120、第二掃描線130、環(huán)狀圖案SR—并制作。舉例而言，薄膜晶體管 的柵極可與第一掃描線120、第二掃描線130、環(huán)狀圖案SR—并制作，而薄膜晶體管的源極、 漏極可與數(shù)據(jù)線140 —并制作。舉例而言，在同一顯示單元150中，其中一個半環(huán)狀圖案(即半環(huán)狀圖案SR1)沿 著第一像素電極P1的邊緣延伸，而另一個半環(huán)狀圖案(即半環(huán)狀圖案SR2)沿著第二像素 電極P2的邊緣延伸。詳言之，半環(huán)狀圖案SR1的缺口例如朝向左側(cè)，而半環(huán)狀圖案SR的缺 口例如朝向右側(cè)。從圖1至圖3可清楚得知，在排列于同一列且彼此相鄰的二個顯示單元 150中，位于不同顯示單元150內(nèi)的二個相鄰的半環(huán)狀圖案SR1與半環(huán)狀圖案SR2會構(gòu)成所 謂的環(huán)狀圖案SR。換言之，每一個環(huán)狀圖案SR皆分布于二個相鄰的顯示單元150中，并且被數(shù)據(jù)線140區(qū)分為半環(huán)狀圖案SR1與半環(huán)狀圖案SR2。如圖3所示，半環(huán)狀圖案SR1的開 口端例如朝向右側(cè)，而半環(huán)狀圖案SR2的開口端例如朝向左側(cè)。承上述，在同一顯示單元150中，半環(huán)狀圖案SR1與半環(huán)狀圖案SR2的連接處例如 是對應(yīng)于第一像素電極P1與第二像素電極P2之間的區(qū)域X。由于半環(huán)狀圖案SR1與半環(huán) 狀圖案SR2的連接處與數(shù)據(jù)線140的距離不近，因此不容易產(chǎn)生電容耦合的效應(yīng)。除此之 外，由于網(wǎng)狀共通線160在數(shù)據(jù)線140的下方的位置上不具有與數(shù)據(jù)線140平行的圖案，舉 例而言于各該像素中的這些數(shù)據(jù)線的下方的對應(yīng)位置上，沒有存在該網(wǎng)狀共通線。但是在 各該像素中各該數(shù)據(jù)線與該網(wǎng)狀共通線交錯處，各該數(shù)據(jù)線部分下方仍存在該網(wǎng)狀共通線 部分。因此網(wǎng)狀共通線160與數(shù)據(jù)線140之間不容易產(chǎn)生電容耦合的效應(yīng)。除了環(huán)狀圖案SR之外，網(wǎng)狀共通線160可進一步包括多個連接圖案C，其中連接圖 案C連接于環(huán)狀圖案SR之間，且連接圖案C與第一掃描線120以及第二掃描線130交錯。 舉例而言，連接圖案C、第一像素電極P1以及第二像素電極P2例如通過同一道光刻與刻蝕 工藝(PEP)來制作。換言之，連接圖案C、第一像素電極P1以及第二像素電極P2屬于同一 層圖案化薄膜，且具有實質(zhì)上相同的材質(zhì)?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明的網(wǎng)狀共通線與數(shù)據(jù)線的重疊面積很小，因此在本發(fā)明的 主動元件陣列基板上，數(shù)據(jù)線與網(wǎng)狀共通線之間的寄生電容可以被有效地降低，進而改善 公知所提及的亮暗線問題。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種主動元件陣列基板，其特征在于，包括一基板；多條第一掃描線；多條第二掃描線，其中這些第一掃描線與這些第二掃描線交替排列于該基板上；多條數(shù)據(jù)線，配置于該基板上，并與這些第一掃描線以及這些第二掃描線交錯；多個顯示單元，配置于該基板上，各該顯示單元分別位于二條相鄰數(shù)據(jù)線之間，且各該顯示單元包括一第一像素，與其中一條第一掃描線電性連接；一第二像素，與其中一條第二掃描線電性連接，其中該第一像素與該第二像素分別與不同條數(shù)據(jù)線電性連接；以及一網(wǎng)狀共通線，配置于該基板上，并且位于這些顯示單元下方，其中該網(wǎng)狀共通線包括多個彼此電性連接的環(huán)狀圖案，各該環(huán)狀圖案包括二個彼此連接但分別位于單一數(shù)據(jù)線兩側(cè)的半環(huán)狀圖案，且同一環(huán)狀圖案中的該二半環(huán)狀圖案分別位于不同顯示單元的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，各該第一像素包括一第一 主動元件以及一與該第一主動元件電性連接的第一像素電極，而各該第二像素包括一第二 主動元件以及一與該第二主動元件電性連接的第二像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動元件陣列基板，其特征在于，在同一顯示單元中，其中一 個半環(huán)狀圖案沿著該第一像素電極的邊緣延伸，而另一個半環(huán)狀圖案沿著該第二像素電極 的邊緣延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動元件陣列基板，其特征在于，在同一顯示單元中，該二個 半環(huán)狀圖案的連接處對應(yīng)于該第一像素電極與該第二像素電極之間的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該網(wǎng)狀共通線更包括多個 連接圖案，其中這些連接圖案與這些第一掃描線以及這些第二掃描線交錯，且這些連接圖 案連接于這些環(huán)狀圖案之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的主動元件陣列基板，其特征在于，這些連接圖案的材料與這 些第一像素電極以及這些第二像素電極的材料實質(zhì)上相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，這些第一掃描線、這些第二 掃描線以及這些環(huán)狀圖案的材質(zhì)實質(zhì)上相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該網(wǎng)狀共通線在這些數(shù)據(jù) 線的下方的位置上不具有與這些數(shù)據(jù)線平行的圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開一種主動元件陣列基板，包括基板、第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線、顯示單元及網(wǎng)狀共通線。第一、第二掃描線交替排列于基板上。數(shù)據(jù)線與第一掃描線及第二掃描線交錯。各顯示單元分別位于二條相鄰數(shù)據(jù)線之間，且分別包括第一像素與第二像素，其中第一像素與其中一條第一掃描線電性連接，而第二像素與其中一條第二掃描線電性連接，且第一像素與第二像素分別與不同條數(shù)據(jù)線電性連接。網(wǎng)狀共通線包括多個環(huán)狀圖案，各環(huán)狀圖案包括二個彼此連接但分別位于單一數(shù)據(jù)線兩側(cè)的半環(huán)狀圖案，且同一環(huán)狀圖案中的二個半環(huán)狀圖案分別位于不同顯示單元的下方。
文檔編號H01L23/528GK101852957SQ201010193800
公開日2010年10月6日 申請日期2010年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月24日
發(fā)明者陳奕璋, 陳柄霖 申請人:友達光電股份有限公司