專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，涉及內(nèi)置有線圈的層疊型的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為內(nèi)置有線圈的現(xiàn)有的電子元器件，例如，已知有專利文獻(xiàn)1所揭示的層疊型 電感元件。該層疊型電感元件包括由內(nèi)部導(dǎo)體構(gòu)成的螺旋狀的導(dǎo)體線圈；第一非磁性體 層，該第一非磁性體層以與上述線圈的線圈軸正交的方式設(shè)置；以及第二非磁性體層，該第 二非磁性體層設(shè)置于內(nèi)部導(dǎo)體間。根據(jù)上述層疊型電感元件，由于以橫切線圈的方式設(shè)置第一非磁性體層，因此使 線圈構(gòu)成開放磁路構(gòu)造。其結(jié)果是，即使層疊型電感元件的電流增大，也不易發(fā)生因磁飽和 所導(dǎo)致的電感值急劇降低。即，層疊電感元件的直流疊加特性提高。然而，在DC-DC變換器中，在低輸出電流區(qū)域和高輸出電流區(qū)域中，有時線圈所需 要的電感值不同。更具體而言，在內(nèi)置有用于DC-DC變換器的線圈的電子元器件中，要求以 下直流疊加特性即，在低輸出電流區(qū)域中可以獲得相對較大的電感值，同時在高輸出電流 區(qū)域中可以獲得較小的電感值。然而，對于專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電感元件，由于即使電流增加也仍保持大 致一定的電感值，因此難以獲得上述那樣的適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的直流疊加特性。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2007-214424號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)置有線圈的電子元器件，上述內(nèi)置有線圈的 電子元器件能夠根據(jù)電流的大小取得不同的電感值，并且能夠抑制因磁飽和所導(dǎo)致的電感 值急劇降低。本發(fā)明的一個實施方式的電子元器件包括層疊體，該層疊體由多個第一絕緣層 層疊而形成；多個線圈電極，該多個線圈電極通過在上述層疊體內(nèi)相互連接而構(gòu)成線圈； 第二絕緣層，該第二絕緣層是以橫切上述線圈的方式設(shè)置，具有比上述第一絕緣層要低的 磁導(dǎo)率；以及第三絕緣層，該第三絕緣層在從層疊方向來看時，形成于形成有上述線圈的區(qū) 域的外側(cè)的區(qū)域，具有比上述第一絕緣層要低的磁導(dǎo)率，其特征在于，位于上述第二絕緣層 的層疊方向的上側(cè)的上述第三絕緣層的結(jié)構(gòu)、不同于位于該第二絕緣層的層疊方向的下側(cè) 的上述第三絕緣層的結(jié)構(gòu)。根據(jù)發(fā)明，由于以橫切線圈的方式設(shè)置具有比第一絕緣層的磁導(dǎo)率要低的第二絕 緣層，因此能夠提高電子元器件的直流疊加特性。另外，根據(jù)本發(fā)明，由于位于第二絕緣層 的層疊方向的上側(cè)的第三絕緣層的結(jié)構(gòu)、不同于位于該第二絕緣層的層疊方向的下側(cè)的第 三絕緣層的結(jié)構(gòu)，因此能夠根據(jù)電流大小獲得不同的電感值。


圖1(a)是本發(fā)明的一個實施方式的電子元器件的外觀立體圖。圖1(b)是上述電 子元器件的A-A的截面構(gòu)造圖。圖1 (c)是上述電子元器件的B-B的截面構(gòu)造圖。圖1 (d) 是上述電子元器件的C-C的截面構(gòu)造圖。圖2是圖1所示的電子元器件的等效電路圖。圖3是表示圖1所示的電子元器件的直流疊加特性的曲線圖。圖4(a)是第一變形例的電子元器件的截面構(gòu)造圖。圖4(b)是上述電子元器件的 D-D的截面構(gòu)造圖。圖5是第二變形例的電子元器件的截面構(gòu)造圖。圖6是表示電子元器件的制造工序的俯視圖及截面構(gòu)造圖。圖7是表示電子元器件的制造工序的俯視圖及截面構(gòu)造圖。圖8是表示電子元器件的制造工序的俯視圖及截面構(gòu)造圖。圖9是表示電子元器件的制造工序的俯視圖及截面構(gòu)造圖。標(biāo)號說明10a, 10b, IOc 電子元器件12層疊體14a、14b 外部電極16a 16i磁性體層18a 18g線圈電極20，22，22a，22b，22c 非磁性體層L，L1，L2 線圈
具體實施例方式下面，說明本發(fā)明的一個實施方式的電子元器件。圖1 (a)是電子元器件IOa的外 觀立體圖。圖1 (b)是電子元器件IOa的A-A的截面構(gòu)造圖。圖1 (c)是電子元器件IOa的 B-B的截面構(gòu)造圖。圖1(d)是電子元器件IOa的C-C的截面構(gòu)造圖。下面，將形成電子元 器件IOa時的層疊絕緣層的方向定義為層疊方向。在圖1(c)及圖1(d)中，以虛線表示電 子元器件IOa的線圈電極18a 18g。另外，在圖1(b)中，利用虛線表示各層的邊界線，但 實際上也存在非可視的邊界線的情況。(電子元器件的結(jié)構(gòu))電子元器件IOa如圖1(a)所示，包括長方體狀的層疊體12，該長方體狀的層疊 體12在內(nèi)部包含有線圈；及兩個外部電極14a、14b，該外部電極14a、14b形成于層疊體12 的彼此相對的側(cè)面。如下述說明的那樣，層疊體12層疊有多個線圈電極和多層磁性體層而構(gòu)成。如圖 1(b)所示的那樣，層疊體12中層疊有由鐵磁性鐵氧體(例如，Ni-Zn-Cu鐵氧體或Ni-Zn鐵 氧體等)構(gòu)成的多層絕緣層(磁性體層16a 16i)、及由具有比磁性體層16a 16i要低 的磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成的絕緣層(非磁性體層20，22)而構(gòu)成。在本實施方式中，由具有比磁 性體層16a 16i要低的磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成的絕緣層(非磁性體層20，22)的磁導(dǎo)率為1。磁性體層16a、16b、16d 16i及非磁性體層20是具有長方形狀的層。如圖1 (C)所示，非磁性體層22是具有從長方形挖去中央部分后的框狀的層。如圖1(c)所示，磁性體 層16c是與非磁性體層22的從長方形中挖去的中央部分一致的形狀的層。分別在磁性體層16a、16b、非磁性體層22、磁性體層16d、非磁性體層20、磁性體層 16e、16f的主表面上，形成有通過在層疊體12內(nèi)相互連接而構(gòu)成線圈L的線圈電極18a ISgo然后，如圖1(b)所示那樣，按照磁性體層16g、16a、16b、16c、非磁性體層22、磁性體層 16d、非磁性體層20、磁性體層16e、16f、16h、16i的順序由下向上進(jìn)行層疊。下面，當(dāng)指出個 別的磁性體層16a 16i及線圈電極18a 18g時，在參考標(biāo)號的后面添加字母，當(dāng)對這些 磁性體層進(jìn)行統(tǒng)稱時，省略參考標(biāo)號后面的字母。各線圈電極18是由Ag構(gòu)成的導(dǎo)電性材料，具有“ 二 ”字狀。由此，一個線圈電極 18構(gòu)成相當(dāng)于3/4圈的線圈L的一部分。此外，線圈電極18也可以由以Pd、Au、Pt等為主 成分的貴金屬或其合金等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。另外，線圈電極18并不限于3/4圈。另外，多個線圈電極18通過相互連接來構(gòu)成螺旋狀的線圈L。在層疊方向的最下 側(cè)及最上側(cè)所形成的線圈電極18a、18g，分別與外部電極14a、14b相連接。而且，如圖1(c)所示，從層疊方向的上側(cè)來看多個線圈電極18時，多個線圈電極 18彼此重合，形成“ 口”字狀。在從層疊方向來看非磁性體層22時，非磁性體層22形成于 由線圈電極18圍住的區(qū)域α (圖1(c)的“口”字狀的內(nèi)部)的外側(cè)。S卩，非磁性體層22如 圖1(b)所示那樣，形成于在層疊方向上與線圈電極18b、18c重疊的區(qū)域，并如圖1(c)所示 那樣，形成于比形成有線圈電極18的區(qū)域要位于外側(cè)的區(qū)域(即側(cè)邊)。另外，在層疊方向 上與非磁性體層22相同的位置形成磁性體層16c，且在區(qū)域α內(nèi)形成磁性體層16c。另外，如圖1(d)所示，以沿與層疊方向垂直的方向橫切線圈L的方式，在與層疊方 向垂直的截面的遍及整個面上形成有非磁性體層20。非磁性體層20、22采用圖1(b)所示的 結(jié)構(gòu)，位于非磁性體層20的層疊方向的上側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)、不同于位于非磁性體層 20的層疊方向的下側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)。更具體而言，在非磁性體層20的層疊方向的 上側(cè)未設(shè)有非磁性體層22，而在非磁性體層20的層疊方向的下側(cè)設(shè)置有非磁性體層22。此 外，在本實施方式中，所謂非磁性體層22的結(jié)構(gòu)，是指非磁性體層22的位置、形狀、及數(shù)量。若將采用上述結(jié)構(gòu)的磁性體層16、線圈電極18、及非磁性體層20、22在層疊方向 上重疊而形成層疊體12，形成外部電極14a、14b，則獲得電子元器件10a。(效果)根據(jù)電子元器件10a，如以下說明的那樣，能夠提高直流疊加特性。具體而言，在電 子元器件IOa中設(shè)置有非磁性體層20。由此，線圈L成為開放磁路型線圈。其結(jié)果是，在電 子元器件IOa中能夠抑制磁飽和的發(fā)生，提高電子元器件IOa的直流疊加特性。另外，根據(jù)電子元器件10a，如參照以下附圖進(jìn)行說明的那樣，根據(jù)電流的大小能 夠獲得不同的電感值。圖2是電子元器件IOa的等效電路圖。圖3是表示電子元器件IOa 的直流疊加特性的曲線圖。縱軸表示電感值，橫軸表示電流。如圖1(b)所示，將非磁性體層20以在線圈L的層疊方向上的中央附近橫切該線 圈L的方式形成。具有這樣的結(jié)構(gòu)的線圈L如圖2所示，能夠被認(rèn)為是由線圈Ll和線圈L2 串聯(lián)連接形成的。線圈Ll是由位于非磁性體層20的下側(cè)的線圈電極18a 18d構(gòu)成的線 圈。另一線圈L2是由位于非磁性體層22的上側(cè)的線圈電極18e 18g構(gòu)成的線圈。由于上述線圈L如圖1 (b)所示設(shè)置有非磁性體層22，因此構(gòu)成開放磁路型線圈。
5因此，如圖3的虛線所示，在線圈Ll中流過相對較大的電流之前，線圈Ll的電感值不會發(fā) 生急劇降低。另一方面，由于上述線圈L2如圖1 (b)所示未設(shè)置有非磁性體層22，因此構(gòu)成 閉合磁路型線圈。因此，如圖3的點劃線所示，只要在線圈L2中流過相對較小的電流，線圈 L2的電感值就會急劇降低。即，在電子元器件IOa中，使位于非磁性體層20的層疊方向的 上側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)、不同于位于非磁性體層20的層疊方向的下側(cè)的非磁性體層 22的結(jié)構(gòu)，從而使線圈Ll的直流疊加特性和線圈L2的直流疊加特性不同。此處，串聯(lián)連接有線圈Ll和線圈L2的線圈L的電感值由線圈Ll的電感值和線圈 L2的電感值的合計值表示。即，線圈L的直流疊加特性成為將圖3的虛線加上點劃線所獲 得的曲線。其結(jié)果是，線圈L的直流疊加特性如圖3的實線所示那樣，電感值隨著電流的增 加而呈臺階狀地減少。更具體而言，對于線圈L，在相對較小的電流流過線圈L的情況下，能 夠獲得相對較大的電感值，在相對較大的電流流過線圈L的情況下，能夠獲得相對較小的 電感值。對于用于DC-DC變換器的線圈，在低輸出電流區(qū)域要求相對較大的電感值，并且在 高輸出電流區(qū)域要求相對較小的電感值。因此，能夠?qū)㈦娮釉骷蘒Oa應(yīng)用于DC-DC變換
ο(變形例)本發(fā)明的一個實施方式的電子元器件的結(jié)構(gòu)不僅限于電子元器件IOa的結(jié)構(gòu)。更 具體而言，非磁性體層20、22不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。非磁性體層20、22只要具有線圈Ll 的直流疊加特性與線圈L2的直流疊加特性不同的結(jié)構(gòu)即可。以下，參照

用于使線 圈Ll的直流疊加特性和線圈L2的直流疊加特性不同的非磁性體層20、22的結(jié)構(gòu)。圖4(a) 是第一變形例的電子元器件IOb的截面構(gòu)造圖。圖4(b)是電子元器件IOa的D-D的截面 構(gòu)造圖。圖5是第二變形例的電子元器件IOc的截面構(gòu)造圖。在圖1 (b)及圖1 (c)所示的電子元器件IOa中，非磁性體層22具有“ α ”字狀。另 一方面，在圖4(a)及圖4(b)所示的電子元器件IOb中，非磁性體層22具有“二”字狀。即 使是具有上述結(jié)構(gòu)的非磁性體層22，位于非磁性體層20的層疊方向的上側(cè)的非磁性體層 22的結(jié)構(gòu)、也不同于位于非磁性體層20的層疊方向的下側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)。其結(jié) 果是，能夠使線圈Ll的直流疊加特性和線圈L2的直流疊加特性不同。另外，在圖1(b)及圖1(c)所示的電子元器件IOa中，非磁性體層22在非磁性體 層20的層疊方向的下側(cè)僅設(shè)置為一層。另一方面，在圖5所示的電子元器件IOc中，在非 磁性體層20的層疊方向的上側(cè)設(shè)置有一層非磁性體層22c，在非磁性體層20在層疊方向的 下側(cè)設(shè)置有兩層非磁性體層22a、22b。即使是具有上述結(jié)構(gòu)的非磁性體層22a、22b、22c，位 于非磁性體層20的層疊方向的上側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)、也不同于位于非磁性體層20 的層疊方向的下側(cè)的非磁性體層22的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是，能夠使線圈Ll的直流疊加特性和 線圈L2的直流疊加特性不同。(層疊型電子元器件的制造方法)以下，作為電子元器件IOa IOc的制造方法的一個例子，說明電子元器件IOa的 制造方法。圖6至圖9是表示電子元器件IOa的制造工序的俯視圖及截面結(jié)構(gòu)圖。在制造 電子元器件IOa時，實際上同時制作多個電子元器件10a。但是，在以下說明的制造方法中， 為了簡化說明，而說明一個電子元器件IOa的制造方法。圖6至圖9的陶瓷生片116a、116g、116h、116i是指圖1中的磁性體層16a、16g、
616h、16i的未燒成狀態(tài)下的層或片材。以下，在統(tǒng)稱陶瓷生片116a、116g、116h、116i的情況 下，省略參考標(biāo)號后面的字母，在表示個別的陶瓷生片116的情況下，在參考標(biāo)號的后面添 加字母。如下所述那樣制作陶瓷生片116。將氧化鐵(Fe2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)、 及氧化銅(CuO)分別以預(yù)定的比率進(jìn)行稱量后的材料作為原材料，放入球磨機(jī)，進(jìn)行濕法 攪拌。將得到的混合物干燥后粉碎，將得到的粉末在750°C下預(yù)燒1小時。將得到的預(yù)燒粉 末用球磨機(jī)進(jìn)行濕法粉碎后，進(jìn)行干燥后破碎，得到鐵氧體陶瓷粉末。對該鐵氧體陶瓷粉末添加粘合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和增塑劑、濕潤 劑、分散劑，用球磨機(jī)進(jìn)行混合，之后，利用減壓進(jìn)行脫泡。利用刮刀法將得到的陶瓷漿料形 成為片狀使其干燥，制作具有期望膜厚(例如35μπι)的陶瓷生片116。首先，如圖6(a)所示，準(zhǔn)備一片所制作的陶瓷生片116a。接下來，在該陶瓷生片 116a上，如圖6(b)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成 線圈電極18a。線圈電極18a使用Ag、Pd、Cu、Au或其合金等，從而形成“ 二，，字狀的形狀。接下來，在陶瓷生片116a上，如圖6(c)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷鐵氧體的 糊料，從而形成成為磁性體層16b的印刷層116b。該鐵氧體的糊料采用與陶瓷生片116a相 同的材料。此時，以線圈電極18a的端部內(nèi)的未與外部電極14a相連接的一側(cè)的端部從印 刷層116b露出的方式形成該印刷層116b。由此，形成線圈電極18a和線圈電極18b的連接 部分。接下來，在該陶瓷生片116b上，如圖6(d)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等 方法涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18b。以使線圈電極18b的一端位于 線圈電極18a從印刷層116b露出的部分的方式形成線圈電極18b。由此，線圈電極18a和 線圈電極18b相連接。接下來，在陶瓷生片116b上，如圖6(e)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷非磁性材 料的糊料，從而形成成為非磁性體層22的印刷層122。該非磁性材料的糊料是將氧化鐵 (Fe2O3)、氧化鋅(ZnO)、及氧化銅(CuO)分別以預(yù)定的比率進(jìn)行混合而得到的。在從層疊方 向來看印刷層122時，如圖1(c)所示那樣，以圍住范圍α的方式形成印刷層122。。因而， 該印刷層122形成為“口”字狀。而且，以線圈電極18b的端部內(nèi)的未與線圈電極18a相連 接的一側(cè)的端部從印刷層122露出的方式形成該印刷層122。由此，形成線圈電極18b和線 圈電極18c的連接部分。接下來，在陶瓷生片116b的區(qū)域α上，如圖7(a)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷 鐵氧體的糊料，從而形成成為磁導(dǎo)率層16c的印刷層116c。該鐵氧體的糊料采用與陶瓷生 片116a相同的材料。接下來，在印刷層122上，如圖7(b)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法涂 布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18c。以使線圈電極18c的一端位于線圈電 極18b從印刷層122露出的部分的方式形成線圈電極18c。由此，線圈電極18b和線圈電極 18c相連接。接下來，在印刷層116c、122上，如圖7(c)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷鐵氧體 的糊料，從而形成成為磁性體層16d的印刷層116d。該鐵氧體的糊料采用與陶瓷生片116a 相同的材料。此時，以線圈電極18c的端部內(nèi)的未與線圈電極18b相連接的一側(cè)的端部從印刷層116d露出的方式形成該印刷層116d。由此，形成線圈電極18c和線圈電極18d的連 接部分。接下來，在該陶瓷生片116d上，如圖7(d)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等 方法涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18d。以使線圈電極18d的一端位于 線圈電極18c從印刷層116d露出的部分的方式形成線圈電極18d。由此，線圈電極18c和 線圈電極18d相連接。接下來，在印刷層116d上，如圖7(e)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷非磁性材料 的糊料，從而形成成為非磁性體層20的印刷層120。該非磁性材料的糊料采用與印刷層122 相同的材料。此時，以線圈電極18d的端部內(nèi)的未與線圈電極18c相連接的一側(cè)的端部從 印刷層120露出的方式形成該印刷層120。由此，形成線圈電極18d和線圈電極18e的連接 部分。接下來，在該印刷層120上，如圖8(a)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法 涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18e。以使線圈電極18e的一端位于線圈 電極18d從印刷層120露出的部分的方式形成線圈電極18e。由此，線圈電極18d和線圈電 極18e相連接。接下來，在印刷層120上，如圖8(b)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷鐵氧體的糊 料，從而形成成為磁性體層16e的印刷層116e。該鐵氧體的糊料采用與陶瓷生片116a相同 的材料。此時，以線圈電極18e的端部內(nèi)的未與線圈電極18d相連接的一側(cè)的端部從印刷 層116e露出的方式形成該印刷層116e。由此，形成線圈電極18d和線圈電極18e的連接部 分。接下來，在該印刷層116e上，如圖8(c)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方 法涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18f。以使線圈電極18f的一端位于線 圈電極18e從印刷層116e露出的部分的方式形成線圈電極18f。由此，線圈電極18e和線 圈電極18f相連接。接下來，在印刷層116e上，如圖8(d)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法印刷鐵氧體的糊 料，從而形成成為磁性體層16f的印刷層116f。該鐵氧體的糊料采用與陶瓷生片116a相同 的材料。此時，以線圈電極18f的端部內(nèi)的未與線圈電極18e相連接的一側(cè)的端部從印刷 層116f露出的方式形成該印刷層116f。由此，形成線圈電極18f和線圈電極18g的連接部 分。接下來，在該印刷層116f上，如圖8(e)所示那樣，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方 法涂布導(dǎo)電性糊料，從而形成“ 二 ”字狀的線圈電極18g。以使線圈電極18g的一端位于線 圈電極18f從印刷層116f露出的部分的方式形成線圈電極18g。由此，線圈電極18f和線 圈電極18g相連接。接下來，如圖9所示那樣，在經(jīng)由圖6(a) 圖8(e)的工序獲得的層疊體下，利用 片材層疊法對一層的陶瓷生片116g進(jìn)行層疊、壓接，并且在該層疊體上，利用片材層疊法 對兩層的陶瓷生片116h、116i進(jìn)行層疊、壓接。由此，獲得具有圖1(b)所示截面結(jié)構(gòu)的、未 燒成的層疊體12。對未燒成的層疊體12進(jìn)行脫粘合劑處理及燒成。燒成溫度例如為900°C。 由此，獲得燒成后的層疊體12。接下來，在層疊體12的表面，例如利用浸漬法等方法涂布主成分為銀的電極糊料
8并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成外部電極14a、14b。將外部電極14a、14b如圖1 (a)所示那樣，形成于 層疊體12的左右的端面。最后，對外部電極14的表面實施鍍Ni/鍍Sn。經(jīng)過以上的工序，完成圖1所示的 電子元器件10a。此外，根據(jù)以上的制造方法，是組合印刷法和片材層疊法來制作電子元器件10a， 但該電子元器件IOa的制造方法并不限于此。例如，也可僅使用印刷法或片材層疊法。而 且，也可利用轉(zhuǎn)印方式制作電子元器件10a。在這種情況下，預(yù)先制作多層在薄膜上層疊有 磁性體層16、線圈電極18、非磁性體層20、22的層。然后，依次轉(zhuǎn)印并層疊這些所制作的層， 從而制作層疊體12。工業(yè)上的實用性如上所述，本發(fā)明適用于電子元器件，特別是能根據(jù)電流的大小來取得不同的電 感值、并能抑制因磁飽和所導(dǎo)致的電感值急劇降低，在這方面的特性很好。
權(quán)利要求
一種電子元器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體由多個第一絕緣層層疊而形成；多個線圈電極，該多個線圈電極通過在所述層疊體內(nèi)相互連接而構(gòu)成線圈；第二絕緣層，該第二絕緣層是以橫切所述線圈的方式設(shè)置，具有比所述第一絕緣層要低的磁導(dǎo)率；以及第三絕緣層，該第三絕緣層在從層疊方向來看時，形成于形成有所述線圈的區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，具有比所述第一絕緣層要低的磁導(dǎo)率，位于所述第二絕緣層的層疊方向的上側(cè)的所述第三絕緣層的結(jié)構(gòu)、不同于位于該第二絕緣層的層疊方向的下側(cè)的所述第三絕緣層的結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，所述第三絕緣層在從層疊方向來看時，形成于與所述線圈電極重疊的區(qū)域以及形成有 所述線圈的區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子元器件，其特征在于，所述線圈的位于所述第一絕緣層的層疊方向的上側(cè)的部分的直流疊加特性、不同于該 線圈的位于該第一絕緣層的層疊方向的下側(cè)的部分的直流疊加特性。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項所述的電子元器件，其特征在于， 所述第二絕緣層及第三絕緣層為非磁性體層。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的電子元器件，其特征在于， 在所述第一絕緣層的層疊方向的上側(cè)，不設(shè)置所述第三絕緣層， 在所述第一絕緣層的層疊方向的下側(cè)，設(shè)置有所述第三絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)置有線圈的電子元器件，所述內(nèi)置有線圈的電子元器件能夠根據(jù)電流的大小取得不同的電感值，并且能夠抑制因磁飽和所導(dǎo)致的電感值急劇降低。層疊體(12)中層疊有多層磁性體層(16)。線圈電極(18)通過在層疊體(12)內(nèi)相互連接而構(gòu)成線圈(L)以橫切線圈(L)的方式設(shè)置非磁性體層(20)。磁性體層(22)在從層疊方向來看時，形成于形成有線圈(L)的區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域。位于非磁性體層(20)的層疊方向的上側(cè)的非磁性體層(22)的結(jié)構(gòu)、不同于位于非磁性體層(20)的層疊方向的下側(cè)的非磁性體層(22)的結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01F41/04GK101981635SQ20098011251
公開日2011年2月23日 申請日期2009年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月8日
發(fā)明者赤澤徹平 申請人:株式會社村田制作所