專利名稱：發(fā)光裝置及其驅(qū)動(dòng)方法、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含有機(jī)EL(electro luminescent)元件等的發(fā)光裝置及其驅(qū)動(dòng)方 法、以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為薄型、輕量的發(fā)光源，有OLED (organic light emitting diode)、即有機(jī)EL元 件。有機(jī)EL元件具有由像素電極和對置電極夾著含有有機(jī)材料的至少一層有機(jī)薄膜的結(jié) 構(gòu)。其中，像素電極例如作為陽極發(fā)揮功能、對置電極作為陰極發(fā)揮功能。若在兩者之間流 過電流，則在所述有機(jī)薄膜中發(fā)生電子及空穴間的復(fù)合，因此該有機(jī)薄膜乃至有機(jī)EL元件 發(fā)光。 作為該有機(jī)EL元件或具備該有機(jī)EL元件的圖像顯示裝置，公知有例如在專利文 獻(xiàn)1 3中公開的裝置。 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2007-310311號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2 :日本特開2008-191296號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3 :日本特開2008-256916號(hào)公報(bào) 上述那樣的有機(jī)EL元件被具有適當(dāng)結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)。作為驅(qū)動(dòng)電路，例如有 根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位，向有機(jī)EL元件供給在該晶體管的源極/漏極間流動(dòng)的電流的 電路。該情況下，通過調(diào)整該柵極電位，能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度的調(diào)整等。
可是，在這樣的驅(qū)動(dòng)電路中存在各種應(yīng)該解決的課題。例如，一個(gè)課題是存在著所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率、或者閾值電壓等各種特性的偏差。上述的圖像顯示裝置通常具備 多個(gè)有機(jī)EL元件、以及包含分別附屬于各有機(jī)EL元件的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路，但由 于制造工藝上各種參數(shù)的偏差等，若這些多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的各自的特性發(fā)生偏差，則各有 機(jī)EL元件的發(fā)光亮度等的調(diào)整等也會(huì)產(chǎn)生偏差，結(jié)果阻礙了顯示圖像的品質(zhì)提高。
上述的專利文獻(xiàn)1 3公開了應(yīng)對這樣的問題的技術(shù)。即，專利文獻(xiàn)1著眼于"閾 值電壓"、"遷移率"(專利文獻(xiàn)1的段落
)，專利文獻(xiàn)2主要關(guān)注"最佳的遷移率修正 時(shí)間較短的情況"，目的在于提供下述技術(shù)通過延長該時(shí)間，使輸入信號(hào)電壓的寫入脈沖 的脈沖寬度發(fā)生偏差所引起的"修正時(shí)間的偏差相對減小，來抑制亮度偏差"(上述""中的 內(nèi)容參見專利文獻(xiàn)2的段落
、
)。 另外，專利文獻(xiàn)3的目的在于，提供一種使"依賴于影像信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)、亮度信 號(hào))Vsig"的遷移率修正處理最佳化的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3的段落

)。
根據(jù)上述各文獻(xiàn)，對于上述的遷移率的偏差，能夠起到一定的效果。但是，即使進(jìn) 行了上述那樣的遷移率補(bǔ)償(上述各文獻(xiàn)中的"修正")，還存在著其他問題。例如，存在著 所謂遷移率補(bǔ)償對灰度的依賴性的問題。即，即使按照一定的期間、一定的順序進(jìn)行了遷移 率補(bǔ)償，雖然在通過該遷移率補(bǔ)償動(dòng)作使有機(jī)EL元件以某個(gè)特定的灰度發(fā)光的情況下，能 有效抑制發(fā)光亮度的偏差，但在以其他灰度發(fā)光的情況下，存在著也不能如上述那樣抑制 偏差的情況。
而且，由于考慮到遷移率補(bǔ)償動(dòng)作對向有機(jī)EL元件供給的電流量帶來制約，所以 擔(dān)心難以實(shí)現(xiàn)所希望的發(fā)光亮度，尤其難以實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光亮度。 更具體而言，上述的各文獻(xiàn)公開了下述的技術(shù)。S卩，專利文獻(xiàn)1公開了在進(jìn)行閾值 電壓的修正的基礎(chǔ)上(參照專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求1)，通過向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以"適當(dāng)" 的時(shí)間施加"對驅(qū)動(dòng)用晶體管的遷移率進(jìn)行修正的信號(hào)電位"，來應(yīng)對遷移率的偏差的技術(shù) (參照專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求2)。另外，專利文獻(xiàn)2公開了通過"階段性地提高輸入信號(hào)電 壓的電壓值"，在上述"階段"的初期對驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行所謂的"預(yù)充電"，由此降低該驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極/漏極間電壓，增長"最佳的遷移率修正時(shí)間"的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2的權(quán)利要求 1、段落
)。 由此，確實(shí)能夠解決上述專利文獻(xiàn)1及2所關(guān)注的課題，但并不能有效地應(yīng)對上述 的遷移率補(bǔ)償對灰度的依賴性以及發(fā)光亮度的制約等問題。 并且，專利文獻(xiàn)3公開了，通過向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加"依賴于影像信號(hào)并且比 影像信號(hào)低的值的修正電壓"，來減少"影像信號(hào)Vsig的高低對遷移率修正處理帶來的影 響"的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3的權(quán)利要求1、段落
)。 在該專利文獻(xiàn)3中，利用了"依賴于影像信號(hào)的修正電壓"的方面(例如參照專利 文獻(xiàn)3的段落
以下)，與上述的遷移率補(bǔ)償對灰度的依賴性這一問題存在若干的相 關(guān)性。但是，在該專利文獻(xiàn)3中以下述內(nèi)容為前提該"修正電壓"的施加利用所謂影像信 號(hào)的寫入期間內(nèi)的時(shí)間來進(jìn)行，而且，此時(shí)對電源電位以及有機(jī)EL元件間的導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行 掌控的發(fā)光控制晶體管(在專利文獻(xiàn)3中為"TELC")處于導(dǎo)通狀態(tài)(例如參照專利文獻(xiàn) 3的圖3、圖6(C)、段落
以下等。也可以參照權(quán)利要求l中的"…從電流供給部向 驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)域施加電壓的…遷移率修正處理"這一記載)。這樣的技 術(shù)主要關(guān)注于如何處理遷移率補(bǔ)償時(shí)應(yīng)達(dá)成的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極/源極間電壓的值，換言 之，如何提高"遷移率修正處理"的實(shí)效性。因此，在該專利文獻(xiàn)3的技術(shù)中，也未必能很好 地解決上述的遷移率補(bǔ)償"之后"的各個(gè)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于，提供一種能夠解決上述課題中的至少一部分的發(fā)光裝置及其 驅(qū)動(dòng)方法、以及電子設(shè)備。 而且，本發(fā)明的課題還在于，提供一種能夠解決與該方式的發(fā)光裝置、其驅(qū)動(dòng)方 法、或電子設(shè)備相關(guān)聯(lián)的課題的發(fā)光裝置、其驅(qū)動(dòng)方法、或電子設(shè)備。 為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置包括發(fā)光元件，其以與驅(qū)動(dòng)電流的大 小對應(yīng)的光量進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動(dòng)晶體管，其柵極電連接于第1節(jié)點(diǎn)，將在漏極/源極間流動(dòng)的 電流作為所述驅(qū)動(dòng)電流輸出；和控制機(jī)構(gòu)，為了使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極間的電壓 成為與該驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率對應(yīng)的補(bǔ)償后電壓，其向所述第1節(jié)點(diǎn)供給第1數(shù)據(jù)電位，并 且向該驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流，然后向所述第1節(jié)點(diǎn)供給根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位而確定的第 2數(shù)據(jù)電位。 根據(jù)本發(fā)明，通過向第1節(jié)點(diǎn)、即驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極供給第1數(shù)據(jù)電位，以及向該 驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流，能夠進(jìn)行所謂的遷移率補(bǔ)償。假設(shè)有兩個(gè)遷移率不同的驅(qū)動(dòng)晶體管， 則各自的柵極/漏極間電壓和對應(yīng)其而不同的補(bǔ)償后電壓一致，結(jié)果，可抑制這2個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中流過的漏極/源極間電流的偏差。不過，能夠得到這樣的效果， 一般僅限于發(fā)光元件 以某一特定的發(fā)光灰度(或者更具體而言，以某一范圍內(nèi)的發(fā)光灰度)進(jìn)行發(fā)光的情況， 即，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極被供給規(guī)定的電位的情況。相反，在除此之外的發(fā)光灰度或電位下， 不能夠有效地帶來基于上述遷移率補(bǔ)償?shù)男Ч?以此為前提，本發(fā)明中在進(jìn)行了所述遷移率補(bǔ)償之后，向第1節(jié)點(diǎn)供給第2數(shù)據(jù)電 位。由此，雖然所述柵極/源極間電壓的值變動(dòng)，但由于此時(shí)的第2數(shù)據(jù)電位"根據(jù)第l數(shù) 據(jù)電位而確定"，所以能夠針對上述的不能帶來基于遷移率補(bǔ)償?shù)男Ч陌l(fā)光灰度或電位 進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚怼＜?，若認(rèn)為不能帶來這樣的遷移率補(bǔ)償效果的"電位"是所述第l數(shù)據(jù)電 位，則由于第2數(shù)據(jù)電位例如能夠根據(jù)"與該"電位"對應(yīng)的不能帶來所述遷移率補(bǔ)償效果 的程度"而確定，所以，由此能夠抑制所述漏極/源極間電流的偏差。 如上所訴，根據(jù)本發(fā)明，無論發(fā)光元件以什么樣的發(fā)光灰度發(fā)光時(shí)，都能夠抑制以 遷移率偏差為原因的發(fā)光亮度偏差。而且，根據(jù)本發(fā)明，由于通過施加所述第2數(shù)據(jù)電位， 能夠增加漏極/源極間電流，所以可以更容易地實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光亮度或者更明亮的圖像顯 示。 其中，本發(fā)明所說的"發(fā)光元件"的具體構(gòu)造或材料基本上可自由確定，例如可以 采用在電極間插入了由有機(jī)EL材料或無機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層的元件作為本發(fā)明的發(fā)光 元件。并且，可以在本發(fā)明中利用LED(Light Emitting Diode)元件、通過等離子的放電而 發(fā)光的元件等各種各樣的發(fā)光元件。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還具備發(fā)光控制開關(guān)元件，其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 漏極電連接，另一端與電源電位的供給線電連接，進(jìn)行兩者間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換， 在所述第1節(jié)點(diǎn)被供給所述第2數(shù)據(jù)時(shí)，所述控制機(jī)構(gòu)使所述發(fā)光控制開關(guān)元件成為截止 狀態(tài)。 根據(jù)該方式，在沒有對驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行電流供給的狀態(tài)下(上述"截止?fàn)顟B(tài)"具有 這樣的意思)，向第1節(jié)點(diǎn)供給第2數(shù)據(jù)電位。由此，在本方式中，能夠恰當(dāng)?shù)貞?yīng)對因進(jìn)行遷 移率補(bǔ)償而產(chǎn)生的不良情況(上述的發(fā)光亮度偏差的抑制及更高的發(fā)光亮度的實(shí)現(xiàn)這兩 個(gè)效果可以證明其)。該點(diǎn)在與上述專利文獻(xiàn)3的關(guān)系上有顯著的不同。本方式并非一定 在遷移率補(bǔ)償動(dòng)作的框架內(nèi)，僅以提高其實(shí)效性為目的。 另外，當(dāng)考慮本方式的觀點(diǎn)時(shí)，在上述的本發(fā)明的規(guī)定中有"然后，供給……第2 數(shù)據(jù)電位的機(jī)構(gòu)"的地方，也可以規(guī)定為"然后，「不向所述驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流」，……供 給第2數(shù)據(jù)電位的控制機(jī)構(gòu)"。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還具備電容元件，其兩個(gè)電極分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 柵極及源極電連接，保持所述補(bǔ)償后電壓；第1開關(guān)元件，其進(jìn)行所述第1節(jié)點(diǎn)與所述第1 及第2數(shù)據(jù)電位的供給線之間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換；第2開關(guān)元件，其進(jìn)行所述第1 節(jié)點(diǎn)與規(guī)定的固定電位的供給線之間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換；和第3開關(guān)元件，其進(jìn) 行所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與規(guī)定的固定電位的供給線之間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換。
根據(jù)該方式，可以提供一種恰當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其由于第3開關(guān)元件的存在，能 夠很好地實(shí)現(xiàn)第1節(jié)點(diǎn)的電位的初始化等，用于很好地驅(qū)動(dòng)本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置。另外， 在后面的實(shí)施方式中，對將該方式更具體化的方式的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光元件存在多個(gè)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管對應(yīng)于這些多個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)而存在多個(gè)，所述第2數(shù)據(jù)電位除了根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位之外，還根
據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自的遷移率的偏差程度而確定。 根據(jù)該方式，能夠更有效地起到上述本發(fā)明的效果。 如上所述，即使進(jìn)行了遷移率補(bǔ)償，其效果有時(shí)也只能在某一特定的發(fā)光灰度或 電位下顯現(xiàn)出，這在驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率的偏差中有主要的原因(對于這一點(diǎn)，參照后面 實(shí)施方式中的圖4或圖7的說明等)。因此，第2數(shù)據(jù)電位如果在第1數(shù)據(jù)電位的大小的基 礎(chǔ)上，還考慮到該情況而確定，則為了帶來本方式的效果，需要更優(yōu)選的方式。其中，為了進(jìn) 一步促進(jìn)本方式的效果，例如優(yōu)選將所述第2數(shù)據(jù)電位確定為"使所述第1數(shù)據(jù)電位被供給 到所述第l節(jié)點(diǎn)時(shí)以所述驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率的偏差為原因的漏極/源極間電流的偏差收 斂"。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還具備數(shù)據(jù)表，該數(shù)據(jù)表中預(yù)先存儲(chǔ)有與所述第1數(shù)據(jù) 的差異對應(yīng)的所述第2數(shù)據(jù)電位。 根據(jù)該方式，由于具備存儲(chǔ)有與第1數(shù)據(jù)電位的差異對應(yīng)的第2數(shù)據(jù)電位的數(shù)據(jù) 表，所以，例如與根據(jù)每次的第1數(shù)據(jù)電位直接算出第2數(shù)據(jù)電位等方式相比，能夠?qū)崿F(xiàn)處 理時(shí)間的簡化和縮短、或者相應(yīng)的成本降低等。 為了解決上述課題，本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的各種發(fā)光裝置。 由于本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的各種發(fā)光裝置，所以無論在怎樣的發(fā)光灰度下
發(fā)光，都能抑制發(fā)光灰度偏差，而且，可以實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光灰度。 另一方面，為了解決上述課題，在本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，該發(fā)光裝置具 備以與驅(qū)動(dòng)電流的大小對應(yīng)的光量進(jìn)行發(fā)光的發(fā)光元件，該驅(qū)動(dòng)方法的特征在于，包括第 l步驟，為了使輸出所述驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極間的電壓成為與該驅(qū)動(dòng)晶體 管的遷移率對應(yīng)的補(bǔ)償后電壓，向連接在其柵極上的第l節(jié)點(diǎn)供給第l數(shù)據(jù)電位，并且向該 驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流；和第2步驟，在該第1步驟之后，向所述第1節(jié)點(diǎn)供給根據(jù)所述第1 數(shù)據(jù)電位而確定的第2數(shù)據(jù)電位。 根據(jù)本發(fā)明，能夠起到與上述本發(fā)明的發(fā)光裝置中起到的作用效果本質(zhì)相同的作 用效果。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，所述發(fā)光裝置還具備發(fā)光控制開關(guān)元件，其 一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接，另一端與電源電位的供給線電連接，進(jìn)行兩者間的 導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換，所述第2步驟包括使所述發(fā)光控制開關(guān)元件成為截止?fàn)顟B(tài)的步 驟。 根據(jù)該方式，能夠起到與上述本發(fā)明的發(fā)光裝置的各方式中，由包含"發(fā)光控制開 關(guān)元件"的方式起到的作用效果本質(zhì)相同的作用效果。 在本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，所述發(fā)光元件存在多個(gè)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管對 應(yīng)于這些多個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)而存在多個(gè)，所述第2數(shù)據(jù)電位除了根據(jù)所述第l數(shù)據(jù)電 位之外，還根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自的遷移率的偏差程度而確定。 根據(jù)該方式，能夠起到與上述本發(fā)明的發(fā)光裝置的各方式中，第2數(shù)據(jù)電位除了 根據(jù)第1數(shù)據(jù)電位之外，還根據(jù)遷移率偏差的程度而確定的方式起到的作用效果本質(zhì)相同 的作用效果。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置的框圖。
圖2是表示構(gòu)成有機(jī)EL裝置的單位電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是用于對圖2的單位電路的動(dòng)作進(jìn)行說明的時(shí)間圖。
圖4是用于說明偏置電壓Voffset的確定方法的說明圖。 圖5是表示驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極/源極間電流相對于執(zhí)行遷移率補(bǔ)償動(dòng)作的時(shí)間 的變化樣子的曲線圖(遷移率不同的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A] Tdr[C](中的該遷移率)為參 數(shù))。 圖6是表示發(fā)光亮度偏差的程度相對于數(shù)據(jù)電位的變化樣子的曲線圖。 圖7是表示驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極/源極間電流相對于柵極/源極間電壓的變化樣子
的曲線圖(遷移率不同的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A] Tdr[C](中的該遷移率)為參數(shù))。 圖8是表示與各個(gè)數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的優(yōu)選的偏置電壓的設(shè)定例的曲線圖。 圖9是表示執(zhí)行了遷移率補(bǔ)償及偏置電壓施加之后的發(fā)光亮度偏差相對于漏極/
源極間電流的變化樣子的曲線圖(表示存在偏置電壓寫入動(dòng)作的情況和不存在偏置電壓
寫入動(dòng)作的情況這2個(gè)例子)。 圖10是表示執(zhí)行了遷移率補(bǔ)償及偏置電壓施加之后的漏極/源極間電流相對于 數(shù)據(jù)電位的變化樣子的曲線圖(表示存在偏置電壓寫入動(dòng)作的情況和不存在偏置電壓寫 入動(dòng)作的情況這2個(gè)例子)。 圖11是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備的立體圖。 圖12是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的另一電子設(shè)備的立體圖。 圖13是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的又一電子設(shè)備的立體圖。 符號(hào)說明100-有機(jī)EL裝置；7-元件基板；8-有機(jī)EL元件；3-掃描線；6-數(shù)據(jù)
線；113-電源線；103-掃描線驅(qū)動(dòng)電路；106-數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；CU-控制電路；DT-數(shù)據(jù)表；
P-單位電路；Tdr-驅(qū)動(dòng)晶體管；Tel-發(fā)光控制晶體管；Trl-第1晶體管；Tr2-第2晶體 管；Cl-電容元件；GINIl-第1補(bǔ)償控制信號(hào)；GINI2-第2補(bǔ)償控制信號(hào)；GWRT-掃描信號(hào)； GEL-發(fā)光控制信號(hào)；Vel-高電源電位；VCT-低電源電位；VST-初始化電位；Vdata-數(shù)據(jù)電 位；Voffset-偏置電壓；T-最佳補(bǔ)償時(shí)間。
具體實(shí)施例方式〈有機(jī)EL裝置的構(gòu)成〉 下面，參照圖1和圖2，對本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，除了這里所說 的圖1和圖2，在以下參照的各附圖中，也存在各部的尺寸比例與實(shí)際的適當(dāng)不同的情況。
如圖1所示，有機(jī)EL裝置100具備元件基板7、和在該元件基板7上形成的各種要 素。各種要素是指有機(jī)EL元件8、掃描線3及數(shù)據(jù)線6、電源線113、掃描線驅(qū)動(dòng)電路103、 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106以及控制電路CU。 如圖1所示，有機(jī)EL元件(發(fā)光元件)8在元件基板7上配有多個(gè)。這些多個(gè)有 機(jī)EL元件8被排列成N行XM列的矩陣狀(M、 N是自然數(shù))。各個(gè)有機(jī)EL元件8分別由 作為陽極的像素電極、發(fā)光功能層以及作為陰極的對置電極構(gòu)成。 圖像顯示區(qū)域7a是在元件基板7上排列有這些多個(gè)有機(jī)EL元件8的區(qū)域。在圖
8像顯示區(qū)域7a中，根據(jù)各有機(jī)EL元件8的獨(dú)立的發(fā)光及非發(fā)光，能夠顯示所希望的圖像。下面將元件基板7的面之中除了該圖像顯示區(qū)域7a之外的區(qū)域，稱作"周邊區(qū)域"。
掃描線3及數(shù)據(jù)線6分別被排列成與以矩陣狀排列的有機(jī)EL元件8的各行及各列對應(yīng)。更詳細(xì)而言，如圖l所示，掃描線3沿著圖中左右方向延伸，并且與形成在周邊區(qū)域上的掃描線驅(qū)動(dòng)電路103連接。另一方面，數(shù)據(jù)線6沿著圖中上下方向延伸，并且與形成在周邊區(qū)域上的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106連接。其中，電源線113被排列成與數(shù)據(jù)線6并行。該電源線113被供給高電源電位Vel。 上述的掃描線驅(qū)動(dòng)電路103是用于按順序選擇掃描線3的每一個(gè)的電路。而數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106是用于朝向與掃描線驅(qū)動(dòng)電路103所選擇的掃描線3對應(yīng)的各有機(jī)EL元件8，通過各數(shù)據(jù)線6供給數(shù)據(jù)信號(hào)的電路。 控制電路CU控制這些掃描線驅(qū)動(dòng)電路103及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106，決定掃描線3的選擇順序、或者數(shù)據(jù)信號(hào)的供給時(shí)刻等。另外，如圖i所示，在該控制電路cu中內(nèi)置有數(shù)據(jù)表DT。該數(shù)據(jù)表DT與后述的偏置電壓Voffset相關(guān)，這一點(diǎn)將在后面描述。
在各掃描線3及各數(shù)據(jù)線6的各交點(diǎn)附近，設(shè)置有包含所述有機(jī)EL元件8的單位電路(像素電路)P。 如圖2所示，單位電路P除了包含有機(jī)EL元件8之外，還包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tel、第1 第3晶體管Trl Tr3以及電容元件Cl。 其中，圖1中為了方便而圖示為一根布線的掃描線3如圖2所示，實(shí)際上包括4根布線。從掃描線驅(qū)動(dòng)電路103向各布線供給規(guī)定的信號(hào)。更詳細(xì)而言，這些各布線分別被供給掃描信號(hào)GWRT[i]、第l補(bǔ)償控制信號(hào)GINIl[i]、第2補(bǔ)償控制信號(hào)GINI2[i]及發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]。對于這些各個(gè)信號(hào)的具體含義以及與其對應(yīng)的單位電路P的動(dòng)作，將在后面描述。其中，這里所使用的符號(hào)"i"是指上述矩陣狀排列中的行編號(hào)(參照圖l。由于一根掃描線3由4根布線構(gòu)成，所以所有掃描線3中包含的布線根數(shù)最終為4N根)。
驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr為n溝道型，位于從電源線113到有機(jī)EL元件8的像素電極的路徑上。該驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的漏極(D)與發(fā)光控制晶體管Tel的源極連接。
該驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr是源極(S)和漏極(D)的導(dǎo)通狀態(tài)(源極_漏極間的電阻值)根據(jù)柵極電位Vg變化，由此產(chǎn)生與該柵極電位Vg對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流Iel的機(jī)構(gòu)。其中，柵極電位Vg與通過數(shù)據(jù)線6被供給的數(shù)據(jù)信號(hào)Data的大小對應(yīng)。 這樣，有機(jī)EL元件8根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的導(dǎo)通狀態(tài)、或者數(shù)據(jù)信號(hào)Data被驅(qū)動(dòng)。
發(fā)光控制晶體管Tel為p溝道型，位于驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr和電源線113之間。該發(fā)光控制晶體管Tel的柵極被供給上述發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]。若該發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]遷移到低電平，則發(fā)光控制晶體管Tel變化為導(dǎo)通狀態(tài)，能夠?qū)τ袡C(jī)EL元件8供給驅(qū)動(dòng)電流Iel。由此，有機(jī)EL元件8以與驅(qū)動(dòng)電流Iel對應(yīng)的灰度(亮度)發(fā)光。與此相對，在發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]為高電平的情況下，由于發(fā)光控制晶體管Tel維持截止?fàn)顟B(tài)，所以驅(qū)動(dòng)電流Iel的路徑被切斷，有機(jī)EL元件8熄滅。 其中，有機(jī)EL元件8的像素電極通過該發(fā)光控制晶體管Tel以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr，與供給所述高電源電位Vel的電源線113連接，其對置電極與供給低電源電位VCT的電位線(未圖示)連接。 電容元件C1是在兩個(gè)電極間插入了電介質(zhì)的元件。其電容值為Chl。該電容元件
9CI的一個(gè)電極(圖中上方的電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極連接。而且，電容元件C1的另一個(gè)電極(圖中下方的電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的源極(S)連接，并且，還與后述的第3晶體管Tr3的源極或漏極連接。 第1晶體管Trl是介于節(jié)點(diǎn)Zl與數(shù)據(jù)線6之間，控制兩者的電連接的開關(guān)元件。第1晶體管Trl的柵極被供給所述掃描信號(hào)GWRT[i]。 第2晶體管Tr2是設(shè)置在節(jié)點(diǎn)Zl與供給初始化電位VST的電位線之間，控制兩者的電連接的開關(guān)元件。第2晶體管Tr2的柵極被供給所述第1補(bǔ)償控制信號(hào)GINI1 [i]。
第3晶體管Tr3是設(shè)置在所述低電源電位VST的電位線與驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的源極之間，控制兩者的電連接的開關(guān)元件。第3晶體管Tr3的柵極被供給所述第2補(bǔ)償控制信號(hào)GINI2[i]。 接著，在已經(jīng)參照的圖1及圖2的基礎(chǔ)上，參照圖3對具有以上構(gòu)成的有機(jī)EL裝置100的動(dòng)作及作用進(jìn)行說明。 (i)初始化首先，通過第1補(bǔ)償控制信號(hào)GINI1 [i]和第2補(bǔ)償控制信號(hào)GINI2 [i]變?yōu)楦唠娖剑沟玫?晶體管Tr2和第3晶體管Tr3成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極電位Vg和源極電位Vs分別如圖3所示那樣下落，成為初始化電位VST和VINI。
其中，單位電路P反復(fù)進(jìn)行從上面敘述的[i]初始化到后述的(vi)驅(qū)動(dòng)為止的各動(dòng)作。(i)的初始化動(dòng)作在最后的(vi)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作(發(fā)光動(dòng)作)結(jié)束之后，即發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]從低電平遷移到高電平之后進(jìn)行。圖3的最左方所示的在所述源極電位Vs的下落之前柵極電位Vg及源極電位Vs雙方的下落，與這樣的發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]的遷移對應(yīng)。 (ii) Vth補(bǔ)償接著，第2補(bǔ)償控制信號(hào)GINI2 [i]遷移到低電平，緊接著，發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]遷移到低電平。由此，第3晶體管Tr3成為截止?fàn)顟B(tài)，緊接著，發(fā)光控制晶體管Tel成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，源極電位Vs從初始化電位VST的供給開始被釋放。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr及高電源電位Vel間成為導(dǎo)通狀態(tài)，相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的源極電位Vs如圖3所示那樣開始上升，其柵極/源極間電壓逐漸接近閾值電壓Vth。其中，在這一系列過程中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極以及源極間連接的電容元件C1保持閾值電壓Vth(在以下各動(dòng)作中，電容元件CI也保持與其時(shí)常對應(yīng)的適宜電壓)。 如上所述，在該(ii)的動(dòng)作中，進(jìn)行各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的閾值電壓Vth的補(bǔ)償。
(iii)數(shù)據(jù)寫入接著，發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]及第l補(bǔ)償控制信號(hào)GINIl[i]分別遷移到高電平及低電平，發(fā)光控制晶體管Tel及第2晶體管Tr2成為截止?fàn)顟B(tài)，而掃描信號(hào)GWRT[i]成為高電平，由此第1晶體管Trl成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，若通過數(shù)據(jù)線6被供給具有適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)電位Vdata的數(shù)據(jù)信號(hào)，則對應(yīng)于此，節(jié)點(diǎn)Zl的電位、即柵極電位Vg變動(dòng)與該數(shù)據(jù)電位Vdata的增加量對應(yīng)的電壓。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極/源極間電壓如圖3所示那樣成為Vth+Vdata。這里<formula>formula see original document page 10</formula>該式中，CH2是有機(jī)EL元件8所具有的寄生電容的電容值。 (iv)遷移率補(bǔ)償接著，在維持了掃描信號(hào)GWRT[i]的高電平的狀態(tài)下，發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]遷移到低電平。由此，通過發(fā)光控制晶體管Tel再次變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的源極電位Vs開始上升。在圖3中表示了源極電位Vs上升后的柵極/源極間電壓為Vth+Vdata，這意味著該源極電位Vs的上升量可以表現(xiàn)為"Vdata-Va"。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極/源極間電壓反而變小(若用a表示下降量，則a = Vdata-Va)。
這樣的源極電位Vs的上升或者柵極/源極間電壓下降的程度， 一般根據(jù)各單位電路P中包含的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr分別具有不同的遷移率特性而不同。S卩，若定性分析，則在具有更大的遷移率P的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr中，源極電位Vs的上升量變大，在具有更小的遷移率P的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr中，源極電位Vs的上升量變小。 如上所述，在該(iv)的動(dòng)作中，進(jìn)行各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的遷移率補(bǔ)償。
(v)偏置電壓寫入接著，在維持了掃描信號(hào)GWRT[i]的高電平的狀態(tài)下，發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]遷移到高電平。由此，發(fā)光控制晶體管Tel再次成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，通過數(shù)據(jù)線6被供給具有對所述數(shù)據(jù)電位Vdata施加了與該數(shù)據(jù)電位Vdata的大小對應(yīng)的偏置電壓Voffset的電位(即，Vdata+Voffset(參照圖3))的數(shù)據(jù)信號(hào)。節(jié)點(diǎn)Zl的電位、即柵極電位Vg與之對應(yīng)，根據(jù)該偏置電壓Voffset的增加量而變動(dòng)。此時(shí)，柵極電位Vg及源極電位Vs雙方都上升，但在圖3中表示了通過該變動(dòng)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極/源極間電壓最終為Vth+Va+Vb。 Vb的值根據(jù)電容元件CI及有機(jī)EL元件8所具有的寄生電容(參照圖3的虛線)的影響而定，具體而言，Vb = Voffset X (Ch2/(Chl+Ch2))。這里，Ch2是上述寄生電容的電容值。 其中，對于此處所述的偏置電壓Voffset的確定方法或者其含義以及作用、效果等，將在后面另行說明。 (vi)驅(qū)動(dòng)掃描信號(hào)GWRT[i]遷移到低電平，第1晶體管Trl成為截止?fàn)顟B(tài)，而發(fā)光控制信號(hào)GEL[i]三度成為低電平，從而發(fā)光控制晶體管Tel成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，從驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr向有機(jī)EL元件8供給與柵極電位Vg對應(yīng)的大小的驅(qū)動(dòng)電流Iel，該有機(jī)EL元件8發(fā)光。 接著，在已經(jīng)參照的圖1 圖3的基礎(chǔ)上，參照圖4以后的各附圖來說明所述偏置電壓Voffset的詳細(xì)情況。 所述偏置電壓Voffset優(yōu)選如下述那樣確定。 首先，如圖4的左方及圖5所示，在規(guī)定的時(shí)間T(圖中為"遷移率補(bǔ)償時(shí)間")進(jìn)行上述(iv)的遷移率補(bǔ)償動(dòng)作(還參照圖3)。該遷移率補(bǔ)償時(shí)間的長度根據(jù)包括與裝置整體有關(guān)的情況的各種情況而確定，但一般而言，如圖5所示，根據(jù)執(zhí)行遷移率補(bǔ)償?shù)臅r(shí)間與驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的漏極/源極間電流Ids之間的關(guān)系、以及該關(guān)系與各單位電路P中包含的各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr所具有的遷移率的偏差之間的關(guān)系來確定。在圖5中，當(dāng)遷移率特性按照從驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A]到Tdr[C]的順序變差時(shí)，與這些各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr [A]到Tdr[C]相關(guān)的所有曲線表現(xiàn)出的樣子是在偶爾交叉的0. 5 〔 s〕附近，確定最佳的遷移率補(bǔ)償時(shí)間T(以下稱作"最佳補(bǔ)償時(shí)間T")。另外，圖5中的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A]的遷移率(實(shí)線)分別是遷移率的偏差為±20%的情況。S卩，以1.0為基準(zhǔn)，將遷移率高20%的特性表示為1. 2，將低20%的特性表示為0. 8。 若在這樣的最佳補(bǔ)償時(shí)間T執(zhí)行遷移率補(bǔ)償，則確實(shí)能抑制因各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的遷移率偏差引發(fā)的發(fā)光亮度偏差。但是，其所適用的僅限于某一特定的發(fā)光灰度。圖6表示了該情況。即，在圖6中表示了若進(jìn)行最佳補(bǔ)償時(shí)間T的遷移率補(bǔ)償，則當(dāng)數(shù)據(jù)電位Vdata = 1 [V]時(shí)(S卩，當(dāng)有機(jī)EL元件8以該有機(jī)EL元件8中流過與該數(shù)據(jù)電位1 [V]對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流Iel時(shí)的發(fā)光灰度進(jìn)行發(fā)光時(shí))，能極為有效地抑制偏差，但在數(shù)據(jù)電位Vdata取上述之外的值時(shí)，抑制偏差的程度變差。其中，圖6的縱軸的"偏差"根據(jù)發(fā)光亮度的最小值、最大值之比而定。 在圖4的左方，也變現(xiàn)了這樣的情況。即，在該圖中表示了當(dāng)是最佳補(bǔ)償時(shí)間T、即數(shù)據(jù)電位為Vdata[A]時(shí)，有效地抑制了漏極/源極間電流Ids的偏差，而數(shù)據(jù)電位為Vdata[B]時(shí)的最佳遷移率補(bǔ)償時(shí)間與數(shù)據(jù)電位Vdata[A]時(shí)相比，由于向圖中左方錯(cuò)移，所以在最佳補(bǔ)償時(shí)間T中并沒有怎么帶來抑制所述偏差的效果。如圖可知，得到這樣的結(jié)果的只要原因還是驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的遷移率發(fā)生偏差。其中，該圖中的"Tdr[A] "、"Tdr[B]"、"Tdr[C]"與圖5同樣，表示了與不同的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr對應(yīng)的遷移率的大小。
由此可知，只有在有機(jī)EL元件8以某一特定的灰度發(fā)光時(shí)，才能帶來遷移率補(bǔ)償?shù)男Ч?因此，所述偏置電壓Voffset如圖4的右方所示那樣被確定。 該圖4的右方表示了當(dāng)對于上述數(shù)據(jù)電位為Vdata[B]時(shí)的各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr，改變該各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極/源極間電壓時(shí)，其漏極/源極間電流如何變化。如該圖所示，具有更大遷移率的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A]隨著柵極/源極間電壓的上升，相對更快速地使漏極/源極間電流Ids增大。相對于此，在具有更小遷移率的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[C]中，漏極/源極間電流Ids的增大程度相對緩慢。因此，具有這樣的遷移率差異的各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr在圖4的右方所示的空間內(nèi)描繪的曲線，在柵極/源極間電壓取某一值的情況下， 一定程度上靠近，或者按照收斂到一定的區(qū)域XR的范圍內(nèi)的方式相互接近。另外，圖7中與圖4的右方是同一個(gè)意思，但表示了比圖4更正確、更詳細(xì)的圖(該圖7與圖4右方對應(yīng)圖4左方同樣，對應(yīng)于圖5)。 偏置電壓Voffset考慮圖4或圖7所示那樣的區(qū)域XR的存在而定。 S卩，在該圖的情況下，優(yōu)選的原偏置電壓Voffset'(是指確定偏置電壓Voffset
時(shí)作為基準(zhǔn)的電壓)可以在下述的范圍內(nèi)確定，該范圍是指根據(jù)與驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A]及
Tdr[B]相關(guān)的曲線相交的交點(diǎn)而確定的柵極/源極間電壓a 、與根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[B]
及Tdr[C]相關(guān)的曲線相交的交點(diǎn)而確定的該電壓13之間的范圍。若如此確定原偏置電壓
Vof f set'，則即使數(shù)據(jù)電位為Vdata [B]，也能良好地帶來遷移率補(bǔ)償?shù)男Ч?由于為了并與說明，在圖4及圖7中特別假定了各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A] Tdr[C]
所描繪的曲線間的關(guān)系極為簡單的情況，所以在上述內(nèi)容中對基于各曲線"交點(diǎn)"的區(qū)域XR
的設(shè)定、原偏置電壓Voffset'的設(shè)定說明了比較簡單的例子，但本發(fā)明并非限定于該方式。 實(shí)際上，相關(guān)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的數(shù)量可能極多，而且，這些多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr
的遷移率特性、或者其偏差的形態(tài)也時(shí)常不同。并且，由于容易假定相關(guān)的數(shù)據(jù)電位Vdata
的數(shù)量也為兩種以上的情況，所以還需要考慮這些多個(gè)數(shù)據(jù)電位存在的影響。 因此，當(dāng)進(jìn)行圖4的右方或圖7所示的區(qū)域XR的設(shè)定時(shí)，可以使用下述各種設(shè)定
方法等采用未利用上述"交點(diǎn)"的制圖/幾何學(xué)方法來設(shè)定該區(qū)域XR，或者直接以適當(dāng)?shù)?br> 數(shù)值來確定想要抑制的漏極/源極間電流的偏差(或發(fā)光亮度的偏差)的抑制程度，將該
數(shù)值作為唯一基準(zhǔn)來設(shè)定該區(qū)域XR。無論什么設(shè)定方法基本上都落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。 其中，本發(fā)明所說的"第2數(shù)據(jù)電位還根據(jù)……驅(qū)動(dòng)晶體管各自的遷移率的偏差
程度來確定"這一表述，除了利用了上述的區(qū)域XR的設(shè)定方法之外，還包括通過其他的各種
設(shè)定方法來設(shè)定原偏置電壓Voffset'的方式。
上述(v)的偏置電壓寫入動(dòng)作中利用的偏置電壓Voffset，根據(jù)以上所述那樣確定的原偏置電壓Voffset'而定。實(shí)際上，如上述已說明那樣，考慮了電容元件CI及有機(jī)EL元件8的寄生電容的存在。 而且，更重要的是考慮了數(shù)據(jù)電位Vdata的不同。如先前的圖4左方所示，若數(shù)據(jù)電位采取了與Vdata[A]及Vdata[B]都不同的Vdata[C]等，則最佳補(bǔ)償時(shí)間T中的各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的偏差程度不同，同時(shí)，圖4右方的形狀(對此未圖示)也不同。由此，該情況下，由于原偏置電壓Vof f set'自身的值不同，所以偏置電壓Vof f set也與之對應(yīng)而定。即，在上述(v)的偏置電壓寫入動(dòng)作中如上面描述那樣，偏置電壓Voffset與上述(iii)的數(shù)據(jù)寫入期間中的數(shù)據(jù)電位Vdata的大小對應(yīng)。 最終確定的偏置電壓Vof f set是在考慮了上述那樣的各種原因的前提下確定的。
圖8表示如上述那樣確定的偏置電壓Voffset的一個(gè)例子。由該圖可知，在將數(shù)據(jù)電位Vdata為1 [V]的情況作為一種基準(zhǔn)(此時(shí)，Voffset = 0。參照圖6)，例如數(shù)據(jù)電位Vdata二3[V]時(shí)，偏置電壓Voffset被設(shè)定為0. 7 [V]左右，當(dāng)Vdata = 6 [V]時(shí)，偏置電壓Voffset被設(shè)定為1. 15 [V]左右等。 根據(jù)該圖可以導(dǎo)出，一般當(dāng)(iii)的數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作中的數(shù)據(jù)電位Vdata為規(guī)定值以上時(shí)，(v)的偏置電壓寫入動(dòng)作時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位優(yōu)選被設(shè)為大于該數(shù)據(jù)電位Vdata的值(即，Vdata+Voffset > Vdata)，或者在小于規(guī)定值時(shí)，該數(shù)據(jù)信號(hào)的電位優(yōu)選被設(shè)為小于該數(shù)據(jù)電位Vdata的值(即，Vdata+Voffset < Vdata)。這里所說的"規(guī)定值"在圖8的情況下當(dāng)然意味著l[V]，但本發(fā)明當(dāng)然不限定于此。 一般而言，該"規(guī)定值"與上述的最佳補(bǔ)償時(shí)間T具有關(guān)聯(lián)性(或者可以說若假設(shè)以預(yù)先確定了在上述(iv)的遷移率補(bǔ)償動(dòng)作中確保(或者當(dāng)前執(zhí)行)的遷移率補(bǔ)償時(shí)間的長度的情況為前提，則根據(jù)該長度，可確定能夠最大限度地帶來遷移率補(bǔ)償?shù)男Ч陌l(fā)光灰度，所述"規(guī)定值"與該發(fā)光灰度具有關(guān)聯(lián)性)。 在上述的數(shù)據(jù)表DT(參照圖1)中，這樣最終確定( 一般為多種)的Voffset根據(jù)
所述數(shù)據(jù)電位Vdata的差異而被存儲(chǔ)。控制電路CU在執(zhí)行上述(v)的偏置電壓寫入動(dòng)作
時(shí)，參照在其之前執(zhí)行的(iii)數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作中應(yīng)用的數(shù)據(jù)電位Vdata的值，從該數(shù)據(jù)表DT
弓I用與之對應(yīng)的偏置電壓Voffset，執(zhí)行偏置電壓寫入動(dòng)作。 根據(jù)以上所述的有機(jī)EL裝置100或單位電路P，能夠起到以下的效果。 (1)根據(jù)本實(shí)施方式的單位電路P，由于在遷移率補(bǔ)償動(dòng)作之后，根據(jù)數(shù)據(jù)電位
Vdata的差異而確定的偏置電壓Voffset被施加為驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的柵極/源極間電壓，所
以不管有機(jī)EL元件8的發(fā)光灰度如何，都能夠抑制以遷移率偏差為原因的發(fā)光亮度偏差的
程度。圖9表示了能夠?qū)⑵钜种频绞裁闯潭龋鶕?jù)該圖可知，在有偏置電壓寫入動(dòng)作時(shí)，
與沒有偏置電壓寫入動(dòng)作的情況相比，能夠顯著抑制偏差的程度。 (2)根據(jù)本實(shí)施方式的單位電路P，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的發(fā)光亮度。當(dāng)執(zhí)行遷移率補(bǔ)償時(shí)，例如如圖5中所啟示那樣，導(dǎo)致各驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr[A]到Tdr[C]的漏極/源極間電流Ids減少(在圖5中，本來應(yīng)該流過1.0X10-4 〔A〕程度的電流，但因最佳補(bǔ)償時(shí)間T的遷移率補(bǔ)償動(dòng)作，只流過1.0X10-5 〔A〕程度的電流)。因此，存在難以實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光亮度，或者難以顯示更明亮的圖像的可能性。然而，在本實(shí)施方式中，由于在執(zhí)行了這樣的遷移率補(bǔ)償動(dòng)作之后，施加了偏置電
13壓Voffset，所以能夠恢復(fù)一定程度的電流量。即，當(dāng)關(guān)注圖4右方及圖7的縱軸可知，通 過偏置電壓Voffset的施加，在有機(jī)EL元件8中流過的電流量增加(即發(fā)光亮度增加)。 圖10表示在以圖9為前提的情況下，可得到何種程度的電流增大效應(yīng)(即發(fā)光灰度增大效 應(yīng))，根據(jù)該圖可知，在有偏置電壓寫入動(dòng)作的情況下，與沒有偏置電壓寫入動(dòng)作的情況相 比，能夠顯著增加漏極/源極間電流Ids。 (3)根據(jù)本實(shí)施方式的單位電路P，上述(v)的偏置電壓寫入動(dòng)作在發(fā)光控制晶體 管Tel成為截止?fàn)顟B(tài)的基礎(chǔ)上進(jìn)行。S卩，(iv)的遷移率補(bǔ)償動(dòng)作和(v)的偏置電壓寫入動(dòng) 作分別獨(dú)立進(jìn)行。換言之，本實(shí)施方式中的偏置電壓Voffset的施加，并非一定以確保遷移 率補(bǔ)償動(dòng)作的實(shí)效性為目的而進(jìn)行，而是以消除因遷移率補(bǔ)償動(dòng)作產(chǎn)生的不良情況為目的 進(jìn)行的(上述(1) 、 (2)這兩個(gè)效果可以證明)。尤其在該點(diǎn)與上述專利文獻(xiàn)3的關(guān)系上來 看的情況下，本實(shí)施方式中的構(gòu)成、作用以及效果都有顯著的不同。
〈應(yīng)用> 接著，對應(yīng)用了上述實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置100的電子設(shè)備進(jìn)行說明。
圖11是表示在圖像顯示裝置中利用了上述實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置100的便 攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)的構(gòu)成的立體圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備作為顯示裝置的有機(jī)EL裝置100 和主體部2010。主體部2010上設(shè)有電源開關(guān)2001及鍵盤2002。 圖12中表示應(yīng)用了上述實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置的移動(dòng)電話機(jī)。移動(dòng)電話機(jī) 3000具備多個(gè)操作按鈕3001及滾動(dòng)按鈕3002、以及作為顯示裝置的有機(jī)EL裝置100。通 過操作滾動(dòng)按鈕3002，在有機(jī)EL裝置100上顯示的畫面發(fā)生滾動(dòng)。 圖13表示利用了上述實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置100的信息便攜終端(PDA: personal Digital Assistant)。信息便攜終端4000具備多個(gè)操作按鈕4001及電源開關(guān) 4002、以及作為顯示裝置的有機(jī)EL裝置100。當(dāng)操作電源開關(guān)4002時(shí)，在有機(jī)EL裝置100 上顯示通訊錄或日程表等各種信息。 作為應(yīng)用了本發(fā)明涉及的有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備，除了圖11 圖13所示的設(shè)備 之外，還可以舉出數(shù)字靜像攝像機(jī)、電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、車輛導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、 電子書、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、視頻播放器、具備觸摸面板 的設(shè)備等。
1權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備發(fā)光元件，其以與驅(qū)動(dòng)電流的大小對應(yīng)的光量進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動(dòng)晶體管，其柵極電連接于第1節(jié)點(diǎn)，將在漏極/源極間流動(dòng)的電流作為所述驅(qū)動(dòng)電流輸出；和控制機(jī)構(gòu)，為了使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極間的電壓成為與該驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率對應(yīng)的補(bǔ)償后電壓，其向所述第1節(jié)點(diǎn)供給第1數(shù)據(jù)電位，并且向該驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流，然后向所述第1節(jié)點(diǎn)供給根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位而確定的第2數(shù)據(jù)電位。
2. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備發(fā)光控制開關(guān)元件，其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接，另一端與電源電 位的供給線電連接，進(jìn)行兩者間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換，在所述第1節(jié)點(diǎn)被供給所述第2數(shù)據(jù)時(shí)，所述控制機(jī)構(gòu)使所述發(fā)光控制開關(guān)元件成為 截止?fàn)顟B(tài)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備電容元件，其兩個(gè)電極分別電連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及源極，保持所述補(bǔ)償后 電壓；第1開關(guān)元件，其進(jìn)行所述第1節(jié)點(diǎn)與所述第1及第2數(shù)據(jù)電位的供給線之間的導(dǎo)通 及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換；第2開關(guān)元件，其進(jìn)行所述第1節(jié)點(diǎn)與規(guī)定的固定電位的供給線之間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通 狀態(tài)的切換；禾口第3開關(guān)元件，其進(jìn)行所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與規(guī)定的固定電位的供給線之間的導(dǎo)通 及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換。
4. 如權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件存在多個(gè)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管對應(yīng)于這些多個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)而存在多個(gè)，所述第2數(shù)據(jù)電位除了根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位之外，還根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自的遷 移率的偏差程度而確定。
5. 如權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備數(shù)據(jù)表，該數(shù)據(jù)表中預(yù)先存儲(chǔ)有與所述第1數(shù)據(jù)的差異對應(yīng)的所述第2數(shù)據(jù)電位。
6. —種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
7. —種發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，該發(fā)光裝置具備以與驅(qū)動(dòng)電流的大小對應(yīng) 的光量進(jìn)行發(fā)光的發(fā)光元件，包括第1步驟，為了使輸出所述驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極/源極間的電壓成為與該驅(qū) 動(dòng)晶體管的遷移率對應(yīng)的補(bǔ)償后電壓，向與該柵極連接的第l節(jié)點(diǎn)供給第l數(shù)據(jù)電位，并且 向該驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流；禾口第2步驟，在該第1步驟之后，向所述第1節(jié)點(diǎn)供給根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位而確定的第 2數(shù)據(jù)電位。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述發(fā)光裝置還具備發(fā)光控制開關(guān)元件，其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接，另 一端與電源電位的供給線電連接，進(jìn)行兩者間的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)的切換， 所述第2步驟包括使所述發(fā)光控制開關(guān)元件成為截止?fàn)顟B(tài)的步驟。
9.如權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 所述發(fā)光元件存在多個(gè)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管對應(yīng)于這些多個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)而存在多個(gè)，所述第2數(shù)據(jù)電位除了根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位之外，還根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自的遷 移率的偏差程度而確定。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置及其驅(qū)動(dòng)方法、以及電子設(shè)備，無論有機(jī)EL元件以怎樣的發(fā)光灰度發(fā)光，發(fā)光亮度都不會(huì)產(chǎn)生偏差。有機(jī)EL裝置具備有機(jī)EL元件，其以與驅(qū)動(dòng)電流的大小對應(yīng)的光量進(jìn)行發(fā)光；和驅(qū)動(dòng)晶體管，其柵極電連接于第1節(jié)點(diǎn)，并且該柵極及源極被電連接，將在漏極/源極間流動(dòng)的電流作為所述驅(qū)動(dòng)電流輸出。而且，為了使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極間的電壓成為與該驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率對應(yīng)的補(bǔ)償后電壓(Vth+Va)，控制機(jī)構(gòu)向所述第1節(jié)點(diǎn)供給第1數(shù)據(jù)電位(Vdata)，并且向該驅(qū)動(dòng)晶體管供給電流，然后，控制機(jī)構(gòu)向所述第1節(jié)點(diǎn)供給根據(jù)所述第1數(shù)據(jù)電位而確定的第2數(shù)據(jù)電位(Vdata+Voffset)。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101789442SQ201010104238
公開日2010年7月28日 申請日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月26日
發(fā)明者太田人嗣, 矢田部聰, 石黑英人 申請人:精工愛普生株式會(huì)社