發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

文檔序號：6933963閱讀：205來源：國知局

專利名稱：發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
多個技術領域涉及在安裝基板上安裝微小物品。這種領域的實例為發(fā)光二極管顯示器的領域。在發(fā)光二極管顯示器中，紅色發(fā)光二極管用作紅色發(fā)光子像素，綠色發(fā)光二極管用作綠色發(fā)光子像素，并且藍色發(fā)光二極管用作藍色發(fā)光子像素，從而根據這三種類型的子像素的發(fā)光狀態(tài)顯示彩色圖像。
例如，在40英寸對角線全HD (高清晰度)全色彩顯示器中，在畫面的水平方向上的^象素凄t為1920，并且在畫面的垂直方向上的像素數為1080。因此，在這種情況下，所安裝的發(fā)光二極管數為 1920 x 1080 x (三種類型的發(fā)光二才及管的凄t量，即構成一個l象素的紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管、以及藍色發(fā)光二極管的數量) 因此，約為6,000,000個。因此，作為用于在顯示基板上安裝這樣的大量發(fā)光二4及管的方法，已知形成尺寸小于畫面尺寸的發(fā)光二極管陣列、并且從所述發(fā)光二極管陣列開始在移動位置的同時在顯示基板上連續(xù)安裝發(fā)光二極管的方法，即步進轉移法(步進安裝法)。
例如，在曰本未審查專利申請7>開第2004-273596號和第 2004-281630號中7>開了這種步進轉移法。在這些專利申請/>開中所公開的技術中，基本上，將元件埋入在形成在轉移基板表面上的粘合層中，從而元件從基板中部分突出，然后使用軋輥等將元件深
埋在粘合層中(例如，參照曰本未審查專利申請7>開第2004-273596 號的段落
~
和日本未審查專利申請公開第2004-281630 號的l殳落
~
)。
作為用于制造GalnN基發(fā)光二極管的基板，目前，難以生產具有超過2英寸的大標稱直徑的基板。作為用于制造AlGalnP基發(fā)光二才及管的基^1,目前，難以生產具有超過3英寸的大標稱直徑的基板。因此，具有2英寸的標稱直徑的藍寶石基板被用于生產藍色發(fā) 光二極管和綠色發(fā)光二極管，并且具有3英寸的標稱直徑的GaAs 基板被用于生產紅色發(fā)光二極管。當制造26英寸對角線發(fā)光二極管顯示器時，在650 mm x 550 mm尺寸的顯示基板上安裝藍色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管以及紅色發(fā)光二極管。

發(fā)明內容
如上所述，一個像素通常包括三個子像素。因此，將三種類型的發(fā)光二極管，即紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管以及藍色發(fā)光二極管移動(例如轉移)至顯示基板，然后，通過復雜的處理來形成并且引出配線，用于驅動這三種類型的發(fā)光二才及管。
期望提供一種發(fā)光二極管顯示器的制造方法，該方法能夠通過簡單處理制造發(fā)光二極管顯示器，并且通過該方法制造發(fā)光二極管
顯示器。
才艮據本發(fā)明的實施方式的發(fā)光二才及管顯示器的制造方法包括以下步-驟。
(A)將發(fā)射紅光的多個第一發(fā)光二極管設置在第一發(fā)光二極管制造基板上，第一發(fā)光二極管均包括以下組件)第一化合物半導體層，具有第一導電型； (a-2)活性層；
(a-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(a_4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(a-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層；
將發(fā)射綠光的多個第二發(fā)光二極管設置在第二發(fā)光二極管制造基板上，第二發(fā)光二極管均包括以下組件
(b-l )第一化合物半導體層，具有第一導電型；
(b-2)活性層；
(b-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(b-4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(b-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層；以及
將發(fā)射藍光的多個第三發(fā)光二極管設置在第三發(fā)光二極管制造基板上，第三發(fā)光二極管均包括以下組件
(c-l)第一化合物半導體層，具有第一導電型；
(c-2)活性層；(c-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(c-4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(c-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層。
(B)將第一發(fā)光二才及管、第二發(fā)光二才及管、以及第三發(fā)光二極管預固定至發(fā)光單元制造基板，以制造均包括期望數量的第一發(fā) 光二極管、期望數量的第二發(fā)光二極管、以及期望數量的第三發(fā)光二極管的發(fā)光單元，并且第一發(fā)光二極管、第二發(fā)光二極管、以及第三發(fā)光二極管的第一電極連接至子公共電極。
(C )發(fā)光單元從發(fā)光單元制造基板轉移并且固定至顯示基板，以制造包括多個發(fā)光單元的發(fā)光二極管顯示器，其中，這些發(fā)光單元以二維矩陣形式配置，即沿第一方向和與第一方向垂直的第二方
向配置。
在發(fā)光二極管顯示器的制造方法中，優(yōu)選地，在發(fā)光二極管顯示器中的第一發(fā)光二極管的配置間距為在第一發(fā)光二極管制造基板上的第一發(fā)光二極管的制造間距的整數倍，在發(fā)光二極管顯示器中的第二發(fā)光二極管的配置間距為在第二發(fā)光二極管制造基板上的第二發(fā)光二極管的制造間距的整數倍，以及在發(fā)光二極管顯示器中的第三發(fā)光二極管的配置間距為在第三發(fā)光二極管制造基板上的第三發(fā)光二極管的制造間距的整數倍。在這種情況下，用于制造發(fā)光二極管的材料的損失減少，并且使制造過程合理。整數倍的值可以基于發(fā)光二極管顯示器的規(guī)格、發(fā)光二極管的制造過程等確定。根據本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法
可以包括制備具有固定層的第一轉移基板。在這種情況下，步驟(B ) 包4舌以下步駛《。
(B-l )將在第一發(fā)光二極管制造基板上的第一發(fā)光二極管轉移至固定層，將在第二發(fā)光二極管制造基板上的第二發(fā)光二極管轉移至固定層，以及將在第三發(fā)光二極管制造基板上的第三發(fā)光二極管轉移至固定層。
(B-2 )形成子公共電極以從發(fā)光二極管組的第一電極延伸至固定層，發(fā)光二極管組包括形成每個發(fā)光單元的期望數量的第一發(fā) 光二極管、期望數量的第二發(fā)光二極管、以及期望數量的第三發(fā)光
二極管。
(B-3)通過固定層和子公共電極將形成每個發(fā)光單元的發(fā)光二極管組粘結并且預固定至發(fā)光單元制造基板，然后，移除第一轉移基板。
(B-4 )在固定層中形成第一4妄觸孔以連4妄至第一發(fā)光二才及管的第二電極，并且形成第一襯墊部以從第一接觸孔延伸至固定層。在固定層中形成第二接觸孔以連接至第二發(fā)光二極管的第二電極，并且形成第二襯墊部以乂人第二4妄觸孔延伸至固定層。在固定層中形成第三接觸孔以連接至第三發(fā)光二極管的第二電極，并且形成第三 ^H"墊部以乂人第三^妄觸孔延伸至固定層。此外，在固定層中形成第四接觸孔以連接至子公共電極，并且形成第四襯墊部以從第四接觸孔延伸至固定層。結果，形成發(fā)光單元。
(B-5)然后，在固定層中分離發(fā)光單元。該方法進一步包括制備顯示基板，在顯示基纟反上，形成絕纟彖材料層和用絕緣材料覆蓋并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三
7>共電極。在這種情況下，步驟(c)包括以下步驟。
(C-l )將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除發(fā)光單元制
造基板。
(C-2)將發(fā)光單元配置在顯示基4反上，從而由絕纟彖材料層圍繞發(fā)光單元，然后，移除第二轉移基板。
(C-3 )形成第一連4妄部以將第一坤十墊部電連41:至第一7>共電
極，從而從固定層延伸至絕緣材料層。形成第二連接部以將第二襯墊部電連接至第二公共電極，從而從固定層延伸至絕緣材料層。形成第三連接部以將第三襯墊部電連接至第三公共電極，從而從固定層延伸至絕緣材料層。在絕緣材料層上形成第四公共電極，并且形成第四連4妻部以將第四4于墊部電連4妄至第四z^共電才及，/人而乂人固定層延伸至絕緣材料層。為了方便起見，將該配置稱作"根據本發(fā)明的第一配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法"。
可選地，才艮據本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的發(fā)光二才及管顯示器的方法可以包括制備具有固定層的第一轉移基板、執(zhí)行在根據本發(fā)明的第一配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法中的步驟(B)(即步驟 (B-l) 步驟(B-5))、以及制備在其上第一、第二以及第三公共電極被形成為沿第一方向延伸的顯示基板。在這種情況下，步驟(C ) 包4舌以下步驟。
(C-l )將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除發(fā)光單元制
造基板。(C-2)將發(fā)光單元配置在顯示基板上，然后，移除第二轉移基板。
(C-3)形成絕緣材料層以覆蓋第一、第二以及第三公共電極并且圍繞發(fā)光單元。
(C-4 )為了將第一襯墊部電連接至第一公共電極而形成第一連接部，以從固定層延伸至絕緣材料層。為了將第二襯墊部電連接至第二7〉共電4及而形成第二連4妾部，以/人固定層延伸至絕鄉(xiāng)彖材利-層。為了將第三村墊部電連接至第三公共電極而形成第三連接部，以乂人固定層延伸至絕》彖材并+層。在絕桑彖材料層上形成第四公共電極，并且為了將第四襯墊部電連接至第四公共電極而形成第四連接部，以/人固定層延伸至絕緣材料層。為了方《更起見，將該配置稱作 "根據本發(fā)明的第二配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法"。
可選地，根據本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法可以包括制備具有固定層的第一轉移基板。在這種情況下，步艱《(B)包4舌以下步艱《。
(B-l )將在第一發(fā)光二極管制造基板上的第一發(fā)光二極管轉移至固定層，將在第二發(fā)光二極管制造基板上的第二發(fā)光二極管轉移至固定層，以及將在第三發(fā)光二4及管制造基板上的第三發(fā)光二相_ 管轉移至固定層。
(B-2 )形成子7>共電極以從發(fā)光二極管組的第一電極延伸至固定層，發(fā)光二極管組包括形成每個發(fā)光單元的期望數量的第一發(fā) 光二極管、期望數量的第二發(fā)光二極管、以及期望數量的第三發(fā)光
二極管。(B-3 )通過固定層和子公共電極將形成每個發(fā)光單元的發(fā)光二才及管組粘結并且預固定至發(fā)光單元制造基板以制造發(fā)光單元，然后，移除第一轉移基板。
(B-4)然后，在固定層中分離發(fā)光單元。
該方法進一步包括制備顯示基板，在顯示基板上，形成絕緣材料層和用絕緣材料覆蓋并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共電4及。在這種情況下，步驟(C)包括以下步驟。
(C-l )將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除發(fā)光單元制
造基板。
(C-2)將發(fā)光單元配置在顯示基板上，從而由絕緣材料層圍繞發(fā)光單元，然后，移除第二轉移基板。
(C-3 )為了將第一發(fā)光二極管的第二電極電連接至第一公共電極而在固定層中形成第一接觸孔，并且形成第一連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了將第二發(fā)光二極管的第二電極電連接至第二公共電極而在固定層中形成第二接觸孔，并且形成第二連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了將第三發(fā)光二極管的第二電極電連接至第三^〉共電極而在固定層中形成第三接觸孔，并且形成第三連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。在絕緣材料層上形成第四公共電極，并且為了將子公共電極電連接至第四公共電極而在固定層中形成第四接觸孔，并且形成第四連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了方便起見，將該配置稱作"根據本發(fā)明的第三配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法"。
可選地，才艮據本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法可以包括制備具有固定層的第一轉移基板、執(zhí)行在才艮據本發(fā)明的第三配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法中的步驟(B )(即步驟(B-1)-步驟(B-4))、以及制備在其上第一、第二以及第三公共電極被形成為沿第一方向延伸的顯示基板。在這種情況下，步 -銀(C)包i舌以下步艱艮。
(C-l )將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除發(fā)光單元制
造基板。
(C-2)將發(fā)光單元配置在顯示基板上，然后，移除第二轉移基板。
(C-3)形成絕緣材料層以覆蓋第一、第二以及第三公共電極并且圍繞發(fā)光單元。
(C-4 )為了將第一發(fā)光二極管的第二電極電連接至第一公共電極而在固定層中形成第一接觸孔，并且形成第一連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了將第二發(fā)光二極管的第二電極電連接至第二公共電極而在固定層中形成第二接觸孔，并且形成第二連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了將第三發(fā)光二極管的第二電極電連接至第三公共電極而在固定層中形成第三接觸孔，并且形成第三連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。在絕緣材料層上形成第四公共電極，并且為了將子公共電極電連接至第四公共電極而在固定層中形成第四接觸孔，并且形成第四連接部以從固定層延伸至絕緣材料層。為了方便起見，將該配置稱作"根據本發(fā)明的第四配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法"。
才艮據本發(fā)明的實施方式的發(fā)光二才及管顯示器包括以第一方向和與第一方向垂直的第二方向配置，即以二維矩陣形式配置的多個
發(fā)光單元，發(fā)光單元均包4舌以下組件期望數量的第一發(fā)光二極管，其發(fā)射紅光并且每一個均包括以
下組件
(a-l)第一化合物半導體層，具有第一導電型； (a-2)活性層；
(a-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(a-4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(a-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層；
期望數量的第二發(fā)光二極管，其發(fā)射綠光并且每一個均包括以下組件
(b-l )第一化合物半導體層，具有第一導電型； (b-2)活性層；
(b-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(b-4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(b-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層；以及
期望數量的第三發(fā)光二極管，其發(fā)射藍光并且每一個均包括以下組件
(c-l )第一化合物半導體層，具有第一導電型；(c-3)第二化合物半導體層，具有與第一導電型不同的第二導
電型；
(c_4)第一電極，電連接至第一化合物半導體層；以及
(c-5)第二電極，電連接至第二化合物半導體層。
將在每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第一電極連接至子公共電極，將在以第一方向配置的每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第二電極分別連接至沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共電極，以及將以第二方向配置的發(fā) 光單元的子公共電極連接至沿第二方向延伸的第四公共電極。
可以如下構成發(fā)光二才及管顯示器。
在顯示基纟反上形成第一、第二以及第三7>共電才及。
在固定在顯示基板上的固定層中形成子公共電極。
將在每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管固定在固定層中。
用覆蓋第一、第二以及第三公共電極的絕緣材料層來圍繞固定層。
將每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管設置在子公共電極上，從而將發(fā)光二極管的第一電極連接至子公共電極。將第一發(fā)光二極管的第二電極通過在固定層中形成的第一接觸孔以及被形成為從固定層延伸至絕緣材料層的第一連接部而連接至第一公共電極。
將第二發(fā)光二極管的第二電極通過在固定層中形成的第二才妄觸孔以及被形成為從固定層延伸至絕緣材料層的第二連接部而連接至第二公共電極。
將第三發(fā)光二極管的第二電極通過在固定層中形成的第三接觸孔以及被形成為從固定層延伸至絕緣材料層的第三連接部而連接至第三7>共電極。
將子公共電極通過在固定層中形成的第四接觸孔以及被形成為從固定層延伸至絕緣材料層的第四連接部而連接至在絕緣材料層上形成的第四/>共電才及。
可以如下構成具有上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器。
將第一襯墊部i殳置在固定層中，以^皮設置在第一接觸孔和第一連接部之間。
將第二^"墊部i殳置在固定層中，以^皮i殳置在第二4妄觸孔和第二連接部之間。
將第三襯墊部設置在固定層中，以祐沒置在第三4妄觸孔和第三連接部之間。
一夸第四4于墊部i殳置在固定層中，以凈皮i殳置在第四4妄觸^L和第四連接部之間?？梢匀缦聵嫵删哂猩鲜鰞?yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器或者包括上述優(yōu)選配置的才艮據本發(fā)明的第一或第二配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
第一襯墊部的尺寸大于第一發(fā)光二極管的第二電極的尺寸。第二襯墊部的尺寸大于第二發(fā)光二極管的第二電極的尺寸。第三襯墊部的尺寸大于第三發(fā)光二極管的第二電極的尺寸。
具體地，當第一、第二或者第三襯墊的尺寸(面積)為Sp，并
且第一、第二、或者第三發(fā)光二極管的第二電極的尺寸(面積)為
SE時，優(yōu)選地，滿足Se〈Sp〈Lu/3，優(yōu)選地，SE<SP<Lu/12,其中，Lu表示一個像素的一邊的最大長度。
可以如下構成具有上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器或者包括上述優(yōu)選配置的才艮據本發(fā)明的第一或第二配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
接近每個第一接觸孔的第一襯墊部的中心不與第一接觸孔的中心一致并且偏離第一7〉共配線側。
接近每個第二接觸孔的第二襯墊部的中心不與第二接觸孔的中心一致并且偏離第二7>共配線側。
*接近每個第三接觸孔的第三襯墊部的中心不與第三接觸孔的中心一致并且^f扁離第三7>共配線側。
在該配置中，當形成第一、第二以及第三連4妄部時，可對這些連接部和第四連接部之間的距離給出余量。因此，可以確保防止在
這些連4妄部和第四連4妄部之間發(fā)生短;洛?？梢匀缦聵嫵删哂猩鲜鰞?yōu)選配置的發(fā)光二才及管顯示器或者包括上述優(yōu)選配置的本發(fā)明的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。從第一、第二以及第三發(fā)光二極管所發(fā)射的光從第一電極側發(fā)出，并且子公共電極具有光透射結構。在這種情況下，子公共電極可以包括金屬層或者合金層?？蛇x地，在這種情況下，子公共電極可以包括光透射電極和從光透射電極延伸的金屬層或者合金層，從而第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第一電極與光透射電極接觸，并且第四接觸孔與金屬層或合金層接觸。
子公共電極可以包括金屬層或合金層，并且具體地，子公共電極可以為網格狀電極或者梳狀電極?？蛇x地，子公共電極可以包括光透射電才及和乂人光透射電才及延伸的金屬層或合金層。具體地，光透
射電極可以由諸如ITO、 IZO等的透明導電材沖+構成，或者光透射電極可以為網格狀電極或者梳狀電極。只要具有光透射結構，網格狀電極或者沖危狀電才及可以不具有光透射性。用于形成金屬層或合金層的材料的實例包括諸如鈦、鉻、鎳、金、銀、銅、柏、鎢、鉭、鋁等的金屬元素、以及其合金。子7>共電4及可以具有包括二層以上的多層結構。第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第一電極與光透射電極接觸。具體地，光透射電才及可以在第一電才及上或在第一電才及和其外周上形成。優(yōu)選地，第四接觸孔與金屬層或者合金層接觸。具體;也，第四4妄觸孔可以在金屬層或合金層上形成。
此外，在具有上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器或者具有本發(fā) 明的上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法中，優(yōu)選地，滿足以下關系
Lu.!/Lp國！ S 0.5 優(yōu)選地，Lu—!/Lp-i S 0.5
其中，Lw和Lp—2為包括第一、第二以及第三發(fā)光二極管的一個像素分別沿著第一方向和第二方向的長度，以及Lxm和Lu-2為一個發(fā) 光單元分別沿著第一方向和第二方向的長度。
此外，在具有上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器或者具有本發(fā) 明的上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法中，優(yōu)選地，滿足以下關系
2.5 x 10-11 m2《S麗S 1 x 10-8 m2，
優(yōu)選地
2.5 x IO陽11 m2 S Smax S 2.5 x 10—9 m2，
其中，Sm^為在第一、第二以及第三發(fā)光二極管中的最大發(fā)光二極管的發(fā)射表面的面積。另外，優(yōu)選地，滿足以下關系 3xlOQSSUnit/STotalS1.3xl04，
優(yōu)選地
5^SUnit/STotal^lxl03，
其中，ST。ta!為在一個發(fā)光單元中第一、第二以及第三發(fā)光二極管的發(fā)光表面的總面積，以及Sunit為一個發(fā)光單元的面積。然而，比率 Sunit/ST。ta,不限于該范圍。
在具有上述優(yōu)選配置的發(fā)光二才及管顯示器或者具有本發(fā)明的上述優(yōu)選配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法(下文中，可通稱為 "本發(fā)明")中，構成一個發(fā)光單元的第一發(fā)光二極管的期望數量 N!可以為1或2以上的整凄史，構成一個發(fā)光單元的第二發(fā)光二才及管的期望lt量N2可以為1或2以上的整H且構成一個發(fā)光單元的第三發(fā)光二極管的期望數量N3可以為1或2以上的整數。N。 N2 以及N3的凄t量可以相同或者不同。當Np N2以及N3的數量均為2 以上的整數時，可以在一個發(fā)光單元中以串聯或并聯連接發(fā)光二極管。(Np N2， N3)的數量的組合實例包括但不限于(1， 1， 1)、 (1， 2， 1 )、 (2, 2, 2)以及(2, 4， 2)。
在本實施方式中，構成第一化合物半導體層、活性層、第二化合物半導體層的化合物半導體的實例包括GaN基化合物半導體
(包括AlGaN混晶、AlGalnN混晶以及GalnN混晶)、GalnNAs基化合物半導體(包括GalnAs混晶和GaNAs混晶)、AlGalnP基化合物半導體、AlAs基化合物半導體、AlGalnAs基化合物半導體、 AlGaAs基化合物半導體、GalnAs基化合物半導體、GalnAsP基化合物半導體、GalnP基化合物半導體、GaP基化合物半導體、InP 基化合物半導體、InN基化合物半導體以及A1N基化合物半導體。要添加至化合物半導體層的n型雜質的實例包括硅(Si )、硒(Se )、鍺(Ge)、錫(Sn)、碳(C)以及鈦(Ti )。 p型雜質的實例包括 4辛(Zn)、 4美(Mg)、 4皮(Be)、 4鬲(Cd )、鈣(Ca)、 4貝(Ba)以及氧(O )。活性層可以包括單化合物半導體層或者可以具有單量子阱結構(QW結構)或者多量子阱結構(MQW結構)。用于形成包括活性層的各種化合物半導體層的方法的實例包括金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD法和MOVPE法)、金屬有一幾物分子束外延法(MOMBE法)以及氫化物氣相外延方法(HVPE法)，其中，
卣素有助于運輸或反應。為了制造發(fā)射紅光的第一發(fā)光二極管、發(fā) 射綠光的第二發(fā)光二極管以及發(fā)射藍光的第三發(fā)光二極管，可以適
當地選擇化合物半導體及其組成。
當第一導電型為n型時，第二導電型為p型，而當第一導電型為p型時，第二導電型為n型。為了將第一電極電連接至第一化合物半導體層，例如，可以在
第一化合物半導體層上形成第一電極。類似地，為了將第二電^L電連接至第二化合物半導體層，例如，可以在第二化合物半導體層上形成第二電極。當第一導電型為n型，而第二導電型為p型時，第一電才及為n側電4及，并且第二電才及為p側電才及。反之，當第一導電型為p型，并且第二導電型為n型時，第一電纟及為p側電纟及，并且第二電才及為n側電才及。p側電才及的實例包括Au/AuZn、 Au/Pt/Ti( /Au ) /AuZn、 Au/Pt/TiW (/Ti) (/Au ) /AuZn、 Au/AuPd、 Au/Pt/Ti (/Au ) /AuPd、 Au/Pt/TiW ( /Ti) ( /Au ) /AuPd、 Au/Pt/Ti、 Au/Pt/TiW ( /Ti )、 Au/Pt/TiW/Pd/TiW ( /Ti )、 Pt、 Ni、 Ag以及Ge。 n側電才及的實例包括Au/Ni/AuGe、 Au/Pt/Ti(/Au)/Ni/AuGe 、 Au/Pt/TiW(/Ti)/Ni/AuGe 以及Ti。在該表達中，若某層^皮描述為越是在"/"前面，該層就位于越電遠離活性層的位置?？蛇x地，第一電極可以由諸如ITO、 IZO、 ZnO:Al、或者ZnO:B的透明導電材料構成。當第一電才及為n側電才及或者p側電才及時，由透明導電材并牛所構成的層可以#皮用作電流擴散層并且與任何一種上述金屬層壓結構進行組合。
第一、第二以及第三發(fā)光二才及管制造基^反的實例包括GaAs 基板、GaP基板、A1N基板、A1P基板、InN基板、InP基板、AlGalnN 基板、AlGaN基板、AlInN基板、GalnN基板、AlGalnP基板、AlGaP 基板、AlInP基板、GalnP基板、ZnS基板、藍寶石基板、SiC基板、氧化鋁基4反、ZnO基才反、LiMgO基玲反、LiGaO基^反、MgAl20414l、 Si基板、Ge基板，并且這些基板均進一步包括在表面(主表面) 上形成基礎層和緩沖層。為了制造發(fā)射紅光的第一發(fā)光二極管、發(fā) 射綠光的第二發(fā)光二極管、以及發(fā)射藍光的第三發(fā)光二極管，可以從這些基板中適當地選擇基板。
構成發(fā)光單元制造基板、顯示基板、第一轉移基板以及第二轉移基板的材料的實例包括玻璃板、金屬板、合金板、陶瓷板以及塑料板。用于將第一、第二以及第三發(fā)光二極管預固定至發(fā)光單元制造基板的方法、用于將發(fā)光二極管組粘結至發(fā)光單元制造基板的方法、用于將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板的方法、以及用于將發(fā)
光單元固定至顯示基板的方法的實例包括使用粘合劑的方法、金屬粘結法、半導體粘結法、以及金屬-半導體粘結法。另一方面，例如，可以通過激光磨蝕法、加熱法或者蝕刻法去除第一、第二和第三發(fā)光二極管制造基板、第一轉移基板、發(fā)光單元制造基板、以及第二轉移基板。發(fā)光單元可以被配置在顯示基板上，從而被絕緣材泮牛層所圍繞，或者例如通過4吏用粘合劑的方法而凈皮配置。
固定層可能具有包括從第一轉移基板側起按順序設置的絕緣層和包埋材料層的兩層結構。構成絕緣層的材料的實例包括聚酰胺樹脂和聚酰亞胺樹脂。作為用于將第一、第二以及第三發(fā)光二極管固定至固定層的方法的實例，先部分固化包埋材沖牛層，將第一、第二以及第三發(fā)光二4及管埋入包埋材料層的剩余的未固化部分中，然后，固化包埋材料層的未固化部分。
包埋材料層基本上可以由任何期望的材料構成，只要該材料可以通過諸如光(具體地，紫外光)、i文射線(X-射線)、電子束等的能量射線的照射來固化或者凝固，或者可通過施加熱、壓力等固化或者凝固，或者可基于任何方法固化或者凝固。容易形成和容易固化或者凝固的材料的實例包括樹脂層，具體地，感光樹脂、熱固性樹脂以及熱塑性樹脂。感光樹脂的實例包括露出部分通過光交聯: 反應而變成不能溶解的諸如聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯醇疊氮基亞千酉旨(polyvinylazidobenzal)等的負型樹脂；露出部分通過丙烯酰胺等的光聚合反應而變成不能溶解的負型樹脂；以及通過醌二疊氮基(quinonediazido )的光分解作用而生成羧酸從而變得容易溶解的諸如鄰醌二疊氮基酚醛(o-quinone diazidonovolac )樹脂的正型樹脂。熱固性樹脂的實例包括環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、非飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂等。熱
塑性樹脂的實例包括聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂等。例如，當使用由感光樹脂構成的樹脂層時，可以通過光或者紫外光的照射來固化包埋材料層。當使用由熱固性樹脂所構成的樹脂層時，可以通過加熱板、烘爐等來固化包埋材料層。當使用由熱塑性樹脂構成樹脂層時，可以通過光照射加熱來選4奪性地加熱部分包埋材料層，使其被熔化并且具有流動性。作為包埋材料層，還可以使用諸如感壓樹脂(例如丙烯酸樹脂)、金屬(金屬單體或合金)、玻璃等的其他材料。
構成第一、第二、第三以及第四7>共電一及(下文中，可以稱作 "公共電極等")的材料的實例(下文中，可以稱作"電極材料，，) 包括諸如鉻(Cr)、鋁(Al)、鴒(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬 (Mo )、 4同(Cu )、金(Au )、 4艮(Ag )、 4太(Ti )、樣(Ni )、 4古(Co )、鋯(Zr)、鐵(Fe)、柏(Pt)、鋅(Zn)等的各種金屬；合金(例如 MoW)或者化合物(例如TiW、諸如TiN、 WN等氮化物、i者如 WSi2、 MoSi2、 TiSi2、 TaSi2等石圭化物)；諸如硅(Si)等的半導體；諸如金剛石等的碳薄膜；以及諸如ITO (氧化銦錫)、氧化銦、氧化
鋅等的導電金屬氧化物。用于形成公共電極等的方法的實例包括諸如真空沉積法(諸如電子束蒸發(fā)法和熱燈絲蒸發(fā)法)、濺射法、
離子鍍法以及激光磨蝕法的各種物理氣相沉積法(PVD);各種化學氣相沉積法(CVD法)；絲網印刷法；噴墨印刷法；金屬掩膜印刷法；鍍金屬方法(電鍍法和非電鍍法)；剝離法；溶膠凝膠法等。可以將這些方法的任何一種與蝕刻法進行組合?？梢赃x擇適當形成方法，以允許直《1妄圖案化形成7>共電才及等。
第一、第二、第三以及第四接觸孔可以使用例如上述電極材料的任何一種來形成。第一、第二、第三以及第四接觸孔可以通過與用于基于光刻在固定層中形成孔或者使用上述電極材料形成電極相同的方法來形成。可以從用于形成7>共電4及等的上述方法中適當地選擇用于形成乂人第一接觸孔延伸至固定層的第一襯墊部、形成乂人第二接觸孔延伸至固定層的第二襯墊部、形成從第三接觸孔延伸至固定層的第三襯墊部、以及形成從第四接觸孔延伸至固定層的第四襯墊部的方法。此外，可以從用于形成公共電極等的上述方法中適當地選擇用于形成從固定層延伸至絕緣材料層的第一連接部、形成從固定層延伸至絕緣材料層的第二連4妄部、形成乂人固定層延伸至絕緣材料層的第三連接部、以及形成從固定層延伸至絕緣材料層的第四連纟妻部的方法。
作為用于分離包括在固定層中的發(fā)光二才及管組的發(fā)光單元的方法，可以^使用激光照射法、干蝕刻法、濕蝕刻法或者切割法。
作為絕緣材料層，可以單獨使用或者適當組合地使用諸如氧化
硅、氮氧化硅、SOG(旋涂玻璃)、低熔點玻璃、以及玻璃板的氧化石圭材并+;以及i^如聚酰亞胺等的絕纟彖樹脂?？梢酝ㄟ^i者如各種 CVD處理、涂覆處理、'減射處理、諸如絲網印刷處理的各種印刷處理等的各種處理的任何一種來形成絕纟彖材料層。
在現有技術中，將多個第一、第二、以及第三發(fā)光二極管轉移至顯示基板，然后，將配線延伸至第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第一和第二電極。另一方面，才艮據本發(fā)明的實施方式，將均包括第一、第二、第三發(fā)光二極管的多個發(fā)光單元轉移至顯示基板，發(fā) 光二極管的第一電極連接至子公共電極。因此，配線(/>共電才及) 可以容易地延伸至第一、第二以及第三發(fā)光二級管的每一個的第二電極。結果，可以簡化制造發(fā)光二極管顯示器的處理。

圖l是示出了在才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二才及管顯示
器中的一個發(fā)光單元的示意平面圖2A、圖2B以及圖2C是根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器中的一個發(fā)光單元分別沿著圖1中的線A-A、 B-B以及C-C所獲得的示意性的部分截面圖3A、圖3B以及圖3C是根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二才及管顯示器中的一個發(fā)光單元分別沿著圖1中的線D-D、 E-E以及F-F所獲得的示意性的部分截面圖4A和圖4B均為用于示出才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā) 光二極管顯示器的制造方法的發(fā)光二極管等的示意性的部分端視圖5A和圖5B均為用于示出繼圖4B之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的發(fā)光二極管等的示意性的部分端視圖6A和圖6B均為用于示出繼圖5B之后的才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的發(fā)光二極管等的示意性的部分端3見圖7A和圖7B均為用于示出繼圖6B之后的4艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的發(fā)光二極管等的示意性的部分端一見圖；圖8A、圖8B以及圖8C是用于示出根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等^f介的示意性的部分端^L圖9A、圖9B以及圖9C是用于示出分別繼圖8A、圖8B以及圖8C之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲纟尋截面圖等^介的示意性的部分端一見圖IOA、圖10B以及圖IOC是用于示出分別繼圖9A、圖9B 以及圖9C之后的才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截
面圖等〗介的示意性的部分端—見圖IIA、圖IIB以及圖IIC是用于示出分別繼圖IOA、圖10B 以及圖IOC之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等〗介的示意性的部分端一見圖12A、圖12B以及圖12C是用于示出分別繼圖IIA、圖11B 以及圖IIC之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖13A、圖13B以及圖13C是用于示出分別繼圖12A、圖12B 以及圖12C之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等^f介的示意性的部分端3見圖；以及圖14C是用于示出分別繼圖13A、圖13B、以及圖13C之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲4尋截面圖等價的示意性的部分端^L圖15A、圖15B以及圖15C是用于示出分別繼圖14A、圖14B 以及圖14C之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖16A、圖16B以及圖16C是用于示出分別繼圖15A、圖15B 以及圖15C之后的才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二4及管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖17A、圖17B以及圖17C是用于示出分別繼圖16A、圖16B 以及圖16C之后的根據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得
截面圖等fr的示意性的部分端—見圖18A、圖18B以及圖18C是示出了根據本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 A-A、 B-B以及C-C所獲得截面圖等價的示意性的部分截面圖19A、圖19B以及圖19C是示出了才艮據本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 D-D、 E-E以及F-F所獲得截面圖等i"介的示意性部分截面圖；圖20A、圖20B以及圖20C是用于示出根據本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線 B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖21A、圖21B以及圖21C是用于示出分別繼圖20A、圖20B 以及圖20C之后的才艮據本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖22A、圖22B以及圖22C是用于示出分別繼圖21A、圖21B 以及圖21C之后的根據本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖23A、圖23B以及圖23C是示出了根據本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 A-A、 B-B以及C-C所獲得截面圖等^f介的示意性的部分截面圖24A、圖24B以及圖24C是示出了根據本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 D-D、 E-E以及F-F所獲4尋截面圖等4介的示意性的部分截面圖25A、圖25B以及圖25C是用于示出根據本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線 B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等{介的示意性的部分端3見圖26A、圖26B以及圖26C是用于示出分別繼圖25A、圖25B 以及圖25C之后的根據本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲4尋截面圖等^f介的示意性的部分端^L圖；圖27A、圖27B以及圖27C是用于示出分別繼圖26A、圖26B 以及圖26C之后的才艮據本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖28A、圖28B以及圖28C是示出了根據本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 A-A、 B-B以及C-C所獲得截面圖等4介的示意性的部分截面圖29A、圖29B以及圖29C是示出了根據本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的一個發(fā)光單元的與分別沿著圖1中的線 D-D、 E-E以及F-F所獲得截面圖等^f介的示意性的部分截面圖30A、圖30B以及圖30C是用于示出根據本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線 B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等^f介的示意性的部分端^L圖31A、圖31B以及圖31C是用于示出分別繼圖30A、圖30B 以及圖30C之后的根據本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等〗介的示意性的部分端^L圖32A、圖32B以及圖32C是用于示出分別繼圖31A、圖31B 以及圖31C之后的才艮據本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法的與分別沿著圖1中的線B-B、 E-E以及F-F所獲得截面圖等價的示意性的部分端視圖33是在才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的 ^修改例中的一個發(fā)光單元的示意性平面圖；圖34A和圖34B是用于示出才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā) 光二極管顯示器的制造方法的示意性的部分平面圖35A和圖35B是用于示出才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā) 光二極管顯示器的制造方法的示意性的部分平面圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖基于實施方式來描述本發(fā)明。
第一實施方式涉及才艮據本發(fā)明的實施方式的發(fā)光二才及管顯示器及其制造方法，并且具體地，涉及4艮據第一配置的發(fā)光二纟及管顯示器的制造方法。
圖1是示出了一個發(fā)光單元的示意性平面圖。圖2A、圖2B以及圖2C是分別沿著在圖1中的線A-A、 B-B以及C-C所獲得的示意性的部分截面圖。圖3A、圖3B以及圖3C是分別沿著在圖1中的線D-D、 E-E以及F-F所獲得的示意性的部分截面圖。在圖1中，通過點劃線示出一個發(fā)光單元，并且通過虛線示出發(fā)光二極管。另外，交叉線畫出第一、第二、第三7>共電4及的外部邊*彖，并且通過實線示出第四公共電極和第一、第二以及第三連接部的外部邊緣。此外，圖4A是發(fā)光二4及管的示意性的部分截面圖。
第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器包括以第一方向和與第一方向垂直的第二方向配置的，即以二維矩陣形式配置的多個發(fā)光單元，每個發(fā)光單元包括期望數量的發(fā)射紅光的第一發(fā)光二極管110、期望數量的發(fā)射綠光的第二發(fā)光二極管210、以及期望數量的發(fā)射藍光的第三發(fā)光二4及管310。
每個發(fā)射紅光的第一發(fā)光二極管110包括(a-l)第一化合物半導體層11，具有第一導電型(具體地，在本實施方式中，n型)；
(a-2 )活性層13;
(a-3)第二化合物半導體層12，具有與第一導電型不同的第二導電型(具體地，在本實施方式中，p型)；
(a-4)第一電極114,電連接至第一化合物半導體層11;以及
(a-5 )第二電極115,電連接至第二化合物半導體層12;
每個發(fā)射綠光的第二發(fā)光二極管包括
(b-l)第一化合物半導體層ll,具有第一導電型；
(b-2)活性層13;
(b-3)第二化合物半導體層12，具有與第一導電型不同的第二導電型；
(b-4)第一電極214,電連接至第一化合物半導體層11;以及 (b-5)第二電極215,電連接至第二化合物半導體層12; 每個發(fā)射藍光的第三發(fā)光二極管包括-. (c-l )第一化合物半導體層11，具有第一導電型； (c-2 )活性層13;(c-3)第二化合物半導體層12,具有與第一導電型不同的第二導電型；
(c-4)第一電極314，電連接至第一化合物半導體層11;以及
(c-5)第二電極315，電連接至第二化合物半導體層12;
將在每個發(fā)光單元中的第一發(fā)光二4及管110的第一電才及114、第二發(fā)光二極管210的第一電極214、以及第三發(fā)光二極管310的第一電極314連接至子^^共電極43。另一方面，將沿著第一方向配置的每個發(fā)光單元的第一發(fā)光二才及管110的第二電才及115連4妄至沿著第一方向延伸的第一公共電極(第一公共配線)401。此外，將第二發(fā)光二極管210的第二電才及215連4妄至沿著第一方向延伸的第二公共電極(第二公共配線)402。此外，將第三發(fā)光二極管310 的第二電極315連接至沿著第一方向延伸的第三公共電極(第三公共配線)403。另外，將沿著第二方向配置的發(fā)光單元的子7>共電才及43連4妄至沿著第二方向延伸的第四^^共電4及(第四7>共配線) 404。
在顯示基板61上形成第一、第二以及第三公共電極401、 402 以及403，并且在固定在顯示基^反61上的固定層34中形成子/>共電極43。此外，將在每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310固定在固定層34中，固定層34被絕緣材料層71圍繞。絕緣材料層71覆蓋在顯示基板61上形成的第一、第二以及第三/>共電4及401 、 402以及403。
在第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器中，從第一、第二以及第三發(fā)光二級管110、 210以及310所發(fā)射的光從第一電極側發(fā)出。子公共電極43具有光透射結構。子7>共電極43可以包括金屬層或者合金層?？蛇x地，子7>共電極43可以包括光透射電極42和從光透射電極42延伸的金屬層41。此夕卜，在將第一電極114、 214以及 314連接至子公共電極43的同時，將在每個發(fā)光單元中的第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、210以及310配置在子公共電極43上。具體地，第一、第二以及第三發(fā)光二才及管110、 210以及310的第一電極114、 214以及314與光透射電極42接觸。更具體地，在第一電才及114、 214以及314上以及在第一電才及114、 214以及314的外周形成光透射層42。另一方面，第四接觸孔421與金屬層41接觸。具體地，在金屬層41上形成第四接觸孔421。光透射電極42 由透明導電材料構成，而金屬層41例如由諸如金、銅或者鋁的金屬配線材^牛構成。
通過形成在固定層34中的第一接觸孑L 121以及從固定層34至絕纟彖材并牛層71形成的第一連4妄部124而將第一發(fā)光二才及管110的第二電極115連接至第一7>共電極401。通過形成在固定層34中的第二接觸孔221以及從固定層34至絕緣材料層71形成的第二連接部224而將第二發(fā)光二極管210的第二電極215連接至第二7>共電極402。通過形成在固定層34中的第三接觸孔321以及從固定層 34至絕纟彖材料層71形成的第三連4妄部324而將第三發(fā)光二才及管310 的第二電4及315連4妻至第三7>共電才及403。通過形成在固定層34中的第四4妄觸孔421以及乂人固定層34至絕纟彖材并+層71形成的第四連 4妄部424而爿尋子7>共電4及43連4妄至形成在絕纟彖材并牛層71上的第四公共電極404。在第一實施方式中，在固定層34中形成第一襯墊部 122以^f吏其凈皮"i殳置在第一4妄觸孔121和第一連4妄部124之間。另夕卜，在固定層34中形成第二4十墊部222以4吏其祐沒置在第二4妄觸3L 221 和第二連接部224之間。此外，在固定層34中形成第三襯墊部322 以使其被設置在第三接觸孔321和第三連接部324之間。此外，在固定層34中形成第四襯墊部422以使其被設置在第四接觸孔421 和第四連4妄部424之間。在根據第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器中，第一、第二以及
第三4于墊部122、 222、 322的大小(面積Sp)大于第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310的第二電極115、 215以及315
的大小(面積Se)。 4尤選i也，SP/SE=2。
此外，才艮據第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器滿足以下關系 Lu.i/LjM S 0.5 W2/LP—"0.5，
其中，Lw和Lp-2為包括發(fā)射紅光的第一發(fā)光二才及管110、發(fā)射綠光的第二發(fā)光二極管210、以及發(fā)射藍光的第三發(fā)光二極管310的一個像素分別沿著第一方向和第二方向的長度，以及Lu^和Lu_2為一個發(fā)光單元分別沿著第一方向和第二方向的長度。更具體地，
Lu陽i/Lp-i =2
Lu—2/"—2 =4。
另外，才艮據第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器滿足以下關系 2.5 x 1CT11 m2 S S麗S 1 x 10-8 m2，
其中，Smax為在第一、第二、以及第三發(fā)光二才及管110、 210、以及
310中的最大發(fā)光二極管的發(fā)射表面的面積。更具體地，
此外，才艮據第一實施方式的發(fā)光二才及管顯示器滿足以下關系 3xlOQSSUnit/STotaIS1.3xl04，其中，ST。^為在一發(fā)光單元中第一、第二以及第三發(fā)光二才及管110、
210以及310的發(fā)光表面的總面積，而SxMt為一個發(fā)光單元的面積。更具體地，
SUnit/STotalS 1.3 x 101。
此外，當構成一個發(fā)光單元的第一發(fā)光二才及管的期望凄t量為Np構成一個發(fā)光單元的第二發(fā)光二才及管的期望凄t量為N2、以及構成一發(fā) 光單元的第三發(fā)光二極管的期望數量為N3時，(Nl5 N2, N3)的組合為(1, 1， 1)。
在第一實施方式中，在發(fā)射紅光的每個第一發(fā)光二極管110中的第一化合物半導體層11、活性層13以及第二化合物半導體層12 由AlGalnP化合物半導體構成。在發(fā)射綠光的每個第二發(fā)光二極管 210中的第一化合物半導體層11、活性層13以及第二化合物半導體層12由GalnN化合物半導體構成。在發(fā)射藍光的每個第三發(fā)光二極管310中的第一化合物半導體層11、活性層13以及第二化合物半導體層12由InGalSN匕合物半導體構成。
將第一化合物半導體層11電連接至各個第一電4及114、 214以及314。具體地，在各個第一化合物半導體層11上形成第一電才及114、 214以及314。類似地，將第二化合物半導體層12電連接至各個第二電4及115、 215以及315。具體地，在各個第二化合物半導體層 12上形成第二電4及115、 215以及315。在第一實施方式中，第一導電型為n型，并且第二導電型為p型。因此，第一電才及114、 214 以及314為n側電極，而第二電極115、 215以及315為p側電極。具體地，第二電極115、 215以及315由諸如鎳等的歐姆接觸材料構成，而第一電極114、 214以及314由諸如鈥等的歐姆接觸材料構成。另外，第一、第二、第三以及第四公共電極401、 402、 403 以及404由諸如鋁、銅等的配線材料構成。此外，第一、第二、第三以及第四才妾角蟲孑L 121、 221、 321以及421由i者^口4呂、4同等的商己纟戔材泮牛構成。第一、第二、第三以及第四4于墊部122、 222、 322以及 422由諸如鋁、銅等的配線材沖牛構成。第一、第二、第三以及第四連4妾部124、 224、 324以及424由卞者3口鋁、4同等的配線才才泮牛構成。
固定層34具有兩層結構，其包括例如從第一轉移基板側起按順序設置的絕緣層32和包埋材料層33。絕纟彖層32由聚酰亞胺樹脂構成，而包埋材料層33由紫外光固化樹脂構成。絕緣材料層71由聚酰亞胺樹脂構成。
將參照圖4A、 4B、 5A、 5B、 6A、 8B、 7A、 7B、 8A、 8B、 8C、 9A、 9B、 9C、 IOA、 IOB、 IOC、 IIA、 IIB、 IIC、 12A、 12B、 12C、 13A、 13B、 13C、 14A、 14B、 14C、 15A、 15B、 15C、 16A、 16B、 16C、 17A、 17B以及17C來描述才艮據本發(fā)明的第一實施方式的發(fā) 光二極管顯示器的制造方法，具體來說，是根據第一配置發(fā)光二極管顯示器的制造方法。另外，圖8A、 9A、 IOA、 IIA、 12A、 13A、 14A、 15A、 16A以及17A為與沿著圖1中的線B-B所獲4尋的截面圖等^介的示意性的部分端牙見圖。圖8B、 9B、 IOB、 IIB、 12B、 13B、 14B、 15B、 16B以及17B為與沿著圖1中的線E-E所獲4尋的截面圖等1"介的示意性的部分端^L圖。圖8C、 9C、 IOC、 IIC、 12C、 13C、 14C、 15C、 16C以及17C為與沿著圖1中的線F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分端^L圖。
然后，將第一、第二以及第三發(fā)光二才及管110、 210以及310 預固定至發(fā)光單元制造基板53，以制備均包括期望數量的第一發(fā)光二極管110、期望數量的第二發(fā)光二極管210以及期望數量的第三發(fā)光二極管310的發(fā)光單元，第一、第二以及第三發(fā)光二才及管110、 210以及310的第一電才及U4、 214以及314連接至子公共電極43。
具體地，將在第一發(fā)光二極管制造基板上的第一發(fā)光二極管 110轉移至固定層34,將在第二發(fā)光二極管制造基板上的第二發(fā)光二極管210轉移至固定層34,以及將在第三發(fā)光二極管制造基板上的第三發(fā)光二極管310轉移至固定層34。轉移順序基本上為任意順序。為了轉移，制備設置有固定層34的第一轉移基板31。如上所述，固定層34具有兩層結構，其包括從第一轉移基板側起按順序設置的絕緣層32和包埋材料層33。絕緣層32由聚酰亞胺樹脂構成，并且包埋材沖+層33由感光樹脂構成。包埋材并牛層33要埋入第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310的部分沒有被固化，而包埋材料層33的其他部分被固化。
首先，將預固定基板20粘結以與第二電極15(115， 215， 315) 接觸，然后，從發(fā)光二極管10 (110， 210, 310)移除發(fā)光二極管制造基板IOA。然后，在露出的第一化合物半導體層11上形成第一電極14(114， 214， 314)作為n側電極。具體地，首先，將第二電極15 (115, 215， 315)粘結至預固定基板20 (參照圖4B和圖5A)。更具體地，制備包括具有形成在其表面上的粘合層21并且由非固化的粘合劑所構成的玻璃基板的預固定基板20。然后，將第二電極15(115， 215， 315)粘結至粘合層21，然后，固化粘合層21。然后，從發(fā)光二極管10 (110， 210， 310)移除發(fā)光二極管制造基板10A。具體地，由準分子激光通過發(fā)光二極管制造基板10A 照射發(fā)光二4及管10 (110, 210, 310)(更具體地，第一化合物半導體層11)和發(fā)光二極管制造基板10A之間的界面。結果，發(fā)生激光磨蝕，導致發(fā)光二才及管制造基^反10A與發(fā)光二才及管10( 110, 210, 310)分離。然后，通過剝離法或者真空蒸發(fā)法在各個第一化合物半導體層11上形成第一電極14 (114， 214， 314)作為n側電才及。從而，制備了在圖5B中所示的結構。[步驟-110A-(2)]
接下來，將期望的發(fā)光二極管10 (110, 210， 310)從預固定基板20轉移至中間基板22。即將粘結至預固定基板20的發(fā)光二極管10 (110， 210, 310)粘附至中間基4反22。具體i也，首先，在預固定基板20上的發(fā)光二極管10 (110, 210， 310)上按壓在包括玻璃基板的中間基板22的表面上形成的微粘合層23,如圖34A示意性地示出的，在預固定基板20上以陣列(以二維矩陣)形式保留了發(fā)光二才及管10 (參照圖6A和圖6B)。在圖34A、 34B、 35A以及35B中，通過在中央的"G"所表示的圓代表發(fā)射綠光的第二發(fā) 光二極管210。在圖35B中，通過在中央的"R"所示的圓代表發(fā) 射紅光的第一發(fā)光二極管110，以及通過在中央的"B，，所示的圓代表發(fā)射藍光的第三發(fā)光二極管310。例如，微粘合層23由硅橡膠構成。通過定位裝置(未示出)來支撐中間基板22,從而通過操作定位裝置來控制中間基板22和預固定基板20之間的位置關系。接下來，例如，由準分子激光/人預固定基板20的背部照射要安裝的發(fā) 光二才及管10(110， 210， 310)(參照圖7A)。結果，發(fā)生激光磨蝕，以將用準分子激光所照射的發(fā)光二極管10 (110， 210, 310)與預固定基板20分離。然后，將中間基板22與發(fā)光二極管10分離，以獲得與預固定基板20分離并且粘附至薄粘合層23的發(fā)光二極管 10 (參照圖7B)。圖34B示意性地示出了沿第一方向的每六個發(fā)光二才及管之一纟皮分離并且將其粘附至孩i粘合層23、以及沿第二方向的每三個發(fā)光二極管之一被分離并且將其粘附至薄粘合層23的預固定基板20的狀態(tài)。
然后，將發(fā)光二才及管10 (110， 210， 310)配置(移動或者轉移)到包埋材料層33上。具體地，基于形成在第一轉移基板31上的對準標記將發(fā)光二極管10 (110, 210， 310 )從中間基板22配置到第一轉移基板31的包埋材料層33上。由于發(fā)光二極管10 (110,210， 310)樣吏弱地粘附至纟鼓粘合層23，所以通過將發(fā)光二才及管10 (110， 210， 310)(按壓)與包埋材料層接觸并且將中間基板22 移開第一轉移基板31,在未固化的包埋材料層上保留了發(fā)光二極管 10(110, 210, 310)。 jt匕夕卜，4吏用專L壽昆等3尋發(fā)光二才及管10(110， 210， 310 )深埋到包埋材料層33中，以將發(fā)光二極管10 ( 110， 210， 310)固定(配置)在固定層34中。圖35A示意性地示出了第一轉移基才反31的爿犬態(tài)。
為了方便起見，將使用中間基板22的方法稱作"步進轉移法"。當將這種步進轉移法重復期望次數時，以二維矩陣形式將期望數量的發(fā)光二極管10 (110, 210， 310)粘附至微粘合層23并且轉移至第一轉移基板31。具體地，在第一實施方式中，在一次步驟轉移中，以二維矩陣形式將10800 (= 120 x 90)個發(fā)光二極管10 (110, 210， 310 )粘附至微粘合層23并且轉移至第一轉移基板31。該操作重復 (4x3)次。此夕卜，對于第一、第二以及第三發(fā)光二才及管110、 210 以及310執(zhí)行向第一轉移基板31的轉移，因此，轉移被執(zhí)行了共 36次(=4x3x3)。結果，在第一轉移基板31上以預定的間隔(間距)安裝了預定數量的紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管以及藍色發(fā)光二極管。圖35B示意性地示出了第一轉移基板31的該狀態(tài)。在圖35B中，通過點劃線來圍繞每個發(fā)光單元。最后，將發(fā)光單元轉移并固定至顯示基板61 ，以制造包括以第一方向和與第一方向垂直的第二方向配置，即以二維矩陣形式配置的多個發(fā)光單元的發(fā)光二才及管顯示器。在這種情況下，當每次4奪129600 ( = 480x270)個發(fā)光單元轉移至顯示基板61時，16次的轉移制造了包括(1920 x 1080)個發(fā)光單元的發(fā)光二一及管顯示器。
然后，通過紫外光照射已經配置發(fā)光二才及管10(110, 210, 310) 的由感光樹脂所構成的未固化的包埋材沖牛層33，以固化構成包埋材料層33的感光樹脂。結果，將發(fā)光二極管10 (110, 210， 310)固定至包埋材料層33(參照圖8A、圖8B以及圖8C)。在這種狀態(tài)下，露出了發(fā)光二極管10 ( 110， 210， 310)的第一電極14 (114, 214， 314)。
4妄下來，在構成每個發(fā)光單元和固定層34的發(fā)光二4及管組110、 210以及310的第一電才及114、 214以及314上通過'減射法和剝離法形成子公共電極43，發(fā)光二極管組包括期望數量(在第一實施方式中，N產l )的第一發(fā)光二極管110,期望數量(在第一實施方式中， N2=l )的第二發(fā)光二極管210,期望數量(在第一實施方式中，N^1 ) 的第三發(fā)光二一及管310。
具體地，首先，基于濺射法和剝離法在固定層34上遠離第一電極114、 214以及314的位置處形成金屬層41 (參照圖9A、圖 9B以及圖9C)。
然后，基于濺射法和剝離法在固定層34上形成光透射電才及42，使其在金屬層41和第一電杉L114、214以及314上延伸(參照圖IOA、圖10B以及圖IOC)。
然后，通過固定層34和子/>共電才及43將形成每個發(fā)光單元的的發(fā)光二極管組110、 210以及310粘結并且預固定至發(fā)光單元制造基板53,然后，移除第一轉移基纟反31。具體地，制備發(fā)光單元制造基板53，發(fā)光單元制造基板53包括激光分離層52,由諸如環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺樹脂的具有激光磨蝕特性的樹脂層構成；以及絕緣層(第二絕緣層51),由環(huán)氧樹脂構成并且用作粘合層。然后，將固定層34和子公共電極43粘結并且預固定至第二絕緣層51(參照圖IIA、圖11B以及圖IIC)。然后，例如，從第一轉移基板31側施加準分子激光。結果，發(fā)生激光磨蝕以將第一轉移基板 31與絕^彖層32分離(參照圖12A、圖12B以及圖12C )。
接下來，在固定層34中形成連接至第一發(fā)光二極管110的第二電極115的第一接觸孑L 121,并且形成第一襯墊部122，以從第一接觸孔121延伸至固定層34。另外，在固定層34中形成連接至第二發(fā)光二極管210的第二電極215的第二接觸孔221，并且形成第二襯墊部222,以/人第二4妄觸孔221延伸至固定層34。此外，在固定層34中形成連4妄至第三發(fā)光二才及管310的第二電才及315的第三4妻觸孔321,并且形成第三襯墊部322，以,人第三4妄觸孔321延伸至固定層34。此外，在固定層34中形成連接至子公共電極43的第四4妻觸孔421，并且形成第四^)"墊部422，以乂人第四4妄觸孔421 延伸至固定層34。結果，制造了發(fā)光單元。具體地，基于光刻技術和蝕刻技術在絕緣層32中設置孔501、 502、 503以及504，使它們被設置在第二電極115、 215以及315和金屬層41的上方。然后，通過濺射法在包括孔501、 502、 503以及504的絕纟彖層32上形成金屬材料層，然后基于光刻技術和蝕刻技術對該金屬材料層進行圖案4匕以形成第一4妄觸孑L 121、第一4十墊部122、第二才妄觸孑L221、第二襯墊部222、第三接觸孔321、第三襯墊部322、第四接觸孔421 以及第四襯墊部422 (參照圖13A、圖13B和圖13C，以及圖14A、圖14B和圖14C)。
接下來，基于激光照射法在固定層34中分離包括發(fā)光二極管組110、 210以及310的發(fā)光單元。在圖14A、圖14B以及圖14C
中，通過空心箭頭示出了用激光所照射的部分。在第一實施方式中，在發(fā)光二極管顯示器中的第一發(fā)光二極管
110的配置間距為在第一發(fā)光二極管制造基板上的第一發(fā)光二極管 110的制造間距的整數倍。在發(fā)光二極管顯示器中的第二發(fā)光二極管210的配置間距為在第二發(fā)光二才及管制造基^反上的第二發(fā)光二極管210的制造間距的整數倍。在發(fā)光二極管顯示器中的第三發(fā)光二極管310的配置間距為在第三發(fā)光二極管制造基板上的第三發(fā)光二極管310的制造間距的整數倍。具體地，在發(fā)光二才及管顯示器中第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310沿著第一方向的配置間距為在發(fā)光二極管制造基板上的第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310的制造間距的6倍。在發(fā)光二極管顯示器中第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310沿著第二方向的配置間距為在發(fā)光二極管制造基板上的第一、第二以及第三發(fā) 光二才及管110、 210以及310的制造間3巨的3倍。
具體地，首先，將發(fā)光單元從發(fā)光單元制造基板轉移至并且固定至顯示基纟反61，以制造以笫一方向和以與第一方向垂直的第二方向配置，即以二維矩陣形式配置的多個發(fā)光單元的發(fā)光二才及管顯示器。
具體地，制備顯示基板61,在顯示基板上已經形成了沿著第一方向延伸的絕緣材料層71和第一、第二以及第三公共電極401、402 以及403。在這種情況下，用絕纟彖材料層71覆蓋第一、第二以及第三公共電極401、 402以及403。用絕緣材料層(第三絕緣層62) 來覆蓋顯示基一反61,在第三絕^彖層62上形成第一、第二以及第三公共電極401、 402以及403。由用作粘合層的絕緣層(第四絕緣層 63)覆蓋第三絕緣層62和第一、第二以及第三公共電極401、 402 以及403。此外，更具體地，在第四絕緣層63上形成絕緣材料層 71。在顯示基板61中要固定發(fā)光單元的部分中沒有形成絕》彖材料層71。沒有固化第四絕》彖層63要固定發(fā)光單元的部分，而固化第四絕纟彖層63的其4也部分。可以通過正常方法來形成具有這種配置和結構的顯示基纟反61。
具體地，首先，將光透射單元粘結至第二轉移基板(未示出)，然后，移除發(fā)光單元制造基板53。具體地，可以執(zhí)行與步驟-110A-(2) 基本上相同的步驟。例如，乂人發(fā)光單元制造基外反53的背側施加準分子激光。結果，發(fā)生激光磨蝕以將發(fā)光單元制造基板53與激光分離層52分離。
接下來，將發(fā)光單元配置在顯示基板61上，以使其被絕緣材料層71圍繞，然后，移除第二轉移基板。具體地，將發(fā)光單元和在該單元周圍的固定層34配置(移動或者轉移)到通過絕緣材料層71露出并且圍繞的第四絕緣層63上(參照圖15A、圖15B以及圖15C)。更具體地，基于形成在第二轉移基板上的對準標記將發(fā) 光單元和在這些單元周圍的固定層34配置在#皮露出并且#:絕*彖材泮牛層71圍繞的第四絕鄉(xiāng)彖層63上。由于將發(fā)光單元和在該單元周圍的固定層34微弱地粘附至設置在第二轉移基板上的微粘合層(未示出)，所以在4吏發(fā)光單元和在這些單元周圍的固定層34與第四絕緣層63接觸(按壓到其上)的同時，從顯示基板61移除第二轉移基板。結果，在第四絕緣層63上保留了發(fā)光單元和在這些單元周圍的固定層34。此外，當4吏用軋輥等將發(fā)光單元和在這些單元周圍的固定層34深埋在第四絕緣層63中時，將發(fā)光單元和在這些單元周圍的固定層34固定(西己置)至第四絕全彖層63。在完成配置所有的發(fā)光單元之后，固化第四絕全彖層63。[步驟-120C]
然后，通過旋涂法在整個表面上形成由絕緣樹脂所構成的平坦化層72以形成平滑的平坦化層72。結果，制造在圖16A、圖16B 以及圖16C中所示的結構。
C步驟-120D]
-接下來，形成用于電連^妾第一^f墊部122和第一7〉共電才及401 的第一連接部124以從固定層34延伸至絕緣材料層71 。另外，形成用于電連接第二襯墊部222和第二/>共電極402的第二連接部 224以從固定層34延伸至絕緣材料層71。此外，形成用于電連接第三襯墊部322和第三公共電極403的第三連接部324以/人固定層 34延伸至絕緣材料層71。此外，在絕緣材料層71上形成第四第公共電才及404，并且形成用于電連4妄第四邱十墊部422和第四7>共電招_ 404的第四連接部424以從固定層34延伸至絕緣材料層71。
具體地，基于光刻技術和蝕刻技術在平坦化層72、絕緣材料層 71以及第四絕^彖層63中形成孔(在圖17中所示的實例中，孔512)。然后，基于濺射法和光刻4支術和蝕刻纟支術形成第一、第二、第三以及第四連接孔124、 224、 324以及424。結果，制造了在圖2A、圖 2B和圖2C、以及圖3A、圖3B和圖3C中所示的結構。
在第一實施方式或者下文爿夸描述的第二實施方式~第四實施方式中，將多個發(fā)光單元轉移至顯示基板61，其中，在每個發(fā)光單元中，將第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310的第一電極114、 214以及314連接至子7>共電極43。此夕卜，將發(fā)光單元通過面向上的第二電極115、 215以及315固定至顯示基板61。因此，在隨后的步驟中，第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210 以及310的第二電才及115、 215以及315分別容易地延伸至7>共電才及(/>共西己纟戔)401、 402 k乂及403,并且第一電才及114、 214 k乂及 314容易地延伸至第四公共電極(第四公共配線)404。結果，減少了樣i處理，并且可以簡化用于制造發(fā)光二才及管顯示器的處理。此外，在一個^象素中的發(fā)光二才及管110、 210以及310的面積專交小，并且發(fā)光二才及管110、 210以及310 4皮此4姿近地進4亍配置，乂人而，幾乎不會引起所謂的色彩分離(color breakup )。
第二實施方式
第二實施方式為第一實施方式的修改，并且更具體地涉及才艮據第二配置的發(fā)光二才及管顯示器的制造方法。圖18A、圖18B、圖18C、圖19A、圖19B以及圖19C是示出了通過第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法所制造的發(fā)光二極管顯示器的示意性的部分截面圖。除沒有形成平坦化層72之外，第二實施方式的發(fā)光二相^ 管顯示器的配置和結構基本上與第一實施方式的相同。因此，省略具體描述。圖18A、圖18B、圖18C、圖19A、圖19B以及圖19C 是與分別沿著圖1中的線A-A、 B-B、 C-C、 D-D、 E-E以及F-F所獲得的截面圖等^T的示意性的部分截面圖。
下文中，將參照圖20A、 20B、 20C、 21A、 21B、 21C、 22A、 22B以及22C來描述第二實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，更具體地，根據第二配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。圖 20A、圖21A以及圖22A是與沿著在圖1中的線B-B所獲得的截面圖等價的示意性的部分端視圖。圖20B、圖21B以及圖22B是與沿著在圖1中的線E-E所獲得的截面圖等價的示意性的部分端視圖。圖20C、圖21C以及圖22C是與沿著圖1中的線F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分端^L圖。[步驟-200]
首先，通過與在第一實施方式的步驟-100相同的方法制造發(fā)光二極管IO(IIO， 210, 310)。接下來，執(zhí)行與第一實施方式的步驟 -IIO相同的步-驟，即步驟-110A、步艱《llOA-(l)、步駛朵110A-(2)、步-驟-110B、步艱《-110C、步驟-110D以及步驟-110E，以^1尋第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310預固定至發(fā)光單元制造基板53，從而制造發(fā)光單元。發(fā)光單元均包括期望數量的第一發(fā)光二極管110、期望數量的第二發(fā)光二極管210、以及期望數量的第一發(fā)光二極管310,將第一、第二以及第三發(fā)光二極管110、 210以及310的第一電才及114、 214以及314連4妄至子^>共電才及43。
在第二實施方式中，制備已經在其上形成沿著第一方向延伸的第一、第二以及第三/>共電極401、 402以及403的顯示基板61。
與在第一實施方式中不同，此時，沒有形成絕緣材料層。
通過與在第一實施方式的步驟-120A中相同的方法將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板，然后，移除發(fā)光單元制造基板53。
接下來，將發(fā)光單元配置在顯示基板61上，然后移除第二轉移基板。具體地，通過與在第一實施方式的步驟-210B中相同的方法將發(fā)光單元和在這些發(fā)光單元周圍的固定層34配置(移動或者轉移)到第四絕緣層63的預定部分上(參照圖20A、圖20B以及圖20C )。[步驟-210C]
然后，形成絕緣材料層171以覆蓋第一、第二以及第三公共電極401、 402以及403并且圍繞發(fā)光單元(參照圖21A、圖21B以及圖21C)。具體地，通過CVD法形成由SiCb所構成的絕緣材料層 171，然后，進4亍4地光或者內蝕刻，以露出第一、第二、第三以及第四襯墊部122、 222、 322以及422。
接下來，形成用于電連接第一襯墊部122和第一7>共電極401 的第一連接部124以/人固定層34延伸至絕多彖材料層171。另外，形成用于電連接第二襯墊部222和第二公共電極402的第二連接部 224以從固定層34延伸至絕緣材料層171。此外，形成用于電連接第三;^于墊部322和第三/>共電才及403的第三連4妄部324以/人固定層 34延伸至絕緣材并牛層171。此外，形成用于電連^妄第四^N"墊部422 和第四/>共電才及404的第四連4妄部424以/人固定層34延伸至絕》彖材料層171。
具體地，基于光刻4支術和蝕刻t支術在絕纟彖材并牛層171和第四絕緣層63中形成孔(在圖22所示的實例中，孑L512)。然后，基于濺射法和光刻4支術和蝕刻4支術形成第一、第二、第三、以及第四連才妄部124、 224、 324以及424。結果，制造在圖18A、圖18B和圖18C、以及圖19A、圖19B和圖19C中所示的結構。
第三實施方式
第三實施方式為第一實施方式的修改，并且更具體地涉及根據第三配置的發(fā)光二^L管顯示器的制造方法。圖23A、圖23B、圖23C、圖24A、圖24B以及圖24C是示出了通過第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法所制造的發(fā)光二極管顯示器的示意性的部分截面圖。除沒有形成第一、第二、第三以及第四襯墊部之外，第三實施方式的發(fā)光二才及管顯示器的配置和結構基本上與第一實施方
式的相同。因此，省略具體描述。圖23A、圖23B、圖23C、圖24A、圖24B以及圖24C是與分別沿著圖1中的線A-A、 B-B、 C-C、 D-D、 E-E以及F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分截面圖。
下文中，將參照圖25A、 25B、 25C、 26A、 26B、 26C、 27A、 27B、以及27C來描述第三實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，更具體地，根據第三配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。圖 25A、圖26A以及圖27A是與沿著圖1中的線B-B所獲得的截面圖等價的示意性的部分端^L圖。圖25B、圖26B以及圖27B是與沿著圖1中的線E-E所獲得的截面圖等<介的示意性的部分端-見圖。圖 25C、圖26C以及圖27C是與沿著圖1中的線F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分端視圖。
首先，通過與在第一實施方式的步-驟-100中相同的方法制造發(fā) 光二極管IO(IIO， 210， 310)。接下來，執(zhí)行與第一實施方式的步 -驟-110A和步艱《-110B相同的步驟，然后，4丸4亍與第一實施方式的步驟-110C相同的步驟，以通過固定層34和子7>共電4及43將構成發(fā)光單元的發(fā)光二才及管組110、 210以及310粘結并且預固定至發(fā) 光單元制造基板53，從而制造發(fā)光單元。然后，移除第一轉移基板 31。然后，^M亍與第一實施方式的步艱《-110E相同的步驟，以分離在固定層34中的發(fā)光單元。[步驟-310]
與在第一實施方式中類似地，制備顯示基板61，在該顯示基板上已經形成了絕緣材料層71以及用絕緣材料層所覆蓋并且沿著第一方向延伸的第一、第二以及第三7>共電極401、 402以及403。
通過與第一實施方式的步驟-120A的相同的步驟將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板(未示出)，然后，移除發(fā)光單元制造基板53。
4妾下來，通過與在第一實施方式的步驟-210B和步驟-210C中相同的方法將發(fā)光單元配置在顯示基4反61上，以4吏其4皮絕纟彖材泮牛層71圍繞，然后移除第二轉移基拓J參照圖25A、圖25B、圖25C、圖26A、圖26B以及圖26C)。
然后，在固定層34中形成用于電連接第一發(fā)光二極管110的第二電極115和第一公共電極401的第一接觸孔121，并且形成第一連接部124以從固定層34延伸至平坦化層72和絕緣材料層71。另外，在固定層34中形成用于電連沖妄第二發(fā)光二才及管210的第二電極215和第二公共電極402的第二接觸孔221，并且形成第二連接部224以從固定層34延伸至平坦化層72和絕緣材料層71。此夕卜，在固定層34中形成用于電連接第三發(fā)光二極管310的第二電極315 和第三/>共電才及403的第三4妄觸孔321,并且形成第三連4妻部324 以從固定層34延伸至平坦化層72和絕緣材料層71。此外，在絕緣材料層71上形成第四公共電極404,在固定層34中形成用于電連4妄子7>共電4及43和第四7>共電才及404的第四4妄觸孔421,并且形成第四連接部424以從固定層34延伸至平坦化層72和絕緣材料層71 。
具體地，基于光刻l支術和蝕刻纟支術在平坦化層72、絕纟彖材料層 71以及絕緣層32中形成孔521、 522、 523以及524,以使它們被 i殳置在第二電才及115、 215以及315和金屬層41的上方。另外，在平坦化層72、絕纟彖材料層71以及絕纟彖層32中i殳置孔，以4吏這些孔一皮i殳置在第一、第二、第三以及第四公共電極401、 402、 403以及 404的上方(參照圖27A、圖27B以及圖27C )。圖27A僅示出了孑L526。纟《后，通過效戰(zhàn)射f去在包4舌孑L 521、 522、 523、 524 [乂及526 的絕緣層32上形成金屬材料層并且基于光刻技術和蝕刻技術對該金屬材料層進行圖案化，以形成第一、第二、第三和第四接觸孔121 、 221、 321和421以及第一、第二、第三和第四連4妄部124、 224、 324和424 (參照圖23A、圖23B、圖23C、圖24A、圖24B以及圖24C )。
第四實施方式
第四實施方式為第一實施方式的修改，并且更具體地涉及根據第四配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。圖28A、圖28B、圖28C、圖29A、圖29B以及圖29C是示出通過第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法所制造的發(fā)光二極管顯示器的示意性的部分截面圖。除沒有形成第一、第二、第三以及第四^)"墊部之外，第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的配置和結構基本上與第二實施方式的相同。因此，省略具體描述。圖28A、圖28B、圖28C、圖29A、圖29B以及圖29C是與分別沿著圖1中的線A-A、 B-B、 C-C、 D-D、 E-E以及F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分截面圖。
下文中，將參照圖30A、 30B、 30C、 31A、 31B、 31C、 32A、 32B以及32C來描述第四實施方式的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，更具體地，根據第四配置的發(fā)光二極管顯示器的制造方法。圖
30A、圖31A以及圖32A是與沿著圖1中的線B-B所獲得的截面圖等價的示意性的部分端視圖。圖30B、圖31B以及圖32B是與沿著圖1中的線E-E所獲得的截面圖等價的示意性的部分端一見圖。圖 30C、圖31C以及圖32C是與沿著圖1中的線F-F所獲得的截面圖等價的示意性的部分端視圖。
首先，執(zhí)行與第三實施方式的步驟-300相同的步驟。 [步驟一楊]
與在第二實施方式中類似地，制備顯示基板61,在該顯示基板上已經形成了沿著第一方向延伸的第一、第二以及第三/^共電招^ 401、 402以及403。與在第三實施方式不同，此時，沒有形成絕緣
材料層。
通過與在第一實施方式的步驟-120A中相同的方法將發(fā)光單元粘結至第二轉移基板，然后，移除發(fā)光單元制造基板53。
接下來，通過與在第二實施方式的步驟-210B中相同的方法將發(fā)光單元配置在顯示基板61上，然后移除第二轉移基板(參照圖 30A、圖30B以及圖30C )。[步驟一楊C]
接下來，通過與第二實施方式的步驟-210C相同的方法形成絕緣材料層171以覆蓋第一、第二、以及第三公共電極401、 402、以及403并且圍繞發(fā)光單元(參照圖31A、 31B、以及31C)。
然后，在固定層34中形成用于電連4妄第一發(fā)光二才及管110的第二電才及115和第一/>共電才及401的第一4妄觸3L 121,并且形成第一連接部124以從固定層34延伸至絕緣材料層171。另外，在固定層 34中形成用于電連接第二發(fā)光二極管210的第二電極215和第二公共電極402的第二接觸孔221，并且形成第二連接部224以從固定層34延伸至絕緣材料層171。此外，在固定層34中形成用于電連接第三發(fā)光二極管310的第二電極315和第三公共電極403的第三接觸孔321，并且形成第三連接部324以從固定層34延伸至絕緣材料層171。此外，在絕緣材料層171上形成第四7>共電才及404,在固定層34中形成用于電連接子公共電極43和第四7>共電極404的第四4妄觸3L 421,并且形成第四連4妄部424以從固定層34延伸至絕緣材料層171。具體地，可以執(zhí)行與第三實施方式的步驟-310C相同的步-驟。
盡管上文已基于優(yōu)選實施方式描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不僅P艮于這些實施方式。在實施方式中描述的發(fā)光二極管和包括這些發(fā)光二極管的發(fā)光二極管顯示器的配置和結構僅為實例，并且組成構件和材^牛等也為實例。因》匕，可以適當i也改變配置和結構、以及《且成構件和材料等。在這些實施方式中，盡管子/>共電才及43包括金屬層41和光透射電才及42, ^f旦是可選地，只要不抑制來自發(fā)光單元的光發(fā)射，子公共電極43可以僅包括金屬層或者合金層。根據實際情況，第一電極114、 214以及314可以在第一實施方式的步驟-110A-(2)之后，或者在第一實施方式的步驟-110B中形成。在每個發(fā)光二極管中，可以顛倒化合物半導體層的層壓順序。即在這些實施方式中，第一導電型為n型，而第二導電型為p型。然而，相反地，第一導電型為p型，而第二導電型為n型。作為構成每個發(fā)光單元的發(fā)光二極管，可以將第四發(fā)光二極管、第五發(fā)光二極管等進一步添加至第一、第二以及第三發(fā)光二極管。這樣的情況的實例包括還包括用于改善亮度的發(fā)射白光的子像素的發(fā)光單元，還包括用于擴大色彩再生范圍的發(fā)射補充彩色光的子像素的發(fā)光單元，還包括用于擴大色彩再生范圍的發(fā)射黃色光的子像素的發(fā)光單元，以及還包括用于擴大色彩再生范圍的發(fā)射黃色和青色光的子像素的發(fā)光單元。在這種情況下，可以將第四發(fā)光二極管、第五發(fā)光二極管等的第一電極連接至子公共電極。該發(fā)光二極管顯示器不僅可以應用于諸如電視接收器和計算沖幾終端的彩色顯示的平才反直^L型圖像顯示器，而且還可以應用于將圖像投影在人的視網膜上、并且顯示投影型圖像的類型的圖像顯示器。在這些圖像顯示器中，例如，可以z使用場序驅動系統(tǒng)，其中，通過第一、第二以及第三發(fā)光二^L 管的發(fā)光/非發(fā)光狀態(tài)的時分控制來顯示圖像。然而，驅動系統(tǒng)不僅限于此。
圖33是示出了在根據第一實施方式的發(fā)光二極管顯示器的修改例中的發(fā)光單元的示意性平面圖。在該^修改例中，封堵第一4妄觸孔121 (由圖33中的虛線所示的)的第一4于墊部122 (由圖33中的細線所示的)的中心與第一4妄觸3L 121的中心不一致并且偏離第一/>共配線401側。另外，封堵第二4妄觸孔221 (由圖33中的虛線所示的)的第二^3"墊部222 (由圖33中的細線所示的)的中心與第二才妄觸孑L221的中心不一致并且偏離第二7>共配線402側。此夕卜，封堵第三4妄觸孔321 (由圖33中的虛線所示的)的第三襯墊部322 (由圖33中的細線所示的)的中心與第三4妄觸3L 321的中心不一致并且偏離第三7>共配線403側。在該配置中，例如，當形成第一、第二以及第三連接部124、 224以及324時，對于這些連接部124、 224以及324和第四連4妄部424之間的距離可以獲4尋余量。因此，可以安全地防止在這些連4妄部124、 224以及324和第四連4I"部424 之間產生短;洛。該》務改例也可以應用于其4也實施方式。
本申請包含于2008年5月12日向日本專利局4是交的日本優(yōu)先權專利申請JP 2008-124444的所涉及的主題，其全部內容結合于此
作為參考。
本領域的技術人員應該理解，根據設計要求和其他因素，可以有多種修改、組合、子組合和改進，均應包含在本發(fā)明的權利要求或等同物的范圍之內。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管顯示器的制造方法，包括以下步驟(A)在第一發(fā)光二極管制造基板上設置發(fā)射紅光的多個第一發(fā)光二極管，所述第一發(fā)光二極管均包括(a-1)具有第一導電型的第一化合物半導體層，(a-2)活性層，(a-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(a-4)電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(a-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電極；在第二發(fā)光二極管制造基板上設置發(fā)射綠光的多個第二發(fā)光二極管，所述第二發(fā)光二極管均包括(b-1)具有第一導電型的第一化合物半導體層，(b-2)活性層，(b-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(b-4)電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(b-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電極；以及在第三發(fā)光二極管制造基板上設置發(fā)射藍光的多個第三發(fā)光二極管，所述第三發(fā)光二極管均包括(c-1)具有第一導電型的第一化合物半導體層，(c-2)活性層，(c-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(c-4)電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(c-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電極；(B)將所述第一發(fā)光二極管、所述第二發(fā)光二極管、以及所述第三發(fā)光二極管預固定至發(fā)光單元制造基板，以形成包括期望數量的所述第一發(fā)光二極管、期望數量的所述第二發(fā)光二極管、以及期望數量的所述第三發(fā)光二極管的發(fā)光單元，將每個第一發(fā)光二極管、每個第二發(fā)光二極管、以及每個第三發(fā)光二極管的所述第一電極連接至子公共電極；以及(C)將所述發(fā)光單元從所述發(fā)光單元制造基板轉移并且固定至顯示基板，以制造包括以二維矩陣形式配置的，即沿第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向配置的多個發(fā)光單元的發(fā)光二極管顯示器。
2. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，在所述發(fā)光二極管顯示器中的所述第一發(fā)光二極管的配置間距為在所述第一發(fā)光二極管制造基板上的所述第一發(fā)光二極管的制造間距的整數倍；在所述發(fā)光二極管顯示器中的所述第二發(fā)光二極管的配置間距為在所述第二發(fā)光二極管制造基板上的所述第二發(fā)光二極管的制造間距的整數倍；以及在所述發(fā)光二極管顯示器中的所述第三發(fā)光二極管的配置間距為在所述第三發(fā)光二極管制造基板上的所述第三發(fā)光二極管的制造間距的整數倍。
3. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，制備具有固定層的第一轉移基板；步-驟(B)包4舌以下步驟(B-l )將在所述第一發(fā)光二極管制造基板上的所述第一發(fā)光二極管轉移至所述固定層，將在所述第二發(fā)光二極管制造基板上的所述第二發(fā)光二極管轉移至所述固定層，以及將在所述第三發(fā)光二極管制造基板上的所述第三發(fā)光二極管轉移至所述固定層；(B-2)從發(fā)光二極管組的所述第一電極至所述固定層形成所述子7>共電4及，所述發(fā)光二才及管組包4舌形成每個發(fā)光單元的期望數量的所述第一發(fā)光二極管、期望數量的所述第二發(fā)光二極管、以及期望數量的所述第三發(fā)光二極管；(B-3)通過所迷固定層和所述子公共電極將形成每個發(fā) 光單元的所述發(fā)光二極管組粘結并且預固定至所述發(fā)光單元制造基板，然后，移除所述第一轉移基板；(B-4)在所述固定層中形成連接至所述第一發(fā)光二極管的所述第二電極的第一接觸孔并且形成從所述第一接觸孔延伸至所述固定層的第一襯墊部，在所述固定層中形成連接至所述第二發(fā)光二才及管的所述第二電才及的第二^妄觸孔并且形成/人所述第二4妄觸孔延伸至所述固定層的第二4于墊部，在所述固定層中形成連接至所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極的第三接觸孔并且形成從所述第三接觸孔延伸至所述固定層的第三襯墊部，以及在所述固定層中形成連4妄至所述子/>共電才及的第四4妄觸孔并且形成乂人所述第四4妾觸孔延伸至所述固定層的第四斗于墊部，/人而形成發(fā)光單元；以及(B-5)在所述固定層中分離所述發(fā)光單元；制備在其上形成有絕緣材料層和用所述絕緣材料層覆蓋并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共電極的顯示基板；以及步驟(C)包4舌以下步驟(C-l )將所述發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除所述發(fā)光單元制造基々反；(C-2)將所述發(fā)光單元配置在所述顯示基板上，從而使所述發(fā)光單元被所述絕緣材料層圍繞，然后，移除所述第二轉移基4反；以及(C-3)形成第一連接部以將所述第一襯墊部電連接至所述第一公共電極，使得所述第一連接部從所述固定層延伸至所述絕纟彖材料層；形成第二連^妄部以將所述第二^"墊部電連^妄至所述第二 />共電極，4吏得所述第二連接部從所述固定層延伸至所述絕纟彖材料層；形成第三連接部以將所述第三襯墊部電連接至所述第三公共電極，使得所述第三連4妄部從所述固定層延伸至所述絕鄉(xiāng)彖材料層；在所述絕緣材料層上形成第四公共電極；以及形成第四連^妄部以〗尋所述第四^f墊部電連4妄至所述第四公共電極，z使得所述第四連接部從所述固定層延伸至所述絕續(xù)^ 材料層。
4. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，制備具有固定層的第一轉移基板；步艱《(B)包4舌以下步驟(B-l)將在所述第一發(fā)光二極管制造基板上的所述第一發(fā)光二極管轉移至所述固定層，將在所述第二發(fā)光二極管制造基板上的所述第二發(fā)光二極管轉移至所述固定層，以及將在所述第三發(fā)光二極管制造基板上的所述第三發(fā)光二極管轉移至所述固定層；(B-2) 乂人發(fā)光二才及管組的所述第一電才及至所述固定層形成所述子/>共電纟及，所述發(fā)光二才及管組包括形成每個發(fā)光單元的期望數量的所述第一發(fā)光二極管、期望數量的所述第二發(fā)光二極管、以及期望lt量的所述第三發(fā)光二極管；(B-3)通過所述固定層和所述子7>共電4及將形成每個發(fā) 光單元的所述發(fā)光二極管組粘結并且預固定至所述發(fā)光單元制造基板，然后，移除所述第一轉移基板；(B-4)在所述固定層中形成連接至所述第一發(fā)光二極管的所述第二電極的第一接觸孔并且形成乂人所述第一4妄觸孔延伸至所述固定層的第一襯墊部，在所述固定層中形成連接至所述第二發(fā)光二極管的所述第二電才及的第二4妄觸孔并且形成/人所述第二接觸孔延伸至所述固定層的第二襯墊部，在所述固定層中形成連接至所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極的第三 -接觸孔并且形成/人所述第三4妄觸孔延伸至所述固定層的第三襯墊部，以及在所述固定層中形成連接至所述子7>共電才及的第四4妻觸孔并且形成/人所述第四4妄觸孔延伸至所述固定層的第四4于墊部，乂人而形成發(fā)光單元；以及(B-5)在所述固定層中分離所述發(fā)光單元。制備在其上第一、第二以及第三公共電極被形成為沿第一方向延伸的顯示基板；以及步-銀(C)包4舌以下步艱朵(C-l )將所述發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除所述發(fā)光單元制造基氺反；(C-2 )將所述發(fā)光單元配置在所述顯示基板上，然后，移除所述第二轉移基板；(C-3)形成絕緣材料層以覆蓋所述第一、第二以及第三公共電極并且圍繞所述發(fā)光單元；以及'(C-4)形成第一連接部以將所述第一襯墊部電連接至所述第一公共電才及，4吏得所述第一連接部從所述固定層延伸至所述絕纟象材^1"層；形成第二連接部以將所述第二襯墊部電連接至所述第二公共電極，使得所述第二連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層；形成第三連4妄部以將所述第三坤于墊部電連沖妄至所述第三乂>共電極，4吏得所述第三連接部,人所述固定層延伸至所述絕緣材料層；在所述絕緣材料層上形成第四公共電極；以及形成第四連4妄部以爿尋所述第四4于墊部電連4妄至所述第四公共電極，使得所述第四連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，制備具有固定層的第一轉移基板；步-驟(B)包4舌以下步驟(B-1 )'將在所述第一發(fā)光二極管制造基板上的所述第一發(fā)光二極管轉移至所述固定層，將在所述第二發(fā)光二極管制造基板上的所述第二發(fā)光二極管轉移至所述固定層，以及將在所述第三發(fā)光二極管制造基板上的所述第三發(fā)光二極管轉移至所述固定層；(B-2) /人發(fā)光二才及管組的所述第一電才及至所述固定層形成所述子/>共電才及，所述發(fā)光二才及管組包括形成每個發(fā)光單元的期望數量的所述第一發(fā)光二極管、期望數量的所述第二發(fā)光二極管、以及期望數量的所述第三發(fā)光二極管；(B-3)通過所述固定層和所述子公共電極將形成每個發(fā) 光單元的所述發(fā)光二才及管組粘結并且預固定至所述發(fā)光單元制造基板，以制造發(fā)光單元，然后移除所述第一轉移基板；以及(B-4)在所述固定層中分離所述發(fā)光單元；制備在其上形成有絕緣材料層和用所述絕緣材料層覆蓋并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共電極的顯示基板；以及步驟(C)包4舌以下步駛《(C-1 )將所述發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除所述發(fā)光單元制造基板；(C-2)將所述發(fā)光單元配置在所述顯示基板上，乂人而，使所述發(fā)光單元被所述絕緣材料層圍繞，然后，移除所述第二轉移基板；以及(C-3)為了將所述第一發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第一公共電極而在所述固定層中形成第一接觸孔，并且形成第一連4矣部，4吏得所述第一連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層；為了將所述第二發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第二公共電極而在所述固定層中形成第二接觸孔，并且形成第二連接部，使得所述第二連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層；為了將所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第三公共電才及而在所述固定層中形成第三4妄觸孔，并且形成第三連接部，使得所述第三連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層；在所述絕緣材料層上形成第四公共電極；以及為了將所述子公共電極電連接至所述第四公共電極而在所述固定層中形成第四4妾觸孔，并且形成第四連4妄部，4吏得所述第四連接部乂人所述固定層延伸至所述絕緣材料層。
6. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，制備具有固定層的第一轉移基板；步駛《(B)包4舌以下步艱《(B-l )將在所述第一發(fā)光二極管制造基板上的所述第一發(fā)光二極管轉移至所述固定層，將在所述第二發(fā)光二極管制造基板上的所述第二發(fā)光二極管轉移至所述固定層，以及將在所述第三發(fā)光二極管制造基板上的所述第三發(fā)光二極管轉移至所述固定層；(B-2) 乂人發(fā)光二才及管組的所述第一電極至所述固定層形成所述子/>共電極，所述發(fā)光二才及管組包括形成每個發(fā)光單元的期望數量的所述第一發(fā)光二極管、期望數量的所述第二發(fā)光二極管、以及期望數量的所述第三發(fā)光二極管；(B-3)通過所述固定層和所述子公共電極將形成每個發(fā) 光單元的所述發(fā)光二極管組粘結并且預固定至所述發(fā)光單元制造基板，從而制造發(fā)光單元，然后移除所述第一轉移基板；以及(B-4)在所述固定層中分離所述發(fā)光單元；制備在其上第一、第二以及第三公共電極被形成為沿第一方向延伸的顯示基4反；以及步驟(C)包4舌以下步驟(C-l )將所述發(fā)光單元粘結至第二轉移基板并且移除所述發(fā)光單元制造基玲反；(C-2)將所述發(fā)光單元配置在所述顯示基4反上，然后，移除所述第二轉移基板；(C-3)形成絕緣材料層以覆蓋所述第一、第二以及第三公共電極并且圍繞所述發(fā)光單元；以及(C-4)為了將所述第一發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第一公共電極而在所述固定層中形成第一接觸孔，并且形成第一連4妄部，4吏得所述第一連4妻部乂人所述固定層延伸至所述絕緣材料層；為了將所述第二發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第二/>共電才及而在所述固定層中形成第二^妄觸孔，并且形成第二連接部， -使得所述第二連接部,人所述固定層延伸至所述絕緣材料層；為了將所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極電連接至所述第三/>共電才及而在所述固定層中形成第三4妾觸孔并且形成第三連接部，使得所述第三連接部從所述固定層延伸至所述絕緣材料層；在所述絕纟彖材料層上形成第四/>共電才及；以及為了將所述子公共電極電連接至所述第四公共電極而在所述固定層中形成第四接觸孔，并且形成第四連接部，使得所述第四連接部從所述固定層延伸至所述絕《彖材料層。
7. 根據權利要求3或4所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，所述第一邱于墊部的尺寸大于所述第一發(fā)光二才及管的所述第二電4及的尺寸；所述第二襯墊部的尺寸大于所述第二發(fā)光二極管的所述第二電一及的尺寸；以及所述第三襯墊部的尺寸大于所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極的尺寸。
8. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，從所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管發(fā)射的光 /人所述第一電4及側發(fā)出，并且所述子7>共電4及具有光透射結構。
9. 根據權利要求8所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，所述子/>共電極包括金屬層或合金層。
10. 根據權利要求8所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，所述子公共電極包括光透射電極和從所述光透射電極延伸的金屬層或者合金層；所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管的所述第一電極與所述光透射電極接觸；以及所述第四接觸孔與所述金屬層或者合金層接觸。
11. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，滿足以下關系<formula>formula see original document page 11</formula>其中，LjM和Lp.2為包括所述第一、第二以及第三發(fā)光二才及管的一個^象素分別沿著所述第一方向和所述第二方向的長度，以及和Lu_2為一個發(fā)光單元分別沿著所述第一方向和所述第二方向的長度。
12. 根據權利要求11所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，滿足以下關系<formula>formula see original document page 11</formula>
13. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中，滿足以下關系2.5 x 10-11 m2 2 S腿《1 x 10-8 m2，其中，Smax為在所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管中最大的發(fā)光二極管的發(fā)光表面的面積。
14. 一種發(fā)光二極管顯示器，包括沿第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向配置的，即以二維矩陣形式配置的多個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元均包括期望數量的第一發(fā)光二極管，其發(fā)射紅光并且每一個均包括(a-1 )具有第一導電型的第一化合物半導體層，(a-2) 活性層，(a-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(a-4 )電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(a-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電才及；期望數量的第二發(fā)光二極管，其發(fā)射綠光并且每一個均包括(b-l )具有第一導電型的第一化合物半導體層，(b-2) 活性層，(b-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(b-4 )電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(b-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電^及；以及期望數量的第三發(fā)光二極管，其發(fā)射藍光并且每一個均包括(c-l)具有第一導電型的第一化合物半導體層，(c-2) 活性層，(c-3)具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第二化合物半導體層，(c-4 )電連接至所述第一化合物半導體層的第一電極，以及(c-5)電連接至所述第二化合物半導體層的第二電才及；其中，每個所述發(fā)光單元中的所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管的所述第一電極連接至子公共電極；沿所述第一方向配置的每個所述發(fā)光單元中的所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管的所述第二電極分別連接至沿所述第一方向延伸的第一、第二以及第三公共電極；沿所述第二方向配置的所述發(fā)光單元的所述子7>共電^L 連接至沿所述第二方向延伸的第四公共電極。
15. 根據權利要求14所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一、第二以及第三公共電極形成在顯示基板上；成；所述發(fā)光單元中的所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管凈皮固定在所述固定層中；所述固定層被覆蓋所述第一、第二以及第三公共電極的絕緣材料層所圍繞；所述發(fā)光單元中的所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管被設置在所述子公共電極上，使得所述發(fā)光二極管的所述第一電極連接至所述子公共電極；所述第一發(fā)光二極管的所述第二電極通過形成在所述固定層中的第一接觸孔以及被形成為從所述固定層延伸至所述絕緣材料層的第一連接部而連接至所述第一公共電極；所述第二發(fā)光二極管的所述第二電極通過形成在所述固定層中的第二接觸孔以及被形成為從所述固定層延伸至所述絕纟彖材料層的第二連接部而連接至所述第二7>共電才及；所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極通過形成在所述固定層中的第三4妄觸孔以及^皮形成為從所述固定層延伸至所述絕纟彖材料層的第三連4妄部而連4妻至所述第三7>共電才及；以及所述子7>共電才及通過形成在所述固定層中的第四4妄觸孔以及被形成為乂人所述固定層延伸至所述絕^彖材料層的第四連接部而連4妄至形成在所述絕纟彖材料層上的所述第四7>共電才及。
16. 根據權利要求15所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，第一襯墊部祐:i殳置在所述固定層中并且^^沒置在所述第一接觸孔和所述第一連接部之間；第二襯墊部被設置在所述固定層中并且被設置在所述第二接觸孔和所述第二連接部之間；第三襯墊部,皮設置在所述固定層中并且凈皮設置在所述第三接觸孔和所述第三連接部之間；以及第四襯墊部被設置在所述固定層中并且祐沒置在所述第四才妄觸孔和所述第四連4妄部之間。
17. 根據權利要求16所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一襯墊部的尺寸大于所述第一發(fā)光二4及管的所述第二電極的尺寸；所述第二襯墊部的尺寸大于所述第二發(fā)光二極管的所述第二電才及的尺寸；以及所述第三襯墊部的尺寸大于所述第三發(fā)光二極管的所述第二電極的尺寸。
18. 4艮據權利要求14所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，從所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管所發(fā)射的光乂人所述第一電4及側發(fā)出，并且所述子7>共電才及具有光透射結構。
19. 才艮據權利要求18所述的發(fā)光二極管顯示器，所述子/>共電極包括金屬層或合金層。
20. 根據沖又利要求18所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，所述子公共電極包括光透射電極和從所述光透射電極延伸的金屬層或者合金層；所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管的所述第一電極與所述光透射電極接觸；以及所述第四接觸孔與所述金屬層或者合金層接觸。
21. 4艮據權利要求14所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，滿足以下關系Lu隱!/l4M S 0.5WLP-2 S 0.5其中，LjM和Lp-2為包括所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管的一個^f象素分別沿著所述第一方向和所述第二方向的長度，以及Lu-!和Lu-2為一個發(fā)光單元分別沿著所述第一方向和所述第二方向的長度。
22. 根據權利要求21所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，滿足以下關系Lw/Lw《0.5 WLP-2 S 0.25。
23.根據權利要求14所述的發(fā)光二極管顯示器，其中，滿足以下關系2.5 x 10-11 m2 2 Smax S 1 x 10-8 m2，其中，Smax為在所述第一、第二以及第三發(fā)光二極管中的最大發(fā)光二極管的發(fā)光表面的面積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管顯示器和發(fā)光二極管顯示器的制造方法。發(fā)光二極管顯示器的制造方法包括以下步驟將第一、第二以及第三發(fā)光二極管預固定在發(fā)光單元制造基板上，以制造均包括第一、第二以及第三發(fā)光二極管的發(fā)光單元，將第一、第二以及第三發(fā)光二極管的第一電極連接至子公共電極；以及將發(fā)光單元從發(fā)光單元制造基板轉移并且固定至顯示基板，以制造包括以第一方向和與第一方向垂直的第二方向配置的，即以二維矩陣形式配置的發(fā)光單元的發(fā)光二極管顯示器。
文檔編號H01L33/48GK101582385SQ20091013647
公開日2009年11月18日申請日期2009年5月11日優(yōu)先權日2008年5月12日
發(fā)明者土居正人, 村口昭一, 渡邊秋彥申請人:索尼株式會社

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