專利名稱：倒裝芯片過(guò)模封裝件的制作方法
倒裝芯片過(guò)模封裝件
背景技術(shù)：
集成電路(IC)處于幾乎全部現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心。隨著半導(dǎo)體器件的使用變得 更普遍，對(duì)芯片提出了越來(lái)越多的要求。因此挑戰(zhàn)是使單個(gè)IC封裝件具備更多的處理能力 以滿足消費(fèi)者需求。這個(gè)挑戰(zhàn)已經(jīng)通過(guò)使器件越來(lái)越小來(lái)滿足。換句話說(shuō)，器件甚至隨著處理能力的 增加而變得更小。這不可避免地產(chǎn)生與這些組件的封裝有關(guān)的很多機(jī)會(huì)。在IC封裝中較 普通的問(wèn)題是由于熱膨脹系數(shù)(CTE)的不匹配以及封裝件的蓋子和主體之間的不良粘接 引起的封裝件變形。由于對(duì)功率的需要增加，因此將更多的去耦電容器裝配到單個(gè)IC封裝 件也變得更加具有挑戰(zhàn)性。因此，很期望具有機(jī)械穩(wěn)定封裝的器件，其具有足夠空間用于在封裝襯底上放置 去耦電容器，同時(shí)維持IC封裝件的整體大小。簡(jiǎn)言之，IC封裝件需要能夠保持所有不同組 件以滿足對(duì)更多處理能力的不斷增長(zhǎng)的需要而不犧牲面積或者性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的不同實(shí)施例致力于滿足產(chǎn)生在面積和性能方面機(jī)械平衡并且成本有效 的IC封裝件的需要。在一個(gè)實(shí)施例中，集成電路被放置在封裝襯底的表面上。多個(gè)去耦電容器被放置 在封裝襯底的表面上圍繞集成電路(IC)。為了減少封裝件變形并產(chǎn)生機(jī)械平衡的封裝件結(jié) 構(gòu)，圍繞IC的周圍邊緣的剛性支撐構(gòu)件通過(guò)粘性隔離件固定到封裝襯底。支撐構(gòu)件被粘性 隔離件抬升，從而去耦電容器能夠放置在支撐構(gòu)件下方封裝襯底的表面上。另一實(shí)施例進(jìn)一步描述一種封裝件結(jié)構(gòu)，其中集成電路放置在襯底層上，熱界面 材料(TIM)布置在IC上方，且模具帽圍繞IC和TIM。圍繞的模具帽具有比IC和TIM組合 的厚度更大的厚度。熱沉放置在TIM和模具帽上方，熱沉被成形為使得熱沉的一部分足夠 厚以填充TIM頂部上被模具帽包圍的凹陷。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解具有不同厚度的熱沉允 許減小IC的厚度而不使用更厚的熱界面材料(TIM)。在本發(fā)明的另一方面，提供一種封裝集成電路的方法。該方法開始于將IC放置到 封裝襯底上。接著，多個(gè)去耦電容器被布置在封裝襯底上并圍繞IC。使用粘性隔離件，剛性 支撐構(gòu)件也被固定到封裝襯底，從而支撐構(gòu)件被抬升以允許去耦電容器被放置在支撐構(gòu)件 下方的封裝襯底上。接著，模制化合物被注入到IC封裝件中。根據(jù)以下詳細(xì)描述，結(jié)合所附的附圖以及通過(guò)示例的方式例示本發(fā)明的原理，本 發(fā)明的其它方面將變得明顯。


可以通過(guò)結(jié)合附圖參照以下說(shuō)明最好地理解本發(fā)明，其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有通過(guò)粘性隔離件抬升的剛性支撐構(gòu)件的 集成電路封裝件；
圖2例示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的集成電路封裝件的俯視圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有剛性支撐構(gòu)件的集成電路封裝件，其中剛 性支撐構(gòu)件為去耦電容器布置在其下方提供充足空間；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有基礎(chǔ)熱沉(pedestal heat sink)的集 成電路封裝件；圖5是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有帶通道側(cè)部的基礎(chǔ)熱沉的封裝的簡(jiǎn)化 示意圖；圖6例示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的可替代實(shí)施例；圖7是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例封裝集成電路的方法操作的流程圖，該方法 將去耦電容器裝配到IC封裝件中而不增加IC封裝件的大小。
具體實(shí)施例方式以下的實(shí)施例描述用于封裝集成電路的方法和設(shè)備。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)，顯而易見的是沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或者全部也可以實(shí)施本發(fā)明。在其它實(shí)例 下，沒有詳細(xì)描述已知的處理操作以免不必要地混淆本發(fā)明。此處描述的實(shí)施例提供降低封裝件變形以及提高蓋子對(duì)封裝主體的粘性的技術(shù)。 同時(shí)，在封裝件中產(chǎn)生更多的空間用于放置去耦電容器而不增加整個(gè)IC封裝件的大小。集 成電路(IC)封裝件中需要去耦電容器，因?yàn)樗鼈兲峁╇娫礊V波。去耦電容器用于通過(guò)比有 源電源電路提供的更及時(shí)的方式提供或者控制瞬時(shí)電流。因此，在高性能系統(tǒng)中需要更多 的去耦電容器。本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)致力于封裝材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配來(lái)降低封 裝件變形。嵌入于封裝件中的支撐構(gòu)件(剛性支撐構(gòu)件)產(chǎn)生更平衡的封裝件結(jié)構(gòu)以進(jìn)一 步消除封裝件變形。所描述的實(shí)施例還通過(guò)增加封裝件中蓋子和模制材料之間的接觸面積 來(lái)確保蓋子，即熱沉，對(duì)封裝件的更好的粘性。另外，蓋子或者熱沉被配置為具有不同厚度 以支持IC的厚度變化而無(wú)需增加熱界面材料層厚度。圖1例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的無(wú)蓋的集成電路(IC)封裝件的截面圖。集 成電路(IC) 110布置在封裝襯底100的表面上。焊料堆150定位在封裝襯底100的對(duì)應(yīng)的 襯底接觸焊盤上。在布置于IC 110的周界以外的封裝襯底100的周圍區(qū)域上布置多個(gè)去 耦電容器120。來(lái)自ICllO的信號(hào)通過(guò)與封裝襯底100的底表面上的接觸焊盤附連的焊料 堆160傳遞到IC封裝件以外，例如到印刷電路板。剛性支撐構(gòu)件(也稱為支撐構(gòu)件)140 通過(guò)粘性隔離件130固定到封裝襯底100的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐構(gòu)件140是形狀 與封裝襯底100的外周圍區(qū)域一致的銅構(gòu)件。粘性隔離件將剛性支撐構(gòu)件140從封裝襯底 100的表面抬升約Imm以在封裝襯底100上為去耦電容器120釋放額外空間。應(yīng)理解圖1的支撐構(gòu)件140圍繞IC 110的周邊布置。支撐構(gòu)件140可以由任意 剛性材料構(gòu)成，銅實(shí)施例是示例性的而非意在限制。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐構(gòu)件140、粘性隔 離件130以及襯底層100具有類似的熱膨脹系數(shù)(CTE)。粘性隔離件130具有適于為布置 在封裝襯底100的頂表面上的去耦電容器120提供空間的厚度，從而電容器可以放置在支 撐構(gòu)件140下方的襯底層100上。因此，用粘性隔離件130抬升支撐構(gòu)件140在IC封裝件 上產(chǎn)生用于布置多個(gè)組件的更大空間。粘性隔離件可以由市場(chǎng)可得到的合適的熱固性或者 熱塑性粘性材料構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中這些粘性材料可以是酚醛樹脂。在另一實(shí)施例中，粘性隔離件是具有相對(duì)高的觸變指數(shù)的模板(stencil)可印刷粘性材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員 將理解觸變指數(shù)是材料在兩種不同速度下的粘度比率。可替代地，粘性隔離件可以是市場(chǎng) 可得的環(huán)氧樹脂模制化合物(mold compound)或者筑壩材料。在另一實(shí)施例中，粘性隔離 件具有與環(huán)氧樹脂模制化合物類似的CTE、玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)和楊氏模量，以提供增強(qiáng)的 封裝穩(wěn)定性。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有圍繞集成電路的剛性支撐構(gòu)件的集成電路 封裝件布局的俯視圖的簡(jiǎn)化示意圖。圖2例示在IC 110周圍的模具澆口(mode gate) 2200 在一個(gè)實(shí)施例中，模具澆口 220可以用作在蓋子或者熱沉布置在IC封裝件上方之后將模制 化合物注入到IC封裝件中的出口。在另一實(shí)施例中，模制化合物可以是填充封裝件中在IC 110周圍的區(qū)域的環(huán)氧樹脂模制化合物。IC 110布置在封裝襯底100的中心區(qū)域。在一個(gè) 實(shí)施例中，支撐構(gòu)件配置為使能接入模具澆口 220。應(yīng)理解去耦電容器可以圍繞封裝襯底 100的周圍區(qū)域布置，并且剛性支撐構(gòu)件可以如此處詳細(xì)描述地布置在去耦電容器上方以 提供對(duì)封裝件的額外支撐。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖3示出具有蓋子和嵌入的剛性支撐構(gòu)件的IC封裝 件，其中剛性支撐構(gòu)件為去耦電容器布置在支撐構(gòu)件下方提供足夠的空間。通過(guò)粘性隔離 件130附連到封裝襯底100的頂表面的支撐構(gòu)件140改善變形控制。由于支撐構(gòu)件平衡 封裝襯底100和IC 110之間的系數(shù)不匹配，因此支撐構(gòu)件140還產(chǎn)生更為機(jī)械平衡的結(jié) 構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，在IC 110被布置在封裝襯底上之前，支撐構(gòu)件140被固定到封裝襯 底100。如上所述，支撐構(gòu)件140可以布置在粘性隔離件130上方。在一個(gè)實(shí)施例中，粘性 隔離件130定位在封裝襯底的拐角處，并且支撐構(gòu)件是單片構(gòu)件，其具有限定在中心區(qū)域 用于容納IC 110的空腔(cavity)。圖3還示出布置在IC 110上方的熱界面材料(TIM)350。在一個(gè)實(shí)施例中，TIM 350 由粉碎的銀制成。然而，TIM 350可以是與應(yīng)用兼容并且能夠?qū)⑺a(chǎn)生的熱從IC 110傳遞 到熱沉300的任意合適的材料。TIM350用于填充IC 110和熱沉300之間的縫隙以提高傳 熱效率。如圖3所示，TIM 350足夠薄以利于有效的熱管理，S卩，將熱從IC 110傳遞到熱沉 300。布置在IC 110和TIM 350上方的熱沉300在中心區(qū)域較厚。通過(guò)為熱沉300提供較 厚的中心區(qū)域并因而最小化TIM 350的層，熱傳遞被優(yōu)化。在一個(gè)實(shí)施例中，在模制化合物 被注入到IC封裝件中之前熱沉300被附連到封裝件。應(yīng)理解可以基于IC 110的厚度調(diào)整 熱沉300的中心部分的厚度。即，布置在IC 110上方的熱沉的中心部分的厚度可調(diào)整，從而 TIM 350的厚度被最小化。在一個(gè)實(shí)施例中，IC 110的厚度是約0.77mm，而TIM 350層的 厚度是約100微米。隨著部件大小繼續(xù)縮小，IC 110的厚度能夠降到0.3mm或者更小。通 過(guò)類似地增加熱沉的中心部分，TIM 350層可以保持在相同厚度以優(yōu)化IC 110和熱沉300 之間的熱傳遞。在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中，圖4例示布置在襯底層100上的集成電路110和 布置在IC 110上方的熱界面材料(TIM) 350。多個(gè)去耦電容器120圍繞集成電路110布置 在襯底100的表面上。模具帽440圍繞IC 110，并且熱沉300布置在IC 110和圍繞的模具 帽440上方。模具帽440比IC 110和TIM 350兩者的組合厚度更厚。模具帽440通過(guò)比 IC 110和TIM 350的高度更高形成限定在TIM 350和IC 110上方的凹陷。較厚的模具帽 440和在IC 110上方具有較厚的中心部分的熱沉300的組合降低封裝件變形。熱沉300具有比熱沉的周圍側(cè)部更厚的中心部分。熱沉300的中心部分布置在TIM 350上，填充其上 的凹陷并且熱沉300的側(cè)部由圍繞TIM 350和IC 110的模具帽440支撐。熱沉300以消 除具有較厚TIM 350的需要的方式被成形。由此，作為最小化TIM 350的厚度的結(jié)果，熱擴(kuò) 散得到改善。在一個(gè)實(shí)施例中，TIM的厚度是約100微米，然而，該厚度，并不意味著受此限 制，因?yàn)楹穸瓤梢愿淖?。在另一?shí)施例中，熱沉300由無(wú)氧銅制成以提供高傳導(dǎo)性和熱能的 有效的熱擴(kuò)散。然而，這是示例性的，并不意味著受此限制，因?yàn)闊岢?00可以是能夠傳導(dǎo) 和擴(kuò)散從IC 110產(chǎn)生的熱的任意材料。在又一實(shí)施例中，封裝件蓋子的側(cè)部可以不同方式被成形以提供封裝件蓋子和圍 繞的模具帽之間的更好的粘合。在圖5中，熱沉300被示為具有在模具帽440上方布置的 蓋子的側(cè)部的不均勻底表面444。熱沉300的側(cè)向延伸部分的不均勻底表面還可以稱為有 通道的、被開槽的、不規(guī)則、非平面或者非線性的。與參照?qǐng)D4所例示的具有均勻表面的蓋 子相比，側(cè)向延伸部分的不均勻底表面提供熱沉300和模具帽440之間的更大的接觸面積。 在一個(gè)實(shí)施例中，熱沉300具有側(cè)向延伸部分，其底表面充滿(serrated with)多個(gè)凹槽， 例如以鋸齒形式。然而，應(yīng)理解圖5中所示的熱沉300僅僅意在示例而不意在限制，因?yàn)樵?加熱沉300和模具帽440之間的表面接觸面積的任何配置可以包括在此處描述的實(shí)施例 中。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可以使用具有可替代形狀的蓋子，只要蓋子以最大化蓋子和模 具帽之間的接觸面積的方式被成形。應(yīng)注意熱沉300的側(cè)向延伸部分和模具帽440之間的 更大的接觸面積減小IC封裝件上的裂紋。圖6例示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的可替代實(shí)施例。圖6所示的實(shí)施例通過(guò)熱 沉300的可替代構(gòu)造提供改進(jìn)的變形控制。圖6所示的IC封裝件將熱沉300描繪成具有 沿著熱沉300的周圍區(qū)域延伸的嵌入的延伸部330。熱沉300的延伸部330不延伸到IC封 裝件的邊緣，并且嵌入到圍繞集成電路110和熱界面材料350的模具帽440中。嵌入的延 伸部330通過(guò)延伸部330的頂、底和側(cè)表面在模具帽440內(nèi)的圍繞提供增強(qiáng)的結(jié)構(gòu)集成，從 而降低封裝件變形。圖6所示的熱沉300意在例示而不在限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解蓋 子的可替代側(cè)部構(gòu)造可以嵌入到模具帽440中。另外，盡管圖1-圖6提供了具有球柵陣列 的倒裝芯片封裝件(flip chip package)，但是這非意指受此限制，因?yàn)榇颂幟枋龅募夹g(shù)可 以應(yīng)用于可替代的封裝構(gòu)造。另外，圖4-圖6的實(shí)施例可以包括剛性支撐構(gòu)件，并且模具 帽可以如參照?qǐng)D3所示圍繞剛性支撐被注入。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的封裝集成電路的方法操作，以將去耦電容器 裝配到IC封裝件中而不增加IC封裝件的大小。圖7所示的封裝方法降低封裝件變形并 且為IC封裝件產(chǎn)生更平衡且更堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)以承受由于封裝件中包括的不同材料引起的壓 力。在操作700，集成電路被放置在封裝襯底上。之后，在操作701，多個(gè)去耦電容器被布置 在圍繞集成電路的封裝襯底的表面的周圍區(qū)域上。在操作702，用粘性隔離件將剛性支撐 構(gòu)件固定到襯底層。粘性隔離件抬升支撐構(gòu)件，從而去耦電容器可以布置在支撐構(gòu)件下方 的封裝襯底的表面上。通過(guò)用粘性隔離件抬升支撐構(gòu)件，更多的去耦電容器可以布置在封 裝襯底上而無(wú)需使用更大的襯底。之后，在操作703中，將蓋子或者熱沉布置在熱界面材料 上，其布置在集成電路上方。之后，模制化合物例如通過(guò)參照?qǐng)D2的模具澆口被注入到IC 封裝件中。模制化合物填充IC封裝件以包圍內(nèi)部組件，即限定以上描述的模具帽。在操作 704，環(huán)氧樹脂模制化合物(EMC)優(yōu)選用于模制化合物，但這是示例而不意在限制。在一個(gè)實(shí)施例中，剛性支撐構(gòu)件和環(huán)氧樹脂模制化合物的CTE相對(duì)地類似，例如在約15%內(nèi)。在另 一實(shí)施例中，粘性隔離件和環(huán)氧樹脂模制化合物的CTE相對(duì)地類似，例如在約15%內(nèi)。例 如，管芯的CTE可以是3ppm，而更堅(jiān)硬或者剛性支撐構(gòu)件是約18ppm，當(dāng)使用銅時(shí)，粘性隔離 件和環(huán)氧樹脂模制化合物具有相對(duì)類似的CTE，例如約16-18ppm。盡管以具體順序描述了方法操作，但是應(yīng)當(dāng)理解可以在操作之間進(jìn)行其它維護(hù)操 作，或者可以調(diào)整操作，使得它們?cè)诼晕⒉煌臅r(shí)間發(fā)生，只要覆蓋操作的處理以期望的方 式執(zhí)行。盡管為了理解的清楚，已經(jīng)在一定程度上詳細(xì)描述了前述發(fā)明，但是顯然可以在 所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)進(jìn)行某些變化和修改。因此，這些實(shí)施例被認(rèn)為是例示性的而不 是限制性的，并且本發(fā)明不限制于此處給出的細(xì)節(jié)，而是可以在所附的權(quán)利要求的范圍和 等同物內(nèi)修改。
權(quán)利要求
1.一種集成電路封裝件，包括 集成電路(IC)；封裝襯底，其上布置所述集成電路，所述封裝襯底具有布置在其上的多個(gè)去耦電容器；圍繞所述集成電路的周圍邊緣的支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件通過(guò)粘性隔離件固定到所述 封裝襯底，所述粘性隔離件配置為使得芯片電容器能夠布置在所述支撐構(gòu)件的表面下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，其中所述支撐構(gòu)件由銅構(gòu)成，并且所述粘 性隔離件是模板可印刷粘性材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，還包括布置在所述集成電路的頂表面上 的熱界面材料(TIM)；以及布置在所述熱界面材料上方的熱沉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路封裝件，其中所述熱沉的底表面的中心部分朝所述 TIM的頂表面向外延伸，所述熱沉的中心部分比所述熱沉的周圍區(qū)域厚。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，其中所述支撐構(gòu)件是剛性的并且由銅構(gòu) 成，并且其中所述粘性隔離件被布置在所述封裝襯底的表面的拐角上。
6.一種集成電路封裝件，包括集成電路(IC)，其具有布置在所述集成電路的表面上方的熱界面材料(TIM)； 封裝襯底，其上布置所述集成電路，所述封裝襯底具有布置在其上的多個(gè)去耦電容器；沿著所述封裝襯底的周圍邊緣布置并且圍繞所述集成電路的模具帽，其中所述模具帽 具有比所述集成電路和熱界面材料的組合高度更大的高度，由此在所述熱界面材料上方和 所述模具帽的側(cè)壁之間形成凹陷；以及布置在所述集成電路上方的熱沉，其中從所述熱沉延伸的側(cè)部比所述熱沉的中心部分薄。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路封裝件，其中從所述熱沉延伸的所述側(cè)部被嵌入到 所述模具帽中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路封裝件，其中所述熱界面材料由粉碎的銀構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路封裝件，其中從所述熱沉延伸的所述側(cè)部的底表面 被布置在所述模具帽上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路封裝件，其中從所述熱沉延伸的所述側(cè)部的所述 底表面被不規(guī)則成形，以增加與所述模具帽的接觸面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路封裝件，其中所述模具帽由環(huán)氧樹脂模制化合物 構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路封裝件，還包括通過(guò)多個(gè)粘性隔離件被固定到所 述封裝襯底的剛性支撐構(gòu)件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路封裝件，其中所述剛性支撐構(gòu)件下方的高度大于 所述去耦電容器的高度。
14.一種集成電路(IC)的封裝方法，包括 將所述集成電路布置到封裝襯底上；將多個(gè)去耦電容器布置在所述集成電路的周界外的所述封裝襯底上；用粘性隔離件將剛性支撐構(gòu)件固定到所述封裝襯底，所述粘性隔離件抬升所述剛性支 撐構(gòu)件以使得所述去耦電容器能夠被布置在所述支撐構(gòu)件下方的所述封裝襯底上；以及圍繞所述集成電路的周界注入模制化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括將熱界面材料(TIM)布置在所述集成電路 上；以及將熱沉固定到所述熱界面材料上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中注入所述模制化合物包括將所述熱沉的側(cè)向延 伸部分嵌入到所述模制化合物中。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述模制化合物的高度大于所述集成電路和所 述熱界面材料的組合高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述熱沉的側(cè)向延伸部分被固定到所述模制化 合物的頂表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中布置在所述模制化合物上方的所述側(cè)向延伸部 分的底表面被不規(guī)則成形。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述剛性支撐構(gòu)件被布置在所述封裝襯底的外 周圍區(qū)域上方。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成電路(IC)封裝件，其具有封裝襯底、布置在封裝襯底上的IC以及通過(guò)粘性隔離件附連到襯底層的剛性支撐構(gòu)件。封裝襯底包括圍繞著IC位于其上的多個(gè)去耦電容器。熱沉布置在IC上方。剛性支撐構(gòu)件為IC封裝提供增強(qiáng)的結(jié)構(gòu)支撐，并且剛性支撐構(gòu)件的底表面和封裝襯底之間存在充足空間以允許在剛性支撐構(gòu)件的下方放置去耦電容器。
文檔編號(hào)H01L23/02GK102144290SQ200980134369
公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2009年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者K·德圭 申請(qǐng)人:阿爾特拉公司