專利名稱：載置臺(tái)結(jié)構(gòu)和等離子體成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用等離子體在半導(dǎo)體晶片等被處理體上形成含有金屬的薄膜的等 離子體成膜裝置和該成膜裝置中所使用的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般而言，為了制造半導(dǎo)體設(shè)備，對(duì)半導(dǎo)體晶片反復(fù)進(jìn)行成膜處理或圖案蝕刻處 理等各種處理，從而制造所期望的設(shè)備，但為了半導(dǎo)體設(shè)備的更高集成化和高精細(xì)化，線寬 和孔徑日益精細(xì)化。而且，作為配線材料和埋入材料，現(xiàn)有技術(shù)主要使用鋁合金，但最近線 寬和孔徑日益精細(xì)化，而且期望動(dòng)作速度的高速化，因此有使用鎢(W)和銅(Cu)等的傾向。另外，當(dāng)使用上述Al、W、Cu等金屬材料作為配線材料和用于接觸的孔的埋入材料 時(shí)，出于防止例如在硅氧化膜(SiO2)等的絕緣材料和上述金屬材料之間產(chǎn)生例如硅的擴(kuò) 散，提高膜的密合性的目的，在上述絕緣層和下層的導(dǎo)電層之間的邊界部分設(shè)置阻擋層。作 為該阻擋層，已知有Ta膜、TaN膜、Ti膜、TiN膜等。而且，上述含有Cu、Ti、Ta等金屬的薄 膜的形成一般使用等離子體成膜裝置并通過等離子體濺射法進(jìn)行(例如，專利文獻(xiàn)1或2)。在該等離子體成膜裝置中，例如在能夠抽真空的處理容器內(nèi)設(shè)置有內(nèi)置有卡盤用 電極和加熱器的載置臺(tái)，在該載置臺(tái)上載置半導(dǎo)體晶片，通過由施加給卡盤用電極的高電 壓所產(chǎn)生的靜電力吸附保持半導(dǎo)體晶片，在該狀態(tài)下，利用高頻的偏置電力將由于等離子 體而從金屬靶產(chǎn)生的金屬離子向載置臺(tái)側(cè)吸引，由此在上述半導(dǎo)體晶片上例如形成金屬的 薄膜。而且，在上述載置臺(tái)上設(shè)置有上述的加熱器和冷卻護(hù)套，根據(jù)從上述等離子體側(cè)向半 導(dǎo)體晶片供給的熱量的大小，分別調(diào)整上述加熱器和冷卻護(hù)套，控制半導(dǎo)體晶片的溫度，將 其維持為通常成膜中最適合的溫度。在該情況下，如圖10所示的現(xiàn)有的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，上述載置臺(tái)2具備具有上述冷卻 護(hù)套4的金屬制的基臺(tái)部6 ；和在該基臺(tái)部6上設(shè)置的薄的陶瓷加熱器8，在該陶瓷加熱器 8內(nèi)埋入有卡盤用電極10和加熱器12，在其上載置半導(dǎo)體晶片W并通過靜電力吸附保持。 而且，上述陶瓷加熱器8通過粘合劑14被牢固地安裝在上述基臺(tái)部6的上表面。專利文獻(xiàn)特開2001-250816號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)特開2007-214387號(hào)公報(bào)但是，關(guān)于如上所述的裝置例，在設(shè)計(jì)基準(zhǔn)沒有那么嚴(yán)格的現(xiàn)有技術(shù)中，并沒有產(chǎn) 生特別的問題，但精細(xì)化和高集成化進(jìn)一步發(fā)展，設(shè)計(jì)基準(zhǔn)變得更加嚴(yán)格時(shí)，對(duì)于形成的金 屬膜的品質(zhì)和特性要求更高。例如，針對(duì)被成膜的金屬膜，為了防止不同種的金屬和元素混 入而產(chǎn)生的污染，通過在成膜處理時(shí)事先將處理容器內(nèi)抽真空至高真空，將附著在處理容 內(nèi)的表面或內(nèi)部結(jié)構(gòu)物的表面等的雜質(zhì)作為排氣而排出，但因?yàn)橥ǔＷ鳛楣杌衔锏墓柩?烷等雜質(zhì)氣體作為排氣而從上述粘結(jié)劑14脫氣，所以不能使處理容器內(nèi)成為高真空狀態(tài)， 因此，難以使處理容器內(nèi)成為清潔狀態(tài)。另外，為了如上所述那樣提高薄膜的品質(zhì)或特性，也要求例如在400°C左右的高處 理溫度下進(jìn)行成膜處理，但上述粘結(jié)劑的耐熱溫度相當(dāng)?shù)?，例如?0°C左右，因此產(chǎn)生不能使用該粘結(jié)劑的問題。另外，已知有通過噴鍍?cè)谳d置臺(tái)的上表面埋入卡盤電極和加熱器而形成的載置臺(tái) 結(jié)構(gòu)，但在該情況下，該噴鍍部分的耐熱溫度充其量為80°c左右，不能夠耐受上述那樣的高
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發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明著眼于以上的問題點(diǎn)，為了有效地解決上述問題而完成。本發(fā)明的目的在 于提供能夠充分進(jìn)行處理容器內(nèi)的脫氣處理而形成高真空，并且能夠耐受高溫的載置臺(tái)結(jié) 構(gòu)和等離子體成膜裝置。本發(fā)明第一方面涉及載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其載置被處理體以在上述被處理體上形成含有 金屬的薄膜，其特征在于，具有內(nèi)部埋入有卡盤用電極和加熱器的陶瓷制的載置臺(tái)；與上 述載置臺(tái)的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣部；金屬制的基臺(tái)部，其通過螺釘與上述 凸緣部接合，并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路；和設(shè)置在上述凸緣部和上 述基臺(tái)部之間的金屬密封部件。這樣，載置用于形成含有金屬的薄膜的被處理體的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)由內(nèi)部埋入有卡 盤用電極和加熱器的陶瓷制的載置臺(tái)；與載置臺(tái)的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣 部；通過螺釘與凸緣部接合并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路的金屬制的基 臺(tái)部；和設(shè)置在凸緣部和基臺(tái)部之間的金屬密封部件構(gòu)成，因此能夠充分地進(jìn)行處理容器 內(nèi)的脫氣處理而形成高真空，并且能夠耐受高溫。本發(fā)明第二方面的特征在于在本發(fā)明第一方面中，上述凸緣部設(shè)置為從上述載 置臺(tái)的下表面向下方延伸。本發(fā)明第三發(fā)面的特征在于在本發(fā)明第二方面中，上述基臺(tái)部具備圓板狀的 底板；和冷卻護(hù)套部，其設(shè)置在上述底板上，在內(nèi)部形成有上述制冷劑通路，并且位于上述 凸緣部的內(nèi)側(cè)。本發(fā)明第四方面的特征在于在本發(fā)明第三方面中，上述冷卻護(hù)套部由沿著水平 方向被分成上下2部分而形成的2個(gè)塊體構(gòu)成。本發(fā)明第五方面的特征在于在本發(fā)明第四方面中，在上述2個(gè)塊體內(nèi)，從位于下 方的下部塊體側(cè)通過彈性部件對(duì)位于上方的上部塊體向上方施力。本發(fā)明第六方面的特征在于在本發(fā)明第五方面中，在上述彈性部件設(shè)置有由絕 熱材料形成的推舉銷。本發(fā)明第七方面的特征在于在本發(fā)明第五方面或第六方面中，在上述上部塊體 和上述下部塊體的相對(duì)面形成有相互嵌合的凹凸部。本發(fā)明第八方面的特征在于在本發(fā)明第七方面中，在上述上部塊體和上述下部 塊體的相對(duì)面間的間隙形成有用于緩和熱傳遞的氣體熱傳導(dǎo)緩和層。本發(fā)明第九方面的特征在于在本發(fā)明第一方面至第八方面所記載的任一方面 中，上述載置臺(tái)由形成為中空狀的金屬制的支柱支撐。本發(fā)明第十方面的特征在于在本發(fā)明第九方面中，在上述支柱內(nèi)設(shè)置有與上述 制冷劑通路連接的制冷劑管。本發(fā)明第十一方面的特征在于在本發(fā)明第九方面或第十方面中，在上述基臺(tái)部的中央部形成有與上述中空狀的支柱內(nèi)連通的貫通孔。本發(fā)明第十二方面的特征在于在本發(fā)明第十一方面中，在上述支柱內(nèi)和貫通孔 內(nèi)插通設(shè)置有與上述卡盤用電極連接的電極線路、與上述加熱器連接的饋電線路、測(cè)定上 述載置臺(tái)的溫度的熱電偶線路和向上述載置臺(tái)的上表面與上述被處理體的下表面之間供 給氣體的背面氣體線路中的任意1個(gè)以上的線路。
本發(fā)明第十三方面的特征在于在本發(fā)明第十二方面中，上述電極線路由作為導(dǎo) 電性材料的金屬管構(gòu)成，上述金屬管兼用作上述背面氣體線路。本發(fā)明第十四方面的特征在于在本發(fā)明第十二方面或第十三方面中，在上述載 置臺(tái)的下表面的中央部接合有由絕緣材料構(gòu)成的中空狀的帽部，在上述帽部?jī)?nèi)插通有上述 電極線路的上端部，并且上述饋電線路的上端部和上述熱電偶線路的上端部位于上述帽部 的外側(cè)。本發(fā)明第十五方面涉及等離子體成膜裝置，其在被處理體上形成含有金屬的薄 膜，其特征在于，具有能夠抽真空的處理容器；用于載置被處理體的權(quán)利要求1 14中任 一項(xiàng)上述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)；向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入單元；用于使等離子 體向上述處理容器內(nèi)發(fā)生的等離子體發(fā)生源；含有上述金屬的金屬靶；靶電源，供給用于 向上述金屬靶吸引上述氣體的離子的電壓；向上述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的卡盤電極供給偏置電力的 偏置電源；和卡盤用電源，其向上述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的卡盤電極施加卡盤用的電壓。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明涉及的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)和等離子體處理裝置，能夠發(fā)揮如下所示的卓越的 作用效果。載置用于形成含有金屬的薄膜的被處理體的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)由內(nèi)部埋入有卡盤用電 極和加熱器的陶瓷制的載置臺(tái)；與載置臺(tái)的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣部；通過 螺釘與凸緣部接合并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路的金屬制的基臺(tái)部；和 設(shè)置在凸緣部和基臺(tái)部之間的金屬密封部件構(gòu)成，因此能夠充分進(jìn)行處理容器內(nèi)的脫氣處 理而形成高真空，并且能夠耐受高溫。


圖1是表示具有本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的等離子體成膜裝置的一個(gè)例子的截面圖。圖2是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的主要部分的放大截面圖。圖3是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的主要部分的構(gòu)造分解圖。圖4是表示圖3中的A部的部分截面圖。圖5是表示載置臺(tái)的凹凸部的截面形狀的變形例的圖。圖6是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的載置臺(tái)加熱后的經(jīng)過時(shí)間與溫度的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的主要部分的放大截面圖。圖8是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的主要部分的放大截面圖。圖9是表示沿面放電的電壓和沿面放電的距離的關(guān)系的曲線圖。圖10是表示現(xiàn)有的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的概略圖。符號(hào)說明20…等離子體成膜裝置
22…處理容器32…載置臺(tái)結(jié)構(gòu)34…卡盤用電極36…加熱器38…載置臺(tái)40…制冷劑通路似…基臺(tái)部44…支柱 56…電極線路58…卡盤用電源60…偏置電源62…饋電線路68…背面氣體線路74…密封部件76…等離子體發(fā)生源84…金屬靶86…靶用電源91…氣體導(dǎo)入單元100…凸緣部118…底板120…冷卻護(hù)套部130…金屬密封部件132A...上部塊體I32B…下部塊體134A、134B...凹凸部138…螺旋彈簧(彈簧部件)140…推舉銷142…氣體熱傳導(dǎo)緩和層150…帽部
具體實(shí)施例方式以下基于附圖，對(duì)本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)和等離子體成膜裝置的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行 說明。圖1是表示具有本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的等離子體成膜裝置的一個(gè)例子的截面圖。 圖2是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的主要部分的放大截面圖。圖3是表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的 第一實(shí)施例的主要部分的構(gòu)造分解圖。圖4是表示圖3中的A部的部分截面圖。在此，作 為等離子體成膜裝置，以ICP (Inductively Coupled Plasma 電感耦合等離子體)型等離 子體濺射裝置為例進(jìn)行說明。首先，如圖1所示，該等離子體成膜裝置20具有例如由鋁等形成為筒體狀的處理容器22。該處理容器22接地，在其底部24設(shè)置有排氣口 26，通過調(diào)節(jié)壓力的節(jié)流閥28，利 用真空泵30能夠被抽真空。在該處理容器22內(nèi)，為了在其上載置作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W而設(shè)置有本發(fā) 明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32。該載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32主要由以下部件構(gòu)成在內(nèi)部埋入有卡盤用電極34 和加熱器36的陶瓷制的載置臺(tái)38 ；和金屬制的基臺(tái)部42，其支持該載置臺(tái)38，并且在內(nèi)部 形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路40。在后文詳細(xì)說明該載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32。該基臺(tái)部42被從其下表面的中心部向下方延伸的形成為中空狀的支柱44支撐， 該支柱44的下部貫通上述容器底部24。該支柱44由金屬、例如不銹鋼、鋁或鋁合金等形 成。而且，該支柱44通過未圖示的升降機(jī)構(gòu)能夠上下移動(dòng)，能夠使上述載置臺(tái)38自身升降。 以包圍上述支柱44的方式設(shè)置有可伸縮的波紋狀的金屬波紋管46，該金屬波紋管46的上 端氣密地與上述基臺(tái)部42的下表面接合，另外，其下端氣密地與上述容器底部24的上表面 接合，能夠維持處理容器22內(nèi)的氣密性，同時(shí)允許上述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32的整體的升降移動(dòng)。另外，在容器底部24，從其向上方立起設(shè)置有例如3根(在圖示例中，只標(biāo)記了 2 根)支撐銷48，另外，與該支撐銷48對(duì)應(yīng)，在上述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32設(shè)置有可上下移動(dòng)的升降 銷50。因此，在使上述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32下降時(shí)，通過上述支撐銷48推起升降銷50，使其上端 從載置臺(tái)38的上表面向上方突出，在該升降銷50的上端部接受半導(dǎo)體晶片W，在與從外部 進(jìn)入的搬送臂(未圖示)之間能夠移送該半導(dǎo)體晶片W。因此，在處理容器22的下部側(cè)壁 設(shè)置有搬入搬出口 52，并且在該搬入搬出口 52設(shè)置有用于使搬送臂進(jìn)入的可開閉的閘閥 54，該閘閥54的相反側(cè)與例如成為真空的搬送室55連接。另外，設(shè)置在上述載置臺(tái)38的上述卡盤用電極34，通過插通于支柱44內(nèi)的電極 線路56分別與高壓直流的卡盤用電源58和偏置電源60連接，上述偏置電源60由產(chǎn)生例 如13. 56MHz的高頻的高頻電源構(gòu)成，通過靜電力吸附保持半導(dǎo)體晶片W，并且能夠?qū)ι鲜?載置臺(tái)38施加離子引入用的規(guī)定的偏置電力。在此，上述電極線路56由利用導(dǎo)電性材料 制成的金屬管、例如不銹鋼制的管構(gòu)成。另外，設(shè)置在載置臺(tái)38的加熱器36與插通于支柱44內(nèi)的饋電線路62的一端連 接，該饋電線路62的另一端與供給電力能夠被控制的加熱器電源64連接。另外，在上述基 臺(tái)部42的制冷劑通路40上，插通在上述支柱44內(nèi)的2根制冷劑管66A、66B分別與入口側(cè) 和出口側(cè)連接，在上述制冷劑通路40中可控制地流通制冷劑，例如Galden (注冊(cè)商標(biāo))。另外，由上述金屬管構(gòu)成的電極線路56兼用作向載置臺(tái)38的上表面和半導(dǎo)體晶 片W的下表面之間供給傳熱性的氣體的背側(cè)氣體線路68，能夠使被控制流量的氣體作為背 側(cè)氣體在該電極線路56中流通。作為該氣體，例如可以使用Ar等稀有氣體。其中，可以與 電極線路56分開而另外設(shè)置該背側(cè)氣體線路68。另外，在該支柱44內(nèi)插通有測(cè)定載置臺(tái) 38的溫度的熱電偶線路70。另一方面，在上述處理容器22的頂部，隔著0形環(huán)等密封部件74氣密地設(shè)置有例 如由氧化鋁等電介質(zhì)構(gòu)成的對(duì)高頻具有透過性的透過板72。而且，在該透過板72的上部設(shè) 置有等離子體發(fā)生源76，該等離子體發(fā)生源76用于在處理容器22內(nèi)的處理空間S中使例 如作為等離子體激發(fā)用氣體的Ar氣等離子體化而發(fā)生等離子體。此外，作為該等離子體激發(fā)用氣體，可以代替Ar而使用其他的不活潑性氣體、例 如He、Ne等稀有氣體。具體而言，上述等離子體發(fā)生源76具有與上述透過板72對(duì)應(yīng)而設(shè)
8置的感應(yīng)線圈部78，該感應(yīng)線圈部78與等離子體發(fā)生用的例如13. 56MHz的高頻電源80連 接，能夠經(jīng)由上述透過板72向處理空間S導(dǎo)入高頻。另外，在上述透過板72的正下方設(shè)置有使導(dǎo)入的高頻擴(kuò)散的例如由鋁形成的擋 板82。而且，在該擋板82的下部以包圍上述處理空間S的上部側(cè)方的方式，設(shè)置有例如截 面向內(nèi)側(cè)傾斜并形成為環(huán)狀(截頭圓錐殼狀)的金屬靶84，該金屬靶84與靶用的由可變直 流電源構(gòu)成的靶用電源86連接，該靶用電源86對(duì)該金屬靶84供給用于吸引Ar離子的電 壓。另外，可以使用交流電源代替該直流電源。另外，在金屬靶84的外周側(cè)設(shè)置有用于向其賦予磁場(chǎng)的磁鐵88。在此，作為金屬 靶84，使用高熔點(diǎn)金屬例如Ti (鈦)，該Ti通過等離子體中的Ar離子被濺射成金屬原子或 者金屬原子團(tuán)，并且在通過等離子體中時(shí)大多被離子化。另外，作為上述金屬靶84，可以使 用選自Ti、Zr(鋯)、Hf (鉿)、Nb(鈮)、Mn(錳)、Ta(鉭)中的1種材料。在該金屬靶84的下部以包圍上述處理空間S的方式，設(shè)置有例如由鋁構(gòu)成的圓筒 狀的保護(hù)蓋90，該保護(hù)蓋90接地，并且其下部向內(nèi)側(cè)彎曲，位于上述載置臺(tái)38的側(cè)部附近。 另外，在處理容器22的底部24，設(shè)置有向該處理容器22內(nèi)導(dǎo)入必要的規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入 單元91。具體而言，該氣體導(dǎo)入單元91具有氣體導(dǎo)入口 92，從該氣體導(dǎo)入口 92通過由氣 體流量控制器、閥等構(gòu)成的氣體控制部94供給作為等離子體激發(fā)用氣體的例如Ar氣、其他 必要的氣體例如N2氣等。在此，等離子體成膜裝置20的各構(gòu)成部構(gòu)成為，與例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的裝置控 制部96連接而被控制。具體而言，裝置控制部96控制偏置電源60、等離子體發(fā)生用的高頻 電源80、由可變直流電源構(gòu)成的靶用電源86、氣體控制部94、節(jié)流閥28、和真空泵30等的 動(dòng)作。而且，上述裝置控制部96具有存儲(chǔ)介質(zhì)98，其中存儲(chǔ)有上述控制所必要的計(jì)算機(jī)可 讀取的程序。該存儲(chǔ)介質(zhì)98包括軟盤、⑶(Compact Disc 光盤)、硬盤、閃存或DVD等。接著，對(duì)本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32進(jìn)行詳細(xì)說明。如上所述，該載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32主要 具有陶瓷制的載置臺(tái)38、和在上表面?zhèn)戎屋d置臺(tái)38的金屬制的基臺(tái)部42。如圖2和圖3 所示，上述載置臺(tái)38由整體較薄的圓板狀的陶瓷材料形成，在其內(nèi)部的上側(cè)埋入上述卡盤 用電極34，在其下部埋入上述加熱器36，并且遍及載置臺(tái)38的整個(gè)面而形成。作為該陶瓷 材料，可以使用AlN、Al203、SiC等。而且，在該載置臺(tái)38的周邊部的下表面連接有金屬制的凸緣部100。該凸緣部 100從上述下表面向下方延伸，該凸緣部100由形成為圓形的環(huán)狀的凸緣主體100A;和與 該凸緣主體100A的內(nèi)周側(cè)連接的高度低的圓筒狀的連接環(huán)100B構(gòu)成。另外，在該凸緣主 體100A和載置臺(tái)38的周邊部之間，為了提高吸熱性，插入有黑耐酸鋁(alumite)處理后的 鋁材料的圓形環(huán)狀的板101。該圓形環(huán)狀的板101沿著周方向以規(guī)定長(zhǎng)度分割成多個(gè)例如 3個(gè)，通過螺釘(未圖示)固定在凸緣部100上。該情況下在該板101和載置臺(tái)38之間設(shè) 置有微小的間隙。另外，上述分割數(shù)目不限定為3個(gè)，還可以是整體形狀。而且，如放大圖 3中的A部而表示的圖4所示，上述連接環(huán)100B的上端部例如通過釬焊材料102連接固定 在上述載置臺(tái)38的周邊部的下表面。另外，該連接環(huán)100B的下端部和上述凸緣主體100A 的內(nèi)周端例如通過熔接材料104連接固定，并且凸緣主體100A的外周端以與上述載置臺(tái)38 的外周端相比位于半徑方向外方的方式設(shè)定得較長(zhǎng)。因此，上述載置臺(tái)38和上述凸緣部100 —體地連接固定。在此，上述凸緣主體100A
9的材料使用作為金屬的例如不銹鋼、鋁、鋁合金等，上述連接環(huán)100B的材料使用作為金屬 的例如Kovar (注冊(cè)商標(biāo)，可伐)。而且，在上述載置臺(tái)38和凸緣主體100A的周邊部分別形成有用于插通上述升降 銷50的升降銷孔106，并且在凸緣主體100A的更外周側(cè)形成有螺釘孔107。另外，在凸緣 主體100A的下表面的內(nèi)周側(cè)沿著其周方向形成環(huán)狀的密封槽108。在載置臺(tái)38的中央部上下方向貫通地形成有氣體孔110，與該氣體孔110對(duì)應(yīng)，由 上述金屬管構(gòu)成的電極線路56的上端部例如通過釬焊連接在載置臺(tái)38的下表面，可以從 上述氣體孔110放出背側(cè)氣體。而且，從該電極線路56的上端部使連接端子112分支而設(shè) 置，并且該連接端子112的上端與上述卡盤用電極34連接，可以根據(jù)需要向上述卡盤用電 極34施加偏置電壓和卡盤用的直流高電壓。另外，在該載置臺(tái)38的中央部的下表面，上述饋電線路62的上端通過連接端子 114與上述加熱器36連接，并且在其下表面，安裝有作為上述熱電偶線路70的上端部的熱 電偶的測(cè)溫接點(diǎn)116。另外，上述饋電線路62在圖示例中只表示了 1根，但實(shí)際上為了流通 電流，可以設(shè)置多根。另外，安裝在上述載置臺(tái)38的下方的上述基臺(tái)部42主要由金屬制的圓板狀的底 板118和設(shè)置在該底板118上的圓板狀的冷卻護(hù)套部120構(gòu)成，這些底板118和冷卻護(hù)套 部120通過未圖示的螺栓一體地連接固定。作為構(gòu)成上述底板118和冷卻護(hù)套120的金屬， 可以使用不銹鋼、鋁或鋁合金等。上述冷卻護(hù)套部120的直徑的大小設(shè)定為略小于底板118的直徑并且能夠密接地 容納于上述凸緣部100的內(nèi)側(cè)。另外，該冷卻護(hù)套部120的厚度設(shè)定為，在安裝這些時(shí)能夠 與上述載置臺(tái)38的下表面大致相接的厚度。上述中空狀的支柱44和包圍其的波紋管46的各上端部分別通過熔接等氣密地接 合在上述底板118的中央部的下表面。另外，在該底板118和冷卻護(hù)套部120的中央部，與 上述中空狀的支柱44內(nèi)連通地形成有用于插通上述各線路56、62、70的貫通孔122。另外，在底板118的周邊部設(shè)置有向上下方向可伸縮的上述升降銷50，并且在該 升降銷50的外周側(cè)形成有與上述凸緣主體100A的螺釘孔107連通的螺釘穴124，通過螺釘 126可以連接固定上述凸緣主體110A和底板118，使其組裝為一體。該螺釘126沿著凸緣 主體100A的周方向例如設(shè)置15根左右。而且，在上述升降銷50的內(nèi)周側(cè)，以與上述凸緣 主體100A的密封槽108相對(duì)的方式，密封槽128沿著周方向被設(shè)置成環(huán)狀。而且，沿著該 密封槽108、128嵌裝有作為本發(fā)明特征的環(huán)狀的金屬密封部件130，能夠?qū)⑸鲜鐾咕壷黧w 100A和底板118之間氣密地密封。這樣，利用設(shè)置在凸緣部100和基臺(tái)部38之間的金屬密封部件130，即使上述支柱 44內(nèi)成為大氣壓，也能夠?qū)崿F(xiàn)耐高溫并且耐高真空的密封性。作為該金屬密封部件130，例 如可以使用具有鋁覆膜的不銹鋼制的金屬密封件。另外，如上所述，在上述冷卻護(hù)套部120，遍及其整個(gè)面形成有制冷劑通路40，在 該制冷劑通路40的入口和出口分別連接有插通支柱44內(nèi)的上述制冷劑管66A、66B，其中流 通冷卻用的制冷劑。而且，該冷卻護(hù)套部120被沿水平方向上下分成2部分而成為2個(gè)塊 體、即被分割為上部塊體132A和下部塊體132B，在下部塊體132B上設(shè)置有上述冷卻通路40。
在此，在上述冷卻護(hù)套部120的分割面、即上部塊體132A和下部塊體132B的兩相 對(duì)面，以相互松動(dòng)間隙而嵌合的狀態(tài)嵌合的凹凸部134A、134B沿著其周方向例如形成為同 心圓狀，其傳熱面積(相對(duì)面積)設(shè)計(jì)得較大。另外，這些凹凸部134A、134B可以不是同心 圓狀，例如可以并列設(shè)置成直線狀，其排列方向沒有特別限定。另外，上述凹凸部134A、134B 形成為截面方形狀，但不限定于此，該凹凸部134A、134B的截面形狀可以制成如圖5(A)所 示的截面三角形的鋸齒形狀、或如圖5(B)所示的正弦曲線那樣的波紋形狀，無論是哪一 種，只要能夠擴(kuò)大傳熱面積，就不限定其截面形狀。而且，在上述下部塊體132B的上表面的周邊部形成有彈簧凹部136。該彈簧凹部 136沿著下部塊體132B的周方向以等間隔設(shè)置有多個(gè)、例如4個(gè)左右。而且，在各彈簧凹 部136內(nèi)收容有作為彈簧部件的例如螺旋彈簧138，并且在該螺旋彈簧138中嵌裝有推舉銷 140，通過該推舉銷140對(duì)上部塊體132A向上方施加力而將其頂起，能夠使該上部塊體132A 的上表面以密接狀態(tài)與上述載置臺(tái)38的下表面接觸。另外，作為上述彈簧部件不限于螺旋 彈簧，可以使用板簧、碟形彈簧等。在此，上述推舉銷140由絕熱材料例如&02形成，能夠 防止推舉銷140的接觸部分的熱傳導(dǎo)性局部地變高。這樣，利用推舉銷140將上述上部塊體132A向上方頂起的結(jié)果是，在上述上部塊 體132A和下部塊體132B的相對(duì)面之間產(chǎn)生微小的間隙，在該間隙部分，大氣壓的空氣經(jīng)由 中空狀的支柱44內(nèi)侵入，因此，上述間隙作為用于緩和向上下方向的熱傳導(dǎo)的氣體熱傳導(dǎo) 緩和層142發(fā)揮作用。通過該氣體熱傳導(dǎo)緩和層142，能夠使半導(dǎo)體晶片W的背面?zhèn)让鎯?nèi)均 勻地進(jìn)行熱傳導(dǎo)，并且均勻地冷卻，能夠防止半導(dǎo)體晶片W被局部地冷卻。而且，在上述載置臺(tái)38的周邊部的外側(cè)，環(huán)狀地設(shè)置有例如由氧化鋁等形成的截 面四角形的絕熱件144，進(jìn)一步以包圍該絕熱件144和該下方的基臺(tái)部38的側(cè)面的方式，環(huán) 狀地設(shè)置有例如由鋁等形成的保護(hù)罩146。接著，說明使用如上所述構(gòu)成的等離子體成膜裝置20而進(jìn)行的成膜方法的一個(gè) 例子。首先，在裝置控制部96的支配下，通過使真空泵30動(dòng)作，在成為真空的處理容器22 內(nèi)沒有任何氣體流通，對(duì)該處理容器22內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣，抽真空至達(dá)到高真空度，只在 某種程度的期間中保持該狀態(tài)。由此，排出附著在處理容器22的內(nèi)壁或內(nèi)部結(jié)構(gòu)物的表面 的氣體、水分等，進(jìn)行脫氣(degas)處理。此時(shí)的處理容器22內(nèi)的壓力，如后文所述，能夠 抽真空至例如10_8Torr左右的高真空。像這樣，如果完成脫氣處理，從搬送室55側(cè)使用未圖示的搬送臂將半導(dǎo)體晶片W 搬入該處理容器22內(nèi)，并將其載置在向下方下降的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)32的載置臺(tái)38上，使該載 置臺(tái)結(jié)構(gòu)32上升到成膜位置。與此同時(shí)，從卡盤用電源58通過電極線路56對(duì)載置臺(tái)38 的卡盤用電極34施加直流的高電壓、例如4000伏左右，由此通過產(chǎn)生的靜電力將上述半導(dǎo) 體晶片W吸附保持在載置臺(tái)38上，防止半導(dǎo)體晶片W的脫落，并且良好地進(jìn)行兩者間的熱 傳遞，易于進(jìn)行溫度控制。接著，使氣體控制部94動(dòng)作而流通Ar氣，控制節(jié)流閥28，將處理容器22內(nèi)維持在 規(guī)定的成膜用的真空度。此后，從靶用電極86向金屬靶84施加直流電力，進(jìn)一步由高頻電 源80向感應(yīng)線圈部78施加高頻電力(等離子體電力)。與此同時(shí)，加熱器電源64也被控 制，向作為加熱單元的加熱器36施加電力，由此將半導(dǎo)體晶片W加熱到規(guī)定的溫度，例如維 持該溫度。
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另一方面，裝置控制部96向偏置電源60發(fā)出指令，對(duì)載置臺(tái)38的卡盤用電極34 施加規(guī)定的高頻、例如13. 56MHz的偏置電力。在這樣被控制的處理容器22內(nèi)，通過被施加 于感應(yīng)線圈部78的等離子體電力形成氬等離子體，從而生成氬離子，這些離子被施加于金 屬靶84的電壓吸引而與金屬靶84碰撞，該金屬靶84被濺射，放出金屬微粒。另外，當(dāng)來自被濺射的金屬靶84的金屬微粒即金屬原子、金屬原子團(tuán)通過等離子 體中時(shí)，大多被離子化。在此，金屬微粒成為被離子化的金屬離子和電中性的中性金屬原子 混合存在的狀態(tài)，向下方飛散。特別是，該處理容器22內(nèi)的成膜時(shí)的壓力例如成為5mT0rr 左右，由此能夠提高等離子體密度，以高效率將金屬微粒離子化。而且，金屬離子進(jìn)入通過施加給載置臺(tái)38的卡盤用電極34的偏置電力而產(chǎn)生的、 半導(dǎo)體晶片W面上的厚度幾mm左右的離子殼層(ionsheath)區(qū)域時(shí)，以具有強(qiáng)指向性向半 導(dǎo)體晶片W側(cè)加速的方式被吸引，并且堆積在半導(dǎo)體晶片W上。而且，在成膜中，通過從等 離子體中向半導(dǎo)體晶片W的表面碰撞的離子，半導(dǎo)體晶片W自身被加熱，因此為了均勻地保 持半導(dǎo)體晶片W的溫度，控制來自加熱器36的熱供給量，使得從等離子體進(jìn)入半導(dǎo)體晶片 W的熱量與該半導(dǎo)體晶片W由此向下方散發(fā)出的熱均衡。例如，為了將半導(dǎo)體晶片W的溫度保持一定，從等離子體向半導(dǎo)體晶片W進(jìn)入的熱 量如果少，相應(yīng)地使從加熱器32供給的熱量增加，相反來自等離子體的熱量如果過多，相 應(yīng)地減少?gòu)募訜崞?2供給的熱量。另外，在基臺(tái)部42的冷卻護(hù)套部120的制冷劑通路40 中總是流通制冷劑，對(duì)冷卻護(hù)套部120自身進(jìn)行冷卻，消除在上述加熱器36側(cè)產(chǎn)生的多余 熱量，易于進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的溫度控制。其中，支撐載置臺(tái)38的中空狀支柱44的下端向大氣開放，因此該支柱44內(nèi)和載 置臺(tái)38的下方區(qū)域成為大氣壓狀態(tài)，構(gòu)成冷卻護(hù)套部120的上下部塊體132A、132B的間隙 也成為大氣壓氣氛，該間隙成為氣體熱傳導(dǎo)緩和層142。因此，能夠不將位于上方的上部塊 體132A局部地冷卻，而從該上部塊體132A遍及其整個(gè)面內(nèi)方向均等或均勻地去除熱量而 冷卻。其結(jié)果是，上部塊體132A在面內(nèi)方向使溫度變得均勻，因此能夠使位于其上方的 載置臺(tái)38的面內(nèi)方向的溫度變得均勻，另外，也能夠均勻地維持載置于該載置臺(tái)36的上表 面的半導(dǎo)體晶片W的溫度的面內(nèi)溫度。而且，上述上部塊體132A通過由絕緣性材料形成的 推舉銷140向上方被施加力，因此該上述上部塊體132A的上表面和載置臺(tái)38的下表面面 接觸，兩者間的熱傳導(dǎo)成為非常良好的狀態(tài)。在情況下，上部塊體132A的溫度成為處理溫度、即例如400°C左右的高溫，將上述 氣體熱傳導(dǎo)緩和層142夾在與上部塊體132A之間而設(shè)置的下部塊體132B的溫度例如為 50 60°C左右。另外，區(qū)劃出上述氣體熱傳導(dǎo)緩和層142的上下部塊體132A、132B的相對(duì) 面形成為凹凸?fàn)?，傳熱面積變大，因此，如上所述能夠維持溫度的面內(nèi)均勻性的同時(shí)進(jìn)行兩 者間的高效的熱傳導(dǎo)和熱傳遞。另外，如上所述利用氣體熱傳導(dǎo)緩和層142的功能，上部塊體132A未被局部地冷 卻，因此其上的陶瓷制的載置臺(tái)38也沒有被局部冷卻，由此能夠防止破損。另外，因?yàn)槟軌?如此防止載置臺(tái)38的破損，所以能夠使載置臺(tái)38急速升溫，因此，能夠提高半導(dǎo)體晶片處
理的生產(chǎn)效率。進(jìn)一步地講，如上所述，上部塊體132A、載置臺(tái)38以及與之連接的凸緣部100也成CN 101840878 A
說明書
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為400°C左右的高溫，該凸緣部100與下部的底板118之間由耐熱性的金屬密封部件130密 封，因此與使用0形環(huán)的情況不同，具有耐熱性，能夠較高地維持處理容器22內(nèi)的氣密性。另外，由于使用該金屬密封部件130，所以在成膜處理之前進(jìn)行的上述的脫氣處理 的情況下也能夠?qū)⑻幚砣萜?2內(nèi)抽真空至高真空、例如10_8Torr左右。因此，能夠充分地 進(jìn)行脫氣處理(脫氣處理)，從而能夠形成無污染的純金屬膜。關(guān)于這一點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果為 使用0形環(huán)作為密封部件的現(xiàn)有的等離子體處理裝置最多只能抽真空到10_4Torr左右，而 本發(fā)明的裝置，使用金屬密封部件(金屬密封件)130的情況下，能夠達(dá)到大致10_8Torr左 右的高真空。像這樣，根據(jù)本發(fā)明，載置用于形成含有金屬的薄膜的被處理體、例如半導(dǎo)體晶片 W的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)由以下部件構(gòu)成內(nèi)部埋入有卡盤用電極34和加熱器36的陶瓷制的載置 臺(tái)38 ；與載置臺(tái)38的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣部100 ；通過螺釘126與凸緣部 100接合，并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路40的金屬制的基臺(tái)部42 ；和設(shè) 置在凸緣部100和基臺(tái)部42之間的金屬密封部件130。因此能夠充分地進(jìn)行處理容器22 內(nèi)的脫氣處理形成高真空，并且能夠耐受高溫。<本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的升溫實(shí)驗(yàn)>在此，進(jìn)行本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的升溫實(shí)驗(yàn)，因此，針對(duì)其評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行說明。圖6 表示載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的載置臺(tái)加熱后的經(jīng)過時(shí)間與溫度的關(guān)系的曲線圖。在此，將載置臺(tái)的加 熱器36的電流維持在上限值即15A以下。根據(jù)圖6所示的曲線圖，從載置臺(tái)38的加熱開始，用大致65分鐘左右將載置臺(tái)38 的溫度從常溫加熱到350°C，能夠達(dá)到大致5°C /min的升溫速率。因此判斷利用該載置臺(tái) 結(jié)構(gòu)，能夠大幅度地提高半導(dǎo)體晶片處理的生產(chǎn)率。順便提及，在現(xiàn)有的等離子體成膜裝置 的情況下，當(dāng)將載置臺(tái)急速升溫時(shí)，陶瓷制的載置臺(tái)產(chǎn)生裂紋，因此升溫速率充其量為2 3°C/min左右，如上所述，判斷為本發(fā)明具有優(yōu)位性?！吹诙?shí)施例〉接著說明本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。圖7是表示本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的 第二實(shí)施例的主要部分的放大截面圖。另外，在圖7中，與圖2所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成 部分標(biāo)注了相同的參照符號(hào)，省略其說明。在之前的第一實(shí)施例的情況下，將冷卻護(hù)套120上下分成2部分，即上部塊體132A 和下部塊體132B，但不限定于此，如圖7所示，也可以為冷卻護(hù)套部120不被分割的一體結(jié) 構(gòu)。在該情況下，在上述冷卻護(hù)套部120的上表面和載置臺(tái)38的下表面之間設(shè)置微小的間 隙，在此形成平面狀的氣體熱傳導(dǎo)緩和層142。該情況下，上述冷卻護(hù)套部120的上表面和載置臺(tái)38的下表面之間的傳熱面積小 于之前的第一實(shí)施例的情況，但能夠發(fā)揮與第一實(shí)施例大致相同的作用效果?！吹谌龑?shí)施例〉接著說明本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例。圖8是表示本發(fā)明的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的主要部分的放大截面圖，圖9是表示沿面放電的電壓和沿面放電的距離的關(guān) 系的曲線圖。另外，在圖8中，與圖2所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分標(biāo)注了相同的參照符 號(hào)，省略其說明。在之前的實(shí)施例1、2的情況下，例如被施加4000伏的直流高壓的電極線路56與
13接近大致零電位的熱電偶線路70或饋電線路62之間，在這些各線路的上端和載置臺(tái)38的 下表面的連接部，有產(chǎn)生沿著載置臺(tái)38的下表面發(fā)生放電的沿面放電的危險(xiǎn)。因此，在之 前的第一和第二實(shí)施例中，在冷卻護(hù)套部120的中央部設(shè)置的貫通孔122的直徑Hl (參照 圖2)設(shè)定得比較大，必須使上述電極線路56與其他線路即熱電偶線路70或饋電線路62 之間的距離間隔設(shè)定為不會(huì)發(fā)生上述沿面放電的距離。
因此，直徑Hl變大，相應(yīng)地冷卻護(hù)套部120的有效面積變小，成為熱無感應(yīng)帶(死 區(qū))的部分變大，對(duì)位于其上側(cè)的載置臺(tái)38的中心部的冷卻效果降低，有使相對(duì)半導(dǎo)體晶 片W的面內(nèi)溫度的均勻性劣化的危險(xiǎn)。該情況下，由圖9所示的曲線圖可以判斷，為了防止 沿面放電，必須使例如被施加4000伏的電極線路56與其他線路之間間隔16mm以上。因此，在該第三實(shí)施例中，如圖8所示，由絕緣材料形成的中空狀的帽部150通過 粘接劑等接合設(shè)置在上述載置臺(tái)38的下表面的中央部。而且，在該帽部150內(nèi)插通上述電 極線路56的上端部，防止發(fā)生沿面放電。作為構(gòu)成該帽部150的絕緣材料，例如可以使用 AlN等的陶瓷材料，該直徑例如為5cm左右。而且，使上述饋電線路62的上端部和熱電偶線 路70的上端部位于該帽部150的外側(cè)。其結(jié)果是，能夠使上述電極線路56的上端與其他線路、即饋電線路62和熱電偶線 路70的上端之間的距離減少，因此，能夠使貫通孔122的直徑H2的尺寸變小。因此，能夠 增加冷卻護(hù)套部120的有效面積，所以成為熱無感應(yīng)帶的部分變小，能夠使半導(dǎo)體晶片W的 面內(nèi)溫度的均勻性提高。另外，在該情況下，其他方面也當(dāng)然能夠發(fā)揮與第一實(shí)施例相同的作用效果，能夠 將該第三實(shí)施例的內(nèi)容適用于第二實(shí)施例。另外，在上述各實(shí)施例中，以形成金屬膜即Ti 膜作為含有金屬的薄膜的情況為例進(jìn)行說明，但不限定于此，在形成Cu膜、Ta膜等的其他 的金屬膜、這些金屬的氮化膜或氧化膜等的薄膜的情況下，也能夠適用本發(fā)明。另外，在此作為載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，以在這里設(shè)置有支柱的情況為例進(jìn)行說明，但不限定 于此，未設(shè)置支柱而直接將基臺(tái)部設(shè)置在容器底部的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)也適用本發(fā)明。另外，在此作為被處理體，以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行說明，該半導(dǎo)體晶片也包括硅基 板、GaAs、SiC、GaN等的化合物半導(dǎo)體基板，另外不限定于這些基板，液晶顯示裝置所使用的 玻璃基板或陶瓷基板等也能夠適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其載置被處理體以在所述被處理體上形成含有金屬的薄膜，其特征在于，具有內(nèi)部埋入有卡盤用電極和加熱器的陶瓷制的載置臺(tái)；與所述載置臺(tái)的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣部；金屬制的基臺(tái)部，其通過螺釘與所述凸緣部接合，并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路；和設(shè)置在所述凸緣部和所述基臺(tái)部之間的金屬密封部件。
2.如權(quán)利要求1所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述凸緣部設(shè)置為從所述載置臺(tái)的下表面向下方延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述基臺(tái)部具備圓板狀的底板；和冷卻護(hù)套部，其設(shè)置在所述底板上，在內(nèi)部形成有所述制冷劑通路，并且位于所述凸緣 部的內(nèi)側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述冷卻護(hù)套部由沿著水平方向被分成上下2部分而形成的2個(gè)塊體構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述2個(gè)塊體內(nèi)，從位于下方的下部塊體側(cè)通過彈性部件對(duì)位于上方的上部塊體向 上方施力。
6.如權(quán)利要求5所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于 在所述彈性部件設(shè)置有由絕熱材料形成的推舉銷。
7.如權(quán)利要求5或6所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述上部塊體和所述下部塊體的相對(duì)面形成有相互嵌合的凹凸部。
8.如權(quán)利要求7所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述上部塊體和所述下部塊體的相對(duì)面之間的間隙形成為用于緩和熱傳遞的氣體熱 傳導(dǎo)緩和層。
9.如權(quán)利要求1所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述載置臺(tái)由形成為中空狀的金屬制的支柱支撐。
10.如權(quán)利要求9所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于 在所述支柱內(nèi)設(shè)置有與所述制冷劑通路連接的制冷劑管。
11.如權(quán)利要求9或10所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述基臺(tái)部的中央部形成有與所述中空狀的支柱內(nèi)連通的貫通孔。
12.如權(quán)利要求11所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述支柱內(nèi)和貫通孔內(nèi)插通設(shè)置有與所述卡盤用電極連接的電極線路、與所述加熱器連接的饋電線路、測(cè)定所述載置臺(tái)的溫度的熱電偶線路和向所述載置臺(tái)的上表面與所述 被處理體的下表面之間供給氣體的背面氣體線路中的任意1個(gè)以上的線路。
13.如權(quán)利要求12所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極線路由作為導(dǎo)電性材料的金屬管構(gòu)成，所述金屬管兼用作所述背面氣體線路。
14.如權(quán)利要求12或13所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述載置臺(tái)的下表面的中央部接合有由絕緣材料構(gòu)成的中空狀的帽部，在所述帽部 內(nèi)插通有所述電極線路的上端部，并且所述饋電線路的上端部和所述熱電偶線路的上端部 位于所述帽部的外側(cè)。
15.一種等離子體成膜裝置，用于對(duì)被處理體形成含有金屬的薄膜，其特征在于，具有能夠抽真空的處理容器；用于載置被處理體的權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)； 向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入單元； 用于使等離子體向所述處理容器內(nèi)發(fā)生的等離子體發(fā)生源； 含有所述金屬的金屬靶；靶電源，供給用于向所述金屬靶吸引所述氣體的離子的電壓； 向所述載置臺(tái)結(jié)構(gòu)的卡盤電極供給偏置電力的偏置電源；和卡盤用電源，其向所述載 置臺(tái)結(jié)構(gòu)的卡盤電極施加卡盤用的電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠充分進(jìn)行處理容器內(nèi)的脫氣處理形成高真空，并且能夠耐受高溫的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)。該載置臺(tái)結(jié)構(gòu)(32)載置被處理體以便在被處理體(W)上形成含有金屬的薄膜，該載置臺(tái)結(jié)構(gòu)具有內(nèi)部埋入有卡盤用電極(34)和加熱器(36)的陶瓷制的載置臺(tái)(38)；與載置臺(tái)的周邊部的下表面連接的金屬制的凸緣部(100)；通過螺釘(126)與凸緣部接合并且在內(nèi)部形成有用于流通制冷劑的制冷劑通路(40)的金屬制的基臺(tái)部(42)；和設(shè)置在凸緣部和基臺(tái)部之間的金屬密封部件(130)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101840878SQ201010136279
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月17日
發(fā)明者R·內(nèi)斯曼, 藤里敏章 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社