專(zhuān)利名稱(chēng)：載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法及載臺(tái)裝置、曝光裝置、及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法及載臺(tái)裝置、曝光裝置、及元件制造方法， 更詳細(xì)的說(shuō)，是關(guān)于將能在包含有液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一區(qū)域的區(qū)
裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之間供應(yīng)液體且通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與該液體使 基板曝光的曝光裝置，以及使用該曝光裝置的元件制造方法。
背景技術(shù)：
已知，在供制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等電子元件 的光刻步驟，主要使用步進(jìn)重復(fù)(st印and repeat)方式的縮小投影曝光裝置 (所謂步進(jìn)機(jī))，或步進(jìn)掃描(step and scan)方式的投影曝光裝置(所謂 掃描步進(jìn)機(jī)(也稱(chēng)為掃描機(jī)))，將掩膜或標(biāo)線片(以下，統(tǒng)稱(chēng)為"標(biāo)線片，，) 的圖案像通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)，轉(zhuǎn)印于涂布有光刻膠(感光劑)的晶片或玻璃 板等的感旋光性基板(以下，稱(chēng)為"基板"或"晶片")上的多個(gè)各照射區(qū) 域。
投影曝光裝置所具備的投影光學(xué)系統(tǒng)的分辨率R，能以下式(1)的瑞 利(Rayleigh)式表示
R=K, x X脆 (1 )
在此，人是曝光波長(zhǎng)，NA是投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，^是處理系數(shù)。 由于式(1)所使用的曝光波長(zhǎng)(曝光用光的波長(zhǎng))越短，且投影光學(xué)系統(tǒng)細(xì)化， 使用于投影曝光裝置的曝光波長(zhǎng)則年年越短波長(zhǎng)化，目前以比KrF準(zhǔn)分子激 光(波長(zhǎng)248nm)短波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)為光源的曝光裝 置也實(shí)用化。又，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑也逐漸增大。
進(jìn)行曝光時(shí)，與分辨率同樣，焦點(diǎn)深度(DOF)也很重要。焦點(diǎn)深度5 能以下式(2)表示
5=K2x入維2 (2)
在此，K2是處理系數(shù)。依據(jù)式(1)、式(2),為了要提高分辨率R, 若使曝光波長(zhǎng)縮短，使數(shù)值孔徑NA變大(大NA化)，則得知焦點(diǎn)深度5 會(huì)變小。在投影曝光裝置，是將晶片的表面配合投影光學(xué)系統(tǒng)的像面來(lái)進(jìn)行 曝光，因此，較佳者為焦點(diǎn)深度5應(yīng)具某程度大。
然而，通過(guò)上述曝光用光的短波長(zhǎng)化及投影光學(xué)系統(tǒng)的大NA化，焦點(diǎn) 深度5是越來(lái)越變小。又，曝光波長(zhǎng)將來(lái)會(huì)變成更短波長(zhǎng)化已確定，假如保 持此趨勢(shì)，焦點(diǎn)深度5則會(huì)變過(guò)小，而產(chǎn)生曝光動(dòng)作時(shí)的焦點(diǎn)裕度不足之虞。
因此，當(dāng)作實(shí)質(zhì)上能使曝光波長(zhǎng)縮短，且比空氣中使焦點(diǎn)深度變大(寬 廣)的方法，最近利用液浸法的曝光裝置則引起注目。利用該液浸法的曝光 裝置，已知悉在投影光學(xué)系統(tǒng)的下面與晶片表面之間，以局部填滿水或有 機(jī)溶劑等的液體的狀態(tài)，進(jìn)行曝光的(例如，參照下述專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。此專(zhuān) 利文獻(xiàn)1所記載的曝光裝置，是利用在液體中的曝光用光的波長(zhǎng)，會(huì)成為空 氣中的1/n倍(n是液體的折射率，通常1.2~1.6程度)，來(lái)提高分辨率，并 且比起不使用液浸法能獲得與該分辨率相同分辨率的投影光學(xué)系統(tǒng)(假設(shè)此 種投影光學(xué)系統(tǒng)的制造是可能的)，能使焦點(diǎn)深度擴(kuò)大為n倍，即比空氣中 能使焦點(diǎn)深度實(shí)質(zhì)上擴(kuò)大n倍。
然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)l所記栽的曝光裝置，在晶片交換時(shí)，在晶片我臺(tái)從投 影光學(xué)系統(tǒng)正下方離開(kāi)前的階段，需要將液體暫時(shí)回收，使投影光學(xué)系統(tǒng)的 下面與晶片表面之間，從濕狀態(tài)變成干狀態(tài)。但是，如此，若每于晶片交換時(shí)，需要進(jìn)行液體的回收與供應(yīng)，可確定液體的回收與供應(yīng)所需的時(shí)間會(huì)變 成曝光裝置的產(chǎn)能降低的主要原因。
又，如上述，將投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g從濕狀態(tài)變成千狀態(tài) 時(shí)，若持續(xù)干狀態(tài)，則在構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)最下端的光學(xué)構(gòu)件(所謂前球，
透鏡或玻璃板等；以下，稱(chēng)為"前端透鏡")的表面，會(huì)有產(chǎn)生水紋(水痕)
之虞。又，在該前端透鏡附近若配置自動(dòng)對(duì)焦機(jī)構(gòu)的構(gòu)成構(gòu)件的光學(xué)構(gòu)件(例 如棱鏡)的情形，在該自動(dòng)對(duì)焦機(jī)構(gòu)的構(gòu)成構(gòu)件的光學(xué)構(gòu)件表面，會(huì)有產(chǎn)生 水紋(水痕)之虞。此水紋的產(chǎn)生，則會(huì)成為投影光學(xué)系統(tǒng)的透過(guò)率降低或
閃光(flare)的要因，進(jìn)而或會(huì)成為使投影光學(xué)系統(tǒng)的其它結(jié)像性能惡化的 要因。又，若在上述棱鏡等產(chǎn)生水痕的情形，以自動(dòng)對(duì)焦方式使晶片表面與 投影光學(xué)系統(tǒng)的像面對(duì)準(zhǔn)時(shí)的面對(duì)準(zhǔn)精度則有降低之虞。又，水痕的產(chǎn)生若 嚴(yán)重時(shí)，需要前端透鏡或光學(xué)構(gòu)件的更換，但其更換所需的時(shí)間會(huì)成為使曝 光裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率降低的要因。
又，在本說(shuō)明書(shū)，使用水以外的液體時(shí)，將形成于前端透鏡等的花紋也 稱(chēng)為水紋(水痕)。
前述專(zhuān)利文獻(xiàn)1為國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)小冊(cè)子。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，有鑒于上述情況，提供一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與 液體，使基板曝光，所述裝置具備
第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)；
標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置成從該投影光學(xué)系統(tǒng)而分離于第 一方向，以檢測(cè)該 基板的標(biāo)記；及
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該第一、 第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載 臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載 臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
12本發(fā)明還提供一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光,
所述裝置具備
第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)；及
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，為使該基;f反掃描曝光，將載置該基板的該第一載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于第 一方向，且以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間邊保持該液體，邊從該第一、第
二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載臺(tái) 之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)
驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
本發(fā)明還提供一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，
所述裝置具備
第一、第二載臺(tái)，能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域、及相對(duì) 于該第一區(qū)域而位于第一方向的一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)，分別獨(dú)立移 動(dòng)；及
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該第一、 第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載 臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載 臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
本發(fā)明還提供一種組件制造方法，所述方法包含使用上述的曝光裝置以 能量光束使基板曝光的微影步驟。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，是透過(guò)^L影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，
所述方法包含
藉由能分別獨(dú)立移動(dòng)的第一、第二載臺(tái)之一方，在其與該投影光學(xué)系統(tǒng) 之間保持該液體；
藉由配置成從該投影光學(xué)系統(tǒng)而分離于第 一方向的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè) 在該第一、第二載臺(tái)的另一方所載置的基板的標(biāo)記；及
以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該 一載臺(tái)與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第 一狀態(tài)遷移至該另 一載臺(tái)與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二 狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，
所述方法包含
將基板載置于能分別獨(dú)立移動(dòng)的第一、第二載臺(tái)之一方；
邊將該一載臺(tái)移動(dòng)于第一方向，邊透過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與液體將該一載
臺(tái)所載置的基板掃描曝光；及
以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該一載臺(tái)與該投影光學(xué)
系統(tǒng)相對(duì)向的第 一狀態(tài)遷移至該第 一、第二載臺(tái)的另 一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)
相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的
第二方向。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光， 所述方法包含
藉由能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域、及相對(duì)于該第一區(qū)域 而位于第一方向的一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)分別獨(dú)立移動(dòng)的第一、第二 栽臺(tái)的一方，在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體；及
以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該一載臺(tái)與該投影光學(xué) 系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載臺(tái)的另 一方與該投影光學(xué)系統(tǒng) 相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的 第二方向。
本發(fā)明還提供一種組件制造方法，所述組件制造方法是包含使用上述的 曝光方法以能量光束使基板曝光的微影步驟。
本發(fā)明還提供一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束 使基板曝光，所述裝置具備
第一、第二載臺(tái)，能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域、及與該 第一區(qū)域不同的第二區(qū)域的區(qū)域內(nèi)分別獨(dú)立移動(dòng)；及
14線性馬達(dá)系統(tǒng)，是以將該第一、第二載臺(tái)分別從該第一、第二區(qū)域之一 方移動(dòng)至另一方，且邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該 液體的該第一、第二栽臺(tái)之一方和另一方切換的方式，于既定方向邊維持近 接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向。
本發(fā)明還提供一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束
使基板曝光，所述裝置具備
第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)且在至少2個(gè)側(cè)面設(shè)置反射面； 干涉計(jì)系統(tǒng)，將測(cè)量光束照射于該各載臺(tái)的反射面以測(cè)量位置信息；及 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該
液體的該第一、第二載臺(tái)的一方和另一方切換的方式，于既定方向邊維持近
接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向；
在該切換動(dòng)作中相對(duì)向的該第一、第二載臺(tái)的側(cè)面，是與供該反射面設(shè)
置的側(cè)面不同。
本發(fā)明還提供一種組件制造方法，所述組件制造方法是包含使用撒謊哪 個(gè)述的曝光裝置以能量光束使基板曝光之微影步驟。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束 使基板曝光，所述方法包含
藉由線性馬達(dá)系統(tǒng)，將第一、第二栽臺(tái)從該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一 區(qū)域，及與該第一區(qū)域不同的第二區(qū)域的一方移動(dòng)至另一方；及
以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該液體的該第 一、第二載臺(tái)之一方和另一方切換的方式，藉由線性馬達(dá)系統(tǒng)于既定方向邊 維持近接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二栽臺(tái)移動(dòng)于該既定方向。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束 使基板曝光，所述方法包含
將在至少2個(gè)側(cè)面設(shè)置反射面的第一、第二載臺(tái)分別獨(dú)立移動(dòng)，且藉由 千涉計(jì)系統(tǒng)將測(cè)量光束照射于該反射面以測(cè)量該各載臺(tái)的位置信息；及以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該液體的該第 一、第二載臺(tái)之一方和另一方切換的方式，于既定方向邊維持近接或接觸的
位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向；
在該切換動(dòng)作中相對(duì)向的該第一、第二載臺(tái)的側(cè)面，是與供該反射面設(shè) 置的側(cè)面不同。
本發(fā)明還提供一種組件制造方法，所述組件制造方法是包含使用上述的 曝光方法以能量光束使基板曝光之微影步驟。
而依第一觀點(diǎn)，本發(fā)明還提出一種載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法，是在包含有液體局部 供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一區(qū)域、與位于該第一區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)
域的既定范圍區(qū)域內(nèi)，獨(dú)立驅(qū)動(dòng)第一載臺(tái)與第二載臺(tái)，其中
當(dāng)從該第一、第二載臺(tái)中的一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第一狀態(tài)，遷移至 另一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第一載臺(tái)與第二載臺(tái)，維持于 與該第一軸方向交叉的第二軸方向上呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，并 將該第一、第二載臺(tái)朝該第二軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
在此，所謂"第一載臺(tái)與第二載臺(tái)呈近接狀態(tài)"，是指以從第一載臺(tái)與 第二載臺(tái)之間不泄漏液體，或液體的泄漏少的程度，使第一載臺(tái)與第二載臺(tái) 呈近接狀態(tài)而言。但是，第一載臺(tái)與第二載臺(tái)的間隔的容許值，是因該兩載 臺(tái)的材質(zhì)或液體的種類(lèi)等而不同。本說(shuō)明書(shū)，是站在這種觀點(diǎn)使用"第一載 臺(tái)與第二載臺(tái)呈近接狀態(tài)"的表現(xiàn)。
依此，在包含將液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一區(qū)域、與位于該第一區(qū) 域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)，使第一載臺(tái)與第二載臺(tái) 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)時(shí)，在從一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一栽臺(tái)位于該 第一區(qū)域的第二狀態(tài)的情形，第一、第二載臺(tái)，維持與第一軸方向交叉的第 二軸方向彼此呈近接狀態(tài)或接觸狀態(tài)，而朝第二軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。藉此，以 在第一、第二載臺(tái)中的至少一載臺(tái)上形成液浸區(qū)域的狀態(tài)，邊防止或抑制從 第一、第二載臺(tái)(兩栽臺(tái))的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)。即，從一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)， 至另一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步驟， 能使其遷移。因此，將從第一狀態(tài)至第二狀態(tài)的遷移能以短時(shí)間進(jìn)行。
本發(fā)明，依第二觀點(diǎn)，提出一種載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法，是在包含有液體局部供 應(yīng)的二維面內(nèi)的第一區(qū)域、與位于該第一區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域
的既走范圍的區(qū)域內(nèi)，驅(qū)動(dòng)第一栽臺(tái)；在包含該第一區(qū)域、與位于該第一
區(qū)域的該第 一 軸方向的另 一 側(cè)的第三區(qū)域的既定范圍的區(qū)域內(nèi)，驅(qū)動(dòng)第二載
臺(tái)，其中
當(dāng)從該第一、第二載臺(tái)中的一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第一狀態(tài)，遷移 至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第一載臺(tái)與第二載臺(tái)，維 持與該第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，并將該第一 、第二載 臺(tái)朝該第一軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
依此，在包含將液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一 區(qū)域、與位于該第一 區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)，驅(qū)動(dòng)第一載臺(tái)，在包 含該第一 區(qū)域、與位于該第一 區(qū)域的該第一軸方向的另一側(cè)的第三區(qū)域的 既定范圍區(qū)域內(nèi)，驅(qū)動(dòng)第二載臺(tái)時(shí)，從一載臺(tái)位于第一 區(qū)域的第一狀態(tài)遷 移至另一載臺(tái)位于第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，第一載臺(tái)與第二載臺(tái)，維持與 第一軸方向呈近接狀態(tài)或接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，而朝第一 軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。 藉此，以在第一、第二載臺(tái)中的至少一載臺(tái)上形成液浸區(qū)域的狀態(tài)，邊防止 或抑制從第一、第二載臺(tái)的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷移至第二狀 態(tài)。即，從一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)， 至另一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步驟， 能使其遷移。因此，將從第一狀態(tài)至第二狀態(tài)的遷移能以短時(shí)間進(jìn)行。
本發(fā)明，依第三觀點(diǎn)，提供第一載臺(tái)裝置，具備
第一、第二載臺(tái)，能在包含有液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一 區(qū)域、 與位于該第一 區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)獨(dú)立驅(qū)
17動(dòng)；及
控制裝置，當(dāng)從該第一、第二載臺(tái)中的一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第一 狀態(tài)，遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，該第一載臺(tái)與該第 二載臺(tái)，維持與該第 一軸方向交叉的第二軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任 一狀態(tài)，以使該第一、第二栽臺(tái)朝該第二軸方向同時(shí)移動(dòng)的方式，來(lái)控制該 第一 、第二載臺(tái)。
依此，從第一 、第二載臺(tái)中的一栽臺(tái)位于有液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的 第一區(qū)域的第一狀態(tài)，遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，通 過(guò)控制裝置，控制第一、第二載臺(tái)，使第一、第二載臺(tái)維持與第一軸方向 交叉的第二軸方向彼此呈近接狀態(tài)或接觸狀態(tài)，而朝第二軸方向同時(shí)移動(dòng)。 藉此，以在第一、第二載臺(tái)中的至少一載臺(tái)上形成液浸區(qū)域的狀態(tài)，邊防止 或抑制從第一、第二載臺(tái)(兩載臺(tái))的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷 移至第二狀態(tài)。即，從一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)上保持 液體的狀態(tài)，至另一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度 供應(yīng)的步驟，能使其遷移。因此，將從第一狀態(tài)至第二狀態(tài)的遷移能以短時(shí) 間進(jìn)行。
本發(fā)明，依第四觀點(diǎn)，提供第二載臺(tái)裝置，具備
第一載臺(tái)，能在包含有液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的第一 區(qū)域、與位于 該第一 區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍的區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；
第二栽臺(tái)，能在包含該第一區(qū)域、與位于該第一 區(qū)域的該第一軸方向 的另一側(cè)的第三區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；及
控制裝置，使從該第一、第二栽臺(tái)中的一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第一 狀態(tài)，遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，將該第一、第二載 臺(tái)控制成，維持與該第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，以使該 第一、第二載臺(tái)朝該第一軸方向同時(shí)移動(dòng)。
依此，從第一 、第二載臺(tái)中的一載臺(tái)位于有液體局部供應(yīng)的二維面內(nèi)的維持與第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，而朝第一軸方向同時(shí)移動(dòng)。藉此，以在第一 、第二載臺(tái)中的至少一載臺(tái)上形成液浸區(qū)域的狀態(tài)，邊防止或抑制從第一、笫二載臺(tái)的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)。即，從一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，至另一載臺(tái)上保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步驟，能使其遷移。因此，將從第一狀態(tài)至第二狀態(tài)的遷移能以短時(shí)間進(jìn)行。
本發(fā)明，依第五觀點(diǎn)，提供第一曝光裝置，是在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之間供應(yīng)液體，通過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與該液體，通過(guò)能量光束使該基板曝光，
具備
第一載臺(tái)，能在包含待供應(yīng)該液體的該投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第一 區(qū)域、與位于該投影光學(xué)系統(tǒng)的第 一軸方向 一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；
第二載臺(tái)，能在包含該第一 區(qū)域、與位于該投影光學(xué)系統(tǒng)的第一軸方向的另一側(cè)的第三區(qū)域的區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；
栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，使該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)，并且使從一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第一載臺(tái)與第二載臺(tái)，維持與該第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，并將該第一、第二載臺(tái)朝該第一軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)；
第一標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置于該第二區(qū)域上方，供檢測(cè)存在于該第一載臺(tái)上的標(biāo)記；及
第二標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置于該第三區(qū)域上方，供檢測(cè)存在于該第二載臺(tái)上的才示i己。
依此，使從一載臺(tái)位于待供應(yīng)液體的投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第 一 區(qū)域的第一 狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，通過(guò)栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，維持第一、笫二載臺(tái)與第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)，使該第一、第二載臺(tái)朝第一軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。因此，以在投影光學(xué)系統(tǒng)與其正下方的至少一載臺(tái)上保持著液體的狀態(tài)，邊防止或抑制從第一、第二載臺(tái)的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)。即，從使用一載臺(tái)進(jìn)行通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體的基板的曝光動(dòng)作后，至使用另一載臺(tái)開(kāi)始通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體的基板的曝光動(dòng)作為止期間，從一載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，至另一載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步驟，能使其遷移。因此，將使用一載臺(tái)的曝光動(dòng)作結(jié)束后的使用另一載臺(tái)的曝光動(dòng)作，能以短時(shí)間開(kāi)始。又，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)?，因持續(xù)存在液體，故能有效地防止在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)構(gòu)件產(chǎn)生前述的水紋(水痕)。又，因能分別一起進(jìn)行對(duì)第一載臺(tái)上的基板的曝光動(dòng)作與以第二的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)的第二載臺(tái)上的基板的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作(對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作)，及對(duì)第二載臺(tái)上的基板的曝光動(dòng)作與以第 一 的標(biāo)記4企測(cè)系統(tǒng)的第 一 載臺(tái)上的基板的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作(對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作)，故相較于使用一 個(gè)載臺(tái)將基板交換、標(biāo)記檢測(cè)(對(duì)準(zhǔn))及曝光動(dòng)作逐次進(jìn)行的情形，能期待產(chǎn)能的提高。
本發(fā)明，依第六觀點(diǎn)，提供第二曝光裝置，是在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之間供應(yīng)液體，通過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，通過(guò)能量光束使該基板曝光，具
備
第一栽臺(tái)，能在包含供應(yīng)該液體的該投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第一 區(qū)域、與位于該第一 區(qū)域的第一 軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)移動(dòng)，且能栽置該基板；
第二載臺(tái)，能在包含該第一 區(qū)域、與位于該第一 區(qū)域的第一 軸方向的另一側(cè)的第三區(qū)域的區(qū)域內(nèi)移動(dòng)，且用于既定的測(cè)量；及
載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，4吏該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)，并且使從一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第一栽臺(tái)與該第二載臺(tái)，維持與該第 一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀
態(tài)，并將該第一載臺(tái)與第二載臺(tái)朝該第一軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
依此，從一載臺(tái)位于待供應(yīng)液體的投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第 一 區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，通過(guò)載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，第一、第二載臺(tái)，維持與第一軸方向呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，使第一、第二載臺(tái)向第一軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。因此，以在投影光學(xué)系統(tǒng)與位于其正下方的至少 一栽臺(tái)之間保持著液體的狀態(tài)，邊防止或抑制從第 一 載臺(tái)與第二載臺(tái)的間隙泄漏液體，邊能從第一狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)。即，對(duì)第一載臺(tái)上的基板通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體進(jìn)行基板的曝光動(dòng)作后，至使用第二載臺(tái)在投影光學(xué)系統(tǒng)正下方開(kāi)始測(cè)量為止期間，從第 一 載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的栽臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，至第二載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步驟，能使其遷移。又，對(duì)第二載臺(tái)結(jié)束測(cè)量后，至對(duì)第一載臺(tái)開(kāi)始曝光為止，也同樣。因此，將使用第一載臺(tái)的曝光動(dòng)作結(jié)束后的使用第二載臺(tái)的測(cè)量動(dòng)作，及使用第二載臺(tái)的測(cè)量動(dòng)作結(jié)束后的使用第 一 載臺(tái)的曝光動(dòng)作，能以短時(shí)間開(kāi)始，能獲得產(chǎn)能的提高。又，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)龋虺掷m(xù)存在液體，故能有效地防止在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)構(gòu)件產(chǎn)生前述的水紋(水痕)。又，將使用第一載臺(tái)的基板的曝光動(dòng)作與使用第二載臺(tái)的基板的檢測(cè)動(dòng)作，依測(cè)量動(dòng)作能一起進(jìn)行。
本發(fā)明，依第七觀點(diǎn)，提供第三曝光裝置，是在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之
間供應(yīng)液體，通過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使該基板曝光，具備
第一載臺(tái)，能在包含供應(yīng)該液體的該投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第一 區(qū)域、
與位于該第一 區(qū)域的第一軸方向一側(cè)的第二區(qū)域的既定范圍區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；第二栽臺(tái)，能在包含該第一 區(qū)域與該第二區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，與該第一載
臺(tái)獨(dú)立移動(dòng)；及
載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，使該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)，并且使從一載臺(tái)位于該第
21一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于該第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第 一載臺(tái)與該第二載臺(tái)，維持于與該第一軸方向交叉的第二軸方向上呈近接狀
態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，并將該第 一 、第二載臺(tái)朝該第二軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。 依此，從一載臺(tái)位于待供應(yīng)液體的投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第 一 區(qū)域的第 一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于第一 區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，通過(guò)載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)， 第一、第二載臺(tái)，維持與第二軸方向(與第一 區(qū)域與第二區(qū)域所排列的第 一方向的方向交叉)呈近接狀態(tài)及接觸狀態(tài)的任一狀態(tài)，使第一、第二載臺(tái) 向第二軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。因此，以在^殳影光學(xué)系統(tǒng)與位于其正下方的至少一 載臺(tái)之間保持著液體的狀態(tài)，邊防止或抑制從第 一 載臺(tái)與第二載臺(tái)的間隙泄 漏液體，邊能從第一 狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)。即，在一載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系 統(tǒng)與液體進(jìn)行基板的曝光動(dòng)作后，至在另 一載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體 開(kāi)始基板的曝光動(dòng)作為止期間，從一載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀 態(tài)，經(jīng)過(guò)在雙方的載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，至另一載臺(tái)與 投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持液體的狀態(tài)，不必經(jīng)過(guò)液體的全回收、再度供應(yīng)的步 驟，能使其遷移。因此，將使用一栽臺(tái)的曝光動(dòng)作結(jié)束后的使用第二載臺(tái)的 測(cè)量動(dòng)作，及使用第二載臺(tái)的測(cè)量動(dòng)作結(jié)束后的使用另 一栽臺(tái)的曝光動(dòng)作， 能以短時(shí)間開(kāi)始，能獲得產(chǎn)能的提高。又，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)?，因?續(xù)存在液體，故能有效地防止在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)構(gòu)件產(chǎn)生前述 的水紋(水痕)。
本發(fā)明，依第八觀點(diǎn)，提供第四曝光裝置，是在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之
間供應(yīng)液體，通過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與該液體，使該基板曝光，具備
第一 載臺(tái)，能在包含待供應(yīng)該液體的該投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第一區(qū)
域、及與該第一區(qū)域不同區(qū)域的區(qū)域內(nèi)移動(dòng)；
第二載臺(tái)，能在包含該笫一區(qū)域、及與該第二區(qū)域不同區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，
與該第一載臺(tái)獨(dú)立移動(dòng)；
載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，使該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)，并且使從一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于該第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，使該第一載 臺(tái)與該第二載臺(tái)，維持與既定方向呈近接狀態(tài)，并將該第一、第二載臺(tái)朝該
既定方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)；及
抑制構(gòu)件，設(shè)置于該第一載臺(tái)及該第二栽臺(tái)的至少一方，從該第一狀態(tài) 遷移至該第二狀態(tài)時(shí)其位于該兩載臺(tái)的間隙，藉此來(lái)防止該液體從該間隙泄漏。
依此，從能在包含投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的第一區(qū)域、及與該第一區(qū)域不 同區(qū)域的區(qū)域內(nèi)移動(dòng)的第一 、第二載臺(tái)的一載臺(tái)，位于第一區(qū)域的第一狀態(tài)， 遷移至另一載臺(tái)位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，通過(guò)使第一載臺(tái)與第二載臺(tái)與 第一軸方向呈近"^妄狀態(tài)，并且使抑制構(gòu)件(設(shè)置于第一 、第二栽臺(tái)的至少一 方，用以抑制液體的泄漏)以位于兩載臺(tái)的間隙的狀態(tài)朝該既定方向同時(shí)驅(qū) 動(dòng)，從第一狀態(tài)遷移至第二狀態(tài)時(shí)，故能極力防止液體從兩載臺(tái)之間泄漏。
又，在光刻步驟，使用本發(fā)明的各第一 第四曝光裝置，以該能量光束 來(lái)使基板曝光，藉此，能將元件圖案精度良好地轉(zhuǎn)印在基板上，結(jié)果能提高 高集成度的微元件的生產(chǎn)性。因此，本發(fā)明，進(jìn)一步從另一觀點(diǎn)來(lái)看，也可 稱(chēng)元件制造方法，其包含使用本發(fā)明的第一 第四曝光裝置的任一種，以該 能量光束使基板曝光的光刻步驟。


圖1是表示第一 實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略圖。 圖2是表示第一 實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)裝置的俯視圖。 圖3是表示圖2的晶片載臺(tái)WST1的立體圖。 圖4是表示液體供排機(jī)構(gòu)的概略俯視圖。
圖5是表示第一 實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)主要構(gòu)成的方塊圖。 圖6是用以說(shuō)明并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片栽臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其1 )。 圖7是用以說(shuō)明并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片栽臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其2 )。 圖8是用以說(shuō)明并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其3)。圖9是用以說(shuō)明并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其4)。 圖IO是表示彈性密封構(gòu)件的圖。
圖11是表示第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)主要構(gòu)成的方塊圖。
圖12是表示第二實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)裝置的俯視圖。
圖13A是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其I)。
圖13B是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其l)。
圖14A是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其2)。
圖14B是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其2)。
圖15A是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其3)。
圖15B是用以說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的兩個(gè)晶片載臺(tái)的驅(qū) 動(dòng)方法的圖(其3)。
圖16是表示第三實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)裝置的俯視圖。
圖17A是用以說(shuō)明第三實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片栽臺(tái)與測(cè)量栽 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其1 )。
圖17B是用以說(shuō)明第三實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其1)。
圖18A是用以說(shuō)明第三實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其2)。
圖18B是用以說(shuō)明第三實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其2)。
圖19A是用以說(shuō)明抑制構(gòu)件的變形例的圖。
24圖19B是用以說(shuō)明抑制構(gòu)件的變形例的圖。
圖19C是用以說(shuō)明抑制構(gòu)件的變形例的圖。
圖20是表示第四實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)裝置的俯視圖。
圖21是表示晶片栽臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)近接狀態(tài)的圖。
圖22A是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的并^f亍處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其1)。
圖22B是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片栽臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其1 )。
圖23A是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的并行處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其2)。
圖23B是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的并^f亍處理動(dòng)作的晶片載臺(tái)與測(cè)量載 臺(tái)的驅(qū)動(dòng)方法的圖(其2)。
圖24是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的變形例的圖(其l)。
圖25A是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的變形例的圖(其2)。
圖25B是用以說(shuō)明第四實(shí)施形態(tài)的變形例的圖(其2)。
圖26是用以說(shuō)明本發(fā)明的元件制造方法的流程圖。
圖27是表示圖26的步驟204的具體例的流程圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
5:液體供應(yīng)裝置
6:液體回收裝置
10:照明系統(tǒng)
11:標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部
12:基盤(pán)
15:移動(dòng)鏡
16、 18: X軸干涉計(jì)
17X、 117X: X移動(dòng)鏡17Y、 117Y: Y移動(dòng)鏡
20:主控制裝置
21、 22、 27、 28:供應(yīng)管
21a、 21b、 21c、 22a、 22b、 22c、 27a、 28a:供應(yīng)嘴 23、 24、 29、 30:回收管
23a、 23b、 24a、 24b、 29a、 29b、 30a、 30b:回收嘴
32:液體供排系統(tǒng) 40:鏡筒
44、 46、 48: Y軸干涉計(jì)
47X、 49X: X移動(dòng)鏡
47Y,、 47Y2、 49Y,、 49Y2: Y移動(dòng)鏡
49、 49，槽
50、 50，、 50":晶片載臺(tái)裝置 70:本體部
72a 72d:輔助板 80~87:晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部
80、 81、 136Y,、 136Y2、 138Y,、 138Y2、 186、 187、 188、 189: Y軸線 性導(dǎo)件(Y軸線性發(fā)動(dòng)^L)
82、 83、 84、 85、 86、 87、 136X、 138X、 180、 181: X軸線性導(dǎo)件(X 軸線性發(fā)動(dòng)機(jī))
90a:照射系統(tǒng)
90b:受光系統(tǒng)
91:前端透鏡
93、 93，、 93":密封構(gòu)件、彈性密封構(gòu)件 94:平板 95:潑水被膜100:曝光裝置
11 la:凸緣部
11 lb:段部
111c:突部
116:標(biāo)線片干涉計(jì)
118、 118A:千涉計(jì)系統(tǒng)
124、 124A:晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部
151X!、 151X2、 151X3、 151X4、 151Yi、 151Y2:干涉計(jì)
171:第一驅(qū)動(dòng)部
172:第二驅(qū)動(dòng)部
178、 179: X可動(dòng)件
182、 183、 184、 185: Y可動(dòng)件
195:第一連接沖幾構(gòu)
196:第二連接機(jī)構(gòu)
ALG1、 ALG2:對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
B11X、 B12X、 B11Y、 B12Y、 B13Y:測(cè)軸
AX:光軸
FM1、 FM2:基準(zhǔn)標(biāo)記板 Hl、 H2:晶片保持具 IA:曝光區(qū)域
IF1、 IF5、 IF6: X軸千涉計(jì) IF2、 IF3、 IF4: Y軸干涉計(jì) IL:照明用光(曝光用光) Lq: 液體
MST、 MST，測(cè)量載臺(tái) PL:投影光學(xué)系統(tǒng)PU:投影單元 R:標(biāo)線片
RAa、 Rab:標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)4企測(cè)系統(tǒng) RST:標(biāo)線片栽臺(tái) Sb、 Sc、 Se:端面 Wl、 W2:晶片
WST1、 WST2、 WSTT、 WST2'、 WST1"、 WST2，，晶片載臺(tái)
具體實(shí)施例方式
第一 實(shí)施形態(tài)
以下，依圖1~圖IO說(shuō)明本發(fā)明的第一 實(shí)施形態(tài)。
在圖1 ，表示第一 實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100的概略構(gòu)成。此曝光裝置100， 是步進(jìn)掃描(step and scan)方式的投影曝光裝置，即所謂掃描步進(jìn)機(jī)(也 稱(chēng)為掃描機(jī))。此曝光裝置100具備照明系統(tǒng)10;標(biāo)線片載臺(tái)RST,用 以保持當(dāng)作掩膜使用的標(biāo)線片R;投影單元PU;晶片載臺(tái)裝置50,具有當(dāng) 作第一、第二載臺(tái)使用的晶片栽臺(tái)WST1、 WST2;偏軸對(duì)準(zhǔn)(off axis alignment)系統(tǒng)ALG1、 ALG2，當(dāng)作第一 、第二標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)；及這些構(gòu) 件的控制系統(tǒng)。在晶片栽臺(tái)WST1、 WST2上，載置作為基板的晶片。在圖 1，在晶片載臺(tái)WST1上載置晶片Wl,在晶片載臺(tái)WST2上載置晶片W2。
前述照明系統(tǒng)10，例如日本特開(kāi)2001-313250號(hào)^^艮及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó) 專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2003/0025890號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示，包含光源、照度均勻化光 學(xué)系統(tǒng)(含有光學(xué)積分器)、分束器、中繼透鏡、可變ND濾光片、標(biāo)線片 遮簾等(均未圖標(biāo))。此照明系統(tǒng)10，將標(biāo)線片遮簾所限制的標(biāo)線片R上 的狹縫狀照明區(qū)域，通過(guò)照明用光(曝光用光)IL (作為能量光束)以大致 均勻的照度照明。在此，照明用光IL，作為一例，使用ArF準(zhǔn)分子激光(波 長(zhǎng)193nm)。又，光學(xué)積分器，能使用復(fù)眼透鏡、桿式積分器(內(nèi)面反射型 積分器)或繞射光學(xué)元件等。其它，照明系統(tǒng)IO，也可采用例如日本特開(kāi)平6-349701號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第5，534，970號(hào)等所揭示的構(gòu)成。在 本案所指定的指定國(guó)(或所選擇的選擇國(guó))的國(guó)內(nèi)法令所允許的范圍，援用 上述各公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)或美國(guó)專(zhuān)利的揭示，作為 本il明書(shū)的記載的一部分。
在前述標(biāo)線片載臺(tái)RST上，將形成電路圖案等于其圖案面(在圖1是 下面)的標(biāo)線片R，例如通過(guò)真空吸附固定。標(biāo)線片載臺(tái)RST，例如通過(guò)包 含線性發(fā)動(dòng)機(jī)等的標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部11 (在圖l未圖標(biāo)，參照?qǐng)D5),能在 垂直于照明系統(tǒng)10的光軸( 一致于后述的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX)的 XY平面內(nèi)微驅(qū)動(dòng)，并且能朝既定的掃描方向(在此，設(shè)為與圖1紙面正交 方向的Y軸方向)以所指定的掃描速度驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)線片載臺(tái)RST的載臺(tái)移動(dòng)面內(nèi)的位置，是通過(guò)標(biāo)線片激光干涉計(jì)(以 下稱(chēng)為"標(biāo)線片千涉計(jì)")116,通過(guò)移動(dòng)鏡I5,例如以0.5 1nm程度的分 解能持續(xù)檢測(cè)。在此，實(shí)際上，雖在標(biāo)線片載臺(tái)RST上設(shè)置具有正交于Y 軸方向的反射面的Y移動(dòng)鏡與具有正交于X軸方向的反射面的X移動(dòng)鏡， 對(duì)應(yīng)這些移動(dòng)鏡設(shè)置標(biāo)線片Y干涉計(jì)與標(biāo)線片X干涉計(jì)，但在圖1以移動(dòng) 鏡15、標(biāo)線片千涉計(jì)116為代表這些元件來(lái)表示。又，也可例如將標(biāo)線片載 臺(tái)RST的端面鏡面加工來(lái)形成反射面(相當(dāng)于上述的X移動(dòng)鏡、Y移動(dòng)鏡 的反射面)。又，替代朝X軸方向延伸的反射面(使用于標(biāo)線片載臺(tái)RST 的掃描方向(在本實(shí)施形態(tài)是Y軸方向)的位置檢測(cè))，也可使用至少一 個(gè)直角反射鏡(corner cube mirror)(例如retroreflector)。在此，標(biāo)線片Y 干涉計(jì)與標(biāo)線片X干涉計(jì)的一方，例如標(biāo)線片Y千涉計(jì)，是具有2軸測(cè)長(zhǎng) 軸的2軸干涉計(jì)，根據(jù)此標(biāo)線片Y干涉計(jì)的測(cè)量值，除了標(biāo)線片栽臺(tái)RST 的Y位置外，也能測(cè)量Z軸周?chē)男D(zhuǎn)方向(6z方向)的旋轉(zhuǎn)。
標(biāo)線片干涉計(jì)116的測(cè)量值，送至主控制裝置20(在圖l未圖標(biāo)，參照 圖5),主控制裝置20，根據(jù)此標(biāo)線片干涉計(jì)116的測(cè)量值算出標(biāo)線片載臺(tái) RST的X、 Y、 6z方向的位置，并且根據(jù)此算出結(jié)果控制標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)
29部U,藉此來(lái)控制標(biāo)線片載臺(tái)RST的位置(及速度)。
在標(biāo)線片R的上方，將使用曝光波長(zhǎng)的光的TTR( Through The Reticle) 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)所構(gòu)成的一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)才全測(cè)系統(tǒng)RAa、 RAb沿X軸方向隔既定 距離設(shè)置，用以通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL將標(biāo)線片R上的標(biāo)線片標(biāo)記與所對(duì)應(yīng) 的基準(zhǔn)標(biāo)記板上的基準(zhǔn)標(biāo)記同時(shí)觀察。此等標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)^r測(cè)系統(tǒng)RAa、 RAb， 使用例如與日本特開(kāi)平7-176468號(hào)乂/^艮及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第5,646,413 號(hào)等所揭示的同樣的構(gòu)成。在本案所指定的指定國(guó)(或所選擇的選擇國(guó))的 國(guó)內(nèi)法令所允許的范圍，援用上述公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利的揭示，作為 本說(shuō)明書(shū)的記載的 一 部分。
投影單元PU,配置于圖1的標(biāo)線片載臺(tái)RST的下方。投影單元PU， 包含鏡筒40;及投影光學(xué)系統(tǒng)PL,由在該鏡筒40內(nèi)以既定的位置關(guān)系保 持的多個(gè)光學(xué)元件組成。投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用由具有Z軸方向的共 同光軸AX的多個(gè)透鏡(透鏡元件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。此投影光學(xué)系 統(tǒng)PL，例如在兩側(cè)遠(yuǎn)心具有既定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。 因此，若以來(lái)自照明系統(tǒng)10的照明用光IL使標(biāo)線片R的照明區(qū)域照明，由 通過(guò)此標(biāo)線片R的照明用光IL,通過(guò)投影單元PU (投影光學(xué)系統(tǒng)PL)， 將該照明區(qū)域內(nèi)的標(biāo)線片R的電路圖案的縮小像(電路圖案的一部分的縮小 像)形成于在表面涂布有光刻膠(感光劑)的晶片上。
又，在本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如后述由于是進(jìn)行適用液浸法的曝 光，故伴隨數(shù)值孔徑NA實(shí)質(zhì)上增大，標(biāo)線片側(cè)的孔徑也變大。因此，在僅 以透#]構(gòu)成的折射光學(xué)系 統(tǒng)，要滿足珀茲伐(Petzval)條件變成困難，而有 使投影光學(xué)系統(tǒng)大型化的趨勢(shì)。為了要避免這種投影光學(xué)系統(tǒng)的大型化，也 可使用包含反射鏡與透鏡所構(gòu)成的反射折射系統(tǒng)(catadioptric系統(tǒng))。
又，本實(shí)施形態(tài)，在構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)?晶片側(cè))的透 鏡(以下，稱(chēng)為"前端透鏡，，)91與晶片載臺(tái)WST1或WST2上的晶片之 間(或前端透鏡91與晶片載臺(tái)WST1或WST2之間)，設(shè)置用以局部供應(yīng)液體的液體供排系統(tǒng)32。在圖1，表示構(gòu)成此液體供排單元之嘴，來(lái)代表液
體供排系統(tǒng)32。又，對(duì)液體供排系統(tǒng)32的構(gòu)成等，將予后述。
前述晶片載臺(tái)裝置50具備基盤(pán)12;晶片載臺(tái)WST1、 WST2,配置于 該基盤(pán)12上面的上方；干涉計(jì)系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D5)，包含用來(lái)測(cè)量所述晶 片載臺(tái)WST1、 WST2的位置的干涉計(jì)的位置測(cè)量裝置；及晶片栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)部 124(參照?qǐng)D5)，用以驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST1、 WST2。
在晶片載臺(tái)WST1、 WST2的底面，將未圖標(biāo)的非接觸軸承，例如真空 預(yù)壓型空氣靜壓軸承(以下，稱(chēng)為r氣墊」)設(shè)置于多個(gè)位置，由從所述氣 墊朝基盤(pán)12上面所噴出的加壓空氣的靜壓，在基盤(pán)12上面的上方將晶片載 臺(tái)WST1、 WST2通過(guò)數(shù)nm程度的間隙非接觸地浮起支撐。又，晶片載臺(tái) WST1、 WST2,由晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124，獨(dú)立于X軸方向(圖l紙面內(nèi)的左 右方向)及Y軸方向(與圖l紙面正交的方向)能沿二維方向驅(qū)動(dòng)。
在基盤(pán)12上，如圖2的俯視圖所示，將一對(duì)X軸線性導(dǎo)件(朝X軸方 向延伸的X固定件)86、 87沿Y軸方向隔既定間隔配置。這些X軸線性 導(dǎo)件86、 87，例如由內(nèi)設(shè)永久》茲鐵群組(沿X軸方向以既定間隔且交替配 置的N極磁鐵與S極;茲鐵的多組所構(gòu)成)的;茲極單元來(lái)構(gòu)成。在這些X軸 線性導(dǎo)件86、 87上方，設(shè)置各兩個(gè)滑件82、 84及83、 85,形成將所對(duì)應(yīng)的 X軸線性導(dǎo)件86、 87從上方包圍的狀態(tài)且非接觸。即，合計(jì)四個(gè)滑件82、 84、 83、 85,具有截面倒U字形的形狀，形成將X軸線性導(dǎo)件86、 87從上 方及側(cè)方包圍，對(duì)所對(duì)應(yīng)的X軸線性導(dǎo)件86、 87分別通過(guò)未圖標(biāo)的氣墊例 如以數(shù)iam程度的間隙浮起支撐。各滑件82、 84、 83、 85，例如由分別內(nèi)設(shè) 沿X軸方向以既定間隔配置的電樞線圏的電樞單元來(lái)構(gòu)成。即，在本實(shí)施形 態(tài)，由電樞單元所構(gòu)成的滑件82、 84與磁極單元所構(gòu)成的X軸線性導(dǎo)件86， 分別構(gòu)成動(dòng)圏型的X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)。同樣地，由滑件83、 85與X軸線性導(dǎo) 件87，分別構(gòu)成動(dòng)圈(moving coil)型的X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)。以下，對(duì)上述四 個(gè)各X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)，使用與構(gòu)成各可動(dòng)件的滑件82、 84、 83、 85相同的符號(hào)，稱(chēng)為X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)82、 X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)83、 X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)85。
上述四個(gè)X軸線性發(fā)動(dòng)才幾中，構(gòu)成兩個(gè)X軸線性發(fā)動(dòng)初』82、 83的滑件， 分別固定于Y軸線性導(dǎo)件80 (當(dāng)作朝Y軸方向延伸的Y固定件)的長(zhǎng)邊方 向的一端與另一端。又，構(gòu)成另外的兩個(gè)X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 85的滑件， 固定于Y軸線性導(dǎo)件81 (當(dāng)作朝Y軸方向延伸的Y固定件)的一端與另 一端。因此，Y軸線性導(dǎo)件80、 81，由^^一對(duì)的X軸線性發(fā)動(dòng)才幾82、 83、 84、 85，〗吏其沿X軸分別驅(qū)動(dòng)。
前述各Y軸線性導(dǎo)件80、 81，例如由分別內(nèi)設(shè)沿Y軸方向以既定間隔 配置的電樞線圈的電樞單元來(lái)構(gòu)成。
一Y軸線性導(dǎo)件81,以插入狀態(tài)設(shè)置于形成在晶片載臺(tái)WST1的開(kāi)口。 在此晶片載臺(tái)WST1的上述開(kāi)口的內(nèi)部，設(shè)置具有永久》茲4失群組(例如沿Y 軸方向以既定間隔且交替配置的N極磁鐵與S極磁鐵的多組所構(gòu)成)的磁極 單元。由此磁極單元與Y軸線性導(dǎo)件81,構(gòu)成將晶片載臺(tái)WST1沿Y軸方 向驅(qū)動(dòng)的動(dòng)磁型的Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)。同樣地，另一Y軸線性導(dǎo)件80，以插 入狀態(tài)設(shè)置于形成在晶片載臺(tái)WST2的開(kāi)口。在此晶片載臺(tái)WST2的上述開(kāi) 口的內(nèi)部，設(shè)置與晶片載臺(tái)WST1側(cè)同樣的磁極單元。由此磁極單元與Y 軸線性導(dǎo)件80，構(gòu)成將晶片栽臺(tái)WST2沿Y軸方向驅(qū)動(dòng)的動(dòng)i茲(moving magnet)型的Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)。在以下，對(duì)這些Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)，使用與 構(gòu)成各固定件的線性導(dǎo)件81、 80相同的符號(hào)，稱(chēng)為Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)81、 Y 軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)80。
在本實(shí)施形態(tài)，包含X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)82 85及Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)80、 81， 來(lái)構(gòu)成圖5所示的晶片栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124。構(gòu)成此晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124的上述 各線性發(fā)動(dòng)機(jī)，則由圖5所示的主控制裝置20控制。
又，由使一對(duì)X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 85(或82、 83)分別所產(chǎn)生的推力 稍微不同，能控制晶片載臺(tái)WST1 (或WST2)的偏搖(yawing)。
32在本實(shí)施形態(tài)，各晶片載臺(tái)WST1、 WST2,雖以單一的栽臺(tái)圖標(biāo)，但 實(shí)際上，具備載臺(tái)本體，由Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)81、 80分別驅(qū)動(dòng)；晶片臺(tái)， 通過(guò)Z.調(diào)平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(例如音圈發(fā)動(dòng)機(jī))載置于該載臺(tái)本體的上部，對(duì)載 臺(tái)本體相對(duì)地沿Z軸方向及X軸周?chē)男D(zhuǎn)方向(6x方向)、Y軸周?chē)?旋轉(zhuǎn)方向(6y方向)微驅(qū)動(dòng)。
在前述晶片載臺(tái)WST1上(晶片臺(tái)上)，如圖l所示，設(shè)置晶片保持具 Hl,由真空吸附等保持晶片Wl。晶片保持具Hl,如圖3的立體圖所示， 具備本體部70,俯視(從上方觀察)大致呈正方形；四片輔助板72a 72d， 以乂人上方重疊于本體部70的方式配置于晶片Wl的載置區(qū)域周?chē)?。這些輔 助板72a 72d的表面，形成與晶片Wl的表面大致相同的高度。又，輔助板 72a 72d，也可由一個(gè)構(gòu)件構(gòu)成。又，若能在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)缺３?液體Lq，也可在晶片表面與輔助板表面之間有段差。
在晶片載臺(tái)WST1的上面，將X移動(dòng)鏡17X (在X軸方向的一端(+X 側(cè)端)具有與X軸正交的反射面)朝Y軸方向延設(shè)，將Y移動(dòng)鏡17Y (在 Y軸方向的一端(+Y側(cè)端)具有與Y軸正交的反射面)朝X軸方向延設(shè)。 對(duì)這些移動(dòng)鏡17X、 17Y的各反射面，如圖2所示，將來(lái)自構(gòu)成后述的干涉 計(jì)系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D5)的干涉計(jì)的干涉計(jì)光束(測(cè)長(zhǎng)光束)投射，由以各 干涉計(jì)接收該反射光，將從各移動(dòng)鏡反射面的基準(zhǔn)位置(一般是在投影單元 PU側(cè)面，或?qū)?zhǔn)系統(tǒng)ALG1的側(cè)面配置固定反射鏡，以此為基準(zhǔn)面)的位 移測(cè)量，藉此，測(cè)量晶片載臺(tái)WST1的二維位置。較佳者為移動(dòng)鏡17X、 17Y 的上面也設(shè)為與晶片Wl大致相同的高度。
在此，如圖3所示，在各輔助板72a 72d與晶片Wl之間，雖存在間隙 D，《旦間隙D的尺寸，是以成為O.l-lmm的方式設(shè)定。又，在晶片Wl，雖 在其一部分存在缺口 (V字形的缺口)，但因此缺口的尺寸也是僅lmm程 度，故省略圖標(biāo)。
又，輔助板72a,在其一部分形成圓形開(kāi)口，在其開(kāi)口內(nèi)，嵌入基準(zhǔn)標(biāo)記板FM1?；鶞?zhǔn)標(biāo)記板FM1，是使其表面與輔助板72a為大致同一面。在 基準(zhǔn)標(biāo)記板FM1的表面，形成至少一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)用的第一基準(zhǔn)標(biāo)記，及 如后述以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1所檢測(cè)的笫二基準(zhǔn)標(biāo)記(均未圖標(biāo))等。
在前述晶片載臺(tái)WST2上(晶片臺(tái)上)，如圖1所示，設(shè)置晶片保持具 H2,由真空吸附等保持晶片W2。此晶片保持具H2，是與前述的晶片保持 具Hl構(gòu)成同樣。因此，在形成于構(gòu)成此晶片保持具H2的一個(gè)輔助板的一 部分的圓形開(kāi)口內(nèi)，嵌入基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2 (在圖1未圖標(biāo)，參照?qǐng)D2)。
又，在晶片載臺(tái)WST2的上面，將X移動(dòng)鏡117X (在X軸方向的一端 (-X側(cè)端)具有與X軸正交的反射面)朝Y軸方向延設(shè)，將Y移動(dòng)鏡117Y (在Y軸方向的一端(+Y側(cè)端)具有與Y軸正交的反射面)朝X軸方向延 設(shè)。對(duì)這些移動(dòng)鏡117X、 117Y的各反射面，如圖2所示，將來(lái)自構(gòu)成后述 的千涉計(jì)系統(tǒng)U8的干涉計(jì)的干涉計(jì)光束(測(cè)長(zhǎng)光束)投射，由以各干涉計(jì) 接收該反射光，將來(lái)自各移動(dòng)鏡反射面的基準(zhǔn)位置的位移測(cè)量，藉此測(cè)量晶 片載臺(tái)WST2的二維位置。
又，例如，可將晶片載臺(tái)WST1、 WST2的端面作鏡面加工來(lái)形成移動(dòng) 鏡(相當(dāng)于前述的移動(dòng)鏡17X、 17Y、 117X、 117Y的反射面)。
又，在晶片載臺(tái)WST1、 WST2彼此對(duì)向側(cè)的面，例如在晶片載臺(tái)WST1 的-X側(cè)面，在其全面，如圖IO所示，貼附密封構(gòu)件93。此密封構(gòu)件93， 例如使用由含氟橡膠等所構(gòu)成的彈性密封構(gòu)件。
又，替代晶片栽臺(tái)WST1的-X側(cè)面，也可將密封構(gòu)件93貼附于晶片栽 臺(tái)WST2的+X側(cè)面，也可將密封構(gòu)件93貼附于晶片載臺(tái)WST1的-X側(cè)面 與晶片載臺(tái)WST2的+X側(cè)面雙方。
回到圖1，在分別隔相同距離于投影單元PU的+X側(cè)、-X側(cè)的位置， 分別配置前述的偏軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(以下，略述為"對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)")ALGI、 ALG2。 這些對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1、 ALG2，實(shí)際上，是裝設(shè)于用以保持投影單元PU的保 持構(gòu)件。這些對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1、 ALG2,例如使用影像處理方式的FIA (Field
34Image Alignment)系統(tǒng)的感測(cè)器，該影像處理方式，是將對(duì)象標(biāo)記的像(將 不使晶片上的光刻膠感光的寬頻(broadband)的檢測(cè)光束照射于對(duì)象標(biāo)記， 由來(lái)自該對(duì)象標(biāo)記的反射光結(jié)像于受光面)與未圖標(biāo)的指針(設(shè)置于對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)ALG1、 ALG2內(nèi)的指針板上的指針圖案)的像使用攝影元件(CCD等) 來(lái)攝影后，將這些攝影信號(hào)輸出。又，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1、 ALG2,不限于FIA 系統(tǒng)，將相千(coherent)的檢測(cè)用光照射于對(duì)象標(biāo)記，檢測(cè)從該對(duì)象標(biāo)記 所產(chǎn)生的散射光或繞射光，或使從該對(duì)象標(biāo)記所產(chǎn)生的兩個(gè)繞射光(例如同 次數(shù)的繞射光，或繞射于同方向的繞射光)干涉來(lái)檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)感測(cè)器，單獨(dú) 或適當(dāng)組合使用當(dāng)然可能。
在本實(shí)施形態(tài)，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1，是^f吏用于形成在晶片載臺(tái)WST1上的 晶片Wl的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及形成在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM1上的基準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量等。 又，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2，是使用于形成在晶片載臺(tái)WST2上的晶片W2的對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記及形成在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2上的基準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量等。
來(lái)自這些對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1、 ALG2的資料，如圖5所示，供應(yīng)至主控制 裝置20。
其次，參照?qǐng)D2說(shuō)明干涉計(jì)系統(tǒng)118的構(gòu)成等。如圖2所示，干涉計(jì)系 統(tǒng)11S,具有三個(gè)Y軸干涉計(jì)46、 48、 44,分別具有測(cè)軸BI2Y、 BI3Y、 BI1Y,平行于通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX )、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1 、 ALG2的各檢測(cè)中心的Y軸；及兩個(gè)X軸千涉計(jì)16、 18，分別具有測(cè)軸BI1X、 BI2X，平行于連結(jié)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX)及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) ALG1 、 ALG2的檢測(cè)中心的X軸。
在此，當(dāng)晶片栽臺(tái)WST1位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸正下方的位置附 近的區(qū)域(第一區(qū)域)，對(duì)該晶片載臺(tái)WST1上的晶片進(jìn)行曝光時(shí)，由X 軸干涉計(jì)18、 Y軸千涉計(jì)46來(lái)管理晶片載臺(tái)WST1的位置。以下，將由此 X軸干涉計(jì)18、 Y軸干涉計(jì)46各測(cè)長(zhǎng)軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為第一曝光坐 標(biāo)系纟充。第一區(qū)域，對(duì)該晶片栽臺(tái) WST2上的晶片進(jìn)行曝光時(shí)，由X軸干涉計(jì)16、 Y軸干涉計(jì)46來(lái)管理晶片 載臺(tái)WS丁2的位置。以下，將由此X軸干涉計(jì)16、 Y軸干涉計(jì)46各別的測(cè) 長(zhǎng)軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為第二曝光坐標(biāo)系統(tǒng)。
又，當(dāng)晶片載臺(tái)WSTl,位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1的檢測(cè)中心正下方的位置 附近的區(qū)域(第二區(qū)域)，要進(jìn)行形成于其晶片載臺(tái)WST1上的晶片的對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記的檢測(cè)時(shí)，例如要進(jìn)行后述的晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)，由X軸干涉計(jì)18、 Y軸干 涉計(jì)48來(lái)管理晶片載臺(tái)WST1的位置。以下，將由此X軸干涉計(jì)18、 Y軸 干涉計(jì)48各測(cè)長(zhǎng)軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為第一對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)。
又，當(dāng)晶片載臺(tái)WST2，位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的檢測(cè)中心正下方的位置 附近的區(qū)域(第三區(qū)域)，要進(jìn)行形成于其晶片載臺(tái)WST2上的晶片的對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記的斥企測(cè)時(shí)，例如要進(jìn)4亍后述的晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)，由X軸千涉計(jì)16、 Y軸干 涉計(jì)44來(lái)管理晶片載令WST2的位置。以下，將由此X軸干涉計(jì)16、 Y軸 干涉計(jì)44各別的測(cè)長(zhǎng)軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)。
從上述的說(shuō)明得知，在本實(shí)施形態(tài)，來(lái)自X軸千涉計(jì)18、 16的干涉計(jì) 光束，在晶片載臺(tái)WST1、 WST2的移動(dòng)范圍的全域持續(xù)分別照射于晶片載 臺(tái)WST1、 WST2的移動(dòng)鏡17X、 117X。因此，對(duì)X軸方向，使用投影光學(xué) 系統(tǒng)PL曝光時(shí)，即使使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1、 ALG2時(shí)等任何情形，晶片栽臺(tái) WST1、 WST2的位置，則由X軸干涉計(jì)18、 16來(lái)管理。這些X軸干涉計(jì) 18、 16,是具有相對(duì)于Y軸方向及Z軸方向離開(kāi)的至少三支光軸的多軸干 涉計(jì)，各光軸的輸出值能獨(dú)立測(cè)量。因此，這些X軸干涉計(jì)18、 16，除了 晶片栽臺(tái)WST1、 WST2的X軸方向的位置測(cè)量以外，也能測(cè)量Y軸周?chē)?旋轉(zhuǎn)量(橫搖量(rolling))及Z軸周?chē)男D(zhuǎn)量(偏搖量)。
又，上述Y軸干涉計(jì)46、 48、 44,例如是具有相對(duì)于Z軸方向離開(kāi)的 各二支光軸的二軸干涉計(jì)，各光軸的輸出值能獨(dú)立測(cè)量。因此，這些Y軸干 涉計(jì)46、 48、 44，除了晶片載臺(tái)WST1、 WST2的Y軸方向的位置測(cè)量以外，也能測(cè)量X軸周?chē)男D(zhuǎn)量(俯仰量(pitching))。
又，上述多軸干涉計(jì)，也可傾斜45。而設(shè)置于晶片載臺(tái)WST1、 WST2 的反射面，對(duì)設(shè)置于將投影光學(xué)系統(tǒng)PL載置的架臺(tái)(未圖標(biāo))的反射面照 射激光束，來(lái)檢測(cè)相對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸方向(Z軸方向)的相對(duì) 位置數(shù)據(jù)。
其次，依圖4說(shuō)明前述液體供排系統(tǒng)32。此液體供排系統(tǒng)32具備液 體供應(yīng)裝置5;液體回收裝置6;供應(yīng)管21、 22、 27、 28,連接于液體供應(yīng) 裝置5;及回收管23、 24、 29、 30，連接于液體回收裝置6。
前述液體供應(yīng)裝置5包括液體槽；加壓泵；溫度控制裝置；及多個(gè)閥， 用以控制對(duì)各供應(yīng)管21、 22、 27、 28的液體的供應(yīng)、停止等。各閥，例如 較佳者為使用流量控制閥，不僅液體的供應(yīng)、停止，而且也能進(jìn)行流量調(diào)整。 前述溫度控制裝置，是用來(lái)將液體槽內(nèi)的液體溫度，調(diào)整為與收納有例如投 影單元PU等所構(gòu).成的曝光裝置本體的室(未圖標(biāo))內(nèi)的溫度相同程度的溫 度。
前述供應(yīng)管21，將其一端連接于液體供應(yīng)裝置5，將其它端分支為三個(gè)， 在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尖細(xì)嘴所構(gòu)成的供應(yīng)嘴21a、 21b、 21c。 這些供應(yīng)嘴21a、 21b、 21c的前端，位于前述的前端透鏡91 (參照?qǐng)D1)附 近，沿X軸方向隔既定間隔且近接于曝光區(qū)域IA (與前述槽上的照明區(qū)域 共同作用的像面上的區(qū)域)的+Y來(lái)配置。以供應(yīng)嘴21a為中心，將供應(yīng)嘴 21b、 21c配置于大致左右對(duì)稱(chēng)。
前述供應(yīng)管22,將其一端連接于液體供應(yīng)裝置5，將其它端分支為三個(gè)， 在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尖細(xì)嘴構(gòu)成的供應(yīng)嘴22a、 22b、 22c。這 些供應(yīng)嘴22a、 22b、 22c的前端，位于前端透鏡91附近，沿X軸方向隔既 定間隔且近接于曝光區(qū)域IA的-Y來(lái)配置。在此情形，供應(yīng)嘴22a、 22b、 22c， 隔著曝光區(qū)域IA對(duì)向于供應(yīng)嘴21a、 21b、 21c來(lái)配置。
前述供應(yīng)管27，將其一端連接于液體供應(yīng)裝置5，將其它端形成(或設(shè)
37置)為由尖細(xì)嘴所構(gòu)成的供應(yīng)嘴27a。此供應(yīng)嘴27a的前端，位于前端透鏡 91附近，近接于曝光區(qū)域IA的-X側(cè)來(lái)配置。
前述供應(yīng)管28，將其一端連接于液體供應(yīng)裝置5，將其它端形成(或設(shè) 置)為由尖細(xì)嘴所構(gòu)成的供應(yīng)嘴28a。此供應(yīng)嘴28a的前端，位于前端透鏡 91附近，近接于曝光區(qū)域IA的+X側(cè)，且隔著曝光區(qū)域IA對(duì)向于供應(yīng)嘴27a 來(lái)配置。
又，不需要將用以供應(yīng)液體的槽、加壓泵、溫度控制裝置、閥等全部設(shè) 于曝光裝置100,至少將一部分能由設(shè)置曝光裝置100的工廠等的設(shè)備來(lái)替代。
前述液體回收裝置6包括液體槽；吸引泵；及多個(gè)岡，用以控制分別 通過(guò)各回收管23、 24、 29、 30的液體的回收、停止等。各閥，較佳者為對(duì) 應(yīng)前迷的液體供應(yīng)裝置5側(cè)的閥，使用流量控制閥。
前述回收管23，將其一端連接于液體回收裝置6,將其它端分支為二股， 在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尾寬嘴所構(gòu)成的回收嘴23a、 23b。在此情 形，回收嘴23a、 23b,是交替配置于供應(yīng)嘴22a 22c之間。各回收嘴23a、 23b的前端及各供應(yīng)嘴22a、 22b、 22c的前端，大致沿著平行于X軸的同一 直線上來(lái)配置。
前述回收管24，將其一端連接于液體回收裝置6，將其它端分支為二股， 在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尾寬嘴所構(gòu)成的回收嘴24a、 24b。在此情 形，回收嘴24a、 24b，是在供應(yīng)嘴21a 21c之間，交替且隔著曝光區(qū)域IA 分別對(duì)向于回收嘴23a、 23b來(lái)配置。各回收嘴23a、 23b的前端及各供應(yīng)嘴 21a、 21b、 21c的前端，大致沿著平行于X軸的同一直線上來(lái)配置。
前述回收管29，將其一端連接于液體回收裝置6，將其它端分支為二股， 在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尾寬嘴所構(gòu)成的回收嘴29a、 29b。這些回 收嘴29a、 29b,是隔著供應(yīng)嘴28a配置。各回收嘴29a、 29b及供應(yīng)嘴28a 的前端，大致沿著平行于Y軸的同一直線上來(lái)配置。前述回收管30,將其一端連接于液體回收裝置6,將其它端分支為二股，
在各分支端分別形成(或設(shè)置)由尾寬嘴所構(gòu)成的回收嘴30a、 30b。這些回 收嘴30a、 30b，是隔著供應(yīng)嘴27a，且隔著曝光區(qū)域IA分別對(duì)向于回收嘴 29a、 29b來(lái)配置。各回收嘴30a、 30b及供應(yīng)嘴27a的前端，大致沿著平行 于Y軸的同一直線上來(lái)配置。
又，不需要將用以回收液體的槽、吸引泵、閥等全部設(shè)于曝光裝置100, 至少將一部分能由設(shè)置曝光裝置100的工廠等的設(shè)備來(lái)替代。
在本實(shí)施形態(tài)，上述液體，是使用能通過(guò)ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm) 的超純水(以下，除了特別需要時(shí)，簡(jiǎn)單稱(chēng)為"水，，)。超純水，能在半導(dǎo) 體制造工廠容易大量獲得，并且具有對(duì)涂布于晶片上的光刻膠(感光劑)或 光學(xué)透鏡等無(wú)不良影響的優(yōu)點(diǎn)。又，超純水對(duì)環(huán)境無(wú)不良影響，并且因雜質(zhì) 的含有量極低，故也能期待對(duì)晶片的表面及前端透鏡91的表面的洗凈作用。
對(duì)ArF準(zhǔn)分子激光的水的折射率n，是大致1.44。在此水中，照明用光 IL的波長(zhǎng)，則使其短波長(zhǎng)化為193nm x 1/x^約134nm。
前述液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6，分別具備控制器，各控制器， 由主控制裝置20來(lái)控制(參照?qǐng)D5)。例如，沿圖4中的實(shí)線箭頭A所示 的方向(-Y方向)使晶片Wl (或W2)移動(dòng)時(shí)，液體供應(yīng)裝置5的控制器， 依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi)度打開(kāi)連接于供應(yīng)管21的閥，使其它 閥為全閉，通過(guò)設(shè)置于供應(yīng)管21的供應(yīng)嘴21a 21c朝-Y方向?qū)⑺?yīng)至前 端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間。又，此時(shí)，液體回收裝置6的控制器， 依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi)度打開(kāi)連接于回收管23的閥，使其它 闊為全閉，通過(guò)回收嘴23a、 23b從前端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間 將水回收至液體回收裝置6的內(nèi)部。此時(shí)，主控制裝置20，對(duì)液體供應(yīng)裝置 5、液體回收裝置6發(fā)出指令，使從供應(yīng)嘴21a 21c朝-Y方向供應(yīng)至前端透 鏡91與晶片Wl (或W2)之間的水量，與通過(guò)回收嘴23a、 23b回收的水 量相等。因此，在前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間，保持一定量的水
39Lq (參照?qǐng)D1)。在此情形，保持于前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間 的水Lq持續(xù)替換。
又，沿圖4中的虛線箭頭A，所示的方向(+Y方向)使晶片Wl (或W2) 移動(dòng)時(shí)，液體供應(yīng)裝置5的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi) 度打開(kāi)連接于供應(yīng)管22的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)設(shè)置于供應(yīng)管22的供 應(yīng)嘴22a 22c朝+Y方向?qū)⑺?yīng)至前端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間。 又，此時(shí)，液體回收裝置6的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定 開(kāi)度打開(kāi)連接于回收管24的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)回收嘴24a、 24b從 前端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間至液體回收裝置6的內(nèi)部回收水。此 時(shí)，主控制裝置20,對(duì)液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6發(fā)出指令，使從供 應(yīng)嘴22a 22c朝+Y方向供應(yīng)至前端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間的水 量，與通過(guò)回收嘴24a、 24b回收的水量相等。因此，在前端透鏡91與晶片 Wl (或W2)之間，保持一定量的水Lq (參照?qǐng)D1)。在此情形，保持于前 端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間的水Lq持續(xù)替換。
如此，在本實(shí)施形態(tài)，因隔著曝光區(qū)域IA在Y軸方向一側(cè)與另一側(cè)， 分別"i殳置彼此成組的供應(yīng)嘴群組與回收嘴群組，故即使要將晶片朝+Y方向 或-Y方向的任一方移動(dòng)時(shí)，在晶片Wl (或W2)與前端透鏡91之間使水穩(wěn) 定地持續(xù)填滿。即，即使是正掃描及負(fù)掃描的任一情形，也能在前端透鏡91 與晶片之間穩(wěn)定地保持水。
又，因水會(huì)流動(dòng)于晶片Wl (或W2)上，故即使在晶片Wl (或W2) 上附著異物(包含來(lái)自光刻膠的飛散粒子)的情形，能將該異物用水沖洗。 又，因供應(yīng)由液體供應(yīng)裝置5已調(diào)整為既定溫度的水，且此水是持續(xù)替換， 故即使在曝光時(shí)照明用光IL照射于晶片Wl (或W2)上，在晶片與流動(dòng)于 該晶片上的水之間進(jìn)行熱交換，能防止晶片表面的溫度上升。又，在本實(shí)施 形態(tài)，因水沿與移動(dòng)晶片的方向相同方向流動(dòng)，故不會(huì)使已吸收異物或熱的 液體滯留于前端透鏡正下方的曝光區(qū)域而能將其回收。又，若要朝圖4中實(shí)線箭頭B所示的方向(+X方向)移動(dòng)晶片Wl (或 W2)時(shí)，液體供應(yīng)裝置5的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi) 度打開(kāi)連接于供應(yīng)管27的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)設(shè)置于供應(yīng)管27的供 應(yīng)嘴27a朝+X方向?qū)⑺?yīng)至前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間。又， 此時(shí)，液體回收裝置6的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi)度 打開(kāi)連接于回收管29的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)回收嘴29a、 29b將水從 前端透鏡91與晶片Wl (或W2 )之間回收至液體回收裝置6的內(nèi)部。此時(shí)， 主控制裝置20，對(duì)液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6發(fā)出指令，使從供應(yīng)嘴 27a供應(yīng)至前端透鏡91與晶片Wl(或W2)之間的水量，與通過(guò)回收嘴29a、 29b回收的水量相等。因此，在前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間，保 持一定量的水Lq (參照?qǐng)D1)。在此情形，保持于前端透鏡91與晶片Wl
(或W2 )之間的水Lq持續(xù)替換。
又，若要朝圖4中虛線箭頭B，所示的方向(-X方向)移動(dòng)晶片Wl (或 W2)時(shí)，液體供應(yīng)裝置5的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi) 度打開(kāi)連接于供應(yīng)管28的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)設(shè)置于供應(yīng)管28的供 應(yīng)嘴28a朝-X方向?qū)⑺?yīng)至前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間。又， 此時(shí)，液體回收裝置6的控制器，依照主控制裝置20的指示，以既定開(kāi)度 打開(kāi)連接于回收管30的閥，使其它閥為全閉，通過(guò)回收嘴30a、 30b將水從 前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間回收至液體回收裝置6的內(nèi)部。此時(shí)， 主控制裝置20,對(duì)液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6發(fā)出指令，使從供應(yīng)嘴 28a供應(yīng)至前端透鏡91與晶片Wl(或W2)之間的水量，與通過(guò)回收嘴30a、 309b回收的水量相等。因此，在前端透鏡91與晶片Wl (或W2)之間，保 持一定量的水Lq (參照?qǐng)D1)。在此情形，保持于前端透鏡91與晶片Wl
(或W2 )之間的水Lq持續(xù)替換。
藉此，與使晶片Wl (或W2)朝Y軸方向移動(dòng)的情形同樣，即使要將 晶片朝+X方向或-X方向的任一方移動(dòng)時(shí)，將水穩(wěn)定地填滿于晶片與前端透鏡91之間。因此，在所謂照射間步進(jìn)時(shí)，即使其步進(jìn)方向是任何方向，也 能在晶片與前端透鏡91之間穩(wěn)定地持續(xù)保持水。
又，以上，雖對(duì)在晶片與前端透鏡91之間將水保持的情形說(shuō)明，但如
前述，因晶片表面與晶片保持具H1、 H2的表面成為大致同一面，故即使晶 片保持具H1 (或H2)位于對(duì)應(yīng)投影單元P正下方的曝光區(qū)域IA的位置的 情形，與上述同樣，水則保持于前端透鏡91與晶片保持具Hl (或H2), 也即與前述的輔助板之間。又，步進(jìn)時(shí)，若在晶片與前端透鏡91之間能保 持水的情形，也可停止水的供應(yīng)與回收。
又，除了從X軸方向或Y軸方向進(jìn)行水的供應(yīng)及回收的嘴外，例如也 可設(shè)置用以從斜方向進(jìn)行水的供應(yīng)及回收的嘴。
又，也可與晶片的移動(dòng)方向無(wú)關(guān)，從供應(yīng)嘴21a 21c、 22a 22c、 27a、 28a持續(xù)供應(yīng)液體Lq,從回收嘴23a、 23b、 24a、 24b、 29a、 2%、 30a、 30b 持續(xù)回收液體Lq。
又，液體供排系統(tǒng)不限于上述圖4的形態(tài)，只要能在投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的像面?zhèn)刃纬梢航^(qū)域，能適用各種形態(tài)。
本實(shí)施形態(tài)100，進(jìn)一步在用以保持投影單元PU的未圖標(biāo)的保持構(gòu)件， 設(shè)置斜射入方式的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)，是由照射系統(tǒng)90a(在圖1未圖 標(biāo)，參照?qǐng)D5)及受光系統(tǒng)90b (在圖1未圖標(biāo)，參照?qǐng)D5)構(gòu)成，與例如曰 本特開(kāi)平6-283403號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第5,448,332等所揭示的同 樣。照射系統(tǒng)卯a(chǎn),具有以圖5的主控制裝置20控制開(kāi)關(guān)的光源，朝投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的結(jié)像面射出用以形成多數(shù)個(gè)針孔或狹縫的像的光束。此所射出 的光束，通過(guò)設(shè)置于投影單元PU的鏡筒的未圖標(biāo)的棱鏡(照射系統(tǒng)90a內(nèi) 的光學(xué)系統(tǒng)的一部分)對(duì)光軸AX從斜方向照射于晶片表面。另一方面，在 晶片表面被反射的這些光束的反射光束，以設(shè)置于投影單元PU的鏡筒的未 圖標(biāo)的另外的棱鏡(受光系統(tǒng)90b內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)的一部分)反射，由受光系 統(tǒng)90b內(nèi)的受光元件受光。
42此焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)(卯a(chǎn)、 90b)的受光系統(tǒng)90b的輸出的焦點(diǎn)偏移信 號(hào)(散焦信號(hào))，是供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20，在后述的掃描 曝光時(shí)等，算出來(lái)自受光系統(tǒng)90b的焦點(diǎn)偏移信號(hào)(散焦信號(hào))，例如根據(jù) S曲線信號(hào)算出晶片表面的Z位置及6x、 6y旋轉(zhuǎn)，使所算出的晶片表面的 Z位置及6x、 6y旋轉(zhuǎn)對(duì)所述的目標(biāo)值的差變成零，即要使焦點(diǎn)偏移為零， 由通過(guò)晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124控制晶片載臺(tái)WST1、WST2的Z軸方向的移動(dòng)， 及二維方向的傾斜(即，6x、 6y方向的旋轉(zhuǎn))，在照明用光IL的照射區(qū) 域(與前述的照射區(qū)域共同的區(qū)域)內(nèi)執(zhí)行使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的結(jié)像面與 晶片的表面實(shí)質(zhì)上一致的自動(dòng)對(duì)焦(auto focus )及自動(dòng)調(diào)平(auto levelling)。 又，在本案所指定的指定國(guó)(或所選擇的選擇國(guó))的國(guó)內(nèi)法令所允許的范圍， :暖用上述日本特開(kāi)平6-283403號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)的美國(guó)專(zhuān)利的揭示，作為本說(shuō) 明書(shū)的記載的一部分。
又，焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)，也可通過(guò)液體檢測(cè)晶片表面的位置資料，也可 不通過(guò)液體^^測(cè)。又，焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)，不限于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像 面?zhèn)葯z測(cè)晶片表面的位置資料，也可從投影光學(xué)系統(tǒng)PL離開(kāi)處檢測(cè)晶片表 面的位置資料。
在圖5，表示本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控 制系統(tǒng)，以將裝置全體綜合控制的微電腦(或工作站)所構(gòu)成的主控制裝置 20為中心來(lái)構(gòu)成。
其次，說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100曝光時(shí)的各部的動(dòng)作。在此，如 圖2所示，說(shuō)明在晶片載臺(tái)WST1側(cè)進(jìn)行曝光的情形。
此曝光動(dòng)作的開(kāi)始時(shí)，在主控制裝置20，根據(jù)事前所進(jìn)行的例如增強(qiáng)型 總對(duì)準(zhǔn)(EGA, Enhanced Global Alignment)等的晶片對(duì)準(zhǔn)的結(jié)果等，邊監(jiān) 視干涉計(jì)18、 46的測(cè)量值，邊控制X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 85及Y軸線性發(fā) 動(dòng)機(jī)81，而將晶片載臺(tái)WST1移動(dòng)至用以晶片Wl的第一照射區(qū)域的曝光 用掃描開(kāi)始位置(加速開(kāi)始位置)。在此曝光次序，是在第一曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上進(jìn)行晶片載臺(tái)WST1的位置管理。
其次，在主控制裝置20,開(kāi)始相對(duì)于標(biāo)線片R(標(biāo)線片載臺(tái)RST)與晶 片Wl (晶片載臺(tái)WST1)的Y軸方向的相對(duì)掃描。此相對(duì)掃描時(shí)，主控制 裝置20,邊監(jiān)視前述的干涉計(jì)18、 46及標(biāo)線片干涉計(jì)116的測(cè)量值，邊控 制標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部11并且Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)81 (及X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 85)。
接著，當(dāng)兩載臺(tái)RST、 WST1加速至各目標(biāo)掃描速度時(shí)，在主控制裝置 20，對(duì)未圖標(biāo)的光源(ArF準(zhǔn)分子激光裝置)發(fā)出指令，開(kāi)始脈沖發(fā)光。然 后，當(dāng)兩載臺(tái)RST、 WST1達(dá)到等速同步狀態(tài)時(shí)，由來(lái)自照明系統(tǒng)10的照 明用光IL (紫外脈沖光)使標(biāo)線片R的圖案區(qū)域開(kāi)始照明，開(kāi)始掃描曝光。 雖在此掃描曝光開(kāi)始之前，如上述，光源的脈沖發(fā)光已開(kāi)始，但由主控制裝 置20,照明系統(tǒng)10內(nèi)的可動(dòng)標(biāo)線片遮簾(未圖標(biāo))的既定葉片同步于標(biāo)線 片載臺(tái)RST而移動(dòng)，藉此防止在掃描曝光的開(kāi)始前對(duì)晶片Wl進(jìn)行不必要的 曝光。
然后，以照明用光IL依次照明標(biāo)線片R的圖案區(qū)域，由完成對(duì)圖案區(qū) 域全面的照明，結(jié)束晶片Wl上的第一照射區(qū)域的掃描曝光。藉此，標(biāo)線片 R的圖案通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL縮小轉(zhuǎn)印于晶片Wl上的第一照射區(qū)域。
在此情形，掃描曝光結(jié)束后，也由主控制裝置20，使照明系統(tǒng)10內(nèi)的 可動(dòng)標(biāo)線片遮簾(未圖標(biāo))同步于標(biāo)線片載臺(tái)RST而移動(dòng)，藉此防止晶片 Wl的不必要的曝光。
如上述，結(jié)束第一照射區(qū)域的掃描曝光后，由主控制裝置20,通過(guò)X 軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)84、 85及Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)81使晶片載臺(tái)WST1沿X、 Y方向 步進(jìn)移動(dòng)，移動(dòng)至用以第二照射區(qū)域的曝光的加速開(kāi)始位置(掃描開(kāi)始位 置)。此照射間步進(jìn)時(shí)，主控制裝置20，依干涉計(jì)18、 46的測(cè)量值將晶片 載臺(tái)WST1的X、 Y、 6z方向的位置位移實(shí)時(shí)(realtime)檢測(cè)。并且，根 據(jù)此測(cè)量結(jié)果，主控制裝置20，控制晶片載臺(tái)WST1的位置，使晶片載臺(tái)WST1的XY位置位移成為既定狀態(tài)。又，主控制裝置20，根椐晶片載臺(tái) WST1的6z方向的資料，控制標(biāo)線片載臺(tái)RST (標(biāo)線片微動(dòng)載臺(tái))及晶片 載臺(tái)WST1的至少一旋轉(zhuǎn)，使其晶片側(cè)的旋轉(zhuǎn)位移補(bǔ)償。
接著，在照射間步進(jìn)結(jié)束后，由主控制裝置20,與上述同樣，控制各部 的動(dòng)作，對(duì)晶片Wl上的第二照射區(qū)域進(jìn)行與上述同樣的掃描曝光。
如上述，反復(fù)進(jìn)行晶片Wl上的照射區(qū)域的掃描曝光與供下次照射曝光 的照射間步進(jìn)動(dòng)作，使標(biāo)線片R的圖案依序轉(zhuǎn)印于晶片Wl上的曝光對(duì)象的 照射區(qū)域全部。
又，上述的對(duì)晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作中，按照晶片Wl的 移動(dòng)方向的變化，由主控制裝置20,如前述，進(jìn)行液體供排系統(tǒng)32的液體 供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開(kāi)關(guān)控制則是理所當(dāng)然。因此，上述 的對(duì)晶片Wl的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作中，在前端透鏡91與晶片Wl之 間維持持續(xù)將一定量的水穩(wěn)定地保持的狀態(tài)。
其次，對(duì)使用兩個(gè)晶片載臺(tái)WST1、 WST2的并行處理動(dòng)作，參照?qǐng)D2 及圖6 圖9說(shuō)明。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20，按照位于投影單 元PU正下方的第 一 區(qū)域的晶片載臺(tái)的移動(dòng)方向，如前述進(jìn)行液體供排系統(tǒng) 32的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開(kāi)關(guān)控制，在投影光學(xué)系統(tǒng) PL的前端透鏡91正下方持續(xù)填滿水。但是，以下，為了要使說(shuō)明容易了解， 將關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說(shuō)明省略。
在圖2表示對(duì)晶片載臺(tái)WST1上的晶片Wl如前述以步進(jìn)掃描方式進(jìn) 行曝光，與此并行，在晶片載臺(tái)WST2側(cè)，在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的下方的第三 區(qū)域進(jìn)行對(duì)晶片W2的晶片對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)。
如上述，對(duì)晶片Wl以步進(jìn)掃描方式進(jìn)行啄光期間，在晶片載臺(tái)WST2 側(cè)，則進(jìn)^f于如下所述的動(dòng)作。
即，在上述的晶片對(duì)準(zhǔn)前，在左側(cè)裝載位置，未圖標(biāo)的晶片搬送機(jī)構(gòu)與 晶片載臺(tái)WST2之間進(jìn)行晶片交換。在此，所謂左側(cè)裝載位置，是指設(shè)定為
45基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的正下方的位置而言。在此情形，在 左側(cè)裝載位置，由對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2 ^r測(cè)基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記 以前，由主控制裝置20執(zhí)行Y軸干涉計(jì)44的重置(reset)。
上述第二基準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)時(shí)，主控制裝置20，使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2取 進(jìn)第二基準(zhǔn)標(biāo)記的影像，對(duì)其影像信號(hào)施加既定的處理，由解析其處理后的 信號(hào)來(lái)檢測(cè)以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的指針中心為基準(zhǔn)的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置。 又，主控制裝置20，根據(jù)其第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置的檢測(cè)結(jié)果與其檢測(cè)時(shí)的干 涉計(jì)16、 44的測(cè)量結(jié)果，算出第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置 坐標(biāo)。
其次，主控制裝置20，由邊在前述第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上管理晶片載臺(tái) WST2的XY面內(nèi)的位置，邊使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2來(lái)檢測(cè)附設(shè)于晶片W2上 的特定的多個(gè)照射區(qū)域(樣本照射區(qū)域)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(樣本標(biāo)記)的位置資 料(對(duì)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG2的檢測(cè)中心的位置資料)，來(lái)求出第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng) 上的樣本標(biāo)記的位置資料。接著，主控制裝置20，根據(jù)其檢測(cè)結(jié)果與特定的 照射區(qū)域的設(shè)計(jì)上的位置坐標(biāo)，執(zhí)行例如日本特開(kāi)昭61-22249號(hào)公報(bào)及對(duì) 應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第4,780,617號(hào)等所揭示的統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，來(lái)算出晶片W2上 的多個(gè)照射區(qū)域的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上的位置坐標(biāo)。即，如上述，進(jìn)行EGA (增強(qiáng)型總對(duì)準(zhǔn))。并且，主控制裝置20，由從晶片W2上的多個(gè)照射區(qū)域 的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上的位置坐標(biāo)將前述第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置坐標(biāo)減算，使
多個(gè)照射區(qū)域的位置坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成以第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置為原點(diǎn)的位置坐標(biāo)。 又，在本案所指定的指定國(guó)(或所選擇的選擇國(guó))的國(guó)內(nèi)法令所允許的范圍， 援用上述公報(bào)及對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利的揭示，作為本說(shuō)明書(shū)的記載的 一部分。
上述在兩個(gè)晶片載臺(tái)WST1、 WST2上并行而進(jìn)行的曝光次序與晶片交 換/對(duì)準(zhǔn)次序，通常，是晶片交換/對(duì)準(zhǔn)次序最先結(jié)束。因此，已結(jié)束對(duì)準(zhǔn)的 晶片載臺(tái)WST2,則在既定的待機(jī)位置呈等待狀態(tài)。
并且，在晶片載臺(tái)WST1側(cè)，在對(duì)晶片Wl的曝光結(jié)束的時(shí)點(diǎn)，主控制裝置20，將晶片載臺(tái)WST1、 WST2朝圖6所示的既定位置分別開(kāi)始移動(dòng)。
并且，將晶片栽臺(tái)WST1、 WST2移動(dòng)至圖6所示的位置后，主控制裝 置20,則開(kāi)始使晶片載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2同時(shí)朝+X方向驅(qū)動(dòng)的動(dòng) 作。又，在圖6的狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2是通過(guò)設(shè)置于晶 片載臺(tái)WST1的彈性密封構(gòu)件93接觸。
如上述，由主控制裝置20, ^使晶片載臺(tái)WST1、 WST2同時(shí)移動(dòng)，在圖 6的狀態(tài)，保持于投影單元PU的前端透鏡91與晶片Wl之間的水，則伴隨 晶片載臺(tái)WST1、 WST2朝+X側(cè)移動(dòng)，在晶片Wl —晶片載臺(tái)WST1 (更具 體而言是晶片保持具H1 )—晶片載臺(tái)WST2(更具體而言是晶片保持具H2) 上依序移動(dòng)。又，上述移動(dòng)期間，晶片載臺(tái)WST1、 WST2則與圖6的狀態(tài) 同樣通過(guò)彈性密封構(gòu)件93保持彼此接觸的位置關(guān)系。在圖7，表示在上述 移動(dòng)的中途，水同時(shí)存在于晶片載臺(tái)WST1、 WST2 (晶片保持具H1、 H2) 時(shí)的狀態(tài)，即從晶片載臺(tái)WST1上待將水交給晶片載臺(tái)WST2上之前的狀態(tài)。
從圖7的狀態(tài)，當(dāng)進(jìn)一步使晶片載臺(tái)WST1、 WST2朝+X方向同時(shí)驅(qū)動(dòng) 既定距離，則如圖8所示，形成在晶片載臺(tái)WST2上的包含基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2 的區(qū)域與前端透鏡91之間保持水的狀態(tài)。先行于此，主控制裝置20,在使 來(lái)自Y軸干涉計(jì)46的干涉計(jì)光束能照射于移動(dòng)鏡117Y的任一時(shí)點(diǎn)，執(zhí)行Y 軸干涉計(jì)46的重置。
接著，主控制裝置20，朝圖9所示的右側(cè)裝載位置開(kāi)始晶片載臺(tái)WST1 的驅(qū)動(dòng)。此右側(cè)裝載位置，設(shè)定為基準(zhǔn)標(biāo)記板FM1位在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1的 正下方的4立置。
與朝上述右側(cè)裝載位置的晶片載臺(tái)WST1的移動(dòng)開(kāi)始并行，主控制裝置 20,由 一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)RAa、 RAb (參照?qǐng)D1 )使用照明用光IL進(jìn)行基 準(zhǔn)標(biāo)"^己板FM2上的一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記與對(duì)應(yīng)于其的標(biāo)線片R上的標(biāo)線片對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記的晶片上投影像的相對(duì)位置檢測(cè)。此時(shí)，基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2上的一對(duì) 第一基準(zhǔn)標(biāo)記與標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的像的檢測(cè)，是通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來(lái)進(jìn)行。
并且，主控制裝置20,根據(jù)此所檢測(cè)的相對(duì)位置資料，與對(duì)預(yù)先所求的
第二基準(zhǔn)標(biāo)記的晶片W2上的各照射區(qū)域的位置資料，及既知的第一基準(zhǔn)標(biāo)記與第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，算出標(biāo)線片R的圖案的投影位置(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心)與晶片W2上的各照射區(qū)域的相對(duì)位置關(guān)系。并且，根據(jù)其算出結(jié)果，主控制裝置20,與前述的晶片Wl的情形同樣，在第二曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上邊管理晶片載臺(tái)WST2的位置，邊以步進(jìn)掃描方式將標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印于晶片W2上的各照射區(qū)域。
與上述晶片栽臺(tái)WST2側(cè)的動(dòng)作并行，晶片栽臺(tái)WST1側(cè)，在右側(cè)裝栽位置，與未圖標(biāo)的晶片搬送系統(tǒng)之間進(jìn)行晶片交換，與晶片交換同時(shí)或在其后，由主控制裝置20使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1進(jìn)行基準(zhǔn)標(biāo)記板FM1上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。主控制裝置20，先在此第二基準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)以前執(zhí)行Y軸干涉計(jì)48的重置。其后，主控制裝置20,邊在第一對(duì)準(zhǔn)時(shí)坐標(biāo)系統(tǒng)上管理晶片載臺(tái)WST1 ，邊對(duì)晶片W2進(jìn)行使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG1的EGA。
以后，由主控制裝置20,反復(fù)進(jìn)行與上述晶片載臺(tái)WST1、 WST2的并行動(dòng)作。
使用晶片載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2的并行處理時(shí)，在對(duì)一晶片載臺(tái)上的晶片的曝光結(jié)束，至對(duì)另一晶片栽臺(tái)上的晶片的曝光要開(kāi)始期間，雖會(huì)進(jìn)行從一晶片載臺(tái)在投影單元PU正下方的狀態(tài)(即，在一晶片載臺(tái)上水附著的狀態(tài))，遷移至另一晶片載臺(tái)在投影單元PU正下方的狀態(tài)(即，在另一晶片載臺(tái)上水附著的狀態(tài))，但此時(shí)，如前迷，維持晶片載臺(tái)WST1、WST2在X軸方向通過(guò)彈性密封構(gòu)件93呈接觸狀態(tài)(圖10的狀態(tài))。因此，如圖7所示，即使在晶片載臺(tái)WST1、 WST2彼此間使水跨越(液浸區(qū)域)的狀態(tài)，由彈性密封構(gòu)件93能確實(shí)防止水(液體)通過(guò)晶片載臺(tái)WST1、WST2 ;f皮此的間隙向載臺(tái)下方泄漏。
又，在晶片載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2的移動(dòng)途中，雖會(huì)存在來(lái)自干涉計(jì)46、 48任一干涉計(jì)光束不照射于晶片栽臺(tái)WST1的移動(dòng)鏡17Y的狀態(tài) (移動(dòng)期間，移動(dòng)區(qū)間)，又，存在來(lái)自干涉計(jì)46、 44任一干涉計(jì)光束也 不照射于晶片載臺(tái)WST2的移動(dòng)鏡117Y的狀態(tài)(移動(dòng)期間，移動(dòng)區(qū)間)， 但在本實(shí)施形態(tài)，此情形的兩晶片載臺(tái)WST1、 WST2的位置，是由未圖標(biāo) 的線性編碼機(jī)(linearencorder)來(lái)管理。又，使用線性編碼機(jī)來(lái)管理晶片載 臺(tái)的位置時(shí)，在來(lái)自任一 Y軸干涉計(jì)的干涉計(jì)光束會(huì)照射于移動(dòng)鏡17Y或 117Y的時(shí)點(diǎn)，由主控制裝置20執(zhí)行Y軸干涉計(jì)的重置。
如從以上說(shuō)明可知，在本實(shí)施形態(tài)，由晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124構(gòu)成載臺(tái)驅(qū) 動(dòng)系統(tǒng)的至少一部分。又，由此載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，與晶片載臺(tái)WST1、 WST2 構(gòu)成載臺(tái)裝置的至少一部分。
如以上詳細(xì)說(shuō)明，依本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置IOO及該曝光裝置所具備的 栽臺(tái)裝置，并且在該曝光裝置100所執(zhí)行的晶片載臺(tái)WST1、 WST2的驅(qū)動(dòng) 方法，從一晶片載臺(tái)WST1(或WST2)位于第一區(qū)域(包含有液體(水)供 應(yīng)的投影單元PU (投影光學(xué)系統(tǒng)PL)正下方的位置)的第一狀態(tài)，遷移至 另一晶片載臺(tái)WST2 (或WST1)位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，由載臺(tái)驅(qū)動(dòng) 系統(tǒng)(124等)，晶片栽臺(tái)WST1、 WST2維持于X軸方向通過(guò)彈性密封構(gòu) 件93呈接觸狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST1、 WST2朝X軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
因此，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元PU)與位于其正下方的特定的 晶片載臺(tái)(此晶片載臺(tái)，伴隨移動(dòng)從一晶片載臺(tái)切換為另一晶片載臺(tái))之間 供應(yīng)著水的狀態(tài)，水不會(huì)從兩晶片栽臺(tái)的間隙泄漏，能使從一晶片載臺(tái)WST1 (或WST2)位于第一區(qū)域的第一狀態(tài)，遷移至另一晶片載臺(tái)WST2 (或 WST1 )位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)。即，在一晶片載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng) PL與水(液體)進(jìn)行晶片的曝光動(dòng)作后，至在另一晶片載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光 學(xué)系統(tǒng)PL與水(液體)開(kāi)始晶片的曝光動(dòng)作前為止期間，能從一晶片載臺(tái) 與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間使水保持的狀態(tài)，遷移至另 一晶片載臺(tái)與投影光學(xué) 系統(tǒng)PL之間使水保持的狀態(tài)，而不需要經(jīng)過(guò)水的全回收、再度供應(yīng)等步驟。
49因此，能將從一晶片載臺(tái)側(cè)的曝光動(dòng)作結(jié)束至另一晶片栽臺(tái)側(cè)的曝光動(dòng) 作開(kāi)始為止的時(shí)間縮短(即，維持為與非液浸曝光的通常的曝光裝置(非液 浸曝光裝置)相同程度)，能獲得產(chǎn)能的提高。又，因在投影光學(xué)系統(tǒng)PL
的像面?zhèn)瘸掷m(xù)存在水，故能有效地防止在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué) 構(gòu)件(例如前端透鏡91及前述的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)的棱鏡等)產(chǎn)生水 紋(水痕，watermark),能長(zhǎng)期良好地維持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的結(jié)像性能及 多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)精度。
又，由在前述兩個(gè)晶片載臺(tái)WST1、 WST2的并行處理動(dòng)作，比起已知 的具備單晶片載臺(tái)的曝光裝置(使用一個(gè)晶片載臺(tái)，將晶片交換、晶片對(duì)準(zhǔn) 及曝光動(dòng)作，依序進(jìn)行)，能獲得產(chǎn)能的提高。
又，因由液浸曝光，進(jìn)行高解像度且比空氣中大焦點(diǎn)深度的曝光，故能 將標(biāo)線片R的圖案精度良好地轉(zhuǎn)印于晶片上，例如當(dāng)作元件規(guī)格(device rule )能實(shí)現(xiàn)70 1 OOnm程度的微細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印。
又，在本實(shí)施形態(tài)，由晶片載臺(tái)WST1與晶片栽臺(tái)WST2是通過(guò)彈性密 封構(gòu)件93接觸，除了能防止自?xún)删d臺(tái)的間隙的漏水外，也能降低晶片 載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2接觸時(shí)的沖擊。
再者，在本實(shí)施形態(tài)，因在晶片載臺(tái)WST1的-X側(cè)面及晶片載臺(tái)WST2 的+X側(cè)面未設(shè)置千涉計(jì)用的移動(dòng)鏡，故即使兩晶片載臺(tái)是在X軸方向呈近 接狀態(tài)，因兩晶片載臺(tái)上的移動(dòng)鏡的反射面彼此不會(huì)近接而相面對(duì)，故兩晶 片載臺(tái)沿X軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)的期間，不僅能由干涉計(jì)系統(tǒng)118監(jiān)視兩晶片栽 臺(tái)的位置，也能防止在移動(dòng)鏡的反射面附著水。
第二實(shí)施形態(tài)
其次，依圖11~圖15B說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)。在此，對(duì)與前述第 一實(shí)施形態(tài)同 一或同等的部分，使用同一的符號(hào)，并且將其說(shuō)明簡(jiǎn)化或省略。 在此第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，晶片載臺(tái)裝置的構(gòu)成等，及使用兩個(gè)晶片載 臺(tái)的并行處理動(dòng)作則與第一實(shí)施形態(tài)不同。又，標(biāo)記4全測(cè)系統(tǒng)僅設(shè)置一個(gè)，也與前述第一實(shí)施形態(tài)不同。其它部分的構(gòu)成等，則與前述第一實(shí)施形態(tài)相 同。因此，以下，僅以相異處為中心來(lái)說(shuō)明，以免重復(fù)說(shuō)明。
圖11,是表示本第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的構(gòu)成。若將此圖 11與圖5作比較，則得知在本第二實(shí)施形態(tài)，替代前述第一實(shí)施形態(tài)的晶片
載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124，設(shè)置晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124A，這一點(diǎn)與前述的第一實(shí)施形態(tài) 不同。
在本第二實(shí)施形態(tài)，替代前述的晶片載臺(tái)裝置50,設(shè)置圖12所示的晶 片載臺(tái)裝置50'。此晶片載臺(tái)裝置50，，如圖12所示，具備基盤(pán)12;晶片 載臺(tái)WST1'，是配置于該基盤(pán)12上面的上方(在圖12的紙面前側(cè))的第一 載臺(tái)，及晶片栽臺(tái)WST2',是第二載臺(tái)；六個(gè)干涉計(jì)151Xp 151X2、 151X3、 151X4、 151Y,、 151Y2，是用來(lái)測(cè)量這些晶片載臺(tái)WST1'、 WST2，的位置的 位置測(cè)量系統(tǒng)；第一驅(qū)動(dòng)部171、笫二驅(qū)動(dòng)部172,用以將晶片載臺(tái)WSTT、 WST2，個(gè)別地驅(qū)動(dòng)，俯^L (從上方觀察)呈大致H字形；第一連接機(jī)構(gòu)195 及第二連接機(jī)構(gòu)196 (在圖12未圖標(biāo)，參照?qǐng)D11 )。
在此，由上述六個(gè)干涉計(jì)151X!、 151X2、 151X3、 151X4、 151Y,、 151Y2, 構(gòu)成圖U的干涉計(jì)系統(tǒng)118A;包含第一驅(qū)動(dòng)部171、第二驅(qū)動(dòng)部172、第 一連接機(jī)構(gòu)195及第二連接機(jī)構(gòu)196，來(lái)構(gòu)成圖11的晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124A。
前述第一驅(qū)動(dòng)部171具備X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X,是用以使晶片載臺(tái) WST1，(或WST2')朝X軸方向驅(qū)動(dòng)的線性致動(dòng)器(linear actuator);及 一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,、 136Y2,用以使晶片載臺(tái)WST1，(或WST2,) 與X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X —體地朝掃描方向的Y軸方向驅(qū)動(dòng)。
前述X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X具備X軸線性導(dǎo)件181，是將X軸方向當(dāng) 作長(zhǎng)邊方向的固定件；及X可動(dòng)件179,沿該X軸線性導(dǎo)件181且朝X軸 方向移動(dòng)。
X軸線性導(dǎo)件181，由朝X軸方向延伸的框體，及具有在其內(nèi)部以既定 間隔沿X軸方向配設(shè)的多個(gè)電樞線圈的電樞單元構(gòu)成。在此X軸線性導(dǎo)件181的長(zhǎng)邊方向(X軸方向)的一端部，固定一 Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,的可 動(dòng)件(Y可動(dòng)件)184,在另一端部固定另一 Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y2的可動(dòng) 件(Y可動(dòng)件)185。
前述X可動(dòng)件179，例如，具有筒狀(形成將X軸線性導(dǎo)件181從周?chē)?包圍)的形狀，在其內(nèi)部設(shè)置YZ截面逆U字形的可動(dòng)件輒。在此可動(dòng)件扼， 沿其長(zhǎng)邊方向交替配置多個(gè)N極永久,茲鐵與多個(gè)S極永久^f茲鐵。因此，在X 可動(dòng)件179的內(nèi)部空間，沿X軸方向形成交流/磁場(chǎng)。
在此情形，由X可動(dòng)件179，與X軸線性導(dǎo)件181之間的電磁相互作用， 使其產(chǎn)生使X可動(dòng)件179朝X軸方向驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力(洛倫茲(Lorentz)力)。 即，X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X，是動(dòng)磁型電動(dòng)力驅(qū)動(dòng)方式的線性發(fā)動(dòng)機(jī)。
在X可動(dòng)件179的-Y側(cè)面，設(shè)置第一連接機(jī)構(gòu)195 (在圖12未圖標(biāo)， 參照?qǐng)D11)，用以將晶片載臺(tái)WST1，(或WST2，)連接。此第一連接機(jī)構(gòu) 195，例如能使用利用電磁的磁吸引力，或?qū)⒕d臺(tái)WST1，(或WST2，) 機(jī)械式地卡合的機(jī)構(gòu)等。主控制裝置20,控制此第一連接機(jī)構(gòu)195，使晶片 載臺(tái)WST1'(或WST2，)連接于X可動(dòng)件179,或使其解除其連接。又， 在連接狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST1，(或WST2，)由X可動(dòng)件179成為單邊支撐 的狀態(tài)。在圖12,表示X可動(dòng)件179將晶片載臺(tái)WST1，單邊支撐的狀態(tài)。
一 Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,，具備Y軸線性導(dǎo)件188，是朝Y軸方向延 設(shè)的固定件；及Y可動(dòng)件184，沿該Y軸線性導(dǎo)件188移動(dòng)。前述Y軸線 性導(dǎo)件188,使用與前述X軸線性導(dǎo)件181同樣構(gòu)成的電樞單元。又，Y可 動(dòng)件184,雖是XZ截面逆U字形的形狀，但使用與前述的X可動(dòng)件同樣構(gòu) 成的f茲極單元。即，Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y!,是動(dòng)磁型電動(dòng)力驅(qū)動(dòng)方式的線 性發(fā)動(dòng)機(jī)。
另一 Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y2，具備Y軸線性導(dǎo)件189，是朝Y軸方向 延設(shè)的固定件；及Y可動(dòng)件185，沿該Y軸線性導(dǎo)件189移動(dòng)。此Y軸線 性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y2,是與Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y!同樣構(gòu)成的動(dòng)磁型電動(dòng)力驅(qū)動(dòng)方式的線性發(fā)動(dòng)機(jī)。
又，如前述，由將X軸線性導(dǎo)件181的兩端部分別固定于Y可動(dòng)件184、 185,若Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y，、 136Y2產(chǎn)生Y軸方向的驅(qū)動(dòng)力，則與X軸 線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X—起^f吏晶片載臺(tái)WST1'(或WST2')驅(qū)動(dòng)于Y軸方向。 在此情形，由使Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,、 136Y2所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力不同，通過(guò) X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X能控制晶片載臺(tái)WST1'(或WST2，)的Z軸周?chē)男?轉(zhuǎn)。
前述第二驅(qū)動(dòng)部172,配置于前述第一驅(qū)動(dòng)部171的-Y側(cè)面，在圖12 的紙面內(nèi)形成大致對(duì)稱(chēng)。此第二驅(qū)動(dòng)部172，是與上述第一驅(qū)動(dòng)部171同樣 構(gòu)成。即，此第二驅(qū)動(dòng)部172,具備X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X,是由X軸線 性導(dǎo)件180及X可動(dòng)件178所構(gòu)成的線性致動(dòng)器；Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y,， 由設(shè)置于X軸線性導(dǎo)件180的一端的Y可動(dòng)件182及Y軸線性導(dǎo)件186所 構(gòu)成；及Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y2,由設(shè)置于X軸線性導(dǎo)件180的另一端的Y. 可動(dòng)件183及Y軸線性導(dǎo)件187所構(gòu)成。
在X可動(dòng)件178的+Y側(cè)面，與X可動(dòng)件I79同樣，設(shè)置第二連接機(jī)構(gòu) 196 (在圖12未圖標(biāo)，參照?qǐng)D11)，與前述的第一連接機(jī)構(gòu)同樣，用以將 晶片載臺(tái)WST1，(或WST2，)連接。主控制裝置20，控制此第二連接機(jī)構(gòu) 196,使晶片栽臺(tái)WST1，(或WST2')連接于X可動(dòng)件178,或使其解除其 連接。又，在圖12,表示晶片載臺(tái)WST1，連接于X可動(dòng)件178成為單邊支 撐的狀態(tài)。
前述晶片載臺(tái)WSTl，，具備載臺(tái)本體，與構(gòu)成前述第一實(shí)施形態(tài)的晶 片載臺(tái)WST1不同，未設(shè)置^茲極單元部分；及晶片臺(tái)，是與構(gòu)成在該載臺(tái)本 體的上面通過(guò)未圖標(biāo)的Z '傾斜(tilt)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)所設(shè)置的前述晶片載臺(tái)WST1 同樣。在此晶片臺(tái)的上面，設(shè)置+Y移動(dòng)鏡47Y,、 -Y移動(dòng)鏡47Y2、十X移動(dòng) 鏡47X于士Y側(cè)端部及+X側(cè)端部附近。
前述晶片載臺(tái)WS丁2'，構(gòu)成為與上述晶片載臺(tái)WST1，同樣。在構(gòu)成此
53晶片載臺(tái)WST2，的晶片臺(tái)的上面，設(shè)置+Y移動(dòng)鏡49Y" -Y移動(dòng)鏡49Y2、 -X移動(dòng)鏡49X于土Y側(cè)端部及-X側(cè)端部附近。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)，也在未將晶片載臺(tái)WST1，的移動(dòng)鏡配置于附近 的側(cè)面(-X側(cè)面)，及未將晶片載臺(tái)WST2'的移動(dòng)鏡配置于附近的側(cè)面(+X 側(cè)面)的至少一方，設(shè)置與圖10所示的彈性密封構(gòu)件93同樣的彈性密封構(gòu) 件。
又，如圖12所示，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-Y側(cè)隔既定距離，設(shè)置標(biāo)記 檢測(cè)系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG。
前述干涉計(jì)系統(tǒng)118A,如圖12所示，具有兩個(gè)Y軸干涉計(jì)151Yj、 151Y2，具有與將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的 ^r測(cè)中心連結(jié)的Y軸平行的測(cè)長(zhǎng)軸；兩個(gè)X軸千涉計(jì)151X,、 151X2,分別 具有與在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸)與干涉計(jì)151Y,的測(cè)長(zhǎng)軸垂 直交叉的X軸平行的測(cè)長(zhǎng)軸；及兩個(gè)X軸干涉計(jì)151X3、 I5IX4,分別具有 與在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心與干涉計(jì)151Y2的測(cè)長(zhǎng)軸垂直交叉的X軸平 行的測(cè)長(zhǎng)軸。
四個(gè)X軸干涉計(jì)151 Xr451X4,是相對(duì)于Y軸方向及Z軸方向離開(kāi)且 至少具有三支光軸的多軸干涉計(jì)，各光軸的輸出值能獨(dú)立測(cè)量。因此，在這 些X軸干涉計(jì)151 X廣151X4，除了晶片載臺(tái)WST1，或WST2，的X軸方向的 位置測(cè)量以外，也能測(cè)量Y軸周?chē)男D(zhuǎn)量(橫搖量)及Z軸周?chē)男D(zhuǎn) 量(偏搖量)。
上述兩個(gè)Y軸干涉計(jì)151Y" 151Y2,是相對(duì)于Z軸方向離開(kāi)且具有各 兩支光軸的二軸干涉計(jì)，各光軸的輸出值能獨(dú)立測(cè)量。因此，在這些Y軸干 涉計(jì)151Y,、 151Y2，除了晶片載臺(tái)WST1'或WST2，的Y軸方向的位置測(cè)量 以外，也能測(cè)量X軸周?chē)男D(zhuǎn)量(俯仰量)。
在此情形，晶片載臺(tái)WST1，位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸正下方的位置 的附近的區(qū)域(第一區(qū)域)，要進(jìn)行對(duì)其晶片載臺(tái)WST1，上的晶片(在圖12晶片Wl )的曝光時(shí)，在以X軸干涉計(jì)151 X,、 Y軸千涉計(jì)51 Y,各測(cè) 長(zhǎng)軸所規(guī)定的第一曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上，進(jìn)行晶片載臺(tái)WST1，的XY平面內(nèi)的位
置管理。
又，晶片載臺(tái)WST2，位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸正下方的位置附近的 區(qū)域(第一區(qū)域)，要進(jìn)行對(duì)其晶片載臺(tái)WST2，上的晶片(在圖12晶片 W2)的曝光時(shí)，在以X軸千涉計(jì)151 X2、 Y軸干涉計(jì)151 Y,各測(cè)長(zhǎng)軸所規(guī) 定的第二曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上，進(jìn)行晶片載臺(tái)WST2，的XY平面內(nèi)的位置管理。
又，晶片載臺(tái)WST1，位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG正下方的位置附近的區(qū)域(第 二區(qū)域)，要進(jìn)行對(duì)其晶片載臺(tái)WST1，上的晶片(在圖12晶片Wl)的對(duì) 準(zhǔn)(EGA)等時(shí)，在以X軸干涉計(jì)151 X3、 Y軸干涉計(jì)151 丫2各測(cè)長(zhǎng)軸所 規(guī)定的第一對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上，進(jìn)行晶片載臺(tái)WSTT的XY平面內(nèi)的位置管理。
再者，晶片裁臺(tái)WST2，位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG正下方的位置附近的區(qū)域(第 二區(qū)域)，要進(jìn)行對(duì)其晶片載臺(tái)WST2，上的晶片(在圖12晶片.W2)的對(duì) 準(zhǔn)(EGA)等時(shí)，在以X軸干涉計(jì)151 X4、 Y軸干涉計(jì)151 丫2各測(cè)長(zhǎng)軸所 規(guī)定的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上，進(jìn)行晶片載臺(tái)WST2 ，的XY平面內(nèi)的位置管理。
其它的構(gòu)成部分，是包含液體供排系統(tǒng)32在內(nèi)構(gòu)成為與前述的第一實(shí) 施形態(tài)同樣。
其次，依圖12 圖15B,說(shuō)明本第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置所進(jìn)行的一連 串的動(dòng)作，包含對(duì)一晶片載臺(tái)上的晶片的曝光動(dòng)作，及對(duì)另一晶片載臺(tái)上的 晶片的對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作等的并行處理動(dòng)作。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20， 按照位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的第 一 區(qū)域的晶片載臺(tái)的移動(dòng)方向，如前 述，進(jìn)^f亍液體供排系統(tǒng)32的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開(kāi) 閉控制，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡91正下方持續(xù)填滿水。但是，以下， 為了要使說(shuō)明容易了解，省略液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6相關(guān)的說(shuō)明。
又，在晶片載臺(tái)WST1，與晶片載臺(tái)WST2，的移動(dòng)途中，存在來(lái)自X軸 干涉計(jì)或Y軸干涉計(jì)的干涉計(jì)光束，不照射于移動(dòng)鏡，致使要以千涉計(jì)進(jìn)行晶片載臺(tái)的位置管理成為困難的區(qū)間。此情形的晶片載臺(tái)位置，是由未圖標(biāo)
的線性編碼機(jī)(linearencorder)來(lái)管理，如上述若^:用線性編碼機(jī)來(lái)管理晶 片載臺(tái)的位置時(shí)，在來(lái)自所要的干涉計(jì)的干涉計(jì)光束會(huì)接觸于移動(dòng)鏡的時(shí) 點(diǎn)，由主控制裝置20執(zhí)行該干涉計(jì)的重置。但是，以下，為了要防止說(shuō)明 的煩雜化，關(guān)于使用線性編碼機(jī)進(jìn)行晶片載臺(tái)的位置測(cè)量及干涉計(jì)的重置， 則省略其"i兌明。
在圖12,表示對(duì)載置于晶片載臺(tái)WST1，上的晶片Wl,與前述第一實(shí) 施形態(tài)同樣以步進(jìn)掃描方式進(jìn)行曝光，并行于此，在晶片載臺(tái)WST2，側(cè)，在 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的下方的第二區(qū)域進(jìn)行對(duì)晶片W2的對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)。
又，上述對(duì)晶片Wl的曝光動(dòng)作，主控制裝置20，在前述第一曝光坐標(biāo) 系統(tǒng)上邊管理晶片載臺(tái)WST1，的位置，邊由使前述的X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X、 一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Yi、 136Y2驅(qū)動(dòng)控制，移動(dòng)晶片載臺(tái)WST1，來(lái)進(jìn)行。
在晶片載臺(tái)WST1，側(cè)對(duì)晶片Wl以步進(jìn)掃描方式執(zhí)行曝光期間，在晶片 載臺(tái)WST2，側(cè)，執(zhí)行如下的動(dòng)作。
即，先于上述晶片對(duì)準(zhǔn)之前，在既定的裝載位置，在未圖標(biāo)的晶片搬送 機(jī)構(gòu)與晶片載臺(tái)WST2，之間進(jìn)行晶片交換。
晶片交換后，主控制裝置20,在前述的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上邊管理晶片 載臺(tái)WST2'的XY面內(nèi)的位置，邊使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG執(zhí)行包含檢測(cè)樣本標(biāo) 記(附設(shè)于晶片W2上的特定的多個(gè)樣本照射區(qū)域)的位置資料的前述EGA， 來(lái)算出晶片W2上的多個(gè)照射區(qū)域的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上的位置坐標(biāo)。又， 在圖12,表示樣本標(biāo)記檢測(cè)時(shí)的狀態(tài)。又，主控制裝置20，在檢測(cè)樣本標(biāo) 記的位置資料的前后，檢測(cè)形成于晶片載臺(tái)WST2，上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2的 第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置資料。并且，主控制裝置20，將預(yù)先所求得的晶片W2 上的多個(gè)照射區(qū)域的第二對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上的位置坐標(biāo)，轉(zhuǎn)換為以第二基準(zhǔn)標(biāo) 記的位置為原點(diǎn)的位置坐標(biāo)。
又，上述晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)等的晶片載臺(tái)WST2，的移動(dòng)，是由主控制裝置20
56使前述的X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X、 一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y,、 138丫2驅(qū)動(dòng)
控制來(lái)進(jìn)行。
對(duì)上述晶片載臺(tái)WST2'上的晶片W2的晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作，與對(duì)晶片載臺(tái) WST1，上的晶片Wl的曝光動(dòng)作，通常，是晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作先結(jié)束。因此，主 控制裝置20,晶片對(duì)準(zhǔn)的結(jié)束后，通過(guò)X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X、 一對(duì)Y軸線 性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y!、 138Y2將晶片載臺(tái)WST2，移動(dòng)至圖13A所示的既定待機(jī)位 置，在其位置等待。
其后，對(duì)晶片載臺(tái)WST1，上的晶片Wl的曝光動(dòng)作結(jié)束后，主控制裝置 20，則通過(guò)X軸線性發(fā)動(dòng)才幾136X、 一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y" 136丫2使 晶片載臺(tái)WST1，移動(dòng)至圖13A所示的位置。又，對(duì)晶片Wl的曝光結(jié)束位 置，較佳者為設(shè)定于此圖13A的位置附近。
將晶片載臺(tái)WST1，移動(dòng)至圖13A所示的位置后，主控制裝置20，通過(guò) X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X及一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y,、 138丫2使晶片載臺(tái) WST2，移動(dòng)至圖13B所示的既定待機(jī)位置。在晶片載臺(tái)WST2，移動(dòng)至圖13B 的位置的狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST1，與晶片載臺(tái)WST2'則與前述第一實(shí)施形態(tài) 同樣通過(guò)彈性密封構(gòu)件呈接觸狀態(tài)。
其次，主控制裝置20,控制X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X、 一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng) 機(jī)136Y,、136Y2,并且X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X及一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y" 138Y2,4吏晶片載臺(tái)WST1'與晶片載臺(tái)WST2'同時(shí)朝+X方向移動(dòng)。在圖14A， 表示如上述兩晶片栽臺(tái)WST1'、 WST2，從圖13B的狀態(tài)同時(shí)朝+X方向移 動(dòng)，在包含晶片載臺(tái)WST2，上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM2的區(qū)域與前端透鏡91之間 保持水的狀態(tài)。
在圖13B的狀態(tài)，保持于投影單元PU的前端透鏡91與晶片Wl之間 的水，則伴隨晶片載臺(tái)WST1'、 WST2，朝+X側(cè)移動(dòng)，在晶片W1 —晶片載 臺(tái)WSTl，—晶片載臺(tái)WST2，上依序移動(dòng)。又，上述移動(dòng)期間，晶片載臺(tái) WST1'、 WST2，則通過(guò)彈性密封構(gòu)件93保持^f皮此接觸的位置關(guān)系。其次,主控制裝置20，將用前述第一連接機(jī)構(gòu)195的X可動(dòng)件n9與 晶片載臺(tái)WST1，的連接狀態(tài)，及用前述第二連接機(jī)構(gòu)196的X可動(dòng)件口8 與晶片載臺(tái)WST2，的連接狀態(tài)， 一起解除后，將X可動(dòng)件179朝+Y方向， 將X可動(dòng)件178向-Y方向稍微驅(qū)動(dòng)。在圖14B，表示此X可動(dòng)件"9、 178 的驅(qū)動(dòng)后狀態(tài)。
又，在圖14B的狀態(tài)，晶片載臺(tái)WST1'、 WST2'，由設(shè)置于各底面(-Z 側(cè)的面)的未圖標(biāo)的氣墊，浮起支撐于基盤(pán)12上。但是，不限于此，也可 在晶片載臺(tái)WST1'、 WST2，側(cè)或基盤(pán)12側(cè)設(shè)置可伸縮的支持腳，在將晶片 載臺(tái)WST1'、 WST2，與X可動(dòng)件179、 178的接觸解除之前，由支持腳使晶 片載臺(tái)WST1'、 WST2，穩(wěn)定地支撐于基盤(pán)12上方。
其次，主控制裝置20,通過(guò)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,、 136Y2、 X軸線性 發(fā)動(dòng)機(jī)136X驅(qū)動(dòng)X可動(dòng)件179,移動(dòng)至能連接于晶片載臺(tái)WST2，的位置， 并且，通過(guò)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Yi、 138Y2、 X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X驅(qū)動(dòng)X 可動(dòng)件178,移動(dòng)至能連接于晶片載臺(tái)WST1，的位置。此時(shí)，各X可動(dòng)件的 位置，是由未圖標(biāo)的編碼器來(lái)管理。
在圖15A，表示如上述，驅(qū)動(dòng)X可動(dòng)件179,移動(dòng)至能連接于晶片載 臺(tái)WST2，的位置，驅(qū)動(dòng)X可動(dòng)件178，移動(dòng)至能連接于晶片載臺(tái)WST1，的 位置的狀態(tài)。其后，主控制裝置20，通過(guò)第一連接機(jī)構(gòu)195將晶片載臺(tái)WST2， 連接于X可動(dòng)件179，并且通過(guò)第二連接機(jī)構(gòu)196將晶片載臺(tái)WST1，連接于 X可動(dòng)件178。又，也可不朝Y軸方向移動(dòng)，而進(jìn)行X可動(dòng)件178、 179朝 X方向移動(dòng)與晶片載臺(tái)WST1'、 WST2'的拆裝。
如上述，在X可動(dòng)件179連接于晶片栽臺(tái)WST2'，在X可動(dòng)件178連 接于晶片載臺(tái)WST1，后，主控制裝置20，在前述第二曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上邊管 理晶片載臺(tái)WST2，的位置，邊使用前述標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)RAa、 RAb測(cè)量基 準(zhǔn)標(biāo)記板FM2上的一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記與標(biāo)線片R上的一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。 并且，才艮據(jù)其測(cè)量結(jié)果與預(yù)先所進(jìn)行的晶片對(duì)準(zhǔn)的結(jié)果，將晶片載臺(tái)WST2，移動(dòng)至用以曝光于晶片W2上的第一次的照射區(qū)域的加速開(kāi)始位置。然后，
主控制裝置20，在第二曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上邊管理晶片載臺(tái)WST2，的位置，邊 通過(guò)X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X及一對(duì)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136Y,、 136Y2,使晶片 載臺(tái)WST2，驅(qū)動(dòng)控制，對(duì)晶片W2的步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作則與前述第 一實(shí)施形態(tài)同樣來(lái)進(jìn)行。
另一方面，主控制裝置20,通過(guò)Y軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138Y,、 138Y2，及X 軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)138X，使晶片載臺(tái)WST1，向裝載位置移動(dòng)。此移動(dòng)中的晶片 載臺(tái)WSTT的位置，是在前述的第一對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上管理。并且，在裝載位 置，對(duì)晶片載臺(tái)WST1，上的已曝光完的晶片Wl與下一個(gè)曝光對(duì)象的晶片進(jìn) 行交換后，主控制裝置20,與上述同樣對(duì)新晶片進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作。
并且，在晶片載臺(tái)WST1，的晶片對(duì)準(zhǔn)結(jié)束，且晶片載臺(tái)WST2，的曝光 動(dòng)作結(jié)束的階段，晶片載臺(tái)WST1，與晶片載臺(tái)WST2，則經(jīng)過(guò)與上述的途徑 完全相反的途徑，再度使其回至圖12的狀態(tài)。
如此，本第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，是將邊進(jìn)行晶片栽臺(tái)WST1 ， 、 WST2， 的轉(zhuǎn)換(switching),邊將對(duì)另一晶片載臺(tái)上的晶片的曝光動(dòng)作，與另一晶 片栽臺(tái)上的晶片交換及晶片對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作，以同時(shí)并行處理進(jìn)行。
從以上的說(shuō)明得知，在本第二實(shí)施形態(tài)，由晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部124A及主 控制裝置20構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。又，由此載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，與晶片載臺(tái)WST1 ，、 WST2，構(gòu)成載臺(tái)裝置。又，由第一連接機(jī)構(gòu)195、第二連接機(jī)構(gòu)、Y軸線性 發(fā)動(dòng)機(jī)136Y廣136Y4、 X軸線性發(fā)動(dòng)機(jī)136X、 138X及控制這些構(gòu)件的主控 制裝置20構(gòu)成轉(zhuǎn)換裝置。
如以上詳細(xì)說(shuō)明，依本第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置及該曝光裝置所具備的 載臺(tái)裝置，并且該曝光裝置所執(zhí)行的晶片載臺(tái)WST1，、 WST2，的驅(qū)動(dòng)方法， 若要從一晶片載臺(tái)WST1'(或WST2，)位于有液體供應(yīng)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL 正下方的第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一晶片載臺(tái)WST2，(或WST1，)位 于第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(20, 124A)，晶片載臺(tái)WST1，、WST2，在X軸方向(前述第一區(qū)域與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG正下方的位置附近的第二區(qū)域排列的Y軸方向交叉的方向)通過(guò)彈性密封構(gòu)件93維持呈接觸狀態(tài)，使晶片載臺(tái)WST1'、 WST2'同時(shí)朝X軸方向驅(qū)動(dòng)。
因此，能將水(液體)以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與位于其正下方的特定的晶片載臺(tái)(此晶片載臺(tái)，伴隨移動(dòng)從一晶片載臺(tái)轉(zhuǎn)換為另一晶片載臺(tái))之間供應(yīng)(保持)著的狀態(tài)，不使液體從兩晶片載臺(tái)的間隙泄漏，而從一晶片載臺(tái)WST1，(或WST2，)位于第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一晶片載臺(tái)WST2，(或WST1，)位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)。即，在一晶片載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水進(jìn)行晶片的曝光動(dòng)作后，至在另一晶片載臺(tái)側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水(液體)開(kāi)始晶片的曝光動(dòng)作為止期間，從一晶片載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)，至另一晶片載臺(tái)與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)，不需要經(jīng)過(guò)水的全回收，再供應(yīng)等步驟，能使其遷移。因此，能縮短在一 晶片載臺(tái)側(cè)的曝光動(dòng)作結(jié)束至在另 一 晶片載臺(tái)側(cè)的曝光動(dòng)作開(kāi)始為止的時(shí)間(即，能維持于與非液浸曝光的通常的曝光裝置(非液浸曝光裝置)相同程度)，而能獲得產(chǎn)能的提高。又，因在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)人掷m(xù)存在，由與前述第一實(shí)施形態(tài)同樣的理由，能長(zhǎng)期使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的結(jié)像性能及多點(diǎn)焦點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)精度良好維持。
又，由前述兩個(gè)晶片載臺(tái)WST1'、 WST2'的并行處理動(dòng)作，比起具備已知的單晶片載臺(tái)的曝光裝置(使用一個(gè)晶片栽臺(tái)，逐次執(zhí)行晶片交換，晶片對(duì)準(zhǔn)及曝光動(dòng)作)，能獲得產(chǎn)能的提高。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，由以液浸曝光，進(jìn)行高解像度且比空氣中大焦點(diǎn)深度的曝光，能使標(biāo)線片R的圖案精度良好地轉(zhuǎn)印于晶片上。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)，由與前述第一實(shí)施形態(tài)同樣的理由，除了能防止從兩晶片栽臺(tái)的間隙漏水外，進(jìn)一步能減低晶片載臺(tái)WSTI，與晶片載臺(tái)WST2'接觸時(shí)的沖擊。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)，與前述第一實(shí)施形態(tài)同樣，因在晶片載臺(tái)WSTT的-X側(cè)面及晶片載臺(tái)WST2，的+X側(cè)面未設(shè)置干涉計(jì)用的移動(dòng)鏡，故即使相對(duì)于X軸方向兩晶片載臺(tái)近接狀態(tài)，因兩晶片載臺(tái)上的移動(dòng)鏡的反射鏡彼此不會(huì)近接而向面對(duì)，故能將兩晶片載臺(tái)的位置由干涉計(jì)系統(tǒng)118A在兩晶片載臺(tái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)于X軸方向的期間中監(jiān)視。又，也能防止水在移動(dòng)鏡的反射
鏡附著。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)，雖在晶片載臺(tái)WST1'、 WST2，上分別配置三個(gè)移動(dòng)鏡，將干涉計(jì)配置六個(gè)，但移動(dòng)鏡及干涉計(jì)的配置并不限于上述第二實(shí)施形態(tài)的配置。例如，也可采用在兩晶片載臺(tái)分別配置兩個(gè)移動(dòng)鏡，使用此等兩個(gè)移動(dòng)鏡能測(cè)量?jī)删d臺(tái)的位置的千涉計(jì)配置。
又，在本第二實(shí)施形態(tài)，保持在前端透鏡91下的水，雖從一載臺(tái)上移動(dòng)至另一載臺(tái)上后，進(jìn)行X可動(dòng)件178、 179的替換，但也可在水從一載臺(tái)上移動(dòng)至另一栽臺(tái)上前，進(jìn)行X可動(dòng)件I78、 179的替換。
第三實(shí)施形態(tài)
其次，依圖16 圖18B說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)。在此，對(duì)與前述第一實(shí)施形態(tài)同 一或同等的部分，使用同 一 的符號(hào)，并且將其說(shuō)明簡(jiǎn)化或省略。在此第三實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，僅晶片載臺(tái)裝置的構(gòu)成等，是與第一實(shí)施形態(tài)不同，其它部分的構(gòu)成等，則相同。因此，以下，為避免重復(fù)說(shuō)明僅以相異處為中心說(shuō)明。
本第三實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)50"，如圖16所示，與前述的構(gòu)成第一實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的晶片栽臺(tái)裝置50不同，具備能載置晶片的晶片栽臺(tái)WST;及測(cè)量專(zhuān)用的測(cè)量載臺(tái)MST。
所述晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST，對(duì)應(yīng)前述第一實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)WST1及晶片載臺(tái)WST2,由與第一實(shí)施形態(tài)同樣的晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部(80 87)使其在二維面內(nèi)驅(qū)動(dòng)。
又，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL(投影單元PU的鏡筒)附近，僅設(shè)置一個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG。又，投影單元PU與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG，實(shí)際上，如圖16所示呈內(nèi)嵌狀態(tài)。即，在比投影單元PU的下端部附近的其它部分形成小徑的部分的外側(cè)(前端透鏡的周?chē)糠?且投影單元PU的大徑部的下方部分，將對(duì)準(zhǔn)
系統(tǒng)ALG的至少下端部定位。
在前述測(cè)量載臺(tái)MST的上面，設(shè)置各種測(cè)量用構(gòu)件。此測(cè)量用構(gòu)件，例如，包含基準(zhǔn)標(biāo)記板，將日本特開(kāi)平5-21314號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第5，243,195號(hào)等所揭示的多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記形成；及感測(cè)器，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL將照明用光IL受光等。感測(cè)器，例如，能采用照度監(jiān)視器，具有既定面積的受光部，在日本特開(kāi)平11-16816號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0061469號(hào)說(shuō)明書(shū)等所揭示的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上將照明用光IL受光；照度不均感測(cè)器，具有針孔狀的受光部，在日本特開(kāi)昭57-117238號(hào)公^1及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利第4,465,368號(hào)等所揭示的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上將照明用光IL受光；空間像測(cè)量器，測(cè)量圖案的空間像(投影像)的光強(qiáng)度，由在日本特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0041377號(hào)說(shuō)明書(shū)等所揭示的投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影等。在本案所指定的指定國(guó)(或所選擇的選擇國(guó))的國(guó)內(nèi)法令所允許的范圍，援用上述公報(bào)及對(duì)應(yīng)于此的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)或美國(guó)專(zhuān)利的揭示，作為本說(shuō)明書(shū)的記載的一部分。又，載置于晶片載臺(tái)WST上的測(cè)量用構(gòu)件，不限于在此所列舉者，視必要能栽置各種測(cè)量用構(gòu)件。
又，在本實(shí)施形態(tài)，對(duì)應(yīng)進(jìn)行液浸曝光(通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水由曝光用光(照明用光)IL來(lái)曝光晶片)，在使用于用照明用光IL的測(cè)量的上述照度監(jiān)視器、照度不均感測(cè)器、空間像測(cè)量器，通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水將照明用光IL受光。又，各感測(cè)器，例如也可僅將光學(xué)系統(tǒng)等的一部分載置于測(cè)量載臺(tái)MST，也可將感測(cè)器全體配置于測(cè)量載臺(tái)MST。
又，在晶片載臺(tái)WST,可載置測(cè)量用構(gòu)件，也可不載置。
又，在本第三實(shí)施形態(tài)，與前述第一實(shí)施形態(tài)同樣，在晶片載臺(tái)WST的-X側(cè)面與測(cè)量載臺(tái)MST的+X側(cè)面的至少一方，設(shè)置與圖IO的彈性密封構(gòu)件93同樣的彈性密封構(gòu)件。
以下，對(duì)使用本第三實(shí)施形態(tài)所具備的晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的并行處理動(dòng)作，依圖16~圖18B加以說(shuō)明。又，在本第三實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，也設(shè)置與第一實(shí)施形態(tài)同樣的干涉計(jì)系統(tǒng)，使晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的位置，與第一實(shí)施形態(tài)同樣加以管理。以下的說(shuō)明，為了要避免重復(fù)說(shuō)明，省略關(guān)于千涉計(jì)系統(tǒng)的兩載臺(tái)位置管理的記載。又，以下的動(dòng)作中，由主控制裝置20,按照位于投影單元PU正下方的第一區(qū)域的載臺(tái)的移動(dòng)方向，如前述進(jìn)行液體供排系統(tǒng)32的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的各閥的開(kāi)閉控制，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡91正下方持續(xù)填滿水。但是，以下，為了要使說(shuō)明容易了解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6的控制的說(shuō)明。
在圖16,表示與第一實(shí)施形態(tài)同樣進(jìn)行對(duì)晶片載臺(tái)WST上的晶片W的步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)。此時(shí)，測(cè)量載臺(tái)MST，在既定的待機(jī)位置(不會(huì)與晶片載臺(tái)WST沖突)等待。
并且，在晶片載臺(tái)WST側(cè)，例如1批(1批是25片或50片)晶片W的曝光結(jié)束的階段，主控制裝置20,使測(cè)量載臺(tái)MST移動(dòng)至圖17A所示的位置。在此圖17A的狀態(tài)，測(cè)量載臺(tái)MST與晶片載臺(tái)WST,是通過(guò)前述彈性密封構(gòu)件接觸。
其次，主控制裝置20,邊保持測(cè)量載臺(tái)MST晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST的X軸方向的位置關(guān)系，邊開(kāi)始將兩栽臺(tái)WST、 MST同時(shí)朝+X方向驅(qū)動(dòng)的動(dòng)作。
如上述，由主控制裝置20，使晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST同時(shí)驅(qū)動(dòng)后，在圖17A的狀態(tài)，保持于投影單元PU的前端透鏡91與晶片W之間的水，則伴隨晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST朝+X側(cè)移動(dòng)，在晶片W—晶片載臺(tái)WST—測(cè)量載臺(tái)MST上依序移動(dòng)。又，上述移動(dòng)期間，晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST則與圖17A的狀態(tài)同樣通過(guò)彈性密封構(gòu)件保持彼此接觸的位
63置關(guān)系。在圖17B,表示在上述移動(dòng)途中，水(液浸區(qū)域)同時(shí)跨越于晶 片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST而存在時(shí)的狀態(tài)，即從晶片載臺(tái)WST上將水 4爭(zhēng)供應(yīng)于測(cè)量栽臺(tái)MST上之前的狀態(tài)。
從圖17B的狀態(tài)，進(jìn)一步使晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST朝+X方向 同時(shí)驅(qū)動(dòng)既定距離，則如圖18A所示，形成測(cè)量載臺(tái)MST與前端透鏡91 之間保持水的狀態(tài)。
其次，主控制裝置20,使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至既定的晶片交換位置并 且進(jìn)行晶片的交換，與此并行，按照需要執(zhí)行使用測(cè)量載臺(tái)MST的既定的 測(cè)量。此測(cè)量，例如在標(biāo)線片載臺(tái)RS丁上的標(biāo)線片交換后進(jìn)行。對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) ALG的基線測(cè)量，可作為一例。具體而言，主控制裝置20,使用前述的標(biāo) 線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)RAa、 RAb同時(shí)檢測(cè)與基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上(設(shè)置于測(cè)量載臺(tái) MST上)的一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)的標(biāo)線片上的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，來(lái)檢測(cè) 對(duì)應(yīng)一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。與此同時(shí)，主控制裝 置20，由以對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG檢測(cè)上述基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記，來(lái) 檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心與第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。并且，主控制 裝置20，根據(jù)對(duì)應(yīng)上述一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系及對(duì) 準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心與第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，以及既知的一對(duì)第一 基準(zhǔn)標(biāo)記與第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，求得投影光學(xué)系統(tǒng)PL的標(biāo)線片圖案 的投影中心(投影位置)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心(檢測(cè)位置)的距離。 又，將此時(shí)的狀態(tài)，表示于圖18B。
又，測(cè)量上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線，并且在標(biāo)線片上將標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記復(fù)數(shù)對(duì)形成，對(duì)應(yīng)于此在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上形成復(fù)數(shù)對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記，將 至少二對(duì)的第一基準(zhǔn)標(biāo)記與所對(duì)應(yīng)的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置，由邊使標(biāo) 線片載臺(tái)RST、測(cè)量載臺(tái)MST移動(dòng)，邊使用標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)RAa、 RAb測(cè) 量，進(jìn)行標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)。
在此情形，使用標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)RAa、 RAb的標(biāo)記的才企測(cè)，是通過(guò)"^更影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來(lái)進(jìn)行。
接著，在上述兩載臺(tái)WST、 MST上的作業(yè)結(jié)束的階段，主控制裝置20, 例如將測(cè)量載臺(tái)MST與晶片載臺(tái)WST，維持著通過(guò)彈性密封構(gòu)件使其呈接 觸狀態(tài)，在XY面內(nèi)驅(qū)動(dòng)，與前述同樣對(duì)交換后的晶片W進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)， 即使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG進(jìn)行交換后的晶片W上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)，而算出晶 片W上的多個(gè)照射區(qū)域的位置坐標(biāo)。
其后，主控制裝置20,與前述者相反，邊保持晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載 臺(tái)MST的位置關(guān)系，邊使兩載臺(tái)WST、 MST朝-X方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)，使晶片 載臺(tái)WST(晶片W)移動(dòng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方后，即液浸區(qū)域從測(cè)量 載臺(tái)MST移動(dòng)至晶片載臺(tái)WST (晶片W)上后，使測(cè)量栽臺(tái)MST退避至 既定位置。
其后，主控制裝置20,對(duì)晶片W執(zhí)行步進(jìn)掃描方式的曝光動(dòng)作，將標(biāo) 線片圖案依序轉(zhuǎn)印于晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域。又，為了晶片W上的各照 射區(qū)域的曝光，晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至加速開(kāi)始位置，是根據(jù)上述晶片對(duì)準(zhǔn) 的結(jié)果所得的晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域的位置坐標(biāo)，與之前所測(cè)量的基線 來(lái)進(jìn)行。
又，在上述說(shuō)明，測(cè)量動(dòng)作，雖對(duì)要進(jìn)行基線測(cè)量的情形說(shuō)明，但不限 于此，也可使用測(cè)量載臺(tái)MST，將照度測(cè)量、照度不均測(cè)量、空間像測(cè)量 等，例如與晶片交換一起進(jìn)行，使用其測(cè)量結(jié)果，反應(yīng)于其后要進(jìn)行的晶片 W的曝光。又，載置于測(cè)量栽臺(tái)MST的感測(cè)器，不限于上述，也可設(shè)置例 如進(jìn)行波面測(cè)量的感測(cè)器。
又，在上述第三實(shí)施形態(tài)，雖說(shuō)明對(duì)1批的晶片W的曝光結(jié)束時(shí)，使 晶片栽臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST接觸而移動(dòng)，使在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與測(cè)量 載臺(tái)MST之間保持水，但是較佳的為每于各晶片交換，進(jìn)行上述動(dòng)作，使 在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與測(cè)量載臺(tái)MST之間保持水，則不必多言。又，基線等 的測(cè)量，如前述，也可每于1批的曝光結(jié)束時(shí)進(jìn)行，也可每于晶片交換，或既定片數(shù)的晶片的曝光結(jié)束后進(jìn)行。
如從上述說(shuō)明可知，在本第三實(shí)施形態(tài)，與第一實(shí)施形態(tài)同樣，由晶片
栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)部(80 87)構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的至少一部分。又，由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系 統(tǒng)與晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST構(gòu)成栽臺(tái)裝置的至少一部分。
如以上所說(shuō)明，依本第三實(shí)施形態(tài)的曝光裝置及該曝光裝置所具備的載 臺(tái)裝置，從晶片載臺(tái)WST (或測(cè)量載臺(tái)MST),位于有液體(水)供應(yīng)的 投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的第一 區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至測(cè)量載臺(tái)MST (或晶 片載臺(tái)WST)位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)時(shí)，由上述栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，維持兩 載臺(tái)于X軸方向通過(guò)彈性密封構(gòu)件呈接觸狀態(tài)，使晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載 臺(tái)MST朝X軸方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)。因此，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與位于其正下 方的特定載臺(tái)(此載臺(tái)，伴隨移動(dòng)，從一載臺(tái)轉(zhuǎn)換為另一載臺(tái))之間供應(yīng)著 水(液體)的狀態(tài)，不會(huì)從兩載臺(tái)的間隙使液體泄漏，使能從一載臺(tái)位于第 一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于第一區(qū)域的第二狀態(tài)。即，在晶片載 臺(tái)WST側(cè)通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水(液體)進(jìn)行曝光動(dòng)作后，至在測(cè)量載 臺(tái)MST在投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方開(kāi)始測(cè)量為止期間，從一晶片載臺(tái)WST 與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)至測(cè)量栽臺(tái)MST與投影光學(xué)系統(tǒng)PL 之間保持水的狀態(tài)，不需要經(jīng)過(guò)水的全回收，再供應(yīng)等步驟，能使其遷移。 又，對(duì)z使用測(cè)量栽臺(tái)MST的測(cè)量結(jié)束后，至使用晶片載臺(tái)WST的曝光開(kāi)始 為止，也相同。
因此，將從晶片載臺(tái)WST側(cè)的曝光動(dòng)作結(jié)束至測(cè)量栽臺(tái)MST側(cè)的測(cè)量 動(dòng)作開(kāi)始的時(shí)間，及從測(cè)量載臺(tái)MST側(cè)的測(cè)量結(jié)束，至晶片載臺(tái)WST側(cè)的 曝光動(dòng)作開(kāi)始的時(shí)間縮短(即，維持于與非液浸曝光的通常的曝光裝置(非 液浸曝光裝置)相同程度)，能獲得產(chǎn)能的提高。又，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的像面?zhèn)?，因持續(xù)存在水(液體)，故能有效地防止前述的水紋(水痕)產(chǎn) 生。
又，由液浸曝光，進(jìn)行高解Y象度且比空氣中大焦點(diǎn)深度的曝光，能使標(biāo)說(shuō)明書(shū)第58/71頁(yè)
線片R的圖案精度良好地轉(zhuǎn)印于晶片上，例如當(dāng)作元件規(guī)格能實(shí)現(xiàn)
70 100nm程度的微細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印。
又，因能每于晶片的交換等，使用載置于測(cè)量載臺(tái)MST的測(cè)量用構(gòu)件 進(jìn)行各種測(cè)量，使測(cè)量結(jié)果反應(yīng)于其后的曝光動(dòng)作，故能以持續(xù)調(diào)整為高精 度的狀態(tài)進(jìn)行晶片的曝光。
又，若使用測(cè)量載臺(tái)MST所進(jìn)行的測(cè)量動(dòng)作是不使用照明用光IL，也 能將測(cè)量載臺(tái)MST側(cè)的測(cè)量動(dòng)作，與晶片載臺(tái)WST側(cè)的晶片W的曝光動(dòng) 作一起進(jìn)行。
又，在上述第三實(shí)施形態(tài)，雖以將測(cè)量載臺(tái)MST與晶片載臺(tái)WST通過(guò) 彈性密封構(gòu)件呈接觸狀態(tài)進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)，但也可在要進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)之前，以 使兩個(gè)載臺(tái)呈接觸狀態(tài)，將晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL (及對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)ALG)的下方，使測(cè)量載臺(tái)MST退避后，進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)。
又，在上述第三實(shí)施形態(tài)，雖能使基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的第一基準(zhǔn)標(biāo)記與 第二基準(zhǔn)標(biāo)記同時(shí)測(cè)量，但也可測(cè)量第一基準(zhǔn)標(biāo)記與第二基準(zhǔn)標(biāo)記的一方 后，以在測(cè)量載臺(tái)MST上保持水的狀態(tài)移動(dòng)來(lái)測(cè)量另一方。
又，上述第一 第三實(shí)施形態(tài)所使用的彈性密封構(gòu)件，如圖19A所示， 也可采用彈性密封構(gòu)件93，，在一載臺(tái)(在此，是載臺(tái)WST2( WST2，、 MST )) 的+X側(cè)面形成截面大致梯形狀的槽49,在該槽49以埋入狀態(tài)裝配。如此構(gòu) 成，也能獲得與上述各實(shí)施形態(tài)同樣的效果。對(duì)此圖19A所示的構(gòu)成，也可 不僅在一載臺(tái)，而在雙方的載臺(tái)設(shè)置。
又，如圖19B所示，也可在一載臺(tái)(在此，是載臺(tái)WST1 (WST1'、 WST))的+Z面形成截面大致梯形狀的槽49，，在該槽49，將彈性密封構(gòu)件 93'，以埋入狀態(tài)裝配，在另一載臺(tái)(在此，是栽臺(tái)WST2 (WST2'、 MST)) 上面的+X側(cè)端部設(shè)置平板94。在此情形，在兩載臺(tái)呈近接狀態(tài)，由平板94 接觸于彈性密封構(gòu)件93"，如圖19B所示，能使水不會(huì)從兩載臺(tái)間泄漏。
又，如圖19C所示，也可由在兩載臺(tái)所對(duì)向的各側(cè)面例如由鐵氟龍(登錄商標(biāo))等施加撥水被膜95,以在兩載臺(tái)的間隙防止水的滲入及漏水。藉此， 因兩載臺(tái)間能維持非接觸狀態(tài)，故不會(huì)引起兩載臺(tái)的近接所造成的載臺(tái)變形 或位置控制精度惡化等之虞。
又，在上述第一 第三實(shí)施形態(tài)，雖設(shè)置彈性密封構(gòu)件，但也可不必設(shè) 置彈性密封構(gòu)件及其它抑制漏水的抑制構(gòu)件。在此情形，也可在從一載臺(tái)位
于投影光學(xué)系統(tǒng)PU正下方的狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于投影光學(xué)系統(tǒng)PU正 下方的狀態(tài)的期間，使兩載臺(tái)直接接觸。又，雖由兩載臺(tái)的材質(zhì)、兩載臺(tái)的 表面狀態(tài)或形狀、液體的種類(lèi)等而定，但即使在遷移時(shí)兩載臺(tái)近接狀態(tài)(例 如兩載臺(tái)的間隔是2mm以下)，若由液體的表面張力不使液體泄漏，則也 可不施加撥水^l莫。主要是要維持不使液體從兩載臺(tái)間泄漏的位置關(guān)系，來(lái) 使兩載臺(tái)遷移即可。
又，遷移時(shí)在兩載臺(tái)間水(液體)的泄漏，若泄漏量微少，因有時(shí)候也 有被容許的情形，故遷移時(shí)的兩載臺(tái)的間隔，不僅要考慮載臺(tái)的材質(zhì)或載臺(tái) 的表面狀態(tài)或形狀、液體的種類(lèi)，也可考慮容許泄漏量來(lái)決定。
又，在上述第一 第三實(shí)施形態(tài)，雖在兩個(gè)載臺(tái)的接觸面未形成移動(dòng)鏡 的反射面，但此不是必須要件，只要能防止水從兩個(gè)載臺(tái)泄漏，也可在至少 一載臺(tái)的接觸面形成移動(dòng)鏡的反射面。這種實(shí)施形態(tài)，例如能考慮如下的第 四實(shí)施形態(tài)。
第四實(shí)施形態(tài)
其次，依圖20~圖23B說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施形態(tài)。在此，對(duì)與前述第 三實(shí)施形態(tài)相同或同等的部分，使用相同的符號(hào)，并且將其說(shuō)明簡(jiǎn)化或省略。 在此第四實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，僅晶片載臺(tái)裝置的構(gòu)成(包含干涉計(jì)的配 置)，與前述第三實(shí)施形態(tài)一部分不同，其它部分的構(gòu)成等，則與第三實(shí)施 形態(tài)的裝置相同。因此，以下，為了要避克重復(fù)說(shuō)明，僅以相異處為中心說(shuō) 明。
本第四實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)裝置150,如圖20所示，具備晶片載臺(tái)WST，，能載置晶片；測(cè)量專(zhuān)用的測(cè)量載臺(tái)MST，；及干涉計(jì)系統(tǒng)，包含六個(gè) 激光千涉計(jì)(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)"干涉計(jì)")IF1 IF6。
前述晶片載臺(tái)WST，，雖下述兩點(diǎn)是與前述第三實(shí)施形態(tài)的晶片栽臺(tái) WST不同，即，第一點(diǎn)，如圖21所示，將其-X側(cè)(測(cè)量載臺(tái)MST對(duì)向 的側(cè))的上端部一部分形成為比其它部分突出的板狀的凸緣部llla,及第二 點(diǎn)，在其+X側(cè)端面Se及+Y側(cè)端面Sd設(shè)置鏡面加工所形成的反射面，來(lái)替 代前述的移動(dòng)鏡，但是其它部分，則構(gòu)成為與晶片載臺(tái)WST相同。又，此 晶片載臺(tái)WST，的上面，以載置晶片W的狀態(tài)，包含晶片W表面及凸緣部 llla,全面是大致同一平面(同一面)。
前述測(cè)量載臺(tái)MST，，雖下述兩點(diǎn)是與前述第三實(shí)施形態(tài)的測(cè)量載臺(tái) MST不同，即，第一點(diǎn)，如圖21所示，在其+X側(cè)(與晶片載臺(tái)WST，對(duì) 向的側(cè)K殳置突部lllc,將隔著既定間隙卡合于前述凸緣部llla的段部lllb 設(shè)于其上端部；及第二點(diǎn)，在其-X側(cè)端面Sa、十Y側(cè)端面Sb、及+X側(cè)的端 面(突部Ulc的+X側(cè)的端面)Sc,設(shè)置鏡面加工所形成的反射面，來(lái)替代 前述的移動(dòng)鏡；但是其它部分，則構(gòu)成為與測(cè)量載臺(tái)MST相同。在此情形， 如圖21所示，在晶片載臺(tái)WST，的凸緣部llla與測(cè)量載臺(tái)MST，的段部lllb 卡合的狀態(tài)，使晶片載臺(tái)WST，的上面與測(cè)量載臺(tái)MST，的上面全體能形成 全平面。
本實(shí)施形態(tài)的晶片載臺(tái)WST，及測(cè)量載臺(tái)MST，，與前述的第三實(shí)施形 態(tài)的晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái)MST同樣，由晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)部(80 87)使 其在二維面內(nèi)驅(qū)動(dòng)。
前述干涉計(jì)系統(tǒng)，如圖20所示，具有三個(gè)Y軸干涉計(jì)IF3、 IF4、 IF2， 分別具有分別通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX )，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG 的各檢測(cè)中心，及從投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心離既定距離于-X方向的位 置且平行于Y軸方向的測(cè)長(zhǎng)軸；兩個(gè)干涉計(jì)IF、IF5，分別具有連結(jié)投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX)及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心且平行于X軸的測(cè)長(zhǎng)軸；及干涉計(jì)IF6，具有與通過(guò)從投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心起 于-Y方向離既定距離位置的X軸方向平行的測(cè)長(zhǎng)軸。
在此，晶片載臺(tái)WST，位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸正下方的位置附近 的區(qū)域(第一區(qū)域)，對(duì)其晶片載臺(tái)WST'上的晶片進(jìn)行曝光時(shí)，由X軸干 涉計(jì)IF5、 Y軸干涉計(jì)IF3來(lái)管理晶片載臺(tái)WST，的位置。以下，將由X軸 干涉計(jì)IF5、 Y軸干涉計(jì)IF3的各測(cè)長(zhǎng)軸所^見(jiàn)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為曝光坐標(biāo)系 統(tǒng)。
又，晶片載臺(tái)WST，位于對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心正下方的位置附近的 區(qū)域(第二區(qū)域)，要進(jìn)行形成于其晶片載臺(tái)WST，上的晶片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的 檢測(cè)，例如晶片對(duì)準(zhǔn)等時(shí)，由X軸千涉計(jì)IF5、 Y軸干涉計(jì)IF4來(lái)管理晶片 載臺(tái)WST，的位置。以下，將由X軸干涉計(jì)IF5、 Y軸干涉計(jì)IF4的各測(cè)長(zhǎng) 軸所S見(jiàn)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)。
又，測(cè)量載臺(tái)MST，，位于如圖20所示的待機(jī)位置附近的區(qū)域時(shí)，由X 軸干涉計(jì)IF1、 Y軸干涉計(jì)IF2來(lái)管理測(cè)量載臺(tái)MST，的位置。以下，將由X 軸千涉計(jì)IF1、 Y軸干涉計(jì)IF2的各測(cè)長(zhǎng)軸所規(guī)定的坐標(biāo)系統(tǒng)稱(chēng)為等待坐標(biāo) 系統(tǒng)。
X軸千涉計(jì)IF6，在晶片曝光結(jié)束后的晶片交換等時(shí)，測(cè)量相對(duì)于晶片 栽臺(tái)WST，的X軸方向的位置。
如從上述說(shuō)明可知，在本實(shí)施形態(tài)，X軸干涉計(jì)IF5、 IF1,是具有相對(duì) 于X軸方向及Z軸方向離開(kāi)的至少三支光軸的多軸千涉計(jì)，各光軸的輸出 值能獨(dú)立測(cè)量。因此，在所述X軸干涉計(jì)IF5、 IF1,除了晶片載臺(tái)WST，、 測(cè)量栽臺(tái)MST，的X軸方向的位置測(cè)量以外，也能測(cè)量Y軸周?chē)男D(zhuǎn)量(橫 搖量)及Z軸周?chē)男D(zhuǎn)量(偏搖量)。又，X軸干涉計(jì)IF6，也可多軸干 涉計(jì)，也可光軸一支的干涉計(jì)。
又，上述Y軸千涉計(jì)IF2、 IF3、 IF4,是具有相對(duì)于Z軸方向離開(kāi)的各 二支光軸的二軸干涉計(jì)，各光軸的輸出值能獨(dú)立測(cè)量。因此，在所述Y軸干涉計(jì)IF2、 IF3、 IF4，除了晶片栽臺(tái)WST，或測(cè)量載臺(tái)MST，的Y軸方向的位 置測(cè)量以外，也能測(cè)量X軸周?chē)男D(zhuǎn)量(俯仰量)。
以下，對(duì)使用本第四實(shí)施形態(tài)的曝光裝置所具備的晶片載臺(tái)WST，與測(cè) 量載臺(tái)MST，的并行處理動(dòng)作，依圖20 圖23B加以說(shuō)明。又，以下的動(dòng)作 中，由主控制裝置20，按照位于投影單元PU正下方的第一區(qū)域的載臺(tái)的移 動(dòng)方向，如前述，進(jìn)行液體供排系統(tǒng)32的液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6 的各閥的開(kāi)閉控制，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端透鏡91正下方持續(xù)填滿水。 但是，以下，為了要使說(shuō)明容易了解，省略液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置 6相關(guān)的說(shuō)明。
在圖20，表示將對(duì)晶片載臺(tái)WS丁，上的晶片W的步進(jìn)掃描方式的曝光， 與前述的第一實(shí)施形態(tài)同樣進(jìn)行的狀態(tài)。此時(shí)，測(cè)量載臺(tái)MS丁，，在不與晶 片載臺(tái)WST，沖突的既定的待機(jī)位置等待。在此情形，主控制裝置20,將測(cè) 量載臺(tái)MST，的位置在前述的等待坐標(biāo)系統(tǒng)上管理，將晶片載臺(tái)WST，的位 置在前述的曝光坐標(biāo)系統(tǒng)上管理。
并且，在晶片載臺(tái)WST，側(cè)，在例如對(duì)1批(1批是25片或50片)的 晶片W的曝光結(jié)束的階段，主控制裝置20，使測(cè)量載臺(tái)MST，移動(dòng)至圖22A 所示的位置。在此圖22A的狀態(tài)，測(cè)量載臺(tái)MST，與晶片載臺(tái)WST，，如圖 21所示成為設(shè)置于晶片栽臺(tái)WST，的凸緣部llla的-X側(cè)端面與測(cè)量載臺(tái) MST，的段部lllb的-X側(cè)面近接(或接觸)的狀態(tài)。
在此，因?qū)⒕d臺(tái)WST，側(cè)的凸緣部llla的X軸方向的寬度尺寸， 比測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)的段部lllb的X軸方向的寬度尺寸設(shè)為大，故能防止 使測(cè)量栽臺(tái)MST，的鏡面加工端面(反射面)Sc與除晶片載臺(tái)WST，的凸緣 部llla外的-X側(cè)端面(-X側(cè)端面的凸緣部llla下方的部分)接觸。
其次，主控制裝置20,邊保持晶片載臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MS丁，的X 軸方向的位置關(guān)系，邊開(kāi)始使兩載臺(tái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)于+X方向的動(dòng)作。
如上述，若由主控制裝置20,使晶片載臺(tái)WST，、測(cè)量載臺(tái)MST，同時(shí)驅(qū)動(dòng)，在圖22A的狀態(tài)，保持于投影單元PU的前端透鏡91與晶片W之間 的水，則伴隨晶片載臺(tái)WST，、測(cè)量載臺(tái)MST的+X側(cè)移動(dòng)，在晶片W—晶 片載臺(tái)WST，—測(cè)量載臺(tái)MST，上依序移動(dòng)。又，上述的移動(dòng)期間中，晶片 載臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，保持如圖21所示的位置關(guān)系。在圖22B,表示 在上述的移動(dòng)中途水(液浸區(qū)域)同時(shí)跨越存在于晶片載臺(tái)WST，、測(cè)量載 臺(tái)MST，上時(shí)的狀態(tài)，即表示從晶片載臺(tái)WST，上將水供應(yīng)于測(cè)量載臺(tái)MST， 上之前的狀態(tài)。也在此狀態(tài)晶片載臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，是保持如圖21 所示的位置關(guān)系。在圖21的狀態(tài)，因晶片載臺(tái)WST，的凸緣部llla的邊緣 與對(duì)向凸緣部llla的測(cè)量栽臺(tái)MST，的上面的邊緣的間隙是維持于0.3mm 以下，故即使水移動(dòng)于其間隙上，能防止水滲入其間隙。在此情形，由將凸 緣部llla的上面與測(cè)量載臺(tái)MST，的上面分別形成為撥水性(與水的接觸角 度是80°以上)，能更確實(shí)防止水滲入其間隙。又，在此移動(dòng)中，來(lái)自干涉 計(jì)IF2的千涉計(jì)光束雖不照射至測(cè)量載臺(tái)MST，的端面Sb,但因與此大約同 時(shí)(其前或后)干涉計(jì)IF3的干涉計(jì)光束會(huì)照射至測(cè)量栽臺(tái)MST，的端面Sb， 故在其時(shí)點(diǎn)由主控制裝置20執(zhí)行千涉計(jì)IF3的重置。
若從圖22B的狀態(tài)，進(jìn)一步將晶片載臺(tái)WST'、測(cè)量栽臺(tái)MST'同時(shí)朝 十X方向既定距離驅(qū)動(dòng)，如圖23A所示，成為在測(cè)量載臺(tái)MST'與前端透鏡 91之間保持水的狀態(tài)。
其次，主控制裝置20，與使晶片載臺(tái)WST，驅(qū)動(dòng)于+X方向及-Y方向并 行，4吏測(cè)量載臺(tái)MST，朝+X方向及+Y方向驅(qū)動(dòng)。在此驅(qū)動(dòng)期間，因在晶片 載臺(tái)WST，的端面Se，不再照射來(lái)自干涉計(jì)IF5的干涉計(jì)光束，而使干涉計(jì) IF6的干涉計(jì)光束照射，故主控制裝置20,以?xún)筛缮嬗?jì)光束照射的狀態(tài)，使 用干涉計(jì)IF5的測(cè)量值，使干涉計(jì)IF6重置。另一方面，因來(lái)自干涉計(jì)IF4 的干涉計(jì)光束會(huì)照射至測(cè)量載臺(tái)MST，的端面Sb,故主控制裝置20,在兩 千涉計(jì)光束照射的任一時(shí)點(diǎn)，使用干涉計(jì)IF3的測(cè)量值，使千涉計(jì)IF4重置。 又，因在測(cè)量載臺(tái)MST'的端面Sc,會(huì)照射來(lái)自干涉計(jì)IF5的干涉計(jì)光束，重置)。
如上述，形成如圖23B所示的兩載臺(tái)的配置，即，晶片載臺(tái)WST，位于 既定的晶片交換位置，并且測(cè)量載臺(tái)MST，位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方。 又，在晶片載臺(tái)WST，，若干涉計(jì)IF4的干涉計(jì)光束不照射，由干涉計(jì)系統(tǒng)， 雖不能測(cè)量Y軸方向的位置，但可由未圖標(biāo)的線性編碼器等來(lái)管理晶片載臺(tái) WST，的Y位置。或也可追加晶片載臺(tái)WST，還在晶片交換位置時(shí)能測(cè)量晶 片載臺(tái)WST，的Y軸方向的位置的干涉計(jì)。在圖23B所示的狀態(tài)，在晶片載 臺(tái)WST，側(cè)進(jìn)行晶片交換，與此并行，在測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)按照必要執(zhí)行既 定的測(cè)量。此測(cè)量，例如在標(biāo)線片載臺(tái)RST的標(biāo)線片交換后將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG 的基線測(cè)量，與上述第三實(shí)施形態(tài)同樣執(zhí)行。在此情形，測(cè)量載臺(tái)MST，的 X軸方向的位置，比千涉計(jì)IF1較佳者為使用干涉計(jì)IF5來(lái)測(cè)量。由在晶片 W的曝光中使用測(cè)量測(cè)量載臺(tái)MST，的X軸方向的位置的干涉計(jì)IF5,邊測(cè) 量測(cè)量栽臺(tái)MST，的位置，邊進(jìn)行基線測(cè)量，能以高精度執(zhí)行根據(jù)其基線(量) 的晶片W的對(duì)準(zhǔn)(定位)。
又，與上述第三實(shí)施形態(tài)同樣，與上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線測(cè)量一起， 進(jìn)行前述的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)。
并且，在上述的兩載臺(tái)WST，、 MST，上的作業(yè)結(jié)束的階段，主控制裝置 20,例如將測(cè)量載臺(tái)MS丁'與晶片載臺(tái)WST，，恢復(fù)為圖23A的狀態(tài)，邊維 持使晶片載臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，近接(或接觸)的狀態(tài)，邊在XY面內(nèi) 驅(qū)動(dòng)，與前迷同樣對(duì)交換后的晶片W進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)，即使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG 進(jìn)行交換后的晶片W上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)，來(lái)算出晶片W上的多個(gè)照射區(qū) 域的位置坐標(biāo)。又，此晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)的晶片載臺(tái)WST，的位置管理，則在前述 的對(duì)準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)上管理。
其后，主控制裝置20，邊保持晶片載臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，的X軸 方向的位置關(guān)系，邊與前述者相反，將兩載臺(tái)WST，、 MST，向-X方向同時(shí)驅(qū)動(dòng)，而使晶片載臺(tái)WST，(晶片W)移動(dòng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方后， 將測(cè)量載臺(tái)MST，退避至既定位置。在此期間，也以與前述者相反的步驟進(jìn) 行干涉計(jì)系統(tǒng)的干涉計(jì)的重置等。
其后，主控制裝置20，與上述各實(shí)施形態(tài)同樣，對(duì)晶片W執(zhí)行步進(jìn)掃 描方式的曝光動(dòng)作，將標(biāo)線片圖案依序轉(zhuǎn)印于晶片W上的多個(gè)照射區(qū)域。
又，在上述說(shuō)明，測(cè)量動(dòng)作，雖對(duì)進(jìn)行基線測(cè)量的情形說(shuō)明，但不限于 此，與上述第三實(shí)施形態(tài)同樣，也可進(jìn)行照度測(cè)量、照度不均測(cè)量、空間像 計(jì)測(cè)量等。又與上述第三實(shí)施形態(tài)同樣，不限于l批的曝光結(jié)束后，每于既 定片數(shù)(例如1片)的晶片交換，也能按照必要執(zhí)行各種的測(cè)量。又，也可 在測(cè)量載臺(tái)MST，載置波面像差測(cè)量裝置，使其測(cè)量動(dòng)作，來(lái)測(cè)量投影光學(xué) 系統(tǒng)PL的波面像差?；?，也可在測(cè)量載臺(tái)MST，設(shè)置觀察攝影機(jī)，來(lái)檢查 形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域的狀態(tài)。
又，使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG進(jìn)行交換后的晶片W的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)，不一 定需要使晶片栽臺(tái)WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，邊保持既定的近接狀態(tài)邊執(zhí)行， 也可在兩載臺(tái)離開(kāi)后開(kāi)始對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)，也可以?xún)奢d臺(tái)近接狀態(tài)進(jìn)行一部 分的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)后，使兩載臺(tái)離開(kāi)，來(lái)進(jìn)行剩余的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)。
如以上所說(shuō)明，依本第四實(shí)施形態(tài)，與第三實(shí)施形態(tài)同樣，晶片載臺(tái) WST，(或測(cè)量栽臺(tái)MST，)，從位于供應(yīng)液體(水)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL正 下方的第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至測(cè)量載臺(tái)MST，位于第一區(qū)域的第二狀態(tài) 時(shí)，由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(包含晶片栽臺(tái)驅(qū)動(dòng)部(80 87)來(lái)構(gòu)成)，使晶片載 臺(tái)WST，側(cè)的凸緣部lllsa與測(cè)量載臺(tái)MST，的段部lllb成為卡合狀態(tài)，由 晶片載臺(tái)WST，的上面與測(cè)量載臺(tái)MST，的上面能實(shí)現(xiàn)全平面。因此，在投 影光學(xué)系統(tǒng)PL與其正下方的至少一載臺(tái)(此載臺(tái)，伴隨移動(dòng)從一載臺(tái)轉(zhuǎn)換 為另一載臺(tái))之間以保持水(液體)的狀態(tài)，不會(huì)從兩載臺(tái)的間隙使液體泄 漏，能從一載臺(tái)位于第一區(qū)域的第一狀態(tài)遷移至另一載臺(tái)位于第一區(qū)域的第 二狀態(tài)。即，在晶片載臺(tái)WST，側(cè)進(jìn)行通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與水(液體)的曝光動(dòng)作后，至在測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)開(kāi)始在^:影光學(xué)系統(tǒng)PL正下方的測(cè) 量為止期間，從晶片載臺(tái)WST，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)至在 測(cè)量載臺(tái)MST，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)，不需要經(jīng)過(guò)水的全 回收，再供應(yīng)等步驟，能使其遷移。又，使用測(cè)量載臺(tái)MST，的測(cè)量結(jié)束后， 至使用晶片載臺(tái)WST，開(kāi)始曝光為止期間也同樣。
因此，能使從晶片載臺(tái)WST，側(cè)的曝光動(dòng)作結(jié)束至測(cè)量載臺(tái)MST'的測(cè) 量動(dòng)作開(kāi)始為止的時(shí)間，及>^人測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)的測(cè)量結(jié)束至晶片載臺(tái)WST， 側(cè)的曝光動(dòng)作幵始為止的時(shí)間縮短(即，維持于與非液浸曝光的通常的曝光 裝置(非液浸曝光裝置)相同程度)，能獲得產(chǎn)能的提高。又，因在投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，?液體)持續(xù)存在，故能有效地防止前述的水紋(水 痕)的產(chǎn)生。
又，在本第四實(shí)施形態(tài)，因在晶片載臺(tái)WST，設(shè)置凸緣部llla,將與此 卡合的段部lllb設(shè)置于測(cè)量載臺(tái)MST，，故即使在兩載臺(tái)所對(duì)向側(cè)的投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的端面Sc設(shè)置反射面，不會(huì)產(chǎn)生障礙，能從晶片載臺(tái)WST，與投 影光學(xué)系統(tǒng)PL之間保持水的狀態(tài)遷移至投影光學(xué)系統(tǒng)PL與測(cè)量載臺(tái)MST， 之間保持水的狀態(tài)(或其相反)。
又，由液浸曝光，進(jìn)行高解像度且比空氣中大焦點(diǎn)深度的曝光，能將標(biāo) 線片R的圖案精度良好地轉(zhuǎn)印于晶片上，例如當(dāng)作元件規(guī)格能實(shí)現(xiàn) 70~100nm程度的微細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印。
又，在上述第四實(shí)施形態(tài)，雖對(duì)在晶片載臺(tái)WST，側(cè)設(shè)置凸緣部llla, 在測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)設(shè)置具有段部lllb的突部lllc的情形說(shuō)明，但本發(fā)明 并不限于此，也可在晶片載臺(tái)WST，設(shè)置具有段部的突部，在測(cè)量載臺(tái)MST， 側(cè)設(shè)置凸緣部。又，在上述第四實(shí)施形態(tài)，雖對(duì)測(cè)量載臺(tái)MS丁，的+X側(cè)的端 部以形成段部lllb于上端部的單一的突部形成的情形，加以說(shuō)明，但是， 此是由于需要使其突部lllc的+X側(cè)的端面Sc形成反射面而構(gòu)成，不一定 要構(gòu)成如此。例如，若不需要形成反射面，相當(dāng)于突部lllb的部分，則可在上端部形成隔著既定間隙卡合于凸緣部llla的段部，其它部分也可任何 形狀。同樣，晶片載臺(tái)WST，側(cè)只要在上端部設(shè)置凸緣部llla，其它部分的 形狀，也可為任何形狀。
又，在上述第四實(shí)施形態(tài)，雖將凸緣部llla—體形成于晶片載臺(tái)WST', 但也可以從晶片載臺(tái)WST，本體能裝卸的板構(gòu)件來(lái)形成凸緣部llla。
又，也可采用設(shè)置彈性密封構(gòu)件的構(gòu)成，以凸緣部llla與段部lllb卡 合的狀態(tài)，使在凸緣部llla與段部lllb之間介有彈性密封構(gòu)件。即，例如， 由在凸緣部llla的-X側(cè)端部設(shè)置彈性密封構(gòu)件，能完全防止晶片載臺(tái)WST， 與測(cè)量載臺(tái)MST，之間的漏水。又，由設(shè)置彈性密封構(gòu)件，即使在晶片載臺(tái) WST，與測(cè)量載臺(tái)MST，會(huì)接觸的情形，能減低其沖擊。當(dāng)然，也可將彈性密 封構(gòu)件設(shè)置于測(cè)量載臺(tái)MST，側(cè)，替代彈性密封構(gòu)件，也可在晶片載臺(tái)WST， 與測(cè)量載臺(tái)MST，的至少一兩載臺(tái)對(duì)向的位置，施加撥水被膜。
又，在上述第四實(shí)施形態(tài)的載臺(tái)的一方設(shè)置凸緣部，在另一方設(shè)置段部 的概念，不僅兩載臺(tái)是測(cè)量載臺(tái)與晶片載臺(tái)的情形，在兩載臺(tái)均是晶片載臺(tái) 的情形，也能采用。
即，例如，要采用如上述第一實(shí)施形態(tài)(參照?qǐng)D2)或第二實(shí)施形態(tài)(參 照?qǐng)D12)的載臺(tái)裝置的構(gòu)成的情形，因晶片載臺(tái)WST1與晶片載臺(tái)WST2 相對(duì)于X軸方向的位置關(guān)系不變，故如圖24所示，能采用在一晶片栽臺(tái)的 X軸方向一側(cè)具備凸緣部llla,在另一晶片載臺(tái)的X軸方向另一側(cè)具備將 段部lllb形成于其上端部的突部lllc的構(gòu)成。
又，例如，如圖25A所示，若釆用晶片載臺(tái)WST1"、 WST2，，相對(duì)于 X軸方向的位置關(guān)系會(huì)變更的載臺(tái)裝置時(shí)，如圖25B所示，需要采用使各晶 片載臺(tái)WST1"、 WST2",具備凸緣部與具有段部的突部的構(gòu)成。由采用如 上述的構(gòu)成，即使晶片載臺(tái)WSTl"位于-X側(cè)，晶片載臺(tái)WST2"位于十X 側(cè)的情形，或晶片載臺(tái)WSTrMif+X側(cè)，晶片載臺(tái)WST2"位于-X側(cè)的 情形，與前述第四實(shí)施形態(tài)同樣，以防止漏水的狀態(tài)，能從一晶片載臺(tái)上水接觸狀態(tài)，遷移至另一晶片載臺(tái)上水接觸狀態(tài)。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)，保持于前端透鏡91下的水，從一載臺(tái)上移動(dòng) 至另一載臺(tái)上時(shí)，也可在前端透鏡91下保持著水，使水的供應(yīng)與回收停止。 特別，在由水的供應(yīng)水的壓力會(huì)升高的情形，因從兩個(gè)載臺(tái)的間隙容易漏水， 故較佳者為停止水的供應(yīng)與回收。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)，雖液體是使用超純水(水)，但本發(fā)明當(dāng)然并 不限于此。液體，也可使用化學(xué)性穩(wěn)定、照明用光IL的透過(guò)率高、安全的
液體，例如使用氟系惰性液體。此氟系惰性液體，例如能使用Fluorinert(美 國(guó)3M^^司的商品名稱(chēng))。此氟系惰性液體，對(duì)冷卻效果也良好。又，液體， 也能使用對(duì)照明用光IL有透過(guò)性且折射率盡量高，又，對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)或 涂布于晶片表面的光刻膠穩(wěn)定(例如，洋杉油)。又，若使用F2激光作為光 源時(shí)，液體能使用氟系液體(例如，豐布爾油(Fomblinoil))。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)，也可將所回收的液體再利用，在此情形，較佳 者為將用以從所回收的液體去除雜質(zhì)的過(guò)濾器設(shè)置于液體回收裝置或回收 管等。
又，在上述實(shí)施形態(tài)，雖投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件是前 端透鏡91,但該光學(xué)元件不限于透鏡，也可為光學(xué)板(平行平面板等)，用 以調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性，例如像差(球面像差、彗形像差)的 調(diào)整，也可簡(jiǎn)單的蓋玻璃。投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件(在上 述實(shí)施形態(tài)是前端透鏡91),起因于由照明用光IL的照射從光刻膠所產(chǎn)生 的飛散粒子或液體中的雜質(zhì)的附著等，會(huì)與液體(在上述實(shí)施形態(tài)是水)接 觸，^f吏其表面污染。因此，其光學(xué)元件，也可裝卸(交換)自如地固定于鏡 筒40的最下部，定期交換。
如上述的情形，若接觸于液體的光學(xué)元件是透鏡，其交換構(gòu)件的成本昂 貴，且交換所需的時(shí)間變長(zhǎng)，會(huì)導(dǎo)致維護(hù)成本(運(yùn)轉(zhuǎn)成本)的上升或產(chǎn)能的 降低。因此，接觸于液體的光學(xué)元件，也可使用例如比前端透鏡91廉價(jià)的平行平面板。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)，使液體流動(dòng)的范圍可設(shè)為使覆蓋標(biāo)線片的圖案 像的投影區(qū)域(照明用光IL的照射區(qū)域)全域，其大小雖可任意，但，為 了要控制流速、流量，較佳者為比照射區(qū)域稍微小，使其范圍盡量縮小。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)，雖對(duì)將本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描方式等的掃描型 曝光裝置的情形說(shuō)明，但本發(fā)明的適用范圍當(dāng)然不限于此。即，也能合適地 適用于步進(jìn)重復(fù)方式的縮小投影曝光裝置。
曝光裝置的用途并不限于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，例如，能廣泛地適 用于用以將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于方型的玻璃板的液晶用曝光裝置，或用
以制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機(jī)器、及DNA芯 片等的曝光裝置。又，不僅是半導(dǎo)體元件等的微元件，供制造光曝光裝置、 EUV曝光裝置、X線曝光裝置、及電子曝光裝置等所使用的標(biāo)線片或掩膜， 在玻璃基板或硅晶片等轉(zhuǎn)印電路圖案的曝光裝置，也能適用本發(fā)明。
又，在上述各實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的光源，不限于ArF準(zhǔn)分子激光源， 也能使用KrF準(zhǔn)分子激光源、F2激光源等的脈沖激光源，或發(fā)出g線(波長(zhǎng) 436nm) 、 i線(波長(zhǎng)365nm )等光線超壓水銀燈等。
又，將DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光所振蕩的紅外域，或可視域的單一 波長(zhǎng)激光，例如以摻雜鉺(或鉺與釔雙方)的光纖放大器放大，而使用非 線性光學(xué)結(jié)晶波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為紫外光的高諧波也可。又，投影光學(xué)系統(tǒng)的倍率， 不^又是縮小系統(tǒng)，也可為等倍及放大系統(tǒng)的任一種。.
元件制造方法
其次，對(duì)將上述實(shí)施形態(tài)的曝光裝置在光刻步驟使用的元件制造方法的 實(shí)施形態(tài)，加以說(shuō)明。
在圖26，表示元件(IC或LSI等半導(dǎo)體芯片、液晶面板、CCD、薄膜 磁頭、微型機(jī)器等)的制造例的流程圖。如圖26所示，首先，在步驟201 (設(shè)計(jì)步驟)，進(jìn)行元件的機(jī)能、性能設(shè)計(jì)(例如，半導(dǎo)體元件的電路設(shè)計(jì)等)，進(jìn)行用以實(shí)現(xiàn)該機(jī)能的圖案設(shè)計(jì)。接著，在步驟202 (掩膜制作步驟)，
制作形成有所設(shè)計(jì)的電路圖案的掩膜。另一方面，在步驟203 (晶片制造步 驟)，使用硅等材料制造晶片。
其次，在步驟204 (晶片處理步驟)，使用在步驟20卜步驟203所準(zhǔn)備 的掩膜與晶片，如后述，由光刻技術(shù)等在晶片上形成實(shí)際的電路等。其次， 在步驟205 (元件組裝步驟)，使用在步驟204所處理的晶片進(jìn)行元件組裝。 在此步驟205,按照需要，包含切割步驟、接合步驟、及封裝步驟(芯片封 入)等步驟。
最后，在步驟206 (檢查步驟)，進(jìn)行在步驟205所制作的元件的動(dòng)作 確認(rèn)測(cè)試、耐久測(cè)試等的^r查。經(jīng)過(guò)如上述的步驟后，元件則完成而出貨。
在圖27，表示半導(dǎo)體元件的上述步驟204的詳細(xì)流程例。在圖27，在 步驟211 (氧化步驟)使晶片的表面氧化。在步驟212 (CVD步驟)在晶 片表面形成絕緣膜。在步驟213 (電極形成步驟)在晶片上以蒸鍍形成電極。 在步驟214 (離子植入步驟)在晶片植入離子。以上的步驟211 步驟214， 分別構(gòu)成晶片處理的各階段之前處理步驟，按照各階段所需要的處理選擇來(lái) 執(zhí)行。
在晶片處理的各階段，上述之前處理步驟結(jié)束后，執(zhí)行后處理步驟如下。 在此后處理步驟，首先，在步驟215 (光刻膠形成步驟)，在晶片涂布感光 劑。接著，在步驟216(曝光步驟)，由如上所說(shuō)明的曝光裝置將掩膜的電 5^圖案轉(zhuǎn)印于晶片。其次，在步驟217 (顯影步驟)，使所曝光的晶片顯影， 在步驟218(蝕刻步驟)，將光刻膠所殘留的部分以外的部分的露出構(gòu)件以 蝕刻去除。并且，在步驟219 (光刻膠去除步驟)，去除已完成蝕刻而變成 不要的光刻膠。
由重復(fù)進(jìn)行此等前處理步驟與后處理步驟，能在晶片上形成多層的電路 圖案。
使用以上所說(shuō)明的本實(shí)施形態(tài)的元件制造方法，由在曝光步驟(步驟216 )使用上述各實(shí)施形態(tài)的曝光裝置以能量光束(照明用光IL )使晶片(基 板)曝光，因在晶片上形成元件圖案，故能長(zhǎng)期間實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能且高精度的曝 光。因此，能提高形成微細(xì)圖案的高積體度的微元件的生產(chǎn)性。
如以上說(shuō)明，本發(fā)明的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置，適于驅(qū)動(dòng)第一載臺(tái)與第二載臺(tái)。 又，本發(fā)明的曝光裝置，適于在投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之間供應(yīng)液體，通過(guò)投 影光學(xué)系統(tǒng)與液體由能量光束使前述基板曝光。又，本發(fā)明的元件制造方法， 適于微元件的生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特征在于具備第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)；標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置成從該投影光學(xué)系統(tǒng)而分離于第一方向，以檢測(cè)該基板的標(biāo)記；及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該第一、第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
2. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該第一載臺(tái)是能栽置 基板，該基板是被進(jìn)行掃描曝光，該驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是于該掃描曝光時(shí)將該第 一載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于該第一方向。
3. —種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特征 在于具備-.第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，為使該基板掃描曝光，將載置該基板的該第一載臺(tái)驅(qū)動(dòng) 于第一方向，且以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間邊保持該液體，邊從該 第一、第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第 一、第二載臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將 該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
4. 如權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，該第一、第二載臺(tái)， 是分別能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第 一 區(qū)域、及相對(duì)于該第 一區(qū) 域而位于該第 一方向之一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)移動(dòng)。
5. —種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特征 在于具備第一、第二載臺(tái)，能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域、及 相對(duì)于該第一區(qū)域而位于第一方向的一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)，分別獨(dú)立移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該 第一、第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第 一、第二載臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將 該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的曝光裝置，其特征在于，所述裝置還包括 標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置于該第二區(qū)域，以檢測(cè)該基板的標(biāo)記。
7. 如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，該第一、 第二栽臺(tái)，分別具有基板的載置區(qū)域、及其表面為與載置于該載置區(qū)域 的基板表面大致相同高度的該載置區(qū)域的周?chē)鷧^(qū)域。
8. 如權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，該第一、第二載臺(tái)， 分別具有其表面為與該周?chē)鷧^(qū)域的表面大致相同高度的基準(zhǔn)標(biāo)記構(gòu)件。
9. 如權(quán)利要求1、 2或6所述的曝光裝置，其特征在于，在該遷移動(dòng) 作中，于該一載臺(tái)載置曝光后的基板，而于該另一栽臺(tái)載置藉由該標(biāo)記 檢測(cè)系統(tǒng)所進(jìn)行的標(biāo)記檢測(cè)后的基板。
10. 如權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其特征在于，該一載臺(tái)所載置的 基板的曝光動(dòng)作，與該另一載臺(tái)所載置的基板的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作并行，且 該一栽臺(tái)所載置的基板與該另一載臺(tái)所載置的基板是交替進(jìn)行曝光處 理。
11. 如權(quán)利要求7至IO任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，在復(fù) 數(shù)個(gè)基板之曝光動(dòng)作中，該第一、第二載臺(tái)之至少一方是持續(xù)透過(guò)該液體而與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向。
12. 如權(quán)利要求1至11任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，在該 遷移動(dòng)作中，該第一、第二載臺(tái)是邊維持其位置關(guān)系邊被同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
13. 如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其特征在于，該第一、第二載臺(tái) 是以4妾觸或近接的方式，4吏該另 一載臺(tái)接近該一載臺(tái)。
14. 一種組件制造方法，其特征在于是包含使用如權(quán)利要求1至13 任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，以能量光束使基板曝光的微影步驟。
15. —種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特 征在于所述方法包含藉由能分別獨(dú)立移動(dòng)的第一、第二載臺(tái)之一方，在其與該投影光學(xué) 系統(tǒng)之間保持該液體；藉由配置成從該投影光學(xué)系統(tǒng)而分離于第一方向的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)， 檢測(cè)在該第一、第二載臺(tái)的另一方所載置的基板的標(biāo)記；及以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該一載臺(tái)與該投影 光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第 一狀態(tài)遷移至該另 一載臺(tái)與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向 的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。
16. 如權(quán)利要求15所述的曝光方法，其特征在于，該遷移動(dòng)作前，該 一載臺(tái)所載置的基板，是透過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與液體而進(jìn)行掃描曝光， 該一載臺(tái)是于該掃描曝光時(shí)被驅(qū)動(dòng)于該第一方向。
17. —種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特 征在于所述方法包含將基板載置于能分別獨(dú)立移動(dòng)的第 一 、第二載臺(tái)之一 方； 邊將該一載臺(tái)移動(dòng)于第一方向，邊透過(guò)該投影光學(xué)系統(tǒng)與液體將該 一載臺(tái)所載置的基板掃描曝光；及以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該一載臺(tái)與該投影 光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第 一狀態(tài)遷移至該第 一 、第二載臺(tái)的另 一方與該投影 光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第 一方向交叉的第二方向。
18. 如權(quán)利要求17所述的曝光方法，其特征在于，該第一、第二載臺(tái)， 是分別能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第 一 區(qū)域、及相對(duì)于該第 一 區(qū) 域而位于該第 一方向的 一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)移動(dòng)。
19. 一種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光，其特 征在于所述方法包含藉由能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第 一 區(qū)域、及相對(duì)于該第一 區(qū)域而位于第一方向的一側(cè)的第二區(qū)域的既定區(qū)域內(nèi)分別獨(dú)立移動(dòng)的第 一、第二載臺(tái)的一方，在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體；及以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該一載臺(tái)與該投影 光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第 一、第二載臺(tái)的另 一方與該投影 光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第 一方向交叉的第二方向。
20. 如權(quán)利要求18或19所述的曝光方法，其特征在于，藉由配置于 該第二區(qū)域的標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，檢測(cè)存在于該另 一載臺(tái)上的標(biāo)記。
21. 如權(quán)利要求15至20任意一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，該 第一、第二載臺(tái)，是分別以使其表面與載置區(qū)域的周?chē)鷧^(qū)域的表面大致 相同高度的方式，將基板栽置于該栽置區(qū)域。
22. 如權(quán)利要求21所述的曝光方法，其特征在于，藉由標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng) 檢測(cè)在該另一載臺(tái)所載置的基板的標(biāo)記；在該標(biāo)記的檢測(cè)動(dòng)作時(shí)，檢測(cè)與該周?chē)鷧^(qū)域的表面大致相同高度的 基準(zhǔn)標(biāo)記。
23. 如權(quán)利要求15至21任意一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，藉 由標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)在該另 一載臺(tái)所載置的基板的標(biāo)記；在該遷移動(dòng)作中，于該一載臺(tái)載置曝光后的基板，而于該另一載臺(tái) 載置藉由該標(biāo)記4企測(cè)系統(tǒng)所進(jìn)行的標(biāo)記檢測(cè)后的基板。
24. 如權(quán)利要求23所述的曝光方法，其特征在于，該一載臺(tái)所載置的 基板的曝光動(dòng)作，與該另一載臺(tái)所載置的基板的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作并行，且 該一栽臺(tái)所載置的基板與該另一載臺(tái)所載置的基板是交替進(jìn)行曝光處 理。
25. 如權(quán)利要求21至24任意一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，在 復(fù)數(shù)個(gè)基板的曝光動(dòng)作中，該第一、第二載臺(tái)的至少一方是持續(xù)透過(guò)該 液體而與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向。
26. 如權(quán)利要求15至25任意一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，在 該遷移動(dòng)作中，該第一、第二載臺(tái)是邊維持其位置關(guān)系邊被同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
27. 如權(quán)利要求26所述的曝光方法，其特征在于，該第一、第二載臺(tái) 是以接觸或近接的方式，使該另一載臺(tái)接近該一載臺(tái)。
28. —種組件制造方法，其特征在于是包含使用如權(quán)利要求15至 27任意一項(xiàng)所述的曝光方法，以能量光束使基板曝光的微影步驟。
29. —種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束使基板 曝光，其特征在于具備第一、第二載臺(tái)，能在包含該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域、及 與該第一區(qū)域不同的第二區(qū)域的區(qū)域內(nèi)分別獨(dú)立移動(dòng)；及線性馬達(dá)系統(tǒng)，是以將該第一、第二載臺(tái)分別從該第一、第二區(qū)域 之一方移動(dòng)至另一方，且邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn) 行保持該液體的該第一、第二載臺(tái)之一方和另一方切換的方式，于既定 方向邊維持近接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二栽臺(tái)移動(dòng)于該既定方向。
30. 如權(quán)利要求29所述的曝光裝置，其特征在于，該笫一、第二區(qū)域, 于與該既定方向交叉的方向的位置為不同。
31. 如權(quán)利要求29或30所述的曝光裝置，其特征在于，所迷裝置進(jìn) 一步具備標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置于該第二區(qū)域，用以;險(xiǎn)測(cè)該基玲反的標(biāo)記。
32. 如權(quán)利要求29至31任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，該 第一載臺(tái)是能載置基板，該基板是被進(jìn)行掃描曝光，該線性馬達(dá)系統(tǒng)系 于該掃描曝光時(shí)，將該第一載臺(tái)移動(dòng)于與該既定方向交叉的方向。
33. 如權(quán)利要求29至32任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，該 第一、第二載臺(tái)，分別具有基板的載置區(qū)域，及其表面為與載置于該載 置區(qū)域的基板表面大致相同高度的該載置區(qū)域的周?chē)鷧^(qū)域。
34. 如權(quán)利要求33所述的曝光裝置，其特征在于，該第一、第二載臺(tái)， 分別具有其表面為與該周?chē)鷧^(qū)域的表面大致相同高度的基準(zhǔn)標(biāo)記構(gòu)件， 作為測(cè)量構(gòu)件。
35. 如權(quán)利要求33或34所述的曝光裝置，其特征在于，所述裝置進(jìn) 一步具備用以檢測(cè)該基板之標(biāo)記之標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)；在該切換動(dòng)作中，于該一載臺(tái)載置曝光后的基板，而于該另一栽臺(tái) 載置藉由該標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)所進(jìn)行的標(biāo)記檢測(cè)后的基板。
36. 如權(quán)利要求35所述的曝光裝置，其特征在于，該一載臺(tái)所載置的 基板的曝光動(dòng)作，與該另一載臺(tái)所載置的基板的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作并行，且 該 一 載臺(tái)所載置的基板與該另一栽臺(tái)所載置的基板系交替進(jìn)行曝光處 理。
37. 如權(quán)利要求29至36任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，所 述裝置進(jìn)一歩具備^r測(cè)系統(tǒng)，在載置于該另一載臺(tái)的基板曝光前，透過(guò) 該液體4全測(cè)該能量光束。
38. 如權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其特征在于，該檢測(cè)系統(tǒng)，是檢測(cè)透過(guò)該液體而照射于在該另一載臺(tái)所設(shè)置的基準(zhǔn)標(biāo)記的能量光束。
39. 如權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其特征在于，該檢測(cè)系統(tǒng)，是透過(guò)該液體檢測(cè)照射于光罩之標(biāo)記之能量光束，該光罩具有待形成于該基板之圖案。
40. —種曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述裝置具備第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)且在至少2個(gè)側(cè)面設(shè)置反射面；干涉計(jì)系統(tǒng)，將測(cè)量光束照射于該各載臺(tái)的反射面以測(cè)量位置信息；及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該液體的該第一、第二載臺(tái)的一方和另一方切換的方式，于既定方向邊維持近接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向；在該切換動(dòng)作中相對(duì)向的該第一、第二載臺(tái)的側(cè)面，是與供該反射面設(shè)置的側(cè)面不同。
41. 一種組件制造方法，其特征在于是包含使用如權(quán)利要求29至40任意一項(xiàng)所述的曝光裝置，以能量光束使基板曝光之微影步驟。
42. —種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述方法包含藉由線性馬達(dá)系統(tǒng)，將第一、第二載臺(tái)從該投影光學(xué)系統(tǒng)所配置的第一區(qū)域，及與該第一區(qū)域不同的第二區(qū)域的一方移動(dòng)至另一方；及以邊在與該^:影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該液體的該第一、第二載臺(tái)之一方和另一方切換的方式,藉由線性馬達(dá)系統(tǒng)于既定方向邊維持近接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向。
43. —種曝光方法，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述方法包含將在至少2個(gè)側(cè)面設(shè)置反射面的第一、第二載臺(tái)分別獨(dú)立移動(dòng)，且藉由干涉計(jì)系統(tǒng)將測(cè)量光束照射于該反射面以測(cè)量該各載臺(tái)的位置信息；及以邊在與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊進(jìn)行保持該液體的該第一、第二載臺(tái)之一方和另一方切換的方式，于既定方向邊維持近接或接觸的位置關(guān)系，邊使該第一、第二載臺(tái)移動(dòng)于該既定方向；在該切換動(dòng)作中相對(duì)向的該第一、第二載臺(tái)的側(cè)面，是與供該反射面i殳置的側(cè)面不同。
44. 一種組件制造方法，其特征在于是包含使用如權(quán)利要求42或43所述的曝光方法，以能量光束使基板曝光之微影步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種載臺(tái)驅(qū)動(dòng)方法及載臺(tái)裝置、曝光裝置、及元件制造方法，其中所述曝光裝置，是透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體，使基板曝光。其特征在于具備第一、第二載臺(tái)，能分別獨(dú)立移動(dòng)；標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)，配置成從該投影光學(xué)系統(tǒng)而分離于第一方向，以檢測(cè)該基板的標(biāo)記；及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是以邊在其與該投影光學(xué)系統(tǒng)之間保持該液體，邊從該第一、第二載臺(tái)之一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第一狀態(tài)遷移至該第一、第二載臺(tái)之另一方與該投影光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)向的第二狀態(tài)的方式，將該第一、第二載臺(tái)驅(qū)動(dòng)于與該第一方向交叉的第二方向。以該能量光束來(lái)使基板曝光，藉此，能將元件圖案精度良好地轉(zhuǎn)印在基板上，結(jié)果能提高高集成度的微元件的生產(chǎn)性。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101685263SQ20091016899
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2005年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月2日
發(fā)明者柴崎祐一 申請(qǐng)人:尼康股份有限公司