專利名稱：基板支撐框架及包含該框架的基板處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種基板處理設(shè)備，特別是關(guān)于支撐基板用的基板支撐 框架，以及包括該框架的基板處理設(shè)備及使用該框架來承載及卸載基板的 方法。
背景技術(shù)：
因應(yīng)化石燃料的耗盡及防止環(huán)境污染，焦點已聚集在如太陽能的潔凈 能源。特別是，用以將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的太陽能電池已迅速發(fā)展。
在太陽能電池中，其可以是硅晶圓或玻璃基板上的PN(正負(fù)型)接合二 極管或PIN(正型-本質(zhì)-負(fù)型)二極管的非結(jié)晶硅薄膜，受太陽能激發(fā)的少數(shù) 載子會擴(kuò)散穿過PN接合面，且電動勢會由PN接合二極管的兩端的壓差產(chǎn) 生。
用以形成抗反射層及P(正型)與N(負(fù)型)半導(dǎo)體層的一者或P(正型)、 I(本質(zhì))及N(負(fù)型)非結(jié)晶硅薄膜的一者的制程，以及用以蝕刻該等層或薄 膜而形成預(yù)先決定的圖形的制程，皆為形成太陽能電池所需。
圖1繪示用以將薄膜沉積在基板上的傳統(tǒng)基板處理設(shè)備。近來，太陽 能電池的基板尺寸己逐漸增大來改善產(chǎn)率。用以在太陽能電池的大尺寸基 板上沉積薄膜用的基板處理設(shè)備具有如圖1所示的元件。
在圖1中，'基板處理設(shè)備10包括腔室11、基座12、上電極15、氣體 分配板14、氣體供應(yīng)管16及排氣孔18?；?2是設(shè)置于由腔室11所定 義的內(nèi)部空間，且基板S承載在基座12上。此外，基座12作為上電極15
4的對應(yīng)電極。上電極15是設(shè)置于基座12的上方，并連接至RF(無線射頻) 電源17。氣體分配板14是設(shè)置于基座12與上電極15之間，并具有數(shù)個注 入孔。氣體分配板14可與上電極15結(jié)合而固定于腔室11。用以將來源材 料供應(yīng)進(jìn)入氣體分配板14的氣體供應(yīng)管16貫穿上電極15的一部分，且腔 室11中的剩余氣體經(jīng)由設(shè)置于腔室11的底部部分的排氣孔18而排出。
依從基座12的中心部分下向延伸的基座支撐部12a的運動，基座12 可上、下移動。
升降銷13貫穿基座12，并用以將基板S承載至基座12上或?qū)⒒鍙?該處卸載?；?2往下移動，以使升降銷13從基座12凸出，而基板S輸 送進(jìn)入腔室ll。接著，基板S是置于升降銷13上，且基座12往上移動， 將基板S承載在基座12上。
相反地，在完成一處理后，基座12往下移動，以使升降銷13將基板S 從基座12上推。因此，基板S從基座12卸載。
然而，傳統(tǒng)基板處理設(shè)備具有某些缺點。 一般而言，升降銷由陶瓷材 料形成。升降銷在承載及卸載基板期間作為基板的支撐部。當(dāng)升降銷支撐 基板并相對于基板而傾斜時，升降銷受到基板的承載而會發(fā)生如升降銷的 斷裂。
特別是，太陽能的基板厚于半導(dǎo)體的基板。 一般而言，因為太陽能基 板具有數(shù)厘米以上的厚度，其具有相對較大的重量。當(dāng)升降銷所支撐的基 板具有相對較大的重量時，升降銷的斷裂會較頻繁發(fā)生。因升降銷斷裂的 故，設(shè)備需離線以便更換或修復(fù)升降銷，產(chǎn)量便會下降。
升降銷斷裂的問題并不限于用以處理太陽能基板的設(shè)備。升降銷斷裂 會發(fā)生在用以處理用于其他目的的基板的設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明是基板支撐框架及包括該框架的基板處理設(shè)備，其消除 了因相關(guān)技藝的限制及缺點所產(chǎn)生的一或更多個問題。
本發(fā)明的其他特征及優(yōu)點可于下述說明，且部分地由以下說明而能更 加了解，或能由實施本發(fā)明而獲知。本發(fā)明的目的及其他優(yōu)點將會從以下 說明的清楚揭露及其申請專利范圍與隨附圖式中得知并達(dá)成。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種基板支撐框架，用以將一基板承載 至一腔室中的一基座上，或?qū)⑵鋸脑撎幮遁d，其中，該基板支撐框架是設(shè) 置于該基座上方，該基板支撐框架包含 一本體，支撐該基板的一邊緣部分；
一第一開口部，穿過該本體的一中心部分，并對應(yīng)到該基座的一中心部
分；
數(shù)個第一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及
數(shù)個第一凹陷部分，其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空
間，
其中，該等第一凸出部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凹陷部分，且 該等第一凹陷部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凸出部分。
本發(fā)明還提供一種基板處理設(shè)備，包含 一腔室，具有一內(nèi)部空間；
一基板支撐框架，包括 一本體； 一第一開口部，穿過該本體；數(shù)個第 一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分， 其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空間；及
一基座，是位于該腔室的內(nèi)部空間，并能上、下移動，該基座是位于該 基板支撐框架的下方，并包括數(shù)個第二凸出部分及數(shù)個第二凹陷部分，該 等第二凸出部分對應(yīng)到該等第一凹陷部分，而該等第二凹陷部分對應(yīng)到該 等第一凸出部分，其中，該等第二凹陷部分的各者對應(yīng)到該等第二凸出部 分的相鄰二者之間的一空間。
如在此廣泛敘述及所提及的實施例，為了達(dá)成本發(fā)明此等及其他優(yōu)點， 并依據(jù)其目的，用以將基板承載至腔室的基座上或?qū)⑵鋸脑撎幮遁d的基板 支撐框架，其中基板支撐框架設(shè)置于基座上方，該框架包括 一本體，支 撐該基板的一邊緣部分； 一第一開口部，穿過該本體的一中心部分，并對 應(yīng)到該基座的一中心部分；數(shù)個第一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該 第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分，其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二 者之間的一空間，其中，該等第一凸出部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第 二凹陷部分，且該等第一凹陷部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凸出部 分。在另一實施態(tài)樣中，基板處理設(shè)備包括 一腔室，具有一內(nèi)部空間； 一基板支撐框架，包括 一本體； 一第一開口部，穿過該本體；數(shù)個第一 凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分， 其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空間；及一基座，是位于 該腔室的內(nèi)部空間，并能上、下移動，該基座是位于該基板支撐框架的下 方，并包括數(shù)個第二凸出部分及數(shù)個第二凹陷部分，該等第二凸出部分對 應(yīng)到該等第一凹陷部分，而該等第二凹陷部分對應(yīng)到該等第一凸出部分， 其中，該等第二凹陷部分的各者對應(yīng)到該等第二凸出部分的相鄰二者之間 的一空間。
應(yīng)了解到，前述一般性的說明及以下詳細(xì)說明是例示性、解釋性質(zhì)的， 其欲提供本發(fā)明的更詳細(xì)說明。


本圖式為本發(fā)明提供更詳細(xì)的說明，在并入本說明書之后，成為本說 明書的一部分，其并繪示本發(fā)明的實施例，連同發(fā)明說明而可解釋本發(fā)明 的要旨。
圖1是傳統(tǒng)基板處理設(shè)備的橫剖面圖。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板處理設(shè)備的橫剖面圖。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架的立體圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架的平面圖。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架的立體圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架及框架支撐部的立體圖。 圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架的平面圖。 圖8A至圖8D是分別為根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板支撐框架的凸出部 分的平面圖。
10基板處理設(shè)備 11腔室 12基座 12a基座支撐部
13升降銷
14氣體分配板
15上電極
16氣體供應(yīng)管17電源170氣體供應(yīng)管
18排氣孔180電源
100基板處理設(shè)備200機(jī)器人
110腔室210機(jī)械臂
112排氣孔220基座
120基座221中心部分
122第一外部部分222第一外部部分
124第二外部部分224第二外部部分
126強(qiáng)化部分230基板支撐框架
130基板支撐框架231本體
131本體235第一開口部
132邊緣部分236第二開口部
133支腳240框架支撐部
135第一開口部254傾斜側(cè)部分
136第二開口部262a第一凸出部分
138溝槽262b第二凸出部分
140框架支撐部264a第一凹陷部分
150氣體分配板264b第二凹陷部分
152注入孔S 基板160上電極W寬度具體實施方式
茲參照較佳實施例而詳述本發(fā)明，較佳實施例的范例是繪示于隨附圖 式中。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例而繪示基板處理設(shè)備的橫剖面圖，而圖3 是根據(jù)本發(fā)明的實施例而繪示基板支撐框架的立體圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明 的實施例而繪示基板支撐框架的平面圖，而圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例而 繪示基板支撐框架的立體圖。
基板處理設(shè)備100包括腔室110、基座120、上電極160、氣體分配板 150、氣體供應(yīng)管170及排氣孔112。基座120是設(shè)置于由腔室110所定義的內(nèi)部空間中，而基板S是承載在基座120上。此外，基座120作為上電 極160的對應(yīng)電極。上電極160是設(shè)置于基座120上方，并連接至RF(無線 射頻)電源180。氣體分配板150是設(shè)置于基座120與上電極160之間，并 具有數(shù)個注入孔152。氣體分配板150可與上電極160結(jié)合而固定到腔室 110。將來源材料供應(yīng)進(jìn)入氣體分配板150的氣體供應(yīng)管170貫穿上電極160 的一部分，而腔室110中的所剩氣體是經(jīng)由設(shè)置于腔室110的底部表面的 排氣孔112排出。
此外，基板處理設(shè)備100包括位于基座120上或其上方的基板支撐框 架130。升降銷13(圖1)在承載及卸載期間支撐基板，而在本發(fā)明中，基板 支撐框架130支撐基板S。另一方面，基板處理設(shè)備100不僅可包括基板支 撐框架130，更可包括升降銷，以在承載及卸載基板S期間支撐基板S。
參考圖2及圖3，基板支撐框架130包括本體131，以及第一及第二開 口部135及136?；錝的邊緣部分是由本體131所支撐。第一開口部135 是形成在本體131的前側(cè)表面上，而第二開口部136是形成在本體131的 側(cè)表面。本體131具有對應(yīng)到基板S的形狀。當(dāng)基板S為晶圓時，本體131 具有圓形形狀。當(dāng)基板S為玻璃基板時，本體131具有矩形形狀。圖3繪 示本體131具有矩形形狀。當(dāng)基座120往上移動時，基座120的上表面穿 過第一開口部135而接觸基板S的底部表面，以將基板S上推。據(jù)此，第 一開口部135的形狀是取決于基座120的上表面的形狀?；錝由機(jī)器人 運送穿過第二開口部136而接觸本體，并由本體支撐。在圖3中，使機(jī)器 人輸入/輸出的第二開口部136是形成在本體131的側(cè)表面的整個區(qū)域上。 或者，在圖5中，開口部135被本體131包圍。亦即，本體131包括四個 側(cè)壁，而沒有第二開口部136(圖3)。側(cè)壁上形成有溝槽138?；逵蓹C(jī)器 人200經(jīng)過溝槽138而輸送進(jìn)入開口部135。溝槽138的數(shù)量是取決于機(jī)器 人200的機(jī)械臂210數(shù)量。在承載及卸載期間，機(jī)器人200必須稍微地向 上或向下移動。據(jù)此，溝槽138的深度是取決于機(jī)器人200的運動。
基板支撐框架130是位于使第二開口部136對應(yīng)到位于腔室110的側(cè) 壁的基板進(jìn)/出埠(未繪示)的位置。本體131可具有邊緣部分132，該邊緣 部分從本體的上表面凹陷，以有效地支撐基板S。亦即，邊緣部分132的上 表面具有比本體131較低的高度。本體131的上表面延伸并傾斜至邊緣部分132。在此情況下，基板不接觸本體131的上表面，而接觸邊緣部分132 的上表面。當(dāng)本體131具有平坦的上表面而不具有邊緣部分132時，基板S 會從本體131分離或搖動。因為基板S接觸本體131的邊緣部分132且受 其支撐，可避免前述問題。此外，基板支撐框架130具有支腳133，該支腳 從基板支撐框架130的底部表面凸出，并接觸基座120的一部分。支腳133 可以是跟著本體131而連續(xù)延伸的。另一方面，數(shù)個支腳133可彼此隔開 而形成。亦可省略支腳133。
基板支撐框架130可由陽極處理鋁(A1)形成，且其具有數(shù)個優(yōu)點。鋁 具有對處理氣體的化學(xué)容受性。此外，基板支撐框架130與作為上電極160 的對應(yīng)電極的基座電性隔離，以防止電漿密度呈不均勻狀態(tài)。
框架支撐部140是形成在腔室110的內(nèi)側(cè)壁。框架支撐部140作為基 板支撐框架130的支撐部。據(jù)此，只要框架支撐部140支撐基板支撐框架 130，且不阻礙基座120的運動，并不限制框架支撐部140的形狀或數(shù)量。 如圖4所示，基板支撐框架130的各側(cè)形成有一個框架支撐部140?；蛘?， 框架支撐部可以形成在基板支撐框架的相對二側(cè)。在此情況下，二個框架 支撐部可形成在基板支撐框架的相對二側(cè)的各者。
參考圖4，圖4繪示設(shè)置在基板支撐框架的邊緣部分上的基板，基板S 與基板支撐框架130的邊緣部分132接觸了寬度W。寬度W可以是約3毫米 (mm)至約10mm。當(dāng)寬度太狹窄時，基板S可能會有不穩(wěn)定的位置。相反而 言，當(dāng)寬度太寬時，因為基板支撐框架130與基座120(圖2)之間的溫度差 異，便會發(fā)生如在邊緣部分的非均勻涂布厚度的問題。其是因加熱器(未繪 示)設(shè)置于基座120以加熱基板S的故。
在圖4中，邊緣部分132的上表面與本體131的上表面之間的一個部 分為對該兩表面呈傾斜狀。將基板S對準(zhǔn)到基板支撐框架130上具有其優(yōu) 點。另一方面，邊緣部分132的上表面與本體131的下表面之間的一個部 分為對該兩表面呈垂直狀。避免薄膜形成在基板S的側(cè)表面有其優(yōu)點。
當(dāng)基座120往上移動時，基座120的上表面穿過第一開口部135而接 觸基板S的底部表面，以將基板S上推到處理位置。因為基板S的背側(cè)表 面應(yīng)該與基座120的上表面完整接觸，進(jìn)而執(zhí)行期望的處理，基座120的 上表面便具有不平均的形狀。基座120的中心部分接觸基板S的底部部分，
10基座120的第一外部部分122接觸邊緣部分132的底部表面，且基座120 的第二外部部分124接觸支腳133的底部表面。
基座120可包括強(qiáng)化部分126。強(qiáng)化部分126可由陶瓷材料形成。當(dāng)基 座120接觸基板支撐框架130的支腳133時，基座120的一部分或支腳133 的陽極處理膜可能會損耗，使基板支撐框架130與基座120之間電性隔離 受到破壞。具有抗磨耗屬性的材料(如陶瓷)的強(qiáng)化部分126能避免此問題。 強(qiáng)化部分126是設(shè)置于基座120中或基座120上。在任何情況下，當(dāng)支腳 133接觸強(qiáng)化部分126時，基座120應(yīng)該接觸基板S。
當(dāng)強(qiáng)化部分126不從第二外部部分124的上表面凸出時，支腳133的 厚度是等于第一及第二外部部分122及124之間的高度差。另一方面，當(dāng) 強(qiáng)化部分126從第二外部部分124的上表面凸出時，支腳133與強(qiáng)化部分 126的厚度總和是等于第一及第二外部部分122及124之間的高度差。若未 形成支腳133，基座120便不具有第二外部部分124。
在此，基板的承載及卸載處理以圖2至圖5來說明。在基板S未輸入 進(jìn)入腔室110之前，基板支撐框架130是設(shè)置于基座120上方，并由位于 腔室110側(cè)壁的框架支撐部140所支撐?；錝借由機(jī)器人(未繪示)穿過 基板進(jìn)/出埠(未繪示)而輸送進(jìn)入腔室110，并穿過基板支撐框架130的第 二開口部136而置在基板支撐框架130的第一開口部135上方。接著，機(jī) 器人(未繪示)往下移動，使基板S置于基板支撐框架130的邊緣部分132 上。當(dāng)機(jī)器人(未繪示)消失之后，腔室110的內(nèi)部空間借由真空泵(未繪示) 透過排氣孔112而形成真空。基座120往上移動到處理位置。亦即，基座 120的中心部分穿過基板支撐框架130的第一開口部135而接觸基板S的底 部表面，并將基板S連同基板支撐框架130上推。此稱作承載處理。當(dāng)基 板S置于處理位置時，將來源材料經(jīng)由氣體分配板150噴涂在基板S上， 而上電極160從RF電源180取得電力。因此，作為活化自由基與離子的混 合物的電漿便可產(chǎn)生，使薄膜沉積到基板S上。
在薄膜形成制程完成之后，基座120往下移動。當(dāng)基座120移動時， 基板支撐框架130的本體131會由框架支撐部140所懸掛，以使基板支撐 框架130及基板S從基座120分離。
即使基板S因靜電而緊密粘合在基座120上，當(dāng)基板從基座120分離時，因為基板s有足夠厚度，基板s不會受損。
當(dāng)基座120往下移動到初始位置時，機(jī)器人(未繪示)便進(jìn)入腔室而到 達(dá)基板S下方。接著，基板S被機(jī)器人(未繪示)上推而與基板支撐框架130 分離，并從腔室110輸出。此稱作卸載處理。
在圖2至圖5所示的基板支撐框架及基板處理設(shè)備中，基板S與基板 支撐框架130的邊緣部分132接觸了 W寬度，該寬度是在約3 mm至約10 ■ 之內(nèi)，基板S的邊緣并不直接接觸基座120。從基座120到基板S邊緣的熱 傳導(dǎo)會傳遞經(jīng)過基板支撐框架130，致使在接觸基板支撐框架130的基板S 邊緣與接觸基座120的基板S中心具有溫度差。此溫度差可以是在約攝氏5 至10度之內(nèi)，使沉積率亦具有差異。因此，基板S上的薄膜的均勻性便會 劣化。
為了解決這些問題，圖6至圖8D說明基板支撐框架及基板處理設(shè)備。 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例而繪示基板支撐框架及框架支撐部的立體圖， 而圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例而繪示基板支撐框架的平面圖。圖8A至圖8D 分別根據(jù)本發(fā)明的實施例而繪示基板支撐框架的凸起部分的平面圖。其差 異僅在于基板支撐框架的第一凸出部分及第一凹陷部分與基座的第二凸出 部分與第二凹陷部分之間。
基板支撐框架230包括本體231，以及第一及第二開口部235及236。 基板S的邊緣部分是由本體131所支撐。第一開口部235是形成在本體231 的前側(cè)表面上，而第二開口部236是形成在本體231的側(cè)表面。本體231 具有與基板S相對應(yīng)的形狀。當(dāng)基板S為晶圓時，本體231具有圓形形狀。 當(dāng)基板S為玻璃基板時，本體231具有矩形形狀。圖6繪示本體231具有 矩形形狀。數(shù)個第一凸出部分262a是形成在本體131的側(cè)表面上。在相鄰 的第一凸出部分262a之間的空間是定義為第一凹陷部分264a。亦即，在本 體231的側(cè)表面上，第一凸出部分262a及第一凹陷部分264a是交替形成。 第二開口部236是形成于本體231的一側(cè)表面，而第一凸出部分262a及凹 陷部分264a是形成于本體231的其他側(cè)表面。傾斜側(cè)部分254是設(shè)置于本 體231的上表面與本體231的其他側(cè)表面之間。第一凸出部分262a從傾斜 側(cè)部分254延伸。因傾斜側(cè)部分254之故，能夠有效防止基板S在處理期 間的運動。各第一凸出部分262a的距離本體231側(cè)表面的寬度可以是在約3至10 mm的范圍之內(nèi)。各第一凸出部分262a的延著本體231側(cè)表面的長 度可以是在約5至20 mm的范圍之內(nèi)。
基座220包括中心部分221、第一外部部分222及第二外部部分224。 第一外部部分222是位于中心部分221與第二外部部分224之間?；?20 具有階梯形狀。中心部分221是對應(yīng)到基板支撐框架230的第一開口部235， 并由第一開口部曝露出，而本體231是對應(yīng)到基座220的第一及第二外部 部分222及224?；?20的中心部分221包括第二凸出部分262b及第二 凹陷部分264b。第二凸出部分262b是對應(yīng)到第一凹陷部分264a，而第二 凹陷部分264b是對應(yīng)到第一凸出部分262a。亦即，第一凸出部分262a具 有與第二凹陷部分264b相同的形狀，而第二凸出部分262b具有與第一凹 陷部分264a相同的形狀。此外，第一凸出部分262a可以具有與第二凸出 部分262b相同的形狀。據(jù)此，當(dāng)基板支撐框架230是直接設(shè)置在基座220 上時，第一凸出部分262a及第二凸出部分262b會分別插入第二凹陷部分 264b及第一凹陷部分264a之中，以獲得一平坦頂部表面。第一凸出部分 262a的厚度可等于第二凹陷部分264b的深度，而第二凸出部分262b的厚 度可等于第一凹陷部分264a的深度。舉例而言，第一凸出部分262a的厚 度可等于第二凸出部分262b的厚度。第一凸出部分262a的底部表面接觸 基座220的第一外部部分222。
當(dāng)置有基板S的基板支撐框架230往下移動而被設(shè)置在基座220上時， 以使基板S的溫度差異最小化的方式，基板S的邊緣接觸基板支撐框架230 的第一凸出部分262a及基座220的第二凸出部分262b。因此，能改進(jìn)基板 S上的薄膜的均勻性。
雖未繪示，基板支撐框架的第一凹陷部分可延伸至本體231側(cè)表面的 一部分，且基座的第二凸出部分亦可延伸而具有與第一凹陷部分相同的尺 寸。在此情況下，基板S的溫度差異能更進(jìn)一步最小化。
參考圖7，框架支撐部240是形成在腔室IIO(圖2)的內(nèi)側(cè)壁?？蚣苤?撐部240作為基板支撐框架230的支撐部。如圖7所示， 一個框架支撐部 240形成在基板支撐框架230的各側(cè)?；蛘?，框架支撐部可形成在基板支撐 框架的相對二側(cè)。在此情況下，二個框架支撐部可形成在基板支撐框架的 相對二側(cè)的各者。參考圖8A至圖8D，其繪示基板支撐框架的數(shù)個第一凸出部分，第一凸 出部分262a及第二凸出部分262b具有矩形、梯形、三角形、半圓形等的 其中一形狀。
本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者將了解到在不背離本發(fā)明的精神與范 疇的情況下，可將具有邊緣框架的設(shè)備進(jìn)行各式修改及變化。因此，若對 本發(fā)明的修改與變化落入申請專利范圍及其均等物的范圍中，本發(fā)明欲涵 蓋該修改與變化。
權(quán)利要求
1.一種基板支撐框架，用以將一基板承載至一腔室中的一基座上，或?qū)⑵鋸脑撎幮遁d，其中，該基板支撐框架是設(shè)置于該基座上方，該基板支撐框架包含一本體，支撐該基板的一邊緣部分；一第一開口部，穿過該本體的一中心部分，并對應(yīng)到該基座的一中心部分；數(shù)個第一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分，其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空間，其中，該等第一凸出部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凹陷部分，且該等第一凹陷部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凸出部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板支撐框架，其特征在于該本體包括從該本體 凸出而進(jìn)入該第一開口部的一傾斜側(cè)部分，且其中，該等第一凸出部分 從該傾斜側(cè)部分延伸。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板支撐框架，其特征在于還包含對應(yīng)到該本體 的一側(cè)的一第二開口部，其中，該基板是設(shè)置于該本體上，并穿過該第 二開口部，以重疊該基座的中心部分。
4. 如權(quán)利要求2所述的基板支撐框架，其特征在于該第二開口部包括至 少一溝槽，該至少一溝槽是位于該本體的一側(cè)壁。
5. 如權(quán)利要求1所述的基板支撐框架，其特征在于該等第一及第二凸出 部分的各者具有矩形、梯形、三角形及半圓形的其中一形狀。
6. —種基板處理設(shè)備，包含 一腔室，具有一內(nèi)部空間；一基板支撐框架，包括 一本體； 一第一開口部，穿過該本體；數(shù)個第 一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分， 其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空間；及一基座，是位于該腔室的內(nèi)部空間，并能上、下移動，該基座是位于該 基板支撐框架的下方，并包括數(shù)個第二凸出部分及數(shù)個第二凹陷部分，該等第二凸出部分對應(yīng)到該等第一凹陷部分，而該等第二凹陷部分對應(yīng)到該 等第一凸出部分，其中，該等第二凹陷部分的各者對應(yīng)到該等第二凸出部 分的相鄰二者之間的一空間。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于該等第一凸出部分的 一厚度是等于該等第二凹陷部分的一深度，且該等第二凸出部分的一厚 度是等于該等第一凹陷部分的一深度。
8. 如權(quán)利要求7所述的基板處理設(shè)備，其特征在于該等第一凸出部分的 該厚度是等于該等第二凸出部分的該厚度。
9. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于該基板支撐框架還包 括一第二開口部，該第二開口部是位于該本體的一側(cè)，且其中， 一基板 經(jīng)過該第二開口部而被傳輸?shù)皆摶逯慰蚣苌稀?br> 10. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于該基座包括 一中心 部分，對應(yīng)到該基板支撐框架的第一開口部； 一第一外部部分，圍繞該基座的中心部分，且其距離該基座的一底部表面的高度是小于該基座的 中心部分的高度，其中，該等第一凸出部分的一底部表面接觸該基座的 第一外部部分。
11. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于基板支撐框架還包括 一支腳，該支腳從該本體延伸進(jìn)入該基座，且該基座還包括一第二外部 部分，以使該第一外部部分設(shè)置于該基座的中心部分與該第二外部部分 之間，其中，當(dāng)該基座往上移動時，該支腳接觸該第二外部部分。
12. 如權(quán)利要求11所述的基板處理設(shè)備，其特征在于還包含一對應(yīng)圖形 部，該對應(yīng)圖形部接觸該第二外部部分，并對應(yīng)到該支腳，以使該基座 與包括該支腳的該基板支撐框架電性隔離。
13. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于還包含一框架支撐部， 該框架支撐部是位于該腔室的一內(nèi)側(cè)壁，以將該基板支撐框架支撐在該 基座上方。
14. 如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，其特征在于該第一凸出部分具有 與該第二凸出部分相同的形狀。
全文摘要
本發(fā)明是用以將基板承載至腔室的基座上或?qū)⑵鋸脑撎幮遁d的基板支撐框架，其中基板支撐框架設(shè)置于基座上方，該框架包括一本體，支撐該基板的一邊緣部分；一第一開口部，穿過該本體的一中心部分，并對應(yīng)到該基座的一中心部分；數(shù)個第一凸出部分，從該本體的一側(cè)延伸至該第一開口部；及數(shù)個第一凹陷部分，其各者對應(yīng)到該等凸出部分的相鄰二者之間的一空間，其中，該等第一凸出部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凹陷部分，且該等第一凹陷部分的各者對應(yīng)到該基座上的一第二凸出部分。
文檔編號H01L21/683GK101621021SQ20091015137
公開日2010年1月6日 申請日期2009年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者樸錫珠, 黃成龍 申請人:周星工程股份有限公司