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線路板的制作方法、線路板及晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):6936577閱讀:168來源:國知局
專利名稱:線路板的制作方法、線路板及晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種線路板及其制作方法,尤其涉及一種高導(dǎo)電跡線密度的線路板 的制作方法、線路板及晶片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
在線路板技術(shù)中,導(dǎo)電通道(conductive channel)是線路板(circuitboard)不可或
缺的構(gòu)件。導(dǎo)電通道可貫穿線路板的一層或多層絕緣層,用以連接線路板的二相鄰或不 相鄰的線路層,從而使這二線路層能相互電性導(dǎo)通。圖1A為現(xiàn)有技術(shù)中一種雙層線路板的局部俯視圖,而圖1B為圖1A中的雙層線 路板沿I-I線的剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A與圖1B,現(xiàn)有的雙層線路板100包括一絕緣 層110、二線路層120及130和二導(dǎo)電通道140及150。這些線路層120及130分別配置 于絕緣層110的一上表面112與一下表面114上。線路層120具有一第一導(dǎo)電跡線122 與一第二導(dǎo)電跡線124,線路層130具有一第三導(dǎo)電跡線132與一第四導(dǎo)電跡線134。絕 緣層110具有二貫孔116及118,且這些導(dǎo)電通道140及150分別配置于這些貫孔116及 118中。導(dǎo)電通道140連接于第一導(dǎo)電跡線122與第三導(dǎo)電跡線132之間,而導(dǎo)電通道 150連接于第二導(dǎo)電跡線124與第四導(dǎo)電跡線134之間。在現(xiàn)有技術(shù)中,為電性連接位于兩個(gè)不同線路層的導(dǎo)電跡線,需要形成多個(gè)導(dǎo) 電通道及多個(gè)用以容置這些導(dǎo)電通道的貫孔。然而,這些貫孔116及118會(huì)減少雙層線 路板100的可布線面積并降低雙層線路板100的布線彈性,且造成雙層線路板100的布線 密度無法提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種線路板的制作方法,可在單一貫孔中形成多個(gè)導(dǎo)電通道。本發(fā)明的又一目的是提供一種線路板,其具有多個(gè)位于單一貫孔中的導(dǎo)電通道。本發(fā)明的另一目的是提供一種晶片封裝結(jié)構(gòu),其承載晶片用的線路板具有多個(gè) 位于單一貫孔中的導(dǎo)電通道。本發(fā)明提供一種線路板的制作方法,其步驟如下所述首先,提供一基板,基 板具有一貫孔,基板包括一絕緣層、一第一金屬層以及一第二金屬層,絕緣層具有相對(duì) 的一第一表面與一第二表面,第一金屬層與第二金屬層分別配置于第一表面與第二表面 上,且貫孔貫穿絕緣層、第一金屬層以及第二金屬層。接著,在第一金屬層、第二金屬 層與貫孔的一內(nèi)壁上形成一第一導(dǎo)電層。然后,在第一導(dǎo)電層上形成一圖案化第二導(dǎo)電 層。之后,圖案化第一導(dǎo)電層、第一金屬層與第二金屬層,以形成一圖案化第一導(dǎo)電 層、一圖案化第一金屬層與一圖案化第二金屬層,其中圖案化第一金屬層、圖案化第二 金屬層、圖案化第一導(dǎo)電層以及圖案化第二導(dǎo)電層形成多個(gè)第一導(dǎo)電跡線、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中導(dǎo)電通道位于貫孔的內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,第一導(dǎo)電跡 線位于第一表面上,第二導(dǎo)電跡線位于第二表面上,且各導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo) 電跡線與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電跡線之間。接著,形成一第一防焊層,第一防焊層覆蓋至少部 分第一導(dǎo)電跡線。然后,形成一第二防焊層,第二防焊層覆蓋至少部分第二導(dǎo)電跡線。本發(fā)明提供一種線路板,包括一基板、一圖案化第一導(dǎo)電層、一圖案化第二 導(dǎo)電層、一第一防焊層以及一第二防焊層?;寰哂幸回灴?,基板包括一絕緣層、一 圖案化第一金屬層以及一圖案化第二金屬層,絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表 面,圖案化第一金屬層與圖案化第二金屬層分別配置于第一表面與第二表面上,且貫孔 貫穿絕緣層、圖案化第一金屬層以及圖案化第二金屬層。圖案化第一導(dǎo)電層配置于圖案 化第一金屬層、圖案化第二金屬層與貫孔的一內(nèi)壁上。圖案化第二導(dǎo)電層配置于圖案化 第一導(dǎo)電層上,其中圖案化第一金屬層、圖案化第二金屬層、圖案化第一導(dǎo)電層與圖案 化第二導(dǎo)電層形成多個(gè)第一導(dǎo)電跡線、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中導(dǎo)電通 道位于貫孔的內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,第一導(dǎo)電跡線位于第一表面上,第二導(dǎo)電跡線位 于第二表面上,且各導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電跡線與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電跡線之間。 第一防焊層覆蓋至少部分第一導(dǎo)電跡線。第二防焊層覆蓋至少部分第二導(dǎo)電跡線。本發(fā)明提供一種晶片封裝結(jié)構(gòu),包括一線路板與一晶片,其中線路板包括一 基板、一圖案化第一導(dǎo)電層、一圖案化第二導(dǎo)電層、一第一防焊層以及一第二防焊層。 基板具有一貫孔,基板包括一絕緣層、一圖案化第一金屬層以及一圖案化第二金屬層, 絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面,圖案化第一金屬層與圖案化第二金屬層分 別配置于第一表面與第二表面上,且貫孔貫穿絕緣層、圖案化第一金屬層以及圖案化第 二金屬層。圖案化第一導(dǎo)電層配置于圖案化第一金屬層、圖案化第二金屬層與貫孔的一 內(nèi)壁上。圖案化第二導(dǎo)電層配置于圖案化第一導(dǎo)電層上,其中圖案化第一金屬層、圖案 化第二金屬層、圖案化第一導(dǎo)電層與圖案化第二導(dǎo)電層形成多個(gè)第一導(dǎo)電跡線、多個(gè)第 二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中導(dǎo)電通道位于貫孔的內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,第一導(dǎo) 電跡線位于第一表面上,第二導(dǎo)電跡線位于第二表面上,且各導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的第 一導(dǎo)電跡線與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電跡線之間。第一防焊層覆蓋至少部分第一導(dǎo)電跡線。第二 防焊層覆蓋至少部分第二導(dǎo)電跡線。晶片配置于線路板上,并與線路板電性連接?;谏鲜?,本發(fā)明可在單一貫孔內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電通道,而無須像現(xiàn)有技術(shù)一般 需將多個(gè)導(dǎo)電通道分別形成在多個(gè)貫孔中。因此,本發(fā)明有助于增加線路板的可布線面 積并提升布線彈性,且有助于提升線路板的布線密度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并結(jié)合附圖作 詳細(xì)說明如下。


圖IA為現(xiàn)有技術(shù)中一種雙層線路板的局部俯視圖。圖IB為圖IA中的雙層線路板沿I-I線的剖面圖。圖2A至圖2G為本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的制程的俯視圖。圖3A至圖3G分別為圖2A至圖2G的沿1_1線的剖面圖。圖4A至圖4E分別為圖2C至圖2G的沿II_II線的剖面圖。
圖5A至圖5D分別為圖2D至圖2G的制程的仰視圖。
圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
主要元件符號(hào)說明
100 雙層線路板;110 絕緣層;
112 上表面;114 下表面;
116、118、T 貫孔;120、130 線路層;
122 第一導(dǎo)電跡線;124第二導(dǎo)電跡線;
132 第三導(dǎo)電跡線;134第四導(dǎo)電跡線;
140、150 導(dǎo)電通道;210、210,基板;
212 絕緣層;212a第一表面;
212b第一表面;214 第一金屬層;
214a圖案化第一金屬層;216 第二金屬層;
216a圖案化第二金屬層;220:第一導(dǎo)電層;
220a圖案化第一導(dǎo)電層;232:第一圖案化罩幕層
234 第二圖案化罩幕層;240:圖案化第二導(dǎo)電層
252 第一導(dǎo)電跡線;254第二導(dǎo)電跡線;
256 導(dǎo)電通道;262 第一防焊層;
262a第一開口;264 第二防焊層;
264a第二開口;272 第一表面處理層;
274 第二表面處理層;600晶片封裝體;
610 晶片; 620:導(dǎo)電凸塊;
630 底膠; 640 焊球;
D1、D2 :厚度;R:凹槽;
R1 第一子凹槽;R2 第二子凹槽;
R3 第三子凹槽;T1 內(nèi)壁;
200 線路板。
具體實(shí)施例方式圖2A至圖2G為本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的制程的俯視圖。圖3A至圖3G分 別為圖2A至圖2G的沿I-I線的剖面圖。圖4A至圖4E分別為圖2C至圖2G的沿II_II 線的剖面圖。圖5A至圖5D分別為圖2D至圖2G的制程的仰視圖。值得注意的是,圖 2F僅為圖4C中區(qū)域A的俯視圖,圖2G僅為圖4D中區(qū)域A的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A與圖3A,首先,提供一基板210 (例如銅箔基板),基板210具有 一貫孔T。詳細(xì)而言,基板210包括一絕緣層212、一第一金屬層214以及一第二金屬層 216,其中絕緣層212具有相對(duì)的一第一表面212a與一第二表面212b。第一金屬層214 與第二金屬層216分別配置于第一表面212a與第二表面212b上,第一金屬層214以及第 二金屬層216可分別為二厚度3微米的銅箔層。貫孔T貫穿絕緣層212、第一金屬層214 以及第二金屬層216,其中貫孔T的形成步驟包括機(jī)械鉆孔。請(qǐng)參照?qǐng)D2B與圖3B,在第一金屬層214、第二金屬層216與貫孔T的一內(nèi)壁T1上形成一第一導(dǎo)電層220。在本實(shí)施例中,形成第一導(dǎo)電層220的方法包括電鍍。請(qǐng)參照?qǐng)D2C、圖3C與圖4A,例如以雷射燒蝕的方式在第一導(dǎo)電層220上形成 多個(gè)凹槽R,凹槽R由第一表面212a經(jīng)貫孔T向第二表面212b延伸并將第一導(dǎo)電層220 的位于貫孔T中的部分分割成多個(gè)子部分,其中凹槽R可局部地暴露出絕緣層212的第一 表面212a、第二表面212b與貫孔T的內(nèi)壁T1。在本實(shí)施例中,各凹槽R具有一第一子 凹槽R1、一第二子凹槽R2與一第三子凹槽R3。第一子凹槽R1貫穿第一導(dǎo)電層220的 位于第一表面212a上的部分與第一金屬層214。第二子凹槽R2貫穿第一導(dǎo)電層220的 位于貫孔T中的部分。第三子凹槽R3貫穿第一導(dǎo)電層220的位于第二表面212b上的部 分與第二金屬層216。請(qǐng)參照?qǐng)D2D、圖3D、圖4B與圖5A,在第一導(dǎo)電層220的位于第一金屬層214 與第二金屬層216上的部分上分別形成一第一圖案化罩幕層232與一第二圖案化罩幕層 234。然后,在第一導(dǎo)電層220的被第一圖案化罩幕層232與第二圖案化罩幕層234所暴 露出的部分上電鍍一導(dǎo)電材料,以形成圖案化第二導(dǎo)電層240。請(qǐng)參照?qǐng)D2E、圖3E、圖4C與圖5B,圖案化第一導(dǎo)電層220、第一金屬層214 與第二金屬層216,以形成一圖案化第一導(dǎo)電層220a、一圖案化第一金屬層214a與一圖 案化第二金屬層216a。圖案化第一金屬層214a、圖案化第二金屬層216a、圖案化第一導(dǎo) 電層220a以及圖案化第二導(dǎo)電層240形成多個(gè)第一導(dǎo)電跡線252、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線254 與多個(gè)導(dǎo)電通道256,其中導(dǎo)電通道256位于貫孔T的內(nèi)壁T1上且彼此電性絕緣,第一 導(dǎo)電跡線252位于第一表面212a上,第二導(dǎo)電跡線254位于第二表面212b上,且各導(dǎo)電 通道256連接于對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電跡線252與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電跡線254之間。在本實(shí)施例 中,第一導(dǎo)電跡線252的厚度D1以及第二導(dǎo)電跡線254的厚度D2大于10微米。詳細(xì)而言,在本實(shí)施例中,圖案化第一導(dǎo)電層220、第一金屬層214與第二金 屬層216的步驟包括以圖案化第二導(dǎo)電層240為罩幕蝕刻第一導(dǎo)電層220、第一金屬層 214與第二金屬層216。在其他實(shí)施例中,圖案化第二導(dǎo)電層240可在圖案化第一導(dǎo)電層 220、第一金屬層214與第二金屬層216的步驟中被完全移除。請(qǐng)參照?qǐng)D2F、圖3F、圖4D與圖5C,形成一第一防焊層262以及一第二防焊層 264,其中第一防焊層262覆蓋部分第一導(dǎo)電跡線252,第二防焊層264覆蓋部分第二導(dǎo)電 跡線254。詳細(xì)而言,第一防焊層262具有多個(gè)第一開口 262a以暴露出部分第一導(dǎo)電跡 線252,第二防焊層264具有多個(gè)第二開口 264a以暴露出部分第二導(dǎo)電跡線254。請(qǐng)參照?qǐng)D2G、圖3G、圖4E與圖5D,為避免第一導(dǎo)電跡線252的被第一防焊層 262所暴露出的部分以及第二導(dǎo)電跡線254的被第二防焊層264所暴露出的部分接觸外界 環(huán)境而氧化或受到污染,可在第一導(dǎo)電跡線252的被第一防焊層262所暴露出的部分上形 成一第一表面處理層(surface finishlayer) 272 (例如鎳金層),以及在第二導(dǎo)電跡線254的 被第二防焊層264所暴露出的部分上形成一第二表面處理層274。詳細(xì)而言,第一表面 處理層272形成在第一開口 262a中,第二表面處理層274形成在第二開口 264a中。此 時(shí),以初步形成本實(shí)施例的線路板200。以下將詳細(xì)介紹本實(shí)施例的線路板的結(jié)構(gòu)部分。請(qǐng)參照?qǐng)D2G、圖3G、圖4E與圖5D,本實(shí)施例的線路板200包括一基板 210’、一圖案化第一導(dǎo)電層220a、一圖案化第二導(dǎo)電層240、一第一防焊層262以及一第二防焊層264?;?10’ (例如為銅箔基板)具有一貫孔T,基板210’包括一絕緣層212、 一圖案化第一金屬層214a以及一圖案化第二金屬層216a。在本實(shí)施例中,圖案化第一金 屬層214a以及圖案化第二金屬層216a分別為二厚度3微米的銅箔層。絕緣層212具有 相對(duì)的一第一表面212a與一第二表面212b,圖案化第一金屬層214a與圖案化第二金屬層 216a分別配置于第一表面212a與第二表面212b上。貫孔T貫穿絕緣層212、圖案化第 一金屬層214a以及圖案化第二金屬層216a。圖案化第一導(dǎo)電層220a配置于圖案化第一金屬層214a、圖案化第二金屬層216a 與貫孔T的一內(nèi)壁Tl上。圖案化第二導(dǎo)電層240配置于圖案化第一導(dǎo)電層220a上,其 中圖案化第一金屬層214a、圖案化第二金屬層216a、圖案化第一導(dǎo)電層220a與圖案化第 二導(dǎo)電層240形成多個(gè)第一導(dǎo)電跡線252、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線254與多個(gè)導(dǎo)電通道256。導(dǎo)電通道256位于貫孔T的內(nèi)壁Tl上且彼此電性絕緣,第一導(dǎo)電跡線252位于 第一表面212a上,第二導(dǎo)電跡線254位于第二表面212b上,且各導(dǎo)電通道256連接于對(duì) 應(yīng)的第一導(dǎo)電跡線252與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電跡線254之間。第一導(dǎo)電跡線252的厚度Dl與 第二導(dǎo)電跡線254的厚度D2可大于10微米。詳細(xì)而言,在本實(shí)施例中,線路板具有多個(gè)凹槽R,凹槽R由第一表面212a經(jīng) 貫孔T向第二表面212b延伸并將圖案化第一導(dǎo)電層220a的位于貫孔T中的部分分割成多 個(gè)子部分。各凹槽R可具有一第一子凹槽R1、一第二子凹槽R2與一第三子凹槽R3。 第一子凹槽Rl貫穿圖案化第一導(dǎo)電層220a的位于第一表面212a上的部分與圖案化第一 金屬層214a。第二子凹槽R2貫穿圖案化第一導(dǎo)電層220a的位于貫孔T中的部分。第 三子凹槽R3貫穿圖案化第一導(dǎo)電層220a的位于第二表面212b上的部分與圖案化第二金 屬層216a。在本實(shí)施例中,凹槽R為多個(gè)雷射凹槽,且凹槽R局部地暴露出絕緣層212 的第一表面212a、第二表面212b與貫孔T的內(nèi)壁Tl。第一防焊層262覆蓋部分第一導(dǎo)電跡線252。第二防焊層264覆蓋部分第二導(dǎo)電 跡線254。詳細(xì)而言,第一防焊層262具有多個(gè)第一開口 262a以暴露出部分第一導(dǎo)電跡 線252,第二防焊層264具有多個(gè)第二開口 264a以暴露出部分第二導(dǎo)電跡線254。此外,在本實(shí)施例中,為避免第一導(dǎo)電跡線252的被第一防焊層262所暴露出的 部分以及第二導(dǎo)電跡線254的被第二防焊層264所暴露出的部分接觸外界環(huán)境而氧化或受 到污染,可在第一導(dǎo)電跡線252的被第一防焊層262所暴露出的部分以及第二導(dǎo)電跡線 254的被第二防焊層264所暴露出的部分上分別配置一第一表面處理層272與一第二表面 處理層274。詳細(xì)而言,第一表面處理層272位于第一開口 262a中,第二表面處理層274 位于第二開口 264a中。第一表面處理層272與第二表面處理層274的材質(zhì)包括鎳金、 錫、錫銀合金或有機(jī)保焊劑(Organic Solderability Preservative ;簡稱為OSP)等。值得注意的是,由于本實(shí)施例的線路板200的布線密度較高,因此,可將線路 板200應(yīng)用于高接點(diǎn)密度的晶片封裝體中以作為晶片承載基板。以下將詳細(xì)介紹具有本實(shí)施例的線路板的晶片封裝結(jié)構(gòu)。圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6,本實(shí)施例的晶片 封裝體600包括一線路板200與一晶片610,其中線路板200的結(jié)構(gòu)與圖4E的線路板200 的結(jié)構(gòu)相同,故在此不再贅述。晶片610配置于線路板200上,并與線路板200電性連接。在本實(shí)施例中,可將多個(gè)導(dǎo)電凸塊620配置于晶片610與線路板200之間,以電 性連接晶片610與線路板200。詳細(xì)而言,導(dǎo)電凸塊620分別通過第一防焊層262的多 個(gè)第一開口 262a而連接第一導(dǎo)電跡線252。此外,在本實(shí)施例中,可在晶片610與線路 板200之間配置一底膠630,以包覆導(dǎo)電凸塊620。在另一未給出圖示的實(shí)施例中,晶片 610可通過多個(gè)導(dǎo)線(未示出)電性連接至線路板200,且可在線路板200上形成一封裝 膠體(未示出)以包覆導(dǎo)線。此外,可在第二導(dǎo)電跡線254的被第二開口 264a所暴露出 的部分上形成多個(gè)焊球640,以與其他的電子元件(未示出)電性連接。綜上所述,本發(fā)明可在單一貫孔內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電通道,而無須像現(xiàn)有技術(shù)一般 需將多個(gè)導(dǎo)電通道分別形成在多個(gè)貫孔中。因此,本發(fā)明有助于增加線路板的可布線面 積并提升布線彈性,且有助于提升線路板的布線密度。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限 制,盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理 解其依然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而這些修改或者等同替換 亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種線路板的制作方法,其特征在于,包括提供一基板,所述基板具有一貫孔,所述基板包括一絕緣層、一第一金屬層以及一 第二金屬層,所述絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面,所述第一金屬層與所述 第二金屬層分別配置于所述第一表面與所述第二表面上,且所述貫孔貫穿所述絕緣層、 所述第一金屬層以及所述第二金屬層;在所述第一金屬層、所述第二金屬層與所述貫孔的一內(nèi)壁上形成一第一導(dǎo)電層;在所述第一導(dǎo)電層上形成一圖案化第二導(dǎo)電層;圖案化所述第一導(dǎo)電層、所述第一金屬層與所述第二金屬層,以形成一圖案化第一 導(dǎo)電層、一圖案化第一金屬層與一圖案化第二金屬層,其中所述圖案化第一金屬層、所 述圖案化第二金屬層、所述圖案化第一導(dǎo)電層以及所述圖案化第二導(dǎo)電層形成多個(gè)第一 導(dǎo)電跡線、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中所述多個(gè)導(dǎo)電通道位于所述貫孔的 所述內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線位于所述第一表面上,所述多個(gè)第 二導(dǎo)電跡線位于所述第二表面上,且各所述導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電跡線與 對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電跡線之間;形成一第一防焊層,所述第一防焊層覆蓋至少部分所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線;以及形成一第二防焊層,所述第二防焊層覆蓋至少部分所述多個(gè)第二導(dǎo)電跡線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法,其特征在于,其中形成所述圖案化第二 導(dǎo)電層的步驟包括在所述第一導(dǎo)電層上形成多個(gè)凹槽,所述多個(gè)凹槽由所述第一表面經(jīng)所述貫孔向所 述第二表面延伸并將所述第一導(dǎo)電層的位于所述貫孔中的部分分割成多個(gè)子部分;在所述第一導(dǎo)電層的位于所述第一金屬層與所述第二金屬層上的部分上分別形成一 第一圖案化罩幕層與一第二圖案化罩幕層;以及在所述第一導(dǎo)電層的被所述第一圖案化罩幕層與所述第二圖案化罩幕層所暴露出的 部分上電鍍一導(dǎo)電材料,以形成所述圖案化第二導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線路板的制作方法,其特征在于,其中各所述凹槽具有一第 一子凹槽、一第二子凹槽與一第三子凹槽,所述第一子凹槽貫穿所述第一導(dǎo)電層的位于 所述第一表面上的部分與所述第一金屬層,所述第二子凹槽貫穿所述第一導(dǎo)電層的位于 所述貫孔中的部分,所述第三子凹槽貫穿所述第一導(dǎo)電層的位于所述第二表面上的部分 與所述第二金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線路板的制作方法,其特征在于,其中形成所述多個(gè)凹槽的 步驟包括雷射燒蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線路板的制作方法,其特征在于,其中所述多個(gè)凹槽局部地 暴露出所述絕緣層的所述第一表面、所述第二表面與所述貫孔的所述內(nèi)壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法,其特征在于,其中圖案化所述第一導(dǎo)電 層、所述第一金屬層與所述第二金屬層的步驟包括以所述圖案化第二導(dǎo)電層為罩幕蝕刻 所述第一導(dǎo)電層、所述第一金屬層與所述第二金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法,其特征在于,還包括在所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線的被所述第一防焊層所暴露出的部分上形成一第一表面處 理層;以及在所述多個(gè)第二導(dǎo)電跡線的被所述第二防焊層所暴露出的部分上形成一第二表面處理層。
8.—種線路板,其特征在于,包括一基板,具有一貫孔,所述基板包括一絕緣層、一圖案化第一金屬層以及一圖案化 第二金屬層,所述絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面,所述圖案化第一金屬層 與所述圖案化第二金屬層分別配置于所述第一表面與所述第二表面上,且所述貫孔貫穿 所述絕緣層、所述圖案化第一金屬層以及所述圖案化第二金屬層;一圖案化第一導(dǎo)電層,配置于所述圖案化第一金屬層、所述圖案化第二金屬層與所 述貫孔的一內(nèi)壁上;一圖案化第二導(dǎo)電層,配置于所述圖案化第一導(dǎo)電層上,其中所述圖案化第一金屬 層、所述圖案化第二金屬層、所述圖案化第一導(dǎo)電層與所述圖案化第二導(dǎo)電層形成多個(gè) 第一導(dǎo)電跡線、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中所述多個(gè)導(dǎo)電通道位于所述貫 孔的所述內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線位于所述第一表面上,所述多 個(gè)第二導(dǎo)電跡線位于所述第二表面上,且各所述導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電跡 線與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電跡線之間;一第一防焊層,覆蓋至少部分所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線;以及一第二防焊層,覆蓋至少部分所述多個(gè)第二導(dǎo)電跡線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線路板,其特征在于,還包括一第一表面處理層,配置在所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線的被所述第一防焊層所暴露出的 部分上;以及一第二表面處理層,配置在所述多個(gè)第二導(dǎo)電跡線的被所述第二防焊層所暴露出的 部分上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線路板,其特征在于,其中所述線路板具有多個(gè)凹槽,所 述多個(gè)凹槽由所述第一表面經(jīng)所述貫孔向所述第二表面延伸并將所述圖案化第一導(dǎo)電層 的位于所述貫孔中的部分分割成多個(gè)子部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線路板,其特征在于,其中各所述凹槽具有一第一子凹 槽、一第二子凹槽與一第三子凹槽,所述第一子凹槽貫穿所述圖案化第一導(dǎo)電層的位于 所述第一表面上的部分與所述圖案化第一金屬層,所述第二子凹槽貫穿所述圖案化第一 導(dǎo)電層的位于所述貫孔中的部分,所述第三子凹槽貫穿所述圖案化第一導(dǎo)電層的位于所 述第二表面上的部分與所述圖案化第二金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線路板,其特征在于,其中所述多個(gè)凹槽局部地暴露出所 述絕緣層的所述第一表面、所述第二表面與所述貫孔的所述內(nèi)壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線路板,其特征在于,其中所述圖案化第一金屬層以及所 述圖案化第二金屬層分別為二銅箔層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線路板,其特征在于,其中所述第一導(dǎo)電跡線的厚度以及 所述第二導(dǎo)電跡線的厚度大于10微米。
15.—種晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一線路板,包括一基板,具有一貫孔,所述基板包括一絕緣層、一圖案化第一金屬層以及一圖案化第二金屬層,所述絕緣層具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面,所述圖案化第一金屬層 與所述圖案化第二金屬層分別配置于所述第一表面與所述第二表面上,且所述貫孔貫穿 所述絕緣層、所述圖案化第一金屬層以及所述圖案化第二金屬層;一圖案化第一導(dǎo)電層,配置于所述圖案化第一金屬層、所述圖案化第二金屬層與所 述貫孔的一內(nèi)壁上;一圖案化第二導(dǎo)電層,配置于所述圖案化第一導(dǎo)電層上,其中所述圖案化第一金屬 層、所述圖案化第二金屬層、所述圖案化第一導(dǎo)電層與所述圖案化第二導(dǎo)電層形成多個(gè) 第一導(dǎo)電跡線、多個(gè)第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電通道,其中所述多個(gè)導(dǎo)電通道位于所述貫 孔的所述內(nèi)壁上且彼此電性絕緣,所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線位于所述第一表面上,所述多 個(gè)第二導(dǎo)電跡線位于所述第二表面上,且各所述導(dǎo)電通道連接于對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電跡 線與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電跡線之間;一第一防焊層,覆蓋至少部分所述多個(gè)第一導(dǎo)電跡線;一第二防焊層,覆蓋至少部分所述多個(gè)第二導(dǎo)電跡線;以及一晶片,配置于所述線路板上,并與所述線路板電性連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括多個(gè)導(dǎo)電凸塊,配置于所述晶片與所述線路板之間,以電性連接所述晶片與所述線 路板;以及一底膠,配置于所述晶片與所述線路板之間,以包覆所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括多個(gè)導(dǎo)線,連接所述晶片與所述線路板,以電性連接所述晶片與所述線路板;以及一封裝膠體,配置于所述線路板上并包覆所述多個(gè)導(dǎo)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,其中所述線路板具有多個(gè)凹 槽,所述多個(gè)凹槽由所述第一表面經(jīng)所述貫孔向所述第二表面延伸并將所述圖案化第一 導(dǎo)電層的位于所述貫孔中的部分分割成多個(gè)子部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,其中各所述凹槽具有一第一 子凹槽、一第二子凹槽與一第三子凹槽,所述第一子凹槽貫穿所述圖案化第一導(dǎo)電層的 位于所述第一表面上的部分與所述圖案化第一金屬層,所述第二子凹槽貫穿所述圖案化 第一導(dǎo)電層的位于所述貫孔中的部分,所述第三子凹槽貫穿所述圖案化第一導(dǎo)電層的位 于所述第二表面上的部分與所述圖案化第二金屬層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種線路板的制作方法、線路板及晶片封裝結(jié)構(gòu),其中,線路板的制作方法包括如下步驟首先,提供一基板,其具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面。接著,于基板上形成一連接第一表面及第二表面的貫孔。然后,在基板上全面形成一導(dǎo)電層。之后,在導(dǎo)電層上形成二凹槽,二凹槽分別向第二表面延伸,將導(dǎo)電層位于貫孔內(nèi)與貫孔周邊的部分分割成第一導(dǎo)電通道與第二導(dǎo)電通道。接著,圖案化導(dǎo)電層,在第一表面上形成一第一導(dǎo)電跡線及一第二導(dǎo)電跡線,并在第二表面上形成一第三導(dǎo)電跡線與一第四導(dǎo)電跡線。本發(fā)明提供的線路板的制作方法、線路板及晶片封裝結(jié)構(gòu),有助于增加線路板的可布線面積并提升布線彈性,且有助于提升線路板的布線密度。
文檔編號(hào)H01L23/13GK102026498SQ20091016908
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月21日
發(fā)明者蘇洹漳, 謝佳雄, 黃士輔 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
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