專利名稱：引線框基板以及該引線框基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝件基板，特別是涉及引線框基板以及該引線框基板的制造方法。本申請基于2008年9月30日在日本申請的專利申請2008-2M311號主張優(yōu)先權(quán)， 并將其內(nèi)容引用于此。
背景技術(shù)：
在利用以QFP(Quad Flat lockage 四面扁平封裝)為代表的引線框的半導(dǎo)體封裝件中，用于與印刷引線基板連接的外部引線配置于半導(dǎo)體封裝件的側(cè)面。引線框在金屬板的兩面形成所希望的光致抗蝕圖案，并從兩面蝕刻，由此能夠得到半導(dǎo)體元件搭載部、與半導(dǎo)體元件電極連接的連接部即內(nèi)部引線、外部引線以及用于固定它們的外框部。此外，除了蝕刻加工法，也能夠由基于沖壓的穿孔加工得到。作為半導(dǎo)體封裝件的組裝工序，在半導(dǎo)體元件搭載部管芯焊接半導(dǎo)體元件后，利用金絲等電連接半導(dǎo)體元件的電極與內(nèi)部引線。然后，用樹脂封固包括內(nèi)部引線部的半導(dǎo)體元件的附近，并剪斷外框部，并根據(jù)需要在外部引線實(shí)施彎曲加工。這樣設(shè)置在側(cè)面的外部引線，從精密加工能力的角度看來，對于約30mm見方封裝尺寸所能夠設(shè)置的管腳數(shù)上限為200至300個。近年來，隨著半導(dǎo)體元件的電極數(shù)的增加，在側(cè)面具有外部引線的引線框型半導(dǎo)體封裝件已無法滿足對端子數(shù)的要求，所以有一部分已被置換成特定的半導(dǎo)體封裝件，該特定的半導(dǎo)體封裝件的如BGA(Ball Grid Array 球陣列封裝)或LGA(Land Grid Array 觸電陣列封裝)型等與印刷布線基板連接的外部連接端子在封裝件基板底面配置為陣列狀。用于這些封裝的基板，通常是用鉆孔器在兩面覆銅環(huán)氧玻璃基板上打孔，并電鍍孔內(nèi)部而使其導(dǎo)電，在一個面上形成用于連接半導(dǎo)體元件的電極的端子，在另一個面上形成排列成陣列狀的外部連接端子。然而，這些基板的制造工序復(fù)雜、成本高，并且，將電鍍用于基板內(nèi)的布線連接，所以與引線框型的封裝件相比，存在可靠性低劣的問題。因此，已公開利用稱為從兩面蝕刻引線框的工序，使用引線框的BGA型的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)。(例如專利文獻(xiàn)1)這是這樣的方式改變表里的光致抗蝕圖案來同時蝕刻，或者，蝕刻一側(cè)后，在蝕刻面表層形成電沉積聚酰亞胺樹脂膜或是涂敷預(yù)成型樹脂之后，從另一面加以蝕刻，由此在一個面上形成半導(dǎo)體元件電極的連接端子，在另一面上形成陣列狀的外部連接端子。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利第3642911號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題圖5A及圖5B示出了以往技術(shù)的剖面圖。在BGA型的引線框中，如增加外部連接端子111的數(shù)量，則半導(dǎo)體元件電極連接端子109側(cè)的引線110的長度變長。因為該引線是半蝕刻(half etching)金屬板而制造的， 所以其寬度和厚度都小，由此在蝕刻以后的工序中存在發(fā)生折斷及彎曲這樣的生產(chǎn)率變得非常差的問題。在專利文獻(xiàn)1中已公開這樣的技術(shù)首先只對外部連接端子111側(cè)進(jìn)行半蝕刻，然后在蝕刻面形成電沉積聚酰亞胺層117之后，再通過蝕刻來形成半導(dǎo)體元件電極連接端子 109側(cè)。由此，微細(xì)的布線110雖然是薄膜，但由電沉積聚酰亞胺層117支撐，因此可以避免制造引線框時的引線的折斷或彎曲。然而，在本結(jié)構(gòu)的引線框基板上搭載半導(dǎo)體元件，并通過引線接合來連接半導(dǎo)體元件電極與半導(dǎo)體元件電極連接端子109時，由于連接端子109的下部為中空，所以會有這樣的問題因引線連接力不足而導(dǎo)致連接不良，明顯地降低組裝生產(chǎn)率。。此外，雖然專利文獻(xiàn)1中沒有記載，但也考慮了這樣的一個對策用預(yù)成型樹脂代替電沉積聚酰亞胺層來進(jìn)行焊接(鍵合，bonding)，從而加厚樹脂層的?？梢酝茰y到，若根據(jù)該對策，則能夠在一定程度上避免焊接不良問題。但是，該方法也絕不可以說是能夠滿足要求的技術(shù)。原因是，即便如此也不能夠完全避免中空狀態(tài)。此外，調(diào)整預(yù)成型樹脂的涂敷量非常難，如涂敷量變大則在外部連接端子 111上也形成樹脂層，會導(dǎo)致需要增加一些除去工序的問題。此外，由于預(yù)成型樹脂通常使用熱固化環(huán)氧樹脂類，所以不可避免固化收縮，在蝕刻后的金屬表面上不能確保緊貼性，由此會導(dǎo)致如下問題在組裝工序中的加熱處理中發(fā)生剝離，或在熱周期測試中也不能確?？煽啃?。本發(fā)明是為了解決上述問題而做出的，其目的在于，提供一種能夠應(yīng)對半導(dǎo)體元件的電極數(shù)的增加、可靠性高，能夠容易并且穩(wěn)定地制造及組裝半導(dǎo)體封裝件的引線框基板以及該引線框基板的制造方法。用于解決問題的手段本發(fā)明的第一方式是一種引線框基板的制造方法，其特征在于，在金屬板的第一面上形成光致抗蝕圖案，形成在所述第一面上的光致抗蝕圖案用于分別形成用于搭載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件搭載部、用于與所述半導(dǎo)體元件的電極連接的半導(dǎo)體元件電極連接端子、第一外框部；在所述金屬板的第二面上形成光致抗蝕圖案，形成在所述第二面上的光致抗蝕圖案用于分別形成外部連接端子、第二外框部、在所述第二外框部的至少一部分上的溝部；在所述第二面的露出金屬板的金屬板露出部，通過蝕刻來形成不貫通所述金屬板露出部的孔部、從所述第二外框部的內(nèi)側(cè)橫穿至外側(cè)的溝部；在所述孔部與所述溝部，通過平板沖壓來加熱、加壓、涂敷預(yù)成型樹脂，從而形成樹脂層；通過蝕刻所述第一面，來形成所述半導(dǎo)體元件搭載部、與所述外部連接端子電連接的所述半導(dǎo)體元件電極連接端子、所述第一外框部。本發(fā)明的第二方式是根據(jù)第一方式記載的引線框基板的制造方法，其特征在于， 在所述第二面的所述金屬板露出部形成所述孔部和所述溝部之后，對所蝕刻的表面實(shí)施粗糙化處理。
本發(fā)明的第三方式是一種引線框基板，其特征在于，金屬板，其具有第一面與第二面；半導(dǎo)體元件搭載部，其形成在所述第一面上，用于搭載半導(dǎo)體元件；半導(dǎo)體元件電極連接端子，其形成在所述第一面上，用于與所述半導(dǎo)體元件的電極連接；第一外框部，其形成在所述第一面上；外部連接端子，其形成在所述第二面上，與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接；樹脂層，其形成在所述第二面上；第二外框部，其形成在所述第二面上，與所述第一外框部一體成形；溝部，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)鹊闹辽僖徊糠稚?，從所述第二外框部的?nèi)側(cè)橫穿至所述第二外框部的外側(cè)；孔部，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)?，?nèi)部填充所述樹脂層，不貫通所述金屬板。本發(fā)明的第四方式是根據(jù)第三方式記載的引線框基板，其特征在于，所述孔部的表面已粗糙化。發(fā)明效果若采用本發(fā)明，則可以在引線框基板的內(nèi)面的全面以陣列狀配置用于連接印刷引線基板的外部連接端子，并能夠?qū)?yīng)半導(dǎo)體元件的多端子化。此外，因為基板以引線框為特征，而不使用電鍍引線，所以能夠確保對于熱應(yīng)力的可靠性。另一方面，在制造引線框基板時，不發(fā)生引線的折斷或彎曲等不良現(xiàn)象，在半導(dǎo)體封裝件組裝工序進(jìn)行的引線接合時，在引線接合連接端子的下部的預(yù)成型樹脂層與外部連接端子表面平齊，由此可以穩(wěn)定地連接。


圖IA是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子的剖面圖。圖IB是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖IA的下一個工序的剖面圖。圖IC是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖IB的下一個工序的剖面圖。圖ID是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖IC的下一個工序的剖面圖。圖IE是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖ID的下一個工序的剖面圖。圖IF是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖IE的下一個工序的剖面圖。圖IG是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造方法的一個例子，即圖IF的下一個工序的剖面圖。圖2A是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的第一次蝕刻后的狀態(tài)的一個例子的俯視圖。圖2B是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的第一次蝕刻后的狀態(tài)的另一個例子的俯視圖。圖2C是圖2A的B-B剖面圖。圖2D是圖2A的A-A剖面圖。
圖3A是基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的半導(dǎo)體元件搭載部側(cè)的俯視圖。圖;3B是基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的外部連接端子側(cè)的俯視圖。圖4A是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的搭載半導(dǎo)體元件之后進(jìn)行引線接合的狀態(tài)的一個例子的剖面圖。圖4B是示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的圖4A的之后的進(jìn)行傳遞模塑成型封固的狀態(tài)的一個例子的剖面圖。圖5A是以往的引線框基板的剖面圖。圖5B是專利文獻(xiàn)1的引線框基板的剖面圖。
具體實(shí)施例方式在圖IA 圖IG示出了基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框基板的制造過程的概略的剖面圖。在用于引線框的金屬板1(圖1A)的兩面形成光致抗蝕圖案2(圖1B)。在圖IA 圖IG中，在金屬板1的上表面形成半導(dǎo)體元件搭載部8、與半導(dǎo)體元件電極連接的連接端子 9、布線10、外框部12等的圖案，在金屬板1的下表面形成外部連接端子11、外框部等的圖案。同時，為了在下表面的外框部的至少一個分形成從內(nèi)側(cè)到外側(cè)的溝，蝕刻時在溝形成區(qū)域形成不至于殘留光致抗蝕圖案的微細(xì)圖案(未圖示)。作為金屬板1，只要具有作為引線框的蝕刻加工性、機(jī)械強(qiáng)度、傳熱性、膨脹系數(shù)等即可，可以利用任何材料，但是普遍使用以42合金為代表的鐵-鎳系合金或為提高機(jī)械強(qiáng)度添加了各種金屬元素的銅系合金等。利用氯化鐵溶液等用于溶解金屬板1的蝕刻溶液從金屬板1的下表面進(jìn)行蝕刻， 由此形成孔部3(圖1C)。由于金屬板的殘留部最終成為布線，所以為了能夠從上表面?zhèn)冗M(jìn)行第二次蝕刻時形成微細(xì)布線，優(yōu)選地使孔部3的深度保證金屬板殘留IOym至50μπι厚
度左右。此外，同時在外框部12的至少一部分上形成溝部4。如圖2Α、圖2Β所示，形成溝部4的區(qū)域，只要不影響機(jī)械強(qiáng)度即可，沒有特別限定，但是由于在通常的外框部形成有稱為引孔的用于定位的孔，所以優(yōu)選選擇不在該孔周邊部位形成溝部。溝部4的深度優(yōu)選設(shè)定在孔部3的深度的一半以下。圖2C是圖2Α的B-B剖面圖。圖2D是圖2Α的A-A剖面圖。 若溝部4的深度過深，則不能保證外框部的機(jī)械強(qiáng)度。溝部4的深度可以根據(jù)前述的光致抗蝕的微細(xì)圖案的尺寸、間距的尺寸來調(diào)節(jié)。翻轉(zhuǎn)蝕刻加工出的金屬板的上下表面，在金屬板1的上表面搭載薄膜型的預(yù)成型樹脂5(圖1D)。若考慮處理的容易性，則優(yōu)選薄膜型的預(yù)成型樹脂，但是在金屬板上涂敷不溶解型或稀釋溶解型的液態(tài)預(yù)成型樹脂也無妨。接著，通過平板沖壓從兩側(cè)加熱、加壓，由此熔融預(yù)成型樹脂而使其假固化(圖 1Ε)。預(yù)成型樹脂熔融時，由于多余的樹脂從溝部4流出金屬板外部，所以沒有被蝕刻的金屬面(外部連接端子11、溝部以外的外框部1 與預(yù)成型樹脂面能夠形成為同一個面，且沒有被蝕刻的金屬面的上表面幾乎沒有殘留預(yù)成型樹脂。在沒有形成溝部4的金屬板的情況下，由于熔融的預(yù)成型樹脂在外框部12的上表面流動，所以外框部12的上表面將殘留樹脂，且外部端子的上表面也將殘留該厚度的樹脂，其厚度為20至50 μ m左右，有必要加一些除去工序。進(jìn)一步蝕刻相反的面，形成半導(dǎo)體搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10， 來制造出引線框基板7 (圖1G)。圖3A示出了半導(dǎo)體元件搭載部8側(cè)的俯視圖，圖:3B示出了外部連接端子側(cè)的俯視圖。能夠以陣列狀配置外部連接端子，從而可以應(yīng)對半導(dǎo)體元件的多管腳化。圖4A是示出了在在引線框基板搭載并引線接合半導(dǎo)體元件14的剖面圖。用芯片固定材料(die attach material) 15粘貼半導(dǎo)體元件14，并用金絲15與半導(dǎo)體元件電極連接端子9連接。如有必要，對半導(dǎo)體元件電極連接端子實(shí)施鎳-金電鍍、錫電鍍、銀電鍍、 鎳-鈀-金電鍍。進(jìn)行引線接合時，將本引線框基板放在微量恒溫儀(heat block)上，一邊加熱一邊進(jìn)行接合，但由于在半導(dǎo)體元件電極連接端子9的下部存在與其處于同一個面的預(yù)成型樹脂，不會構(gòu)成中空結(jié)構(gòu)，所以能夠在不引起接合不良狀態(tài)下組裝半導(dǎo)體封裝件。最后，以傳遞模塑法成型或灌注來封固半導(dǎo)體元件側(cè)，并用金剛石刀片(diamond blade)等來分離外框部來進(jìn)行小塊化(圖4B)。若是BGA型，在外部連接端子11搭載焊料球，由此得到利用引線框基板7的半導(dǎo)體封裝件。實(shí)施例下面，作為基于本發(fā)明的引線框基板的制造方法的例子，取LGA(Land Grid Array 觸電陣列封裝)型的引線框基板為例子，利用圖IA 圖IG進(jìn)行說明。制造的LGA的封裝件是邊長為IOmm見方的形狀，封裝件下表面具有168個腳的陣列狀的外部連接端子。首先，準(zhǔn)備寬度為150mm厚度為200 μ m的長條帶狀的銅合金製金屬板(EFTEC64T， 古河電工(FURUKAWAELECTRICCO.，LTD)制造)，作為圖IA所示的金屬板1。接著，如圖IB所示，用輥涂機(jī)(roll coater)在該金屬板1的兩面上將光致抗蝕劑(0FPR4000，東京應(yīng)化株式會社(T0KY0U0HKAK0GY0C0.，LTD)制造)涂敷至5 μ m的厚度之后，以90°C進(jìn)行預(yù)烤。接著，經(jīng)由具有所希望的圖案的光掩模從兩面曝光圖案，然后用碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理，然后進(jìn)行水洗及二次烘烤(post-baked)，從而得到如圖IB所示的光致抗蝕圖案2。作為第一光致抗蝕圖案，在第一面上形成的圖案用于生成半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10、外框部12，此外，在第二面形成的圖案用于形成外部連接端子11、外框部12以及溝部4，該溝部4在外框部12上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)形成，寬度為5mm， 間隔大概10mm。并且以0. 8mm間距配置為陣列狀的直徑為30 μ m的點(diǎn)圖案，作為用于形成溝部4的圖案。接著，用背板覆蓋金屬板1的第一面?zhèn)葋磉M(jìn)行保護(hù)后(未圖示)，利用氯化鐵溶液從金屬板1的第二面進(jìn)行第一次的蝕刻處理，將從第二面?zhèn)鹊目刮g圖案露出的金屬板部位蝕刻至其厚度薄到30 μ m(圖1C)。此外，溝部4的深度為80至100 μ m。氯化鐵溶液的比重為1.38，液溫為50 0C ο將蝕刻了第二面的金屬板1在30°C、50g/L的過硫酸銨水溶液中浸泡5分鐘，對在第一次的蝕刻中形成的蝕刻面的表面進(jìn)行粗糙化(未圖示)。再將其浸泡于規(guī)定的氫氧化鈉水溶液類剝離液中，剝離第二面的光致抗蝕圖案(為圖示)。接著，在由第一次的蝕刻形成的第二面上，設(shè)置薄膜狀的熱固性樹脂5(ABFGX_13，味素法因德柯駑公司(味 素7飛)，Ajinomoto Fine-Techno Co. ,Inc.)制造) (圖ID)，并利用真空平板沖壓來進(jìn)行120°C、5分鐘的加熱、加壓處理，來進(jìn)行假固化處理。 進(jìn)一步進(jìn)行180°C、3小時的固化處理來形成預(yù)成型層(圖1E)。由于熱固化樹脂的埋置性良好，所以沒有觀察到孔隙等的不良。此外，通過在沖壓板6與外框部12的之間形成的溝部4，將不需要的樹脂擠壓至外框部12的外側(cè)。因此，在外部連接端子11、外框部12的沒有被蝕刻的表面上幾乎沒有殘留熱固化樹脂，但仍然兼作為表面洗凈處理，利用60°C的高錳酸鉀的堿性水溶液GOg/L高錳酸鉀+20g/L氫氧化鈉) 進(jìn)行了 3分鐘左右的處理。接著，除去第一面?zhèn)鹊谋嘲搴螅寐然F溶液從金屬板的第一面?zhèn)葘?shí)施第二次蝕刻處理，由此溶解并除去從抗蝕膜露出的金屬板部位，由此形成了半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10、外框部12 (圖1F)。外部連接端子11從半導(dǎo)體元件電極連接端子9延伸出來。雖未圖示，為了不在下表面?zhèn)冗M(jìn)行不需要的蝕刻，第二次蝕刻處理時優(yōu)選在第二面?zhèn)日迟N背板等。接著，剝離第一面的光致抗蝕圖案2，得到所希望的引線框型LGA基板7 (圖1G)。接著，剝離抗蝕膜之后，對露出的金屬面實(shí)施電解鎳-金電鍍。鎳的厚度為5 μ m，金的厚度為0. 1μπι(未圖示)。接著，用芯片固定材料15在基于本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框型LGA基板7上搭載半導(dǎo)體元件13，并對芯片固定材料進(jìn)行150°C、1小時的固化處理。再用直徑為30 μ m的金絲14引線接合連接半導(dǎo)體元件的電極與半導(dǎo)體元件電極連接端子9(圖4A)。引線接合的加熱溫度為200°C，測定半導(dǎo)體元件電極連接端子側(cè)的金絲的拉拔強(qiáng)度的結(jié)果，其拉拔強(qiáng)度為9g以上，得到了良好的連接效果。然后，如圖4B所示，用傳遞模塑成型樹脂16來封固包括半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件電極連接端子的區(qū)域，并剪斷成小塊而得到利用LGA型的引線框基板的半導(dǎo)體封裝件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性通過利用本發(fā)明的引線框基板的制造方法，可以降低制造時的不良及半導(dǎo)體封裝件組裝時的不良，且能夠得到提高對于熱應(yīng)力的可靠性的引線框基板，特別是能夠應(yīng)用于在引線框型的半導(dǎo)體封裝件中不能夠?qū)?yīng)的多管腳封裝基板。附圖標(biāo)記的說明
1金屬板，
2光致抗蝕圖案，
3孔部，
4溝部，
5預(yù)成型樹脂，
6平板沖壓板，
7引線框基板，
8半導(dǎo)體元件搭載部，
9半導(dǎo)體元件電極連接端子，
10布線，
11外部連接端子，
12外框部，
13半導(dǎo)體元件，
14金絲，
15芯片固定材料，
16傳遞模塑成型樹脂，
17電沉積聚酰亞胺層
權(quán)利要求
1.一種引線框基板的制造方法，其特征在于在金屬板的第一面上形成光致抗蝕圖案，形成在所述第一面上的光致抗蝕圖案用于分別形成用于搭載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件搭載部、用于與所述半導(dǎo)體元件的電極連接的半導(dǎo)體元件電極連接端子、第一外框部；在所述金屬板的第二面上形成光致抗蝕圖案，形成在所述第二面上的光致抗蝕圖案用于分別形成外部連接端子、第二外框部、在所述第二外框部的至少一部分上的溝部；在所述第二面的露出金屬板的金屬板露出部，通過蝕刻來形成不貫通所述金屬板露出部的孔部、從所述第二外框部的內(nèi)側(cè)橫穿至外側(cè)的溝部；在所述孔部與所述溝部，通過平板沖壓來加熱、加壓、涂敷預(yù)成型樹脂，從而形成樹脂層；通過蝕刻所述第一面，來形成所述半導(dǎo)體元件搭載部、與所述外部連接端子電連接的所述半導(dǎo)體元件電極連接端子、所述第一外框部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的引線框基板的制造方法，其特征在于，在所述第二面的所述金屬板露出部形成所述孔部和所述溝部之后，對所蝕刻的表面實(shí)施粗糙化處理。
3.一種引線框基板，其特征在于，具有 金屬板，其具有第一面與第二面；半導(dǎo)體元件搭載部，其形成在所述第一面上，用于搭載半導(dǎo)體元件； 半導(dǎo)體元件電極連接端子，其形成在所述第一面上，用于與所述半導(dǎo)體元件的電極連接；第一外框部，其形成在所述第一面上；外部連接端子，其形成在所述第二面上，與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接； 樹脂層，其形成在所述第二面上；第二外框部，其形成在所述第二面上，與所述第一外框部一體成形； 溝部，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)鹊闹辽僖徊糠稚?，從所述第二外框部的?nèi)側(cè)橫穿至所述第二外框部的外側(cè)；孔部，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)?，?nèi)部填充所述樹脂層，不貫通所述金屬板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3記載的引線框基板，其特征在于，所述孔部的表面被粗糙化。
全文摘要
在金屬板的第一面形成光致抗蝕圖案，該光致抗蝕圖案用于各自形成用于搭載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件搭載部、用于與半導(dǎo)體元件的電極連接的半導(dǎo)體元件電極連接端子、第一外框部；金屬板的第二面形成光致抗蝕圖案，該光致抗蝕圖案用于各自形成外部連接端子、第二外框部、在第二外框部的至少一部分上的溝部。在第二面的金屬板露出的金屬板露出部用蝕刻的方法形成不貫通金屬板露出部的孔部、橫穿從第二外框部的內(nèi)側(cè)至外側(cè)的溝部；在孔部與溝部通過以平板沖壓來加熱、加壓、涂敷預(yù)成型樹脂的方法形成樹脂層。通過蝕刻第一面來形成半導(dǎo)體元件搭載部、與外部連接端子電連接的半導(dǎo)體元件電極連接端子、第一外框部。
文檔編號H01L23/50GK102165586SQ20098013816
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者塚本健人, 戶田順子, 馬庭進(jìn) 申請人:凸版印刷株式會社