專利名稱：用于生產(chǎn)具有低泄漏電流的電解電容器的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)具有低泄漏電流(也稱為殘留電流)的電解電容器的新 穎工藝、通過該工藝生產(chǎn)的電解電容器以及還有對(duì)這種電解電容器的使用。
背景技術(shù)：
固態(tài)電解電容器通常包括多孔金屬電極、位于金屬表面上的氧化物層、被引 入到多孔結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電固體、諸如銀層或陰極箔之類的外電極以及還有另外的電接觸 (contact)和封裝。位于金屬表面上的氧化物層被稱作電介質(zhì)，其中所述電介質(zhì)和多孔金屬 電極共同形成電容器陽極。電容器陰極由引入到多孔結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電固體形成。固態(tài)電解電容器的實(shí)例有具有電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物、二氧化錳或聚合物固體電解質(zhì) (陰極的電極材料)的鉭、鋁、鈮和低價(jià)鈮氧化物(niobium suboxide)電容器(陽極的電極材 料)。當(dāng)鉭、鈮和低價(jià)鈮氧化物被用作多孔電極材料時(shí)，通過擠壓相應(yīng)的金屬粉末來生產(chǎn)電 極體。在這里，所使用的金屬粉末可以摻雜有異類原子(foreign atom)。在擠壓之后，在高 溫下燒結(jié)陽極。在鋁電容器的情況下，使用鋁箔而不是粉末，并且所述鋁箔被切割成形成電 極體的尺寸。使用多孔體的優(yōu)點(diǎn)在于，由于表面積大，因此可以實(shí)現(xiàn)非常高的電容密度，即 在很小空間內(nèi)有很高電容。為此原因并且還由于與之相關(guān)聯(lián)的重量?jī)?yōu)點(diǎn)，結(jié)果所得的固態(tài) 電解電容器被用在移動(dòng)電子電器(包括用于通信、導(dǎo)航、移動(dòng)音樂、攝影和視頻電器以及移 動(dòng)游戲機(jī))中。特別地，由鉭、鈮和低價(jià)鈮氧化物粉末制成的電容器的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，其高 可靠性與其體積效率相結(jié)合已擴(kuò)展到醫(yī)療技術(shù)(例如助聽器)以作為一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。由于其高電導(dǎo)率，π共軛聚合物特別適用為固態(tài)電解質(zhì)。η共軛聚合物也被稱作 導(dǎo)電聚合物或合成金屬。由于聚合物在可加工性、重量以及通過化學(xué)改性(modification) 實(shí)現(xiàn)屬性的目標(biāo)設(shè)定等方面優(yōu)于金屬，因此它們?cè)诮?jīng)濟(jì)上獲得越來越多的重要性。已知的 η共軛聚合物的實(shí)例有聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚亞苯基以及聚對(duì)亞苯基亞乙烯 (poly (p-phenylene-vinylene))，其中特別重要的工業(yè)用聚噻吩是聚_3，4_乙烯-1，2_ 二 氧噻吩(poly-3，4-(ethylene-l, 2-dioxy) thiophene)(其常常也被稱作聚 _3，4_ 乙烯二氧 噻吩(poly (3，4-ethylenedioxythiophene))，這是因?yàn)槠湓谘趸问较戮哂蟹浅８叩碾妼?dǎo) 率和高熱穩(wěn)定性?，F(xiàn)今的固態(tài)電解電容器不僅需要低等效串聯(lián)電阻(ESR)，而且在外部應(yīng)力下還需 要低泄漏電流和良好的穩(wěn)定性。特別在生產(chǎn)工藝期間，在封裝電容器陽極期間會(huì)出現(xiàn)高機(jī) 械應(yīng)力，并且這些可能會(huì)顯著增大電容器陽極的泄漏電流。特別地，借助于電容器陽極上的大約5 - 50 μ m厚的導(dǎo)電聚合物外層可以實(shí)現(xiàn)所 述應(yīng)力下的穩(wěn)定性，并且因此實(shí)現(xiàn)低泄漏電流。這樣的一層充當(dāng)電容器陽極與陰極側(cè)接 觸之間的機(jī)械緩沖。這樣例如防止所述銀層(接觸)在機(jī)械負(fù)荷下與電介質(zhì)發(fā)生(coming into)直接接觸或者損壞后者，并且因此防止增大電容器的泄漏電流。氧化物層(電介質(zhì)) 的質(zhì)量是在電容器中發(fā)生泄漏電流的基本決定因素。如果在這里存在缺陷，則通過本應(yīng)阻 斷陽極電流的氧化物層形成導(dǎo)電路徑。導(dǎo)電聚合物外層本身應(yīng)當(dāng)具有自愈屬性盡管有緩
3沖作用，但是在陽極外表面上的電介質(zhì)中仍然可能出現(xiàn)相對(duì)較小的缺陷，由于所述缺陷處 的電流會(huì)破壞所述外層的電導(dǎo)率，從而可以將所述缺陷電絕緣。EP 1524678描述了一種具有低ESR和低泄漏電流并且包含聚合物外層的固態(tài)電 解電容器，所述聚合物外層包含導(dǎo)電聚合物、聚合物陰離子以及粘合劑。導(dǎo)電聚合物被用作 固態(tài)電解質(zhì)，并且鉭陽極被描述為實(shí)例中的陽極。WO 2007/031206公開了對(duì)應(yīng)于EP 1524678中的固態(tài)電解電容器的固態(tài)電解電容 器，其中所述固態(tài)電解質(zhì)的粒子由包括平均直徑為1 一 IOOnm的粒子并且電導(dǎo)率大于IOS/ cm的導(dǎo)電聚合物形成。在這里描述了具有低ESR和低泄漏電流的基于鉭、鈮或低價(jià)鈮氧化 物的聚合物固態(tài)電解質(zhì)。在前面提到的具有低泄漏電流的固態(tài)電解電容器中，聚合物外層和/或聚合物固 態(tài)電解質(zhì)的成分對(duì)泄漏電流的量值有影響，也就是說可以借助于固態(tài)電解質(zhì)的陰極來減小 泄漏電流。除了經(jīng)由陰極側(cè)影響泄漏電流的量值之外，還有可能經(jīng)由固態(tài)電解電容器的陽極 側(cè)影響泄漏電流的量值。但是，迄今為止還不可能生產(chǎn)例如在其中把導(dǎo)電聚合物用作陰極 材料并且特別包含鈮或低價(jià)鈮氧化物作為陽極材料且還具有低泄漏電流的固態(tài)電解電容
O因此需要新的工藝來生產(chǎn)出可以被用于生產(chǎn)具有低泄漏電流的固態(tài)電解電容器 的電容器陽極。在這些固態(tài)電解電容器中，泄漏電流的量值例如與是二氧化錳還是聚合物 固態(tài)電解質(zhì)被用作電容器陰極無關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供上述工藝以及可以利用所述工藝生產(chǎn)出的固態(tài)電 解電容器。令人吃驚的是，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，以下做法可以得到適于生產(chǎn)具有低泄漏電流的固 態(tài)電解電容器的電容器陽極借助于擠壓工具來擠壓或切割閥(valve)金屬粒子或者其屬 性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锏牧Ｗ?，以便生產(chǎn)出形成電容器陽極的多孔電極體，其中制成所 述擠壓工具的材料表現(xiàn)出與相應(yīng)的陽極材料相比低的損耗(wear)，或者其構(gòu)成材料與陽極 材料相同。本發(fā)明相應(yīng)地提供一種用于生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔?的電容器陽極的工藝，這是通過擠壓或切割閥金屬粒子或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔?的粒子以便生產(chǎn)出多孔電極體而實(shí)現(xiàn)的，其特征在于，所述擠壓或切割工具由以下材料制 成或者涂覆有以下材料金屬碳化物、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物、碳氮化物或者其合 金，陶瓷材料，硬化和/或合金鋼，或者在具體情況中使用的電容器陽極材料。出于本發(fā)明的目的，閥金屬是其氧化物層不允許電流在兩個(gè)方向上以相等程度流 動(dòng)的金屬在陽極施加電壓的情況下，閥金屬的氧化物層阻斷電流的流動(dòng)，而在陰極施加電 壓的情況下，會(huì)出現(xiàn)可以破壞氧化物層的大電流。閥金屬包括Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和W以及這些金屬當(dāng)中的至少一種與其他元素的合金或化合物。最為 人知的代表性閥金屬有Al、Ta和Nb。其電屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锸蔷哂薪饘匐妼?dǎo)率 并且可被氧化的化合物，并且其氧化物層具有上述屬性。舉例來說，NbO具有金屬電導(dǎo)率，但是其通常不被視為閥金屬。但是，經(jīng)過氧化的NbO層表現(xiàn)出閥金屬氧化物層的典型屬性， 因此NbO以及NbO與其他元素的合金或化合物是其電屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)乃龌衔锏牡?型實(shí)例。優(yōu)選地給出使用基于鋁、鉭、鈮、氧化鈮或低價(jià)鈮氧化物的電容器陽極。當(dāng)電容器陽極基于鈮、氧化鈮或低價(jià)鈮氧化物時(shí)，其優(yōu)選地包括鈮、NbO、低價(jià)鈮氧 化物NbOx (其中χ可以是從0. 8到1. 2)、氮化鈮、氮氧化鈮(niobium oxynitride)、這些材 料的混合或者這些材料當(dāng)中的至少一種與其他元素的合金或化合物。如果電容器陽極基于 鉭，其優(yōu)選地包括鉭、氮化鉭或者氮氧化鉭。優(yōu)選的合金是包含至少一種閥金屬的合金，所述閥金屬比如Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、 Sb、Bi、Ti、&、Hf、V、Nb、I1a和W。相應(yīng)地，術(shù)語“可氧化金屬”不僅包括金屬，而且還包括金 屬與其他元素的合金或化合物，只要其具有金屬電導(dǎo)率或者可氧化即可。用于本發(fā)明的工藝的擠壓或切割工具可以由金屬碳化物、氧化物、硼化物、氮化物 或硅化物制成。適當(dāng)?shù)慕饘偬蓟?、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物是金屬鎢、鈦、鉬、鉭、 鈮、鉻或釩的碳化物、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物。上述金屬的合金也適用于生產(chǎn)所述 擠壓或切割工具。出于本發(fā)明的目的，所述擠壓或切割工具還可以由陶瓷材料制成，其中所述陶瓷 材料基于氧化物(比如鈦酸鋁、氧化鋯增強(qiáng)的氧化鋁或其他彌散(dispersion)陶瓷、氧化 鋁、氧化鎂、氧化鋯或二氧化鈦)；氮化物(比如氮化硼、氮化硅或氮化鋁)；或者碳化物(比如 碳化硅或碳化硼)。但是，這些擠壓或切割工具也可以基于硼化物、硅化物或復(fù)合陶瓷。前面提到的制成擠壓或切割工具的材料被定義為低損耗，也就是說與所使用的粉 末中的濃度相比，其在所擠壓或切割的電容器陽極的表面上的濃度僅僅高300ppm，優(yōu)選地 高lOOppm，更優(yōu)選地高50ppm，非常優(yōu)選地高lOppm，特別優(yōu)選地高lppm。出于本發(fā)明的目的，可以如下生產(chǎn)電容器陽極
首先，例如借助于前面提到的擠壓工具把閥金屬粉末擠壓到從1. 5到5gCnT3(基于鈮的 粉末)或者從3. 5到9gcm_3(基于鉭的粉末)的擠壓密度以便形成生坯(green body)，其中所 選的擠壓密度取決于所使用的粉末。隨后在>1000°C的溫度下燒結(jié)所述生坯。然后例如通 過電化學(xué)氧化(活化)用電介質(zhì)(即氧化物層)涂覆以這種方式獲得的電極體。在這里，通過 施加電壓利用適當(dāng)?shù)碾娊赓|(zhì)(例如磷酸)氧化多孔電極體。該活化電壓的量值取決于將要實(shí) 現(xiàn)的氧化物層厚度或者電容器的未來使用電壓。優(yōu)選的活化電壓是從1到300V，特別優(yōu)選 地從1到80V。這些多孔電極體的平均孔直徑是從10到lOOOOnm，優(yōu)選地從50到5000nm， 特別優(yōu)選地從100到3000nm?？梢愿鶕?jù)下面的公式來定義陽極體
(電容[C] X活化電壓[V])/電極體的重量[g]
當(dāng)電容器陽極例如包括鋁時(shí)，使用切割工具而不是擠壓工具。當(dāng)使用切割工具時(shí)，如下 生產(chǎn)電容器陽極例如通過電化學(xué)氧化用電介質(zhì)(即氧化物層)來涂覆鋁箔。隨后把所述箔 切成條(Strip)。首先將這些條中的兩條連接到接觸線(contact wire)，并且隨后利用作為 分隔層的紙條或織物(textile)條卷起，從而形成陽極體。所述兩個(gè)鋁條在這里代表電容 器的陽極和陰極，而中間的條則充當(dāng)間隔物(spacer)。制造鋁電容器的另一種可能方式是 例如通過電化學(xué)氧化用電介質(zhì)(即氧化物層)涂覆已被切割成一定尺寸的鋁條，并且隨后將其結(jié)合在一起成為層疊以形成電容器體。在這里同樣把接觸帶到外部。此外，還令人吃驚的是發(fā)現(xiàn)，通過在擠壓或切割之后、或者在燒結(jié)之后或者另外只 在已施加了氧化物層之后立即用絡(luò)合劑、氧化劑、Bransted堿(base)或Bransted酸對(duì)電容 器陽極進(jìn)行處理(浸漬工藝)，同樣可以顯著減小電容器陽極的泄漏電流。在這里，可以在三 個(gè)工藝步驟當(dāng)中的每一個(gè)之后都實(shí)施針對(duì)電容器陽極的浸漬工藝，即在擠壓或切割之后、 在燒結(jié)之后或者在活化之后實(shí)施，或者只在這些工藝步驟的兩個(gè)的情況下或者只在這些工 藝步驟的之一之后實(shí)施所述浸漬工藝。因此，本發(fā)明還提供一種用于生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔?的電容器陽極的工藝，其特征在于，利用從包括以下各項(xiàng)的一組當(dāng)中選擇的化合物對(duì)多孔 陽極體進(jìn)行處理絡(luò)合劑、氧化劑、Br0nsted堿和Bransted酸。適當(dāng)?shù)慕j(luò)合劑例如是基于草酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸或胺的物質(zhì)。由于其絡(luò)合能 力，通常利用諸如EDTA (乙二胺四乙酸)、DTPA (二乙烯三胺五乙酸)、HEDTA (羥乙基乙二胺 三乙酸)、NTA (氮川三醋酸)、EDTA-Na2 (乙二胺四乙酸二鈉鹽)、⑶TA (環(huán)已烷二胺四醋酸)、 EGTA (乙二醇雙(2-氨基乙基醚)四乙酸)、TTHA (三亞乙基四胺六乙酸)或DTA (二胺四乙 酸)之類的物質(zhì)，其在一個(gè)分子中組合多種絡(luò)合功能。適用于本發(fā)明的目的的氧化劑有氟、氯、溴、碘、氧、臭氧、過氧化氫(H2O2)、氟化氧、 過碳酸鈉、過渡金屬的含氧陰離子(比如高錳酸鹽Μη04_或重鉻酸鹽Cr2072_)、諸如溴酸鹽 BrO3-之類的鹵素含氧酸的陰離子、諸如Ce4+之類的金屬離子或者貴金屬離子(例如銀離子 或銅離子)。術(shù)語Bransted酸指代充當(dāng)質(zhì)子供體的化合物，并且術(shù)語Bransted堿指代充當(dāng)質(zhì) 子受體的化合物。Bransted堿的實(shí)例有堿和堿土金屬的氫氧化物(比如氫氧化鈉和氫氧化 鈣)以及氨的水溶液，并且Bransted酸的實(shí)例有氫氟酸(HF)、鹽酸(HC1)、硝酸(NHO3)、硫酸 (H2S04)、磷酸(Η3Ρ04)、碳酸^2CO3)以及還有諸如乙酸之類的有機(jī)酸。出于本發(fā)明的目的，所述絡(luò)合劑、氧化劑、Br0nsted堿或Bransted酸以液體或溶 液形式存在。所述氧化劑還能夠以氣體形式存在，即例如可以把臭氧和氟用作氣體氧化劑。 如果使用氣體氧化劑，則有可能使用純氣體、例如用氮?dú)庀♂尩臍怏w或者兩種不同氣體氧 化劑的混合物。還有可能使用至少兩種不同Bransted酸、至少兩種不同Bransted堿、至少 兩種不同氧化劑、或者至少兩種不同絡(luò)合劑的混合物。絡(luò)合劑、氧化劑、Bransted堿或Bransted酸的濃度優(yōu)選地處于從0. OOlM到IOM的 范圍內(nèi)，更加優(yōu)選地處于從0. OlM到8M的范圍內(nèi)、非常優(yōu)選地處于從0. IM到5M的范圍內(nèi)， 并且特別優(yōu)選地處于從0. 5M到2M的范圍內(nèi)。此外還令人吃驚地發(fā)現(xiàn)，通過在擠壓并燒結(jié)電容器陽極之后以及在施加了氧化物 層之后利用作為液體存在或存在于溶液中的有機(jī)鉭化合物對(duì)電容器陽極進(jìn)行處理(浸漬工 藝)，也可以顯著減小電容器陽極的泄漏電流。因此，本發(fā)明還提供一種用于生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔?的電容器陽極的工藝，其特征在于，利用作為液體存在或存在于溶液中的有機(jī)鉭化合物對(duì) 活化的陽極體進(jìn)行處理。在這里，有利的是所述液體有機(jī)鉭化合物或其溶液的含水量盡可能低，即含水量 少于按重量的1%，優(yōu)選地少于按重量的0. 5%，特別優(yōu)選地少于按重量的0. 1%。
當(dāng)存在于溶液中時(shí)，在使用時(shí)處于液體形式的有機(jī)鉭化合物的濃度處于從0. OOlM 到IOM的濃度范圍內(nèi)，優(yōu)選地處于從0. OlM到6M的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選地處于從0. IM到3M 的范圍內(nèi)，或者當(dāng)其以液體形式存在時(shí)還可以使用純有機(jī)鉭化合物。特別有利的是，在浸漬工藝期間只有電容器陽極的最外區(qū)域與有機(jī)鉭化合物發(fā)生 接觸，這是因?yàn)榱钊顺泽@的是，在這一程序中只損失很少的總電容。這一點(diǎn)可以通過在用有 機(jī)鉭化合物進(jìn)行處理之前用質(zhì)子液體(例如水)或非質(zhì)子液體(例如乙腈)填充電極體的多 孔結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)。作為有機(jī)鉭化合物，例如有可能使用鉭醇鹽，比如乙醇鉭、酰胺鉭或草酸鉭。本發(fā)明還提供通過本發(fā)明的工藝生產(chǎn)的電容器陽極。本發(fā)明的電容器陽極適用于 生產(chǎn)具有低泄漏電流的固態(tài)電解電容器。本發(fā)明的固態(tài)電解電容器可以被用作電子電路中 的組件，比如作為濾波電容器或去耦電容器。因此，本發(fā)明還提供這些電子電路。優(yōu)選地給 出例如存在于以下各項(xiàng)當(dāng)中的電子電路計(jì)算機(jī)(臺(tái)式、膝上型、服務(wù)器)、計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備 (例如PC卡)、便攜式電子電器(例如移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)或娛樂電子裝置)、用于娛樂電子裝 置的電器(例如CD/DVD播放器和計(jì)算機(jī)游戲機(jī))、導(dǎo)航系統(tǒng)、電信設(shè)施、家用電器、電源或者 汽車電子裝置。
具體實(shí)施例方式下面的實(shí)例用來通過舉例的方式說明本發(fā)明，而不應(yīng)被解釋為限制。實(shí)例 實(shí)例1一 5
在磷酸中，由低價(jià)鈮氧化物粉末制成并且具有60000或80000 μ FV/g( =NbO 60K或80K) 的電容的陽極在35V下活化。隨后在溫度為85°C的水中洗滌一個(gè)小時(shí)以便從陽極洗掉活化 電解質(zhì)，并且隨后在烘箱中在85°C的溫度下把陽極干燥一個(gè)小時(shí)。隨后把按照這種方式生 產(chǎn)的一部分氧化陽極體引入到包含NaOH、H2O2、草酸或HF的浸漬浴(dipping bath)中，即 用這些化合物對(duì)氧化陽極體實(shí)施處理。浸漬工藝的持續(xù)時(shí)間為30或60秒(sec.)。在所述 處理之后，再一次用水沖洗陽極，并且然后再次在85°C下干燥。隨后借助于化學(xué)原位聚合 (polymerization)為按照這種方式獲得的陽極體提供固態(tài)電解質(zhì)(=聚合物固態(tài)電解質(zhì))。 為此目的，制備一種溶液，該溶液包括1份(按重量計(jì))的3，4-乙烯二氧噻吩(Clevios Μ, H. C. Starck GmbH)和20份(按重量計(jì))的按重量的40%濃度(strength)的對(duì)甲苯磺酸鐵 乙酉享溶液(ethanolic solution of iron (III) p-toluene-sulphonate) (Clevios C-ER, H. C. Starck GmbH)。所述溶液被用于浸透(impregnating)陽極體。把陽極體浸泡在該溶液中，并且隨 后在室溫(20°C)下干燥30分鐘。隨后在烘干箱中對(duì)它們進(jìn)行30分鐘的50°C熱處理。隨 后在按重量的2%濃度的對(duì)甲苯磺酸水溶液(aqueous solution of p-toluenesulphonic acid)中把陽極體洗滌一個(gè)小時(shí)。隨后在按重量的0.25%濃度的對(duì)甲苯磺酸水溶液中把電 極體重新活化30分鐘，然后用蒸餾水沖洗并干燥。在這一程序中總共實(shí)施了雙浸透三次。 隨后用石墨和銀涂覆陽極體。在沒有進(jìn)一步處理的情況下用如在前面的工藝中所描述的陰極材料直接浸透其 他氧化陽極體，并且隨后用石墨和銀涂覆。借助于兩點(diǎn)測(cè)量在現(xiàn)在完成但是尚未封裝的電容器上測(cè)量泄漏電流。在這里，在實(shí)例2 - 5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例。
實(shí)例6 (根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例):
通過類似于在實(shí)例1 一 5中描述的工藝的方法生產(chǎn)氧化陽極體(NbO 60K)。然后對(duì)按
8
施加12V電壓之后3分鐘借助于Keithley 199萬用表來確定泄漏電流。在表1并且還有

圖1中示出了泄漏電流的測(cè)量結(jié)果。
表 1
權(quán)利要求
1.用于通過擠壓或切割閥金屬粒子或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锏牧Ｗ右陨a(chǎn) 出多孔電極體來生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锏碾娙萜麝枠O的工藝， 其特征在于，所述擠壓或切割工具由以下各項(xiàng)制成或者涂覆有以下各項(xiàng)金屬碳化物、氧化 物、硼化物、氮化物或硅化物、碳氮化物或者其合金，陶瓷材料，硬化和/或合金鋼，或者在 具體情況中使用的電容器陽極材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于，構(gòu)成所述擠壓或切割工具或者涂覆在多孔電 極體的表面上的材料的含量小于300ppm。
3.用于生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锏碾娙萜麝枠O的工藝，其 特征在于，利用從包括以下各項(xiàng)的組當(dāng)中選擇的化合物對(duì)多孔電極體進(jìn)行處理絡(luò)合劑、氧 化劑、Bransted 堿禾口 Bransted 酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的工藝，其特征在于，所述絡(luò)合劑、氧化劑、Bransted堿或Bransted 酸的濃度處于從0. OOlM到IOM的范圍。
5.用于生產(chǎn)基于閥金屬或者其屬性與閥金屬相當(dāng)?shù)幕衔锏碾娙萜麝枠O的工藝，其 特征在于，利用作為液體存在或存在于溶液中的有機(jī)鉭化合物對(duì)活化的陽極體進(jìn)行處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的工藝，其特征在于，作為液體存在或存在于溶液中的所述有機(jī)鉭 化合物的濃度處于從0. OOlM到10. OM的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中的至少一項(xiàng)的工藝，其特征在于，所述閥金屬或其屬性與閥 金屬相當(dāng)?shù)幕衔锬軌蚴倾g、鈮或低價(jià)鈮氧化物。
8.通過根據(jù)權(quán)利要求1到7中的至少一項(xiàng)的工藝生產(chǎn)的電容器陽極。
9.包含根據(jù)權(quán)利要求8的電容器陽極的固態(tài)電解電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的固態(tài)電解電容器在電子電路中的使用。
11.包含根據(jù)權(quán)利要求9的固態(tài)電解電容器的電子電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)具有低泄漏電流(也稱為殘留電流)的電解電容器的新穎工藝、通過該工藝生產(chǎn)的電解電容器以及還有對(duì)這種電解電容器的使用。
文檔編號(hào)H01G9/052GK102113073SQ200980130400
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月2日
發(fā)明者G·帕辛, H·卡拉布盧特, K·羅伊特, U·默克 申請(qǐng)人:H.C. 施塔克股份有限公司