專利名稱：用于檢測晶片中微小裂紋的裝置及其方法
技術領域：
本發(fā)明總體涉及物體的檢查。具體來講，本發(fā)明涉及一種檢查晶片(wafer)缺陷 的裝置和方法。
背景技術：
太陽能電池廠商在其太陽能晶片上進行例行檢查。這是為了確保識別出任何有缺 陷的太陽能電池，以控制太陽能電池的質量。太陽能晶片是在制造太陽能電池的過程中通常使用的硅晶體薄片。太陽能晶片充 當了太陽能電池的基板，并且在成為可用的太陽能電池之前要經(jīng)受一系列的制造工藝，例 如，沉積、刻蝕以及構圖。因此，為了提高產(chǎn)品生產(chǎn)率(production yield)并降低生產(chǎn)成本， 從制造工藝的開始就保持太陽能電池的質量是非常重要的。微小裂紋是太陽能晶片中出現(xiàn)的常見缺陷，它非常難以檢測，因為一些微小裂紋 對于人眼甚至對于光學顯微鏡都是不可見的。在太陽能晶片中檢測微小裂紋的一種方法涉 及紅外成像技術的使用。太陽能晶片由高純度硅制成，在可見光下看上去是不透明的。然 而，由于硅的帶隙能級，當用波長大于1127nm的光照射太陽能晶片時，它會顯得透明。波長1127nm的光被歸類為近紅外(OTR :near infrared)輻射。OTR對于人眼是 不可見的，但是可以由大多數(shù)商用CCD或CMOS紅外照相機檢測到。紅外光源的例子是發(fā)光 二極管(LED =Light Emitting Diode)、鎢絲燈以及鹵素燈。由于紅外線能夠穿透由硅制成的太陽能晶片，所以通過將太陽能晶片放置在紅外 照相機與光源之間可以檢查太陽能晶片的內(nèi)部結構。通常以每秒一個晶片的速度在生產(chǎn)線上大量地制造太陽能晶片。太陽能晶片通常 為直線形狀，并且表面尺寸在IOOmm乘IOOmm和210mm乘210mm之間。太陽能晶片還具有 150μπι至250μπι之間的典型厚度。使用傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)來檢查太陽能晶片。大多數(shù) 傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)都使用分辨率高達12000 (12Κ)的逐行掃描(XD/CM0S照相機。圖Ia示出了傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)10。傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)10包括計算機12和 逐行掃描成像裝置14。逐行掃描成像裝置14包括照相機以及鏡頭系統(tǒng)，并且位于太陽能晶 片16的上面并與之表面垂直。紅外光源18位于太陽能晶片16的下面，使得紅外線能夠穿 透太陽能晶片16并到達逐行掃描成像裝置14。為了檢查210mm乘210mm的太陽能晶片，需要1 逐行掃描照相機，以具有優(yōu)于 210mm/12, 000像素或18 μ m/像素的圖像分辨率?；诓蓸佣ɡ?，該圖像分辨率僅針對檢測 裂紋線寬大于2個像素的微小裂紋是有用的。這意味著，傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)被限制為檢 測裂紋線寬大于2個像素X 18 μ m/像素或36 μ m的微小裂紋。因為微小裂紋的寬度通常 小于36 μ m，所以這是對于傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)的嚴重限制。圖Ib示出了太陽能晶片16沿著圖Ia中點A處的橫截面的微小裂紋20的特寫視 圖。微小裂紋20的寬度小于傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)10的圖像分辨率22。結果，微小裂紋20 的輸出圖像沒有足夠的對比度以允許圖像分析軟件來檢測微小裂紋20。
除了圖像分辨率問題以外，當太陽能晶片是多晶型時，在太陽能晶片中檢測微小 裂紋變得更加復雜。太陽能晶片通常是由單晶或多晶晶片制成的。單晶太陽能晶片通常是 通過對單晶硅切片來制造的。另一方面，多晶太陽能晶片通常是通過將一坩堝硅熔化并且 使熔化的硅緩慢冷卻，然后將凝固的硅切片來獲得的。雖然由于硅中更高的雜質水平，多 晶太陽能晶片的質量要低于單晶太陽能晶片，但是多晶太陽能晶片有更高的性價比，因此 比單晶太陽能晶片更廣泛地用于制造太陽能電池。單晶太陽能晶片看上去有均勻的表面紋 理。如圖2所示，由于在凝固過程中形成了各種尺寸的晶粒，所以多晶太陽能晶片表現(xiàn)出復 雜的隨機表面紋理。多晶太陽能晶片中的隨機表面紋理也出現(xiàn)在傳統(tǒng)的高速成像系統(tǒng)10的輸出圖像 中。晶粒界面以及不同晶粒之間的對比度增加了檢測微小裂紋的難度。因此需要改進的方法與系統(tǒng)來使晶片中微小裂紋的檢測更加方便。

發(fā)明內(nèi)容
在此公開的本發(fā)明的實施方式包括用于使晶片中微小裂紋的檢測更加方便的改 進系統(tǒng)與方法。因此，本發(fā)明的第一方面公開了一種用于晶片檢查的方法。該方法包括使光大體 上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，其 中，晶片的第一表面和第二表面大體上向外相對(outwardly opposing)，并且大體上平行 于一個平面延伸。該方法還包括使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿 著第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，第一軸關于沿著該平面延伸的參考軸與第二軸偏離 開一角度。更具體來講，第一軸在該平面上的正投影與第二軸在該平面上的正投影大體上 平行，并且，第一軸和第二軸在該平面上的正投影都與該參考軸大體上垂直。本發(fā)明的第二方面公開了一種裝置，該裝置包括第一光源，該第一光源使光大體 上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，其 中，晶片的第一表面和第二表面大體上向外相對，并且大體上平行于一個平面延伸。該裝置 還包括第二光源，該第二光源使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著 第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，第一軸關于沿著該平面延伸的參考軸與第二軸偏離開 一角度。更具體來講，第一軸在該平面上的正投影與第二軸在該平面上的正投影大體上平 行，并且，第一軸和第二軸在該平面上的正投影都與該參考軸大體上垂直。


以下參照附圖來公開本發(fā)明的實施方式，圖中圖Ia示出了用于檢查太陽能晶片的常規(guī)系統(tǒng)，而圖Ib是太陽能晶片的放大截面 圖；圖2示出了太陽能晶片的多晶結構；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的檢查方法；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的檢查裝置；圖fe是圖4的裝置沿χ軸的側視圖，圖恥是太陽能晶片的放大截面圖，圖5c是 表現(xiàn)出非垂直微小裂紋的太陽能晶片的立體圖6a至圖6c是由圖4的裝置獲得的微小裂紋的圖像；圖7示出了在對由圖4的裝置獲得的微小裂紋的圖像進行處理時所涉及的四個處 理；圖8示出了由圖4的裝置獲得的微小裂紋圖像的合并；圖9示出了本發(fā)明的另一個實施方式；圖10示出了本發(fā)明的又一個實施方式；圖11示出了本發(fā)明的再一個實施方式；圖12示出了本發(fā)明的另外又一個實施方式。
具體實施例方式參照附圖，以下描述的本發(fā)明的實施方式涉及出于檢查目的產(chǎn)生太陽能晶片的高 對比度圖像，以促進太陽能晶片上的微小裂紋的檢測。產(chǎn)生太陽能晶片的圖像的傳統(tǒng)方法與系統(tǒng)不能生成對比度足夠高的圖像來檢測 太陽能晶片上的微小裂紋。此外，對用于制造太陽能電池的多晶晶片的使用的日益增多加 大了利用前述傳統(tǒng)方法與系統(tǒng)來檢測微小裂紋的難度。為了簡短和清晰，本發(fā)明的以下描述將限于與用于促進被用作制造太陽能電池的 晶片中微小裂紋的檢測的改進系統(tǒng)和方法的應用。然而，這并不是要將本發(fā)明的實施方式 限于促進用于缺陷檢測的其它類型晶片的檢查的其它范圍的應用或排除在外。作為本發(fā)明 實施方式的基礎的基本的發(fā)明原理以及概念將貫穿各種實施方式保持普遍性。以下將根據(jù)附圖中的圖3至圖10所提供的圖解來更詳細地描述本發(fā)明的示例性 實施方式，其中，相同的標號表示相同的元件。下面來描述用于解決前述問題的晶片檢查方法與裝置。該方法與裝置適合于檢查 太陽能晶片以及其它類型的晶片(例如，在制造集成電路芯片時使用的半導體裸晶片或加 工過的晶片)。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的用于檢查晶片(例如，太陽能晶片)的 方法300的流程圖。通常，太陽能晶片中的缺陷(例如，微小裂紋)在太陽能晶片的兩個向 外的相對表面(即，第一表面和第二表面)之間延伸。方法300包括在相對于晶片的表面 某一銳角下使紅外光指向太陽能晶片的第一表面的步驟302。太陽能晶片的第一表面是太 陽能晶片的下面(lower side)。方法300還包括沿著第一軸從太陽能晶片的第二表面接收紅外光的步驟304，其 中，太陽能晶片的第二表面與太陽能晶片的第一表面大體上向外相對。太陽能晶片的第二 表面是晶片的上面(upper side)。方法300還包括步驟306，其中，基于沿著第一軸從晶片的第二表面所接收的紅外 光來形成太陽能晶片的第二表面的第一圖像。該方法還包括步驟308，其中，沿著第二軸從晶片的第二表面接收紅外光。具體地 來講，第一軸在太陽能晶片的第一表面或第二表面上的正投影與第二軸在太陽能晶片的第 一表面或第二表面上的正投影大體上垂直。另選地，第一軸在太陽能晶片的第一表面或第二表面上的正投影與第二軸在太陽 能晶片的第一表面或第二表面上的正投影大體上平行并且重合。
方法300還包括步驟310，其中，基于沿著第二軸從晶片的第二表面所接收的紅外 光來形成太陽能晶片的第二表面的第二圖像。方法300還包括將第一圖像與第二圖像重疊 以獲得第三圖像的步驟312，其中，可以對第三圖像進行處理以檢查晶片從而識別太陽能晶 片上的缺陷。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，參照圖4來描述用于檢查的裝置100，圖4示出了 根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的裝置100的立體圖。優(yōu)選地，裝置100用于實現(xiàn)用于前述的檢 查太陽能晶片的方法300。以下對裝置100的描述是參照三維坐標系的X軸、y軸、Z軸來 進行的。χ軸與y軸沿著傳送太陽能晶片的平面延伸并與其重合。裝置100包括計算機102、第一成像裝置104以及第二成像裝置106。優(yōu)選地，第 一成像裝置104與第二成像裝置106是逐行掃描成像照相機，并且連接至計算機102。將第 一成像裝置104與第二成像裝置106所捕獲的圖像發(fā)送至計算機102進行圖像分析。裝置100還包括照明組件(light assembly)，該照明組件包括第一光源108和第 二光源110。優(yōu)選地，第一光源108與第二光源110發(fā)射可以由第一成像裝置104與第二成 像裝置106檢測到的紅外光。更具體地講，相對于第一成像裝置104與第二成像裝置106 來放置第一光源108與第二光源110，以使紅外光分別指向第一成像裝置104與第二成像裝 置 106。傳送系統(tǒng)112用來運輸要由裝置100來進行檢查的太陽能晶片114。傳送系統(tǒng)112 具有第一部分116和第二部分118。傳送系統(tǒng)112的第一部分116沿著χ軸直線地傳送大 體平坦的太陽能晶片114，而傳送系統(tǒng)112的第二部分118沿著y軸直線地傳送太陽能晶片 114。因此，大體上在χ-y平面上傳送太陽能晶片114。更具體來講，傳送系統(tǒng)112的第一部分116被放置在第一成像裝置104與第一光 源108之間，而傳送系統(tǒng)112的第二部分118被放置在第二成像裝置106與第二光源110 之間。隨著傳送系統(tǒng)112的第一部分116沿著χ軸傳送太陽能晶片114，第一光源108發(fā) 射紅外光并且使紅外光大體上以銳角θ指向太陽能晶片114的下表面。針對與太陽能晶 片114垂直的ζ軸來配置第一成像裝置104，以捕獲沿著第一軸107從第一光源108發(fā)射的 紅外光。這樣，裝置100就能夠捕獲并提供太陽能晶片114沿著χ軸的第一圖像。同樣地，隨著傳送系統(tǒng)112的第二部分118接過來自第一部分116的太陽能晶片 114并且沿著y軸傳送太陽能晶片114，第二光源110發(fā)射紅外光并且使紅外光大體上以銳 角θ指向太陽能晶片114的下表面。針對與太陽能晶片114垂直的ζ軸來配置第二成像 裝置106，以捕獲沿著第二軸109從第二光源110發(fā)射的紅外光。這樣，裝置100就能夠捕 獲并提供太陽能晶片114沿著y軸的第二圖像。具體來講，第一軸107在x-y平面上的正 投影與第二軸109在x-y平面上的正投影大體上垂直。參照圖fe，第一成像裝置104和第二成像裝置106相對于第一光源108和第二光 源110的傾斜配置使得裝置100所捕獲的圖像能夠顯示出較高對比度的微小裂紋500。圖 5b是圖fe的點B處的太陽能晶片114的放大截面圖。微小裂紋500靠著(against)太陽 能晶片114的上表面沿著χ軸與y軸延伸。從數(shù)學上來看，由裝置100捕獲的圖像中的微小裂紋500的寬度Wi是晶片厚度tw 以及銳角θ的符合以下數(shù)學關系式的函數(shù)
Wi = twXsin θ例如，太陽能晶片114通常厚度為200μπι。如果銳角θ是30°，則由裝置100捕 獲的圖像中的微小裂紋500的寬度Wi是100 μ m。這有利地增強了微小裂紋500的突出性， 從而促進了裝置100對微小裂紋500的檢測。如果不使用前述的傾斜配置，則出現(xiàn)在圖像中的由傳統(tǒng)方法與裝置檢查到的微小 裂紋500的寬度將為5個像素，這不足以突出到可檢測到的程度。此外，根據(jù)前述的數(shù)學關系式，包含在由裝置100捕獲的圖像中的微小裂紋500的 寬度K與微小裂紋500的實際寬度無關。這意味著裝置100能夠像檢測50 μ m寬的微小 裂紋一樣容易地檢測1 μ m寬的微小裂紋。優(yōu)選地，成像裝置對104、106和光源對108、110產(chǎn)生了微小裂紋500的高對比度 圖像，以促進在太陽能晶片114上沿著χ軸與y軸的微小裂紋500的有效檢測。實際上，微 小裂紋500通常在所有方向上都隨機地延伸。具體來講，大部分微小裂紋500 —般并不垂直于太陽能晶片114的上表面與下表 面而延伸。反之，如圖5c所示，大部分微小裂紋500在上表面與下表面之間延伸時都與上 表面和下表面的法線偏離一定的角度。優(yōu)選地，微小裂紋500在由裝置100捕獲的太陽能晶片114的圖像中表現(xiàn)為暗線。 另選地，微小裂紋500在太陽能晶片114的相同圖像中表現(xiàn)為亮線。裝置100有利地產(chǎn)生 微小裂紋500的高對比度圖像，以促進微小裂紋500的檢測。圖6a示出了當?shù)谝怀上裱b置104與第二成像裝置106相對于太陽能晶片114垂 直放置時由裝置100捕獲的微小裂紋500的第一視圖600。所示出的微小裂紋500具有大 體恒定的寬度。圖6b與圖6c分別是第一成像裝置104沿著χ軸捕獲的微小裂紋500的第 二視圖和第二成像裝置106沿著y軸捕獲的微小裂紋500的第三視圖。第二視圖602與第三視圖604都示出了其中的微小裂紋500沿著各自的裂紋方向 具有變化的線寬。當微小裂紋視圖602與604中的任一個被用于檢查目的時，微小裂紋500 有可能沒有被檢測為單獨的裂紋，而是被檢測為幾個較短的微小裂紋。在此情況下，如果微 小裂紋500過于頻繁地改變方向并且僅產(chǎn)生了比裝置100的用戶所設定的控制界限更短的 裂紋段，則微小裂紋500甚至可以全部逃過檢測。本發(fā)明使用可在計算機102中執(zhí)行的應用軟件來避免檢測不到微小裂紋500。如圖7所示，第一成像裝置104沿著χ軸獲得太陽能晶片114的第一圖像700，并 且，第二成像裝置106沿著y軸獲得太陽能晶片114的第二圖像702。第一圖像700與第 二圖像702都被發(fā)送至計算機112，在那里，第一處理704將第一圖像700相對于第二圖像 702作旋轉，使得圖像700與圖像702 二者具有相同的取向。第二處理706修正旋轉后的第一圖像700，以針對全景(perspective)與數(shù)量 (scalar)差異在位置上登記(positionally register)旋轉后的第一圖像700與第二圖 像702，并且產(chǎn)生修正后的第一圖像700。在第三處理708中，通過算術函數(shù)(例如，最小函 數(shù))將修正后的第一圖像700及第二圖像702進行重疊，以產(chǎn)生最終處理后的圖像710。然 后，利用第四處理712來分析最終處理后的圖像710，以檢測太陽能晶片114上的微小裂紋 500。第四函數(shù)712包括二值化和分段函數(shù)(segmentation function)以分析并檢測最終 處理后的圖像710上的微小裂紋。
圖8示出了最終處理后的圖像710中的微小裂紋800，它是通過將圖6b的第一視 圖與圖6c的第二視圖進行組合而得到的。出現(xiàn)在最終處理后的圖像710中的微小裂紋800 具有相同的寬度并且足夠突出可以由圖像分析處理進行檢測。圖9示出了本發(fā)明的另一實施方式。鄰近太陽能晶片114放置了光學單元或反射 鏡900，以使透射過太陽能晶片114的紅外光轉向第一成像裝置104或第二成像裝置106。 有利地，反射鏡900允許第一成像裝置104或第二成像裝置106相對于太陽能晶片114放 置在不同的角度下，以經(jīng)由太陽能晶片114接收來自第一光源108或第二光源110的紅外光。如圖10所示，將第二成像裝置106重新放置在新的位置，使得第一成像裝置104 與第二成像裝置106共用一個公共的光源(例如，第一光源108)。這種結構有助于滿足裝 置100的特定設計約束，或者在安裝傳送系統(tǒng)112的第二部分時受到的空間限制。圖11示出了本發(fā)明的另一實施方式。第二成像裝置106和第二光源110被重新 排布并沿著傳送系統(tǒng)112的第一部分116放置。傳送系統(tǒng)112的第一部分116在第二成像 裝置106與第二光源110之間移動。更具體來講，將第二成像裝置106布置為關于相對于 第一成像裝置104的對稱面(未示出)對稱。同樣地，將第二光源110布置為關于相對于 第一光源108的對稱面對稱。對稱面與ζ-y平面平行，并且與傳送太陽能晶片114的平面 垂直。參考軸111沿著對稱面與傳送太陽能晶片114的平面的交線(intersection)延伸。 在本發(fā)明的該實施方式中，不需要傳送系統(tǒng)112的第二部分118。與本發(fā)明的示例性實施方式相似的是，沿著χ軸傳送太陽能晶片114。第一光源 108發(fā)射紅外光并且使紅外光大體上以銳角θ沿著第一軸107指向太陽能晶片114的下表 面。然后，第一成像裝置104沿著第一軸107捕獲從太陽能晶片114的上表面發(fā)出的紅外 光。太陽能晶片114在傳送系統(tǒng)112的第一部分116上沿著χ軸移動，直到第一成像裝置 104完成太陽能晶片114的第一圖像的捕獲。此后，太陽能晶片114朝向第二成像裝置106和第二光源110移動。同樣地，第二 光源110發(fā)射紅外光并且使紅外光大體上以銳角Θ沿著第二軸109指向太陽能晶片114 的下表面。然后，第二成像裝置106沿著第二軸109捕獲從太陽能晶片114的上表面發(fā)出 的紅外光。更具體來講，第一軸107關于參考軸111與第二軸109偏離開某個角度，其中，參 考軸111沿著傳送太陽能晶片114的平面延伸。第一軸107和第二軸109的正投影與參考 軸111大體上垂直。接著，太陽能晶片114在傳送系統(tǒng)112的第一部分116上沿著χ軸移動，直到第二 成像裝置106完成太陽能晶片114的第二圖像的捕獲。將相應的第一成像裝置104和第二 成像裝置106所捕獲的第一圖像和第二圖像發(fā)送至計算機102，利用前述的應用軟件進行 圖像分析以檢測微小裂紋500。在如圖12所示的本發(fā)明的另一個實施方式中，在傳送系統(tǒng)112的第一部分116和 第二部分118上各配置了另外一組成像裝置和光源。具體來講，將如圖11所示的本發(fā)明前 述的實施方式復制到傳送系統(tǒng)112的第二部分118上，使得裝置100還包括第三成像裝置 103和第四成像裝置105以及第三光源113和第四光源115。與前面如圖11所示的本發(fā)明實施方式一樣，太陽能晶片114首先通過傳送系統(tǒng)112的第一部分116沿著χ軸進行傳送，以由第一成像裝置104和第二成像裝置106分別捕 獲太陽能晶片114的第一圖像和第二圖像。然后，通過傳送系統(tǒng)112的第二部分118沿著 y軸將太陽能晶片114朝向第三成像裝置103和第三光源113傳送。第三光源113發(fā)射紅外光并且使紅外光大體上以銳角θ指向太陽能晶片114的 下表面，而第三成像裝置103從太陽能晶片114的上表面捕獲紅外光。第三成像裝置103 捕獲太陽能晶片114的第三圖像。然后，繼續(xù)沿著y軸在傳送系統(tǒng)112的第二部分118上移動太陽能晶片114，其中， 第四光源115發(fā)射紅外光并且使紅外光大體上以銳角θ指向太陽能晶片114的下表面，同 時，第四成像裝置105從太陽能晶片114的上表面獲取紅外光。第四成像裝置105捕獲太 陽能晶片114的第四圖像。將太陽能晶片114的第三圖像與第四圖像連同第一圖像及第二圖像發(fā)送至計算 機102，利用前述的應用軟件進行圖像分析以檢測微小裂紋500。裝置100所捕獲的這四個 圖像的益處在于允許大體上檢測到相對于太陽能晶片上表面及下表面為任意方向的微小 裂紋。通過上述方式描述了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的晶片檢查裝置與方法，以解決 進行檢查的傳統(tǒng)方法的前述缺點。雖然僅公開了本發(fā)明的少數(shù)實施方式，但是本領域技術 人員鑒于本公開可以想到的是，可以在不脫離本發(fā)明的范圍與主旨的情況下，可以進行許 多改變和/或修正以迎合更寬范圍的孔尺寸和高度。
權利要求
1.一種進行晶片檢查的方法，該方法包括以下步驟使光大體上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第一軸從晶片的第二表面 發(fā)出的光，其中，晶片的第一表面和第二表面大體上向外相對，并且大體上平行于一個平面 延伸；以及使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第二軸從晶片的第二表面 發(fā)出的光，第一軸關于沿著所述平面延伸的參考軸與第二軸偏離開一角度，其中，第一軸在所述平面上的正投影與第二軸在所述平面上的正投影大體上平行，并 且，第一軸和第二軸在所述平面上的正投影都與所述參考軸大體上垂直。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟基于大體上沿著第一軸從晶 片的第二表面發(fā)出的光來形成第一表面的第一圖像，晶片中形成有裂紋，第一圖像包含該 裂紋的至少一個第一部分；以及基于大體上沿著第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光來形成 第一表面的第二圖像，第二圖像包含該裂紋的至少一個第二部分。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，該方法還包括以下步驟基于所述裂紋的所述至少一 個第一部分和所述至少一個第二部分、根據(jù)第一圖像和第二圖像來構建第三圖像，能對第 三圖像大體上進行處理，以檢查晶片中的所述裂紋。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，該方法還包括以下步驟將第一圖像和第二圖像重疊， 由此獲得第三圖像。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，使光大體上沿著第一軸指向晶片的第一表面的 步驟包括使光按照大體上與所述平面成銳角的方式指向晶片的第一表面。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面的 步驟包括使光按照大體上與所述平面成銳角的方式指向晶片的第一表面。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，使光大體上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由 此獲得沿著第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光的步驟包括沿著第一軸在所述平面上的正 投影來傳送晶片。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由 此獲得沿著第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光的步驟包括沿著第二軸在所述平面上的正 投影來傳送晶片。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟提供第一成像裝置，以捕獲沿 著第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟提供第二成像裝置，以捕獲 沿著第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光。
11.一種裝置，該裝置包括第一光源，其使光大體上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第一軸從晶 片的第二表面發(fā)出的光，其中，晶片的第一表面和第二表面大體上向外相對，并且大體上平 行于一個平面延伸；以及第二光源，其使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第二軸從晶 片的第二表面發(fā)出的光，第一軸關于沿著所述平面延伸的參考軸與第二軸偏離開一角度，其中，第一軸在所述平面上的正投影與第二軸在所述平面上的正投影大體上平行，并 且，第一軸和第二軸在所述平面上的正投影都與所述參考軸大體上垂直。
12.根據(jù)權利要求11所述的裝置，該裝置還包括第一成像裝置，用于基于大體上沿著 第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光來形成第一表面的第一圖像，晶片中形成有裂紋，第一 圖像包含該裂紋的至少一個第一部分。
13.根據(jù)權利要求11所述的裝置，該裝置還包括第二成像裝置，用于基于大體上沿著 第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光來形成第一表面的第二圖像，第二圖像包含所述裂紋的 至少一個第二部分。
14.根據(jù)權利要求11所述的裝置，該裝置還包括計算機，用于基于所述裂紋的所述至 少一個第一部分和所述至少一個第二部分、根據(jù)第一圖像和第二圖像來構建第三圖像，該 計算機能對第三圖像大體上進行處理，以檢查晶片中的所述裂紋。
15.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其中，所述計算機將第一圖像和第二圖像重疊，由此獲得第三圖像。
16.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，第一光源按照大體上與所述平面成銳角的方 式將光指向晶片的第一表面。
17.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，第二光源按照大體上與所述平面成銳角的方 式將光指向晶片的第一表面。
18.根據(jù)權利要求11所述的裝置，該裝置還包括傳送系統(tǒng)，用于沿著第一軸在所述平 面上的正投影來傳送晶片。
19.根據(jù)權利要求18所述的裝置，其中，所述傳送系統(tǒng)沿著第二軸在所述平面上的正 投影來傳送晶片。
20.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其中，第一軸在所述平面上的正投影與第二軸在所 述平面上的正投影大體上重合。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片檢查的方法和裝置。該方法和裝置包括使光大體上沿著第一軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第一軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，其中，晶片的第一表面和第二表面大體上向外相對，并且大體上平行于一個平面延伸。該方法和裝置還包括使光大體上沿著第二軸指向晶片的第一表面，由此獲得沿著第二軸從晶片的第二表面發(fā)出的光，第一軸關于沿著該平面延伸的參考軸與第二軸偏離開一角度。更具體來講，第一軸在該平面上的正投影與第二軸在該平面上的正投影大體上平行，并且，第一軸和第二軸在該平面上的正投影都與該參考軸大體上垂直。
文檔編號H01L21/66GK102113106SQ200980130445
公開日2011年6月29日 申請日期2009年5月15日 優(yōu)先權日2008年11月25日
發(fā)明者曾淑玲 申請人:布魯星企業(yè)私人有限公司