遮覆框支撐件的制作方法
【專利說(shuō)明】遁覆框支撐件
[000。 發(fā)巧背景
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的實(shí)施例一般是有關(guān)于一種處理腔室及清潔方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 基板處理腔室提供多種功能。通常，當(dāng)沉積介電層于基板上時(shí)，來(lái)自沉積工藝的殘 余物收集于處理腔室的壁及其他表面上。此些沉積物可能變得易碎且污染基板的表面。因 為腔室通常為整合工具的一部分W快速地處理基板，維護(hù)并清潔腔室基本上需要最少的時(shí) 間。為了減少污染的可能性且因而改善腔室的產(chǎn)能，有效且及時(shí)地腔清潔腔室的表面是期 望的。
[0004] 目前，用于自腔室的表面移除含娃或碳沉積物的機(jī)制包括遠(yuǎn)程等離子體清潔 (remoteplasmaclean)、原位射頻等離子體清潔（insituRFplasmaclean)、或射頻輔助 遠(yuǎn)程等離子體清潔（RF-assistedremoteplasmaclean)。具有含氣氣體的遠(yuǎn)程等離子體 可用于清潔腔室表面。舉例來(lái)說(shuō)，清潔氣體NFs可用于遠(yuǎn)程地點(diǎn)燃成為等離子體且來(lái)自等 離子體的自由基（radicals)被導(dǎo)引至腔室內(nèi)，W蝕刻掉沉積于腔室表面上的膜。
[0005] 然而，由于自由基在腔室內(nèi)流動(dòng)的方式，腔室表面的清潔率是不均勻。因此，需要 一種改善的設(shè)備及清潔方法W增加處理腔室的清潔率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明一般是提供一種具有遮覆框支撐件的處理腔室，遮覆框支撐件導(dǎo)引清潔氣 體流至腔室的角落。遮覆框支撐件沿著部分的腔室壁設(shè)置，因此遺留角落成空著的狀態(tài)。在 清潔期間，遮覆框W置于基板支撐件與遮覆框支撐件上的方式設(shè)置。因此，沿著腔室壁流動(dòng) 的清潔氣體由遮覆框支撐件阻擋，且由于遮覆框支撐件沒(méi)有延伸到角落，清潔氣體被迫使 到角落。
[0007] 在一實(shí)施例中，揭露了一種處理設(shè)備。此處理設(shè)備包括腔室主體，該腔室主體具有 由數(shù)個(gè)壁限定的內(nèi)部，此些壁的至少一者具有貫穿其的開口； 一遮覆框支撐件，自此些壁的 第一壁延伸且具有第一長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度小于第一壁的長(zhǎng)度；第二遮覆框支撐件，自此些壁的 第二壁延伸且具有第二長(zhǎng)度，第二長(zhǎng)度小于第二壁的長(zhǎng)度；第=遮覆框支撐件，自此些壁的 第=壁延伸且具有第=長(zhǎng)度，第=長(zhǎng)度小于第=壁的長(zhǎng)度；W及第四遮覆框支撐件，自此些 壁的第四壁延伸且具有第四長(zhǎng)度，第四長(zhǎng)度小于第四壁的長(zhǎng)度。
[000引在另一實(shí)施例中，揭露了一種處理設(shè)備。此處理設(shè)備包括腔室主體，該腔室主體具 有由數(shù)個(gè)壁限定的內(nèi)部，此些壁的第一壁具有第一長(zhǎng)度，此些壁形成數(shù)個(gè)角落。此處理設(shè)備 亦包括數(shù)個(gè)遮覆框支撐件，此些遮覆框支撐件包括第一遮覆框支撐件，第一遮覆框支撐件 具有第二長(zhǎng)度，且第一遮覆框支撐件沿著第一壁的第一長(zhǎng)度貼附于第一壁。第二長(zhǎng)度小于 第一長(zhǎng)度，且第一遮覆框支撐件W沿著第一壁的第一長(zhǎng)度的方式定位，使得第一遮覆框支 撐件不接觸此些角落。
[0009] 在另一實(shí)施例中，揭露了一種清潔方法。此清潔方法包括設(shè)置遮覆框于處理腔室 內(nèi)的數(shù)個(gè)遮覆框支撐件的頂部上；升起基板支撐件至一位置，使得遮覆框接觸基板支撐件 及此些遮覆框支撐件；W及于處理腔室內(nèi)流動(dòng)清潔氣體。
【附圖說(shuō)明】
[0010] 為了可詳細(xì)地了解本發(fā)明上述的特性，簡(jiǎn)要摘錄于上的本發(fā)明更特有的說(shuō)明可參 照實(shí)施例，一些實(shí)施例繪示于所附的圖式中。然而，值得注意的是，由于本發(fā)明可承認(rèn)其他 等效實(shí)施例，所附的圖式僅為本發(fā)明的代表性實(shí)施例，因此并非用W限制本發(fā)明的范圍。
[0011] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有遮覆框支撐件的處理腔室的剖面圖。
[0012] 圖2是根據(jù)一實(shí)施例的具有基板支撐件及遮覆框的處理腔室的俯視圖。
[0013] 圖3是遮覆框支撐件、遮覆框及基板支撐件的透視圖。
[0014] 圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的遮覆框支撐件、遮覆框及基板支撐件的透視圖。
[0015]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有基板支撐件及具有遮覆框支撐件的遮覆框的 處理腔室的俯視圖。
[0016] 圖6A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在清潔位置中的基板支撐件的示意性側(cè)視圖。
[0017] 圖6B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在處理位置中的基板支撐件的示意性側(cè)視圖。
[0018]圖6C是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在較低位置中的基板支撐件的示意性側(cè)視圖。
[0019] 為了便于了解，在可行之處，相同的參考編號(hào)用來(lái)表示通用于圖式的相同的元件。 可預(yù)期的是，揭露在一實(shí)施例中的元件可在無(wú)需特別說(shuō)明的情況下，有助益地使用于其他 實(shí)施例中。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 本發(fā)明一般是提供一種具有遮覆框支撐件的處理腔室，遮覆框支撐件導(dǎo)引清潔氣 體流至腔室的角落。遮覆框支撐件沿著部分的腔室壁設(shè)置，因此遺留角落成空著的狀態(tài)。在 清潔期間，遮覆框W置于基板支撐件與遮覆框支撐件上的方式設(shè)置。因此，沿著腔室壁流動(dòng) 的清潔氣體由遮覆框支撐件阻擋，且由于遮覆框支撐件沒(méi)有延伸到角落，清潔氣體被迫使 到角落。
[0021] 本發(fā)明說(shuō)明性描述于下方使用于處理系統(tǒng)中，處理系統(tǒng)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積（plasmaenhancedchemicalvapordeposition,陽(yáng)CVD)系統(tǒng)，此陽(yáng)CVD系統(tǒng)取 自美商業(yè)凱科技（AKTAmerica)股份有限公司，其為位于加州圣塔克拉拉的應(yīng)用材料公司 (AppliedMaterials)的子公司。然而，應(yīng)理解的是，本發(fā)明在其他系統(tǒng)架構(gòu)中具有效用，包 括由其他制造商所販?zhǔn)鄣南到y(tǒng)架構(gòu)。
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的PECVD設(shè)備的剖面圖。設(shè)備包括腔室100,在腔室 100中，一或多個(gè)膜可沉積于基板140上。如圖1中所示，基板位于較低位置中，處理不會(huì)在 此發(fā)生。此設(shè)備可用于處理一或多個(gè)基板，包括半導(dǎo)體基板、平面顯示器基板、及太陽(yáng)能板 基板。
[0023] 腔室100 -般包括數(shù)個(gè)壁102、底部104、噴頭（showerhead) 110、及基板支撐件或 基座（SUSC巧tor) 130,壁102、底部104、噴頭110、及基板支撐件或基座130限定工藝容積 (processvolume) 106。工藝容積106通過(guò)開口 108而具有通道，使得基板140可傳送至腔 室100內(nèi)或出腔室100外。基板支撐件130包括基板接收表面132,用W支撐基板140。一 或多個(gè)軸部134可禪接于舉升系統(tǒng)136,W升起或降低基板支撐件130。升降桿138可移動(dòng) 地設(shè)置貫穿基板支撐件130,W移動(dòng)基板140至基板接收表面132且自基板接收表面132移 動(dòng)基板140?；逯渭?30亦可包括加熱及/或冷卻元件139,W保持基板支撐件130于 期望的溫度?；逯渭?30亦可包括接地母線131，W于基板支撐件130的周圍提供RF接 地。設(shè)置于基板接收表面132上的基板140的上表面與噴頭110之間的間隔可介于約400 密耳（mil)與約1200密耳（mil)之間。在一實(shí)施例中，此間隔可介于約400密耳（mil)與 約800密耳（mil)之間。
[0024] 噴頭110通過(guò)懸架114可在背板112的周圍禪接于背板112。噴頭110亦可通過(guò) 一或數(shù)個(gè)禪接支撐件160禪接于背板112,W有助于避免下彎（sag)及/或控制噴頭110的 平直度（strai曲tness)/曲率。在一實(shí)施例中，十二個(gè)禪接支撐件160可用于禪接噴頭110 于背板112。禪接支撐件160可包括固定機(jī)構(gòu)，例如螺帽及螺栓組件。額外地及/或作為替 代，中央禪接機(jī)構(gòu)可禪接背板112于噴頭110。中央禪接機(jī)構(gòu)可圍繞環(huán)148 (說(shuō)明于下）且 自橋組件懸吊。在再另一實(shí)施例中，禪接支撐件160可包括裝入噴頭110中的固定件。固 定件可具有溝槽開口，用W容置禪接于背板112的桿。此桿可W真空密封（vacuumseal) 的方式來(lái)禪接于背板112。
[0025] 氣體源120可禪接于背板112,W經(jīng)由在背板112中的氣體排氣口 142及噴頭110 中的氣體通道111提供氣體到基板接收表面132。真空累109可禪接于腔室100,W將工藝 容積106控制在期望的壓力。射頻（RF)電源122禪接于背板112及/或噴頭110,W提供 RF電力至噴頭110。RF電力在噴頭110及基板支撐件130之間產(chǎn)生電場(chǎng)，使得等離子體可 自噴頭110及基板支撐件130之間的氣體產(chǎn)生。多種頻率可使用，例如介于約0. 3MHz與約 200MHz之間的頻率。在一實(shí)施例中，RF電源提供于13. 56MHz的頻率。
[0026] 遠(yuǎn)程等離子體源124亦可禪接于氣體源120與背板112之間，遠(yuǎn)程等離子體源124 例如感應(yīng)式禪合的遠(yuǎn)程等離子體源。在處理基板期間，清潔氣體可被提供到遠(yuǎn)程等離子體 源124,使得遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生且被提供到清潔腔室元件。清潔氣體可進(jìn)一步通過(guò)提供至噴 頭的RF電源122激發(fā)。合適的清潔氣體包括NF3J2、與SFe，但不限于此些氣體。
[0027] 背板112可通過(guò)橋組件144支撐。一或多個(gè)錯(cuò)定螺栓（anchorbolt) 146可從橋 組件144向下延伸至支撐環(huán)148。支撐環(huán)148可通過(guò)一或多個(gè)螺栓150禪接于背板112。 支撐環(huán)148可W實(shí)質(zhì)上位于背板112的中屯、的方式禪接于背板112。背板112的中屯、為在 沒(méi)有支撐環(huán)148的情況中具有最少支撐的區(qū)域。因此，支撐背板112的中屯、區(qū)域可減少及 /或避免背板下彎。
[002引遮覆框133可置于基板140的周圍上。當(dāng)基板支撐件130降低時(shí)，遮覆框133可置 于遮覆框支撐件162上。在一實(shí)施例中，遮覆框支撐件162可包括相同于腔室的材料。在 另一實(shí)施例中，遮覆框支撐件162可包括介電材料。在另一實(shí)施例中，遮覆框支撐件162可 包括不誘鋼。在另一實(shí)施例中，遮覆框支撐件162可包括侶。遮覆框133可減少在基板140 的邊緣的沉積與減少未被基板140覆蓋的基板支撐件130的區(qū)域上的沉積。當(dāng)基板140最 初插入腔室內(nèi)時(shí)，遮覆框133可置于遮覆框支撐件162上。當(dāng)基板支撐件130升起至處理 位置時(shí)，遮覆框133可通過(guò)基板140及基板支撐件130升起而離開遮覆框支撐件162。
[0029] 在清潔工藝期間，遮覆框133可置于遮覆框支撐件162上，且基板接收表面132被 升起至其接觸遮覆框133的高度而沒(méi)有抬起遮覆框133來(lái)離開遮覆框支撐件162。
[0030] 圖2是在腔室內(nèi)的基板支撐件與遮覆框的俯視圖。遮覆框133設(shè)置于基板支撐件 130的頂部上。累間隙208形成于遮覆框133與腔室主體206之間，用W讓清潔氣體通過(guò)。 清潔氣體可為町、5。6八2。6、肥1或其組合。在一實(shí)施例中，清潔氣體町被遠(yuǎn)程地點(diǎn)燃成等 離子體且來(lái)自等離子體的自由基被導(dǎo)入至腔室內(nèi)