專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備、其制備方法和母基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示設(shè)備、其制備方法和母基板，其 中非像素區(qū)的絕緣層被去除以防止基板由于在結(jié)晶處理期間在高溫下進(jìn)行的退火處理而 彎曲和變形。
背景技術(shù)：
通常，多晶硅可適用于高場(chǎng)效應(yīng)遷移率和高運(yùn)算電路，并且能夠構(gòu)成CMOS電路， 從而被廣泛用于薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。使用多晶硅層的薄膜晶體管通常被用作有源矩陣 液晶顯示器(AMLCD)的有源元件以及有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)的切換元件和驅(qū)動(dòng)元件。
制備用于薄膜晶體管的多晶硅層的方法包括直接沉積法、利用高溫?zé)崽幚淼募夹g(shù) 以及激光熱處理方法。盡管激光熱處理方法使得能夠?qū)崿F(xiàn)低溫處理和高場(chǎng)效應(yīng)遷移率，但 激光熱處理要求高價(jià)激光設(shè)備，因而正在研究能取代常規(guī)技術(shù)的技術(shù)。 目前，正在對(duì)利用金屬使多晶硅結(jié)晶的方法進(jìn)行廣泛研究，這是因?yàn)榕c固相結(jié)晶 (SPC)法相比，能夠在較短時(shí)段內(nèi)在較低溫度下進(jìn)行結(jié)晶。利用金屬使多晶硅結(jié)晶的方法被 分類為金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)法和金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶(MILC)法。然而，這些利用金屬的方法 可能由于金屬污染而使薄膜晶體管的設(shè)備特性惡化。 同時(shí)，為了減少金屬量和形成高品質(zhì)的多晶硅層，開發(fā)了 一種方法，在該方法中， 用離子注入機(jī)調(diào)整金屬離子濃度，使得由高溫?zé)崽幚?、用激光進(jìn)行的快速熱處理或輻射形 成高品質(zhì)多晶硅層。同樣，還開發(fā)了另一方法，在該方法中，為了利用MIC方法使多晶硅層 的表面平面化，將各種有機(jī)層與液化金屬進(jìn)行混合以利用旋涂方法沉積薄膜，而后執(zhí)行退 火處理以進(jìn)行結(jié)晶。然而，在這樣的結(jié)晶方法中，表現(xiàn)出了大尺度、均勻晶粒方面的問題，這 些問題是多晶硅層的最重要問題。 為了克服這樣的問題，已經(jīng)開發(fā)了一種利用壓蓋層(capping layer)通過結(jié)晶方 法制備多晶硅層的方法(韓國(guó)專利公開No. 2003-0060403)。該方法為超晶粒硅(SGS)方 法，其中多晶硅層形成于基板上，壓蓋層形成在其上，金屬催化劑層置于壓蓋層上，并且金 屬催化劑憑借退火處理或激光通過壓蓋層擴(kuò)散到多晶硅層以形成種子，以便獲得多晶硅 層。在這些結(jié)晶方法中，由于這些金屬催化劑通過壓蓋層被擴(kuò)散，所以能夠防止不必要的金 屬污染。 然而，利用MIC方法、MILC方法或SGS方法形成多晶硅層要求在高溫下執(zhí)行退火 處理，并且這可能造成形成為與基板尺寸相同的絕緣層收縮，并且基板可能被彎曲。此外， 絕緣層的收縮可能造成設(shè)備故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示設(shè)備、其制備方法和母 基板，其中非像素區(qū)有選擇地被去除，以便防止基板由于用于結(jié)晶的退火處理而彎曲，從而 防止在制造該設(shè)備時(shí)對(duì)該基板造成損壞。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種0LED顯示設(shè)備包括基板，包括像素區(qū)和非像素區(qū)； 緩沖層，置于該基板上；半導(dǎo)體層，置于該緩沖層上，并且包括溝道區(qū)和源極區(qū)/漏極區(qū)；柵 極電極，被放置為對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體層的溝道區(qū)；柵極絕緣層，將該半導(dǎo)體層與該柵極電極絕 緣；源極電極/柵極電極，電連接到該半導(dǎo)體層的源極區(qū)/漏極區(qū)；以及中間絕緣層，將該 柵極電極與該源極電極/漏極電極絕緣，其中該緩沖層、該柵極絕緣層或該中間絕緣層在 該非像素區(qū)上的部分被去除，并且該部分地被去除的區(qū)域?yàn)樵?LED顯示設(shè)備的面板區(qū)域 的8%到40%。 本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在接下來的描述中部分地進(jìn)行闡述，并且部分地 根據(jù)該描述將會(huì)明顯，或者可以由本發(fā)明的實(shí)踐來獲知。


結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將從下列實(shí)施例的描述變得明白
和更容易理解，在附圖中 圖1A到圖1E示出根據(jù)本發(fā)明的一方面的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示設(shè)備；以及
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一方面的母基板的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)提及本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出這些實(shí)施例的實(shí)例，其中在整個(gè)申
請(qǐng)文件中，相同的附圖標(biāo)記指相同的元件。為了說明本發(fā)明的實(shí)施例，下面參見附圖描述這
些實(shí)施例?！磳?shí)例> 圖1A、1C和1D是根據(jù)本發(fā)明的一方面的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示設(shè)備的橫截 面視圖，并且圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一方面的像素的俯視圖。在下文中，應(yīng)該理解的是，在談 到一層"形成于"或"置于"第二層上的情況下，第一層可以直接形成于或置于第二層上，或 者在第一層和第二層之間可以有插入層。此外，如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"形成于...上"與 "位于...上"或"置于...上"具有相同的意思而被使用，并且不意味著限于任何特定的制 備過程。 參見圖1A，包括像素區(qū)a和非像素區(qū)b的基板100被形成，并且緩沖層110形成于 基板100上?；?00可以是由玻璃制成的絕緣基板，并且緩沖層110用于保護(hù)半導(dǎo)體層 不會(huì)遭受到基板100產(chǎn)生的雜質(zhì)。緩沖層110可以由SiOySiN,或它們的化合物形成。
非晶硅層120形成于緩沖層110所形成在的基板的整個(gè)表面上。非晶硅層120可 通過執(zhí)行化學(xué)汽相沉積(CVD)方法來形成。 然后，非晶硅層120和緩沖層110的對(duì)應(yīng)于非像素區(qū)b的部分被去除。這是因?yàn)?在非晶硅層120的結(jié)晶期間進(jìn)行高溫加熱，并且具有與基板IOO相同區(qū)域并且直接粘結(jié)于 基板100上的緩沖層110收縮，并且牽引基板100使得基板100彎曲。因此，即使在緩沖層 110的邊緣被去除時(shí)緩沖層110也收縮，牽引基板100的問題可以在某種程度被克服。結(jié) 果，可以降低該基板的彎曲程度。 參見圖1B，緩沖層的被去除的區(qū)域被限于滿足從位于像素區(qū)的外面的非像素區(qū)b 的最外面的邊緣到像素區(qū)a的外邊緣的范圍的要求的區(qū)域，并且緩沖層的被去除的區(qū)域是面板區(qū)域的8%到40%。這是因?yàn)楫?dāng)在非像素區(qū)b上的被去除緩沖層的區(qū)域小于8X時(shí)，該 層的被去除的量是如此的小，以致于雖然非像素區(qū)b上的緩沖層被去除，但緩沖層仍對(duì)基 板有影響，使得基板仍然被彎曲。此外，為了使絕緣層作為設(shè)備運(yùn)行，其區(qū)域應(yīng)該是面板的 至少60%。因此，去除面板區(qū)域的40%或更少的絕緣層的區(qū)域是有利的。當(dāng)絕緣層的區(qū)域 被去除面板區(qū)域的40%或更多時(shí)，像素區(qū)上的緩沖層可能被部分地去除，并且這可能造成 雜質(zhì)等的滲透。 接下來，參見圖1C，在如上所述形成非晶硅層120之后，將壓蓋層130形成于非晶 硅層120上。壓蓋層130可由氮化硅層或氧化硅層制成，并且可利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積(PECVD)法來形成。 如下面將描述的，壓蓋層130被形成為使金屬催化劑能擴(kuò)散，并且可以形成為5A 到2000A的厚度。當(dāng)壓蓋層的厚度為5A或更小時(shí)，控制金屬催化劑的低濃度是困難的， 并且其厚度為2000A或更大時(shí)，擴(kuò)散金屬催化劑是困難的，因此壓蓋層被形成為這樣的厚 度。同樣，一般而言，氧化物層或氮化物層充當(dāng)雜質(zhì)擴(kuò)散時(shí)的阻隔物，從而氧化硅或氮化硅 層的密度可以被降低以方便金屬催化劑的擴(kuò)散。 隨后，金屬催化劑層140被形成于壓蓋層130上。金屬催化劑層140可以由鎳制 成，并且可以通過噴射進(jìn)行沉積。此外，金屬催化劑層可以利用離子注入方法或利用等離子 體來形成。利用等離子體的方法包括將金屬材料沉積在壓蓋層130上，并且將這些結(jié)果暴 露給等離子體，以便形成該金屬催化劑層。 由這樣的方法形成的金屬催化劑層140可以被形成為2A或更小的厚度。當(dāng)為了 控制金屬催化劑的低濃度使金屬催化劑零星地而非密集地沉積時(shí)，當(dāng)所形成的金屬催化劑 層140的厚度為2A或更大時(shí)，金屬催化劑的濃度增加，使得控制低濃度是困難的。此外，硅 中的金屬催化劑的濃度同樣增加，因此晶體管的泄露電流增加，并且如下面描述的，多晶硅 層的晶粒大小被減小。 隨后，利用諸如火爐、快速熱退火(RTA)等等之類的加熱設(shè)備在75(TC或更低的溫 度下在基板100上執(zhí)行退火處理幾秒鐘或幾小時(shí)。 作為退火處理的結(jié)果，金屬催化劑層140的金屬催化劑擴(kuò)散進(jìn)非晶硅層120中，并 且退火處理被連續(xù)執(zhí)行，以便非晶硅層120被結(jié)晶成多晶硅層。 接下來，參見圖1D，壓蓋層130和金屬催化劑層140被蝕刻和去除，以便可以防止 對(duì)結(jié)晶后的多晶硅層的不必要的金屬污染。對(duì)多晶硅層進(jìn)行圖樣化，并且通過離子注入處 理來形成源極區(qū)/漏極區(qū)150S和150D以及溝道層150C。也就是說，半導(dǎo)體層150被形成。
在將柵極絕緣層160形成于半導(dǎo)體層150上之后，將柵極電極170形成于柵極絕 緣層160上。然后，將中間絕緣層180形成于柵極電極170上。 同緩沖層IIO—樣，柵極絕緣層160和中間絕緣層180可以由Si(^、SiN,或它們的 化合物來形成，并且這些層在非像素區(qū)b上的部分分別被去除。
隨后，形成部分連接到半導(dǎo)體層150的源極電極/漏極電極190a和190b。
如上所述，薄膜晶體管被完成，其中分別去除了緩沖層110、柵極絕緣層160以及 中間絕緣層180的在非像素區(qū)b上的部分。 接下來，參見圖1E，在形成薄膜晶體管之后，將保護(hù)層200形成于包括源極電極/ 漏極電極190a和190b在內(nèi)的基板的整個(gè)表面上。隨后，將平坦化層205和第一電極210
6形成于保護(hù)層200上。 隨后，由像素限定層220來限定像素，而后形成包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層230。隨 后，在基板的整個(gè)表面上形成第二電極240以完成包括薄膜器件的0LED顯示設(shè)備。
同時(shí)，將參照下列的表1-1和1-2描述當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例執(zhí)行或不執(zhí) 行分別去除緩沖層110、柵極絕緣層160以及中間絕緣層180的在非像素區(qū)b上的部分的過 程時(shí)的基板的狀態(tài)。 在下列表1-1和1-2中，示出了作為根據(jù)示例性實(shí)施例形成多晶硅層之后測(cè)量基 板狀態(tài)的結(jié)果的數(shù)據(jù)。表1-1表示作為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例以及根據(jù)沒有去除絕緣 層時(shí)的情況執(zhí)行退火處理之前和之后(A :在執(zhí)行退火處理之前，以及B :在執(zhí)行退火處理之 后)測(cè)量的彎曲基板的高度的結(jié)果的數(shù)據(jù)。另外，表l-2表示作為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施 例以及根據(jù)沒有去除絕緣層時(shí)的情況執(zhí)行退火處理之前和之后(A :在執(zhí)行退火處理之前， 以及B :在執(zhí)行處理退火之后)測(cè)量的彎曲基板的半徑的結(jié)果的數(shù)據(jù)。
表1-1
AB
高度(jim)高度(pm)高度(pm)偏差
示例性實(shí)施例172.8567.73394.93
當(dāng)沒有去除絕緣層時(shí)129.89675.11545.22 參見表l-l，在具有730 X 920mm的母基板(根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例從其中去 除了絕緣層的10% )的基板中，退火處理之前(A)基板的高度是172.8ym，并且退火處理 之后(B)基板的高度是567.73iim，從而它們的高偏差是394.93。同時(shí)，當(dāng)沒有去除絕緣層 時(shí)，退火處理之前(A)的128.89iim的高度和退火處理之后(B)的675. llym的高度的之 間的高度偏差是545. 22 m。因此，觀測(cè)到的是，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的在退火處理 之后的基板被彎曲得較小。還明顯的是，當(dāng)在退火處理之后(B)去除形成于非像素區(qū)上的 絕緣層時(shí)，基板被彎曲得較小。
表1-2
AB
半徑(m)半徑(m )半徑(m)偏差
示例性實(shí)施例99.0330.1468.69
當(dāng)沒有去除絕緣層時(shí)131.7425.35106.39 隨后，參見表l-2，當(dāng)基板被彎曲時(shí)，彎曲的程度被認(rèn)為是圓周，并且圓的半徑被測(cè) 量。相應(yīng)地，半徑偏差越小，彎曲程度就越小。 在表1-2中，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，當(dāng)從730X920mm的母基板去除絕緣
7層的10%時(shí)，退火處理之前(A)的半徑是99.03mm，并且在退火處理之后(B)，半徑變成 30. 14m，所以半徑減小了 6S.69m。同時(shí)在沒有去除絕緣層時(shí)，退火處理之前(A)的半徑為 131.74，并且在退火處理之后(B)，半徑是25. 35m，所以半徑減小了 106. 39m。如這些結(jié)果 所示，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，觀測(cè)到了 68. 69m的半徑偏差，而在沒有去除絕緣層的 情況下，觀測(cè)到了 106.39m的半徑偏差，從而根據(jù)本發(fā)明的各方面的半徑偏差被減小。由此 可見，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的基板的彎曲程度小于沒有去除絕緣層的基板的彎曲程 度。 適用于OLED顯示設(shè)備的方法可適用于母基板。母基板10包括多個(gè)像素20，并且 指被削邊之前的基板。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一方面的母基板的俯視圖。 參見圖2，將多個(gè)像素20形成于母基板10上。這時(shí)，將多個(gè)像素20放置為彼此分 隔開，并且在像素之間存在完成設(shè)備之后將被削邊的劃線a。 在像素20中形成OLED顯示設(shè)備，其包括由柵極電極(未示出)、半導(dǎo)體層(未示 出)、源極電極/漏極電極(未示出)等等組成的薄膜晶體管，并且在作為像素20的外部區(qū) 域的非像素區(qū)中形成絕緣層30。這時(shí)，包括結(jié)晶處理等等的退火處理被執(zhí)行，并且在從母基 板10中去除絕緣層30的在像素20的外部區(qū)域中的一部分后，退火處理被執(zhí)行。
絕緣層30的從母基板10去除的區(qū)域被限定于滿足從母基板10的最外面的邊緣 b到沿著最外面的像素20進(jìn)行限定的像素的最外面的邊緣b'的范圍的要求的區(qū)域內(nèi)。多 個(gè)像素20之間的絕緣層30可被去除，并且絕緣層30將被去除的區(qū)域?qū)?yīng)于母基板10的 總區(qū)域的8%到40%。母基板10的絕緣層30可由氧化硅層、氮化硅層或它們的化合物形 成。 下面提供絕緣層30的被去除的區(qū)域應(yīng)該是母基板的區(qū)域的8%到40%的原因。當(dāng) 絕緣層30的從母基板10去除的區(qū)域小于母基板的8%時(shí)，被去除的量是如此的小，以致于 由退火處理造成的絕緣層30的收縮對(duì)基板具有影響，并且基板仍然被彎曲，無論絕緣層30 的去除如何。而且，例如在具有730X920的尺寸的母基板10上形成多個(gè)2英寸、4英寸或 15英寸面板的處理中，觀測(cè)到的是，在2英寸像素的情況下，絕緣層的35%被去除，在4英 寸像素的情況下，絕緣層的40%被去除，以及在15英寸像素的情況下，絕緣層的35%被去 除。如果絕緣層被去除了與以上百分?jǐn)?shù)相比更大的百分?jǐn)?shù)，則雜質(zhì)可能滲透，并且絕緣特性 可能無法被保證，所以絕緣層被去除的最大區(qū)域可以是40%或更低。 因此，本發(fā)明的上述方面提供了其中絕緣層的一部分被去除的OLED顯示設(shè)備、其 制備方法以及母基板，以便在制造OLED顯示設(shè)備時(shí)由在高溫下執(zhí)行的退火處理所造成的 基板的彎曲能夠被減輕，并且故障能夠被減少。 盡管根據(jù)本發(fā)明的各方面主要描述了利用SGS方法的結(jié)晶，不過也能夠應(yīng)用其中 利用金屬催化劑來執(zhí)行結(jié)晶的MIC和MILC。 根據(jù)本發(fā)明的各方面，為了防止基板在被執(zhí)行用來產(chǎn)生精良設(shè)備的利用金屬催化 劑的結(jié)晶處理中由于在高溫下執(zhí)行退火處理而引起的彎曲，形成基板的絕緣層被部分去除 的結(jié)構(gòu)。因此，雖然在高溫下執(zhí)行的退火處理造成了絕緣層收縮，不過基板可以彎曲得較 小。此外，在形成設(shè)備的處理中可防止故障。 雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的某些示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明的各方面，不過本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解的是，可以對(duì)本發(fā)明的各方面進(jìn)行各種修改和變更，而不脫離所附權(quán)利要 求及其等同物所限定的本發(fā)明各方面的精神或范圍。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，包括基板，包括像素區(qū)和非像素區(qū)；緩沖層，置于該基板上；半導(dǎo)體層，置于該緩沖層上，并且包括溝道區(qū)和源極區(qū)/漏極區(qū)；柵極電極，被放置為對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體層的溝道區(qū)；柵極絕緣層，將該半導(dǎo)體層與該柵極電極絕緣；源極電極/漏極電極，電連接到該半導(dǎo)體層的源極區(qū)/漏極區(qū)；中間絕緣層，將該柵極電極與該源極電極/漏極電極絕緣；以及第一電極、有機(jī)層和第二電極，電連接到該源極電極/漏極電極，其中該緩沖層、該柵極絕緣層或該中間絕緣層的區(qū)域從該非像素區(qū)部分地被去除，并且該部分地被去除的區(qū)域?yàn)槊姘鍏^(qū)域的8％到40％。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中該部分地被去除的區(qū)域在從該非像素區(qū)的外邊緣到該像素區(qū)的外邊緣的范圍的區(qū)域內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中該部分地被去除的區(qū)域由氧化硅層或氮化硅層形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中該半導(dǎo)體層包含金屬顆粒。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中該緩沖層、該柵極絕緣層和該中間絕緣層由Si02、 SiNx或其化合物形成。
6. —種制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，包括形成包括像素區(qū)和非像素區(qū)的基板；將緩沖層形成于該基板上；將非晶硅形層成于該緩沖層上；去除該緩沖層和該非晶硅層的置于該非像素區(qū)上的區(qū)域；對(duì)該基板進(jìn)行退火以將該非晶硅層結(jié)晶成多晶硅層；對(duì)該多晶硅層進(jìn)行圖樣化以形成半導(dǎo)體層；將柵極絕緣層形成于該基板的整個(gè)表面上；將柵極電極形成為對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體層；將中間絕緣層形成于該基板之上；對(duì)該柵極絕緣層和該中間絕緣層進(jìn)行圖樣化，使得該柵極絕緣層和該中間絕緣層的置于該非像素區(qū)上的區(qū)域被去除；以及形成部分連接到該半導(dǎo)體層的源極電極/漏極電極，并且形成電連接到該源極電極/漏極電極的第一電極、有機(jī)層和第二電極，其中該緩沖層、該柵極絕緣層或該中間絕緣層的從非像素區(qū)被去除的區(qū)域是面板區(qū)域的8%到40%。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，包括將壓蓋層形成于該非晶硅層上；將金屬催化劑層形成于該壓蓋層上；以及去除該壓蓋層和該金屬催化劑層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中該緩沖層的被去除的區(qū)域在從該非像素區(qū)的外邊緣到該像素區(qū)的外邊緣的范圍的區(qū)域內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中在75(TC或更低 的溫度下執(zhí)行該退火處理幾秒鐘到幾小時(shí)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中該緩沖層、該柵 極絕緣層和該中間絕緣層由包括氮化硅、氧化硅或其化合物的材料形成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中該壓蓋層具有 在從5A至U2，000A的范圍的厚度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中該金屬催化劑層具有2A或更小的厚度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法，其中該金屬催化劑 層由鎳形成。
14. 一種母基板，包括 具有多個(gè)像素的基板；以及置于該基板上并且置于所述像素的外面的絕緣層，其中該絕緣層的位于該基板中的最 外面像素的外面的區(qū)域被去除。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的母基板，其中該絕緣層的被去除的區(qū)域在該基板的最外面 邊緣和該最外面像素之間。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的母基板，其中該絕緣層的被去除的區(qū)域?yàn)樵撃富宓?% 到40%。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的母基板，其中該絕緣層的被去除的區(qū)域包括該絕緣層的在 像素之間的部分。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的母基板，其中該絕緣層由包括氮化硅、氧化硅或其化合物 的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示設(shè)備、其制備方法和母基板，其中該OLED顯示設(shè)備包括基板，包括像素區(qū)和非像素區(qū)；緩沖層，置于該基板上；半導(dǎo)體層，置于該緩沖層上，并且包括溝道區(qū)和源極區(qū)/漏極區(qū)；柵極電極，被放置為對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體層的溝道區(qū)；柵極絕緣層，將該半導(dǎo)體層與該柵極電極絕緣；源極電極/漏極電極，電連接到該半導(dǎo)體層的源極區(qū)/漏極區(qū)；以及中間絕緣層，將該柵極電極與該源極電極/漏極電極絕緣，其中該緩沖層、該柵極絕緣層和該中間絕緣層的在該非像素區(qū)上的區(qū)域分別被去除，并且該部分地被去除的區(qū)域?yàn)槊姘鍏^(qū)域的8％到40％。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101752406SQ200910260660
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者任章淳, 盧智龍, 尹漢熙, 李吉遠(yuǎn), 梁泰勛 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社