專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的多方面涉及一種有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術：
有機發(fā)光顯示裝置是一種自發(fā)射的下一代顯示裝置，與液晶顯示裝置 (LCD)相比，其具有改進的一見角、對比度、響應時間和能耗。有機發(fā)光顯 示裝置可以是無源矩陣有機發(fā)光顯示裝置或者有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置， 對于無源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，像素按矩陣結合在掃描線和信號線之間， 對于有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，像素由薄膜晶體管(TFT)控制。
構成像素的有機發(fā)光二極管，每個由陽極電極、有機薄膜層和陰極電極 組成。當預定的電壓施加在陽極電極和陰極電極之間時，通過陽極電極注入 的空穴與通過陰極電極注入的電子復合，以在發(fā)光層中形成激子。當激子返 回到較#^的能量狀態(tài)時發(fā)射光子。
一般來說，在有機發(fā)光顯示裝置的生產過程中，像素是通過發(fā)光測試和 老化測試進行測試的。在這種情況下，短棒(bar)用來向掃描線或信號線提 供連續(xù)的測試信號。第2006-29086號韓國專利公開(2006年4月4日)和第 2006-127561號韓國專利公開(2006年12月13日)^Hf了正的短棒和負的 短棒，所述短棒形成在數據焊盤和掃描焊盤上，其中數據焊盤與數據線結合 并且掃描焊盤與掃描線結合。當測試探針與短棒接觸時執(zhí)行發(fā)光測試。在劃 線工序中短棒被去除，所述工序是指在發(fā)光測試完成時對基板進行切割。
然而，在下述結構中，即驅動電路形成在基板上或者使用玻璃上芯片或 引線鍵合工藝將半導體芯片的形式的驅動電路安裝到基板上，結合到驅動電 路的輸入端的焊盤形成在基板邊緣上，與切劃線相鄰。因此，這種有機發(fā)光 顯示裝置存在的問題是難以使用上述工藝構成短棒。
發(fā)明內容
本發(fā)明的 一個方面提供了 一種有機發(fā)光顯示裝置，其中短棒可以容易地 形成和去除，以執(zhí)行發(fā)光測試和老化測試。有機發(fā)光顯示裝置包括安裝在基 板上的驅動電路。
本發(fā)明的另 一方面提供了 一種有機發(fā)光顯示裝置，其中短棒可以容易地 形成和去除，以執(zhí)行發(fā)光測試和老化測試。有機發(fā)光顯示裝置包括輔助電極 以減小掃描線和ib悟線的電阻。
本發(fā)明的一個示例性實施例提供了 一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光
顯示裝置包括基板，具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域；第一電極，在第一方向 上形成在像素區(qū)域中；第一導線，結合到第一電極并形成在非像素區(qū)域中；第 二電極，形成在像素區(qū)域上并在第二方向上延伸；第二導線，結合到第二電 極并形成在非像素區(qū)域中；有機薄膜層，形成在第一電極和第二電極之間；驅 動電路，結合到第一導線和第二導線；鈍化層，形成在像素區(qū)域和非像素區(qū) 域上并且具有用以暴露第一導線和第二導線中的至少一條的開口。
由于基板的尺寸應該增加，因此當將驅動電路安裝到基板上時，由于導 線的長度增加而電阻增加，從而有機發(fā)光顯示裝置的亮度和性能可能劣化。 因此，由低電阻金屬形成的輔助電極被用來將驅動電路安裝到基板。
本發(fā)明的多個方面提供了 一種有機發(fā)光顯示裝置，其中短棒可以容易地 形成和去除，以執(zhí)行發(fā)光測試和老化測試，所述有機發(fā)光顯示裝置在短棒去 除時防止輔助電極受到損壞。有機發(fā)光顯示裝置包括安裝在基板上的驅動電 路。輔助電極減小掃描線和數據線的電阻。由于采用了防止輔助電極受到損 害的簡化的生產工藝來制造，從而有機發(fā)光顯示裝置可以具有高亮度、卓越 的性能以及低工作電壓。
本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點將在下面的描述中予以部分闡述，并且通過 描述其將在一定程度上變得明顯，或者可以通過實施本發(fā)明而被獲知。
通過下面結合附圖進行的示例性實施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其他 方面和優(yōu)點將會變得明顯且更易于理解，附圖中
圖1是示出根據本發(fā)明一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖； 圖2是示意性示出圖1中截面11-12的剖面圖；圖3A和圖3B是示意性示出圖1中截面111-112的剖面圖； 圖4是示出根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的短棒區(qū) 域的剖面圖5是示出沿圖1中線I1-I2截取的像素區(qū)域的一部分的剖面圖。
具體實施例方式
現在將詳細說明本發(fā)明的示例性實施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例， 其中，相同的標號始終表示相同的元件。以下，通過參照如圖描述示例性實 施例，以解釋本發(fā)明。
本領域的技術人員應該知曉，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 示例性實施例可以以多種不同的方式進行修改。因此，附圖和描述實質上是 示例性而非限制性的。此外，當第一元件被稱作形成或設置在第二元件"上" 時，第一元件可以直接與第二元件接觸，或者一個或多個中間元件可以設置 在它們之間。同樣，當第一元件被稱作"連接到"第二元件時，第一元件可 以直接與第二元件連接，或者可以通過一個或多個中間元件連接到第二元件。
圖1和圖2分別是示出根據本發(fā)明一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝 置的平面圖和剖面圖。圖2示意性地示出圖l的截面11-12。
有機發(fā)光顯示裝置包括基板100,所述基板可以由絕緣材料制成，如玻 璃或塑料，或者可以由金屬制成?；?00被分成像素區(qū)域20和非像素區(qū)域 40。非像素區(qū)域40設置在像素區(qū)域20周圍。
在基板100的像素區(qū)域20中，有機發(fā)光二極管110的陣列結合在陽極電 極12和陰極電極14的矩陣之間。數據線62和掃描線64分別連接到陽極電 極12和陰極電極14，并且^皮設置在非像素區(qū)域40中。電源線(未示出)向 有機發(fā)光二極管110提供驅動電壓，并且驅動電路90處理通過輸入焊盤66 提供的外部信號。電源線、驅動電路90和輸入焊盤66設置在非像素區(qū)域40 中。
有機發(fā)光二極管110均包括彼此交叉的陽極電極12的一部分和陰才及電極 14的一部分，以及設置在它們之間的有機薄膜層(未示出)的一部分。有機 薄膜層包括空穴傳輸層、有機發(fā)光層和電子傳輸層，并還可以包括空穴注入 層和電子注入層。
驅動電路90可以形成在非像素區(qū)域40上并且結合到數據線62和掃描線64?？蛇x地，驅動電路90可以為通過玻璃上芯片或引線鍵合工藝安裝在基板100上的集成電路半導體芯片。
鈍化層80覆蓋像素區(qū)域20和非像素區(qū)域40，并且由聚酰亞胺基、酚醛樹脂基或丙烯酸樹脂基絕緣材料制成。鈍化層80包括開口 80a至80c 。開口80a和80b分別暴露輸入焊盤66和安裝有驅動電路90的區(qū)域。開口 80c暴露一些掃描線64。開口 80c是形成有短棒的區(qū)域，其中所述短棒^^共地與數據線62或掃描線64結合。短棒用來執(zhí)行發(fā)光測試和/或老化測試。開口 80c的位置可適當地選擇為最小尺寸。示出的開口 80c暴露掃描線64,但也可以定位為暴露數據線62。此外，鈍化層80可包括另一開口以暴露數據線62。鈍化層80可以包括兩個開口 80c,例如每個暴露大約一半的掃描線64或數據線62。
圖3A和圖3B是示出沿圖1中111-112截取的截面的剖面圖。圖3A示出了形成在鈍化層80中的開口 80c,圖3B示出了設置在開口 80c中并且公共地結合到掃描線64的短棒400。
通過數據線62或掃描線64,測試信號被提供給有機發(fā)光二極管110。測試探針與短棒400相接觸以執(zhí)行發(fā)光測試和老化測試。
當發(fā)光測試和老化測試完成時，短棒400被去除。短4奉400通常由金屬，例如鋁(A1)形成，其可以被酸性溶液等去除。在這種情況下，由于鈍化層80覆蓋基板100的整個表面，所以當基底100浸入酸性溶液中時數據線62和掃描線64受到保護。
所述示例性實施例公開了短棒400通過開口 80c公共地結合到一些掃描線64。但是，在其他示例性實施例中開口 80c可以包括多個形成在鈍化層80的開口，以暴露每條掃描線64。如圖4所示，短凈奉400通過多個開口公共地結合到掃描線64。
數據線62和掃描線64可以由透明電極材料制成，所述透明電極材料選自由氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)組成的組。由于所述透明電極材料具有高電阻，所以數據線62和掃描線64可以包括由低電阻材料形成的輔助電極，以減小數據線62和掃描線64的電阻。例如，掃描線64可以包括如圖4所示的透明電極64a和輔助電極64b。輔助電極64b可以由金屬制成，例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)，或者由它們的多層制成。例如，輔助電才及64b可以包^^鉬(Mo)、鋁(Al)、和/或鉬(Mo)的多個層。
包封基板200設置在基板100上，以包封有機發(fā)光二極管100。基板100和包封基板200通過如環(huán)氧樹脂，玻璃料等密封劑300彼此附著。
如上所述，根據本發(fā)明一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置包括形成在基板100上的鈍化層80。鈍化層80包括開口 80c以暴露一些數據線62和/或掃描線64。如圖3A和3B所示，鈍化層80可以覆蓋像素區(qū)域20和非像素區(qū)域40。鈍化層80可以設置在陽極電極12和陰極電極14之間。
圖5是示出根據本發(fā)明示例性實施例的設置在陽極電極12和陰極電極14之間的鈍化層80的剖面圖。剖面5示出了沿圖l中線11-12截取的像素區(qū)域20的一個部分。
參照圖1和圖5，陽極電極12在一個方向上形成在像素區(qū)域20上，并且數據線62從陽極電極12延伸。掃描線64結合到陰極電極14并且形成在非像素區(qū)域40中。在這種情況下，數據線62和掃描線64都包括輔助電極和形成在輔助電極上的透明電極。
鈍化層80覆蓋像素區(qū)域20和非像素區(qū)域40，并且被圖案化以暴露陽極電極12。在這種情況下，開口 80a和80b分別暴露輸入焊盤66和安裝有驅動電路90的區(qū)域。開口 80c暴露數據線62。掃描線形成在鈍化層80上。
阻擋肋(未示出)在像素區(qū)域20中形成在鈍化層80上，并橫過陽極電極12延伸。阻擋肋將陽極電極12與鈍化層80上的有機薄膜層分開。阻擋肋的壁是錐形的，這樣它們就能在鈍化層80處有一個最大厚度。
在像素區(qū)域20上形成了有機薄膜層13之后，陰極電極14形成為沿另一方向橫過陽極電極12。短棒400可以在陰極電極14形成的過程中形成。
雖然示出并描述了本發(fā)明的一些示例性實施例，但是本領域的技術人員應該知曉，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對這些示例性實施例作出改變，本發(fā)明的范圍由權利要求及其等同物來限定。
權利要求
1、一種有機發(fā)光顯示裝置，包括基板，具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域；第一電極，設置在像素區(qū)域中并且在第一方向上延伸；第一導線，結合到第一電極并設置在非像素區(qū)域中；第二電極，設置在像素區(qū)域中并且在第二方向上延伸；第二導線，結合到第二電極并設置在非像素區(qū)域中；有機薄膜層，設置在第一電極和第二電極之間；驅動電路，結合到第一導線和第二導線；鈍化層，形成在基板上并且具有用以暴露第一導線的第一開口。
2、 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一導線和第二導線 均包括透明電極和設置在透明電極上的輔助電才及。
3、 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，透明電極包括選自由氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化銦錫鋅組成的組的材料； 輔助電極包括選自由鋁、銀、鉬、銅和鉻組成的組的材料。
4、 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，輔助電極包括均含有 獨立地選自由鋁、銀、鉬、銅和鉻組成的組的金屬的兩個或者兩個以上層。
5、 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鈍化層由聚酰亞胺基、 酚醛樹脂基或丙烯酸樹脂基材料制成。
6、 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包 括設置在第一開口中并連接到第一導線的短棒。
7、 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鈍化層設置在第一電 極和第二電極之間。
8、 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包 括輸入焊盤，所述輸入焊盤形成在非像素區(qū)域中，結合到驅動電路的輸入端 并且通過形成在鈍化層中的第二開口暴露。
9、 一種有才幾發(fā)光顯示裝置，包括 基板，具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域； 第一電極和第二電極，按矩陣設置在像素區(qū)域中； 掃描線，設置在非像素區(qū)域中并且結合到第一電極；數據線，設置在非像素區(qū)域中并且結合到第二電極； 有機薄膜層，形成在于第一電極和第二電極之間； 驅動電路，結合到掃描線和數據線；鈍化層，形成在基板上，鈍化層具有第一開口和第二開口以分別將掃描 線或數據線連接到短棒。
10、 如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述掃描線和數據 線均包括輔助電極和設置在輔助電極上的透明電極。
11、 如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鈍化層設置在第一 電極和第二電極之間并且由聚酰亞胺基、酚醛樹脂基或丙烯酸樹脂基材料制成o
12、 如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還 包括輸入焊盤，輸入焊盤設置在非像素區(qū)域中，結合到驅動電路的輸入端并 且通過形成在鈍化層中的第三開口暴露。
13、 如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中 鈍化層由聚酰亞胺基、酚醛樹脂基或丙烯酸樹脂基材料制成； 掃描線和數據線均包括輔助電極和設置在輔助電極上的透明電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示裝置。有機發(fā)光顯示裝置包括基板，包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域；第一電極，在第一方向上形成在像素區(qū)域上；第一導線，結合到第一電極并形成在非像素區(qū)域中；第二電極，在第二方向上形成在像素區(qū)域內；第二導線，結合到第二電極并形成在非像素區(qū)域中；有機薄膜層，形成在第一電極和第二電極之間；驅動電路，結合到第一導線和第二導線；鈍化層，形成為橫過像素區(qū)域和非像素區(qū)域，并且具有用以暴露第一導線和第二導線中的至少一條的開口。
文檔編號H01L27/32GK101635305SQ200910152159
公開日2010年1月27日 申請日期2009年7月20日 優(yōu)先權日2008年7月21日
發(fā)明者樸星天 申請人:三星移動顯示器株式會社