專利名稱：一種用于等離子體蝕刻制程的墊板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種墊板，具體涉及一種用于等離子體蝕刻制程的墊板。
背景技術：
太陽能電池是一種半導體器件，其能夠將太陽光的光能轉換成電能，堪稱當代清 潔、無污染的可再生能源，備受人們的青睞。太陽能電池主要以半導體材料為基礎制作，其 工作原理是光電材料吸收光能后發(fā)生光電子轉換反應而產生電流。 目前廣泛采用的是硅太陽能電池，其制造工藝也已經標準化，主要步驟為化學清 洗及表面結構化處理(制絨)-擴散制結-周邊刻蝕-沉積減反射膜-印刷電極-燒結。其 中，周邊刻蝕步驟一般采用等離子體蝕刻的方法，以去除上一步擴散制結得到的硅片邊緣 中多余的擴散磷。 在實際應用中，通常是將幾百片硅片重疊在一起組成硅片組，然后在硅片組的上 下兩個面(頂面和底面)上設置墊板，再使用夾具上下夾持住，并用螺桿將夾具加緊，以達 到緊固的目的；然后即可對硅片組進行等離子體蝕刻步驟。 然而，目前的墊板都是平板式結構，且一般由環(huán)氧樹脂、聚丙烯或聚四氟乙烯制 成。為了避免等離子體蝕刻過程中出現邊緣夾不緊的情況，必須要求夾具、墊板和硅片同時 具有很高的平整度，如果其中一項出現異常，必然導致蝕刻的產品蝕刻效果不均勻，以及出 現鉆刻現象，影響產品表面，這就給墊板的制作提出了很高的要求；此外，由于硅片本身存 在不可預料的厚薄不均，這就直接導致夾具、墊板和硅片組三者之間連接不夠緊密，中心和 四周的受力不均勻，蝕刻完畢之后，產品會受到不可恢復的損傷。

發(fā)明內容本實用新型的目的是提供一種用于等離子體蝕刻制程的墊板，以提高夾具、墊板 和硅片之間的緊密性，防止鉆刻現象。 為達到上述發(fā)明目的，本實用新型采用的技術方案是一種用于等離子體蝕刻制 程的墊板，包括一本體，所述本體的上下兩個面中至少一面的邊緣四周設有連續(xù)閉合的凸 筋，所述凸筋和本體是一體結構。 上文中，所述連續(xù)閉合的凸筋的形狀與硅片的外形匹配，一般為長方形，也可以是 其他閉合形狀，閉合凸筋壓在硅片組的四周邊緣，起到封閉硅片表層或底層的作用；同時由 于凸筋和墊板本體均具有一定得塑性，可以使夾具、墊板和硅片組三者之間連接緊密，防止 鉆刻現象。 上述技術方案中，所述凸筋的寬度為1 10mm，厚度為0. 5 10mm。優(yōu)選的技術方案是，所述凸筋的寬度為2 5mm，厚度為0. 5 2mm。 由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有的優(yōu)點是 1、本實用新型在墊板上設置連續(xù)閉合的凸筋，使閉合凸筋壓緊于硅片組上，利用
凸筋和墊板本體的塑性使夾具、墊板和硅片組三者之間連接緊密；同時也提高了墊板與相
3鄰硅片之間的密封性，從而防止了鉆刻現象。 2、本實用新型結構簡單，易于加工制作，適于推廣應用。

圖1是本實用新型實施例一的俯視圖 圖2是本實用新型實施例一的主視圖 圖3是本實用新型實施例一的剖視圖 圖4是本實用新型實施例一的使用狀態(tài)示意圖。
其中1、凸筋；2、墊板；3、夾具；4、硅片組；5、螺桿:
具體實施方式
以下結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述 實施例一 參見圖1 4所示，一種用于等離子體蝕刻制程的墊板，包括一本體，所述本體的 上下兩個面中至少一面的邊緣四周設有連續(xù)閉合的凸筋1，所述凸筋和本體是一體結構。所 述凸筋的寬度為1 10mm，厚度為0. 5 10mm。 上文中，所述連續(xù)閉合的凸筋的形狀與硅片的外形相似，大致為長方形，閉合凸筋
壓在硅片組的四周邊緣，起到封閉硅片表層或底層的作用；同時由于凸筋和墊板本體均具
有一定得塑性，可以使夾具、墊板和硅片組三者之間連接緊密，防止鉆刻現象。 使用時，先將幾百片硅片重疊在一起組成硅片組4，然后在硅片組4的上下兩個面
(頂面和底面)上設置墊板2，再使用夾具3上下夾持住，并用螺桿5將夾具加緊，以達到緊
固的目的；然后即可進行上述的等離子體蝕刻步驟。
權利要求一種用于等離子體蝕刻制程的墊板，包括一本體，其特征在于所述本體的上下兩個面中至少一面的邊緣四周設有連續(xù)閉合的凸筋(1)，所述凸筋和本體是一體結構。
2. 根據權利要求1所述的用于等離子體蝕刻制程的墊板，其特征在于所述凸筋的寬度為1 10mm，厚度為0. 5 10mm。
3. 根據權利要求1所述的用于等離子體蝕刻制程的墊板，其特征在于所述凸筋的寬 度為2 5mm，厚度為0. 5 2mm。
專利摘要本實用新型公開了一種用于等離子體蝕刻制程的墊板，包括一本體，所述本體的上下兩個面中至少一面的邊緣四周設有連續(xù)閉合的凸筋，所述凸筋和本體是一體結構。本實用新型提高了夾具、墊板和硅片之間的緊密性，可以防止鉆刻現象，有利于等離子體蝕刻的順利進行。
文檔編號H01L21/687GK201478286SQ20092023352
公開日2010年5月19日 申請日期2009年8月3日 優(yōu)先權日2009年8月3日
發(fā)明者黨繼東, 孟祥熙, 王栩生, 章靈軍, 辛國軍, 齊維臣 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;常熟阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯光伏電力(洛陽)有限公司;阿特斯光伏電子(常熟)有限公司;阿特斯太陽能光電(蘇州)有限公司;阿特斯光伏科技(蘇州)有限公司;常熟阿特斯太陽能電力有限公司