專利名稱：一種晶體管及包括其的顯示面板的制作方法
一種晶體管及包括其的顯示面板方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體管及包含其的顯示面板，特別是涉及一種應(yīng)用于液晶顯示裝 置的晶體管。
背景技術(shù)：
近年來，包括液晶顯示技術(shù)在內(nèi)的平板顯示技術(shù)得到了長足的發(fā)展。圖1繪示一 個液晶顯示面板的一個基板的俯視示意圖，其包括基板121和設(shè)置在基板121上的多條數(shù) 據(jù)線121和多條掃描線131。數(shù)據(jù)線121和掃描線131互相垂直，兩條相鄰的數(shù)據(jù)線121 和相鄰的掃描線131區(qū)隔出一個顯示像素。圖2是圖1中顯示面板的一個顯示像素的原理 圖。如圖2所示，顯示像素包括晶體管160和像素電極151。晶體管160包括柵極122、源 極132和漏極133。柵極122連接至一條掃描線121，源極132連接至一條數(shù)據(jù)線131，漏極 133連接至像素電極151。液晶顯示面板的基板一般采用玻璃材料。在某些種類的玻璃中包含相對較多的堿 金屬離子，例如鈉離子等。就現(xiàn)有技術(shù)的晶體管結(jié)構(gòu)來說，這些堿金屬離子容易擴散至晶體 管的半導(dǎo)體層中，從而會導(dǎo)致晶體管的特性曲線出現(xiàn)飄移，使顯示效果受到影響。因此亟需 開發(fā)出一種能夠不容易被外部離子擴散進半導(dǎo)體層的晶體管，以改善顯示面板的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的是提供一種晶體管，其包括基板；設(shè)置在所述基板上的第一 金屬電極；覆蓋所述第一金屬電極的第一阻抗層；對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述阻抗 層上的半導(dǎo)體區(qū)塊；設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)塊上的第二金屬電極和第三金屬電極；圍繞所述 半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻，所述第一金屬擋墻穿過所述第一阻抗層連接所述第 一金屬電極；所述第一金屬擋墻具有缺口，所述第二金屬電極和所述第三金屬電極自所述 缺口位置延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊。作為可選的技術(shù)方案，上述的晶體管包括覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊的第二阻抗層； 對應(yīng)所述半導(dǎo)體區(qū)塊設(shè)置在所述第二阻抗層上的金屬區(qū)塊；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置 的第二金屬擋墻，所述第二金屬擋墻穿過所述第二阻抗層連接所述金屬區(qū)塊。作為可選的技術(shù)方案，上述第一金屬擋墻與所述第二金屬擋墻相互銜接。作為可選的技術(shù)方案，上述基板為玻璃基板。作為可選的技術(shù)方案，上述半導(dǎo)體區(qū)塊為參雜非晶硅區(qū)塊。本發(fā)明的另一個目的是提供一種顯示面板，其包括基板；至少一條數(shù)據(jù)線；至少 一條掃描線；至少一個像素電極；至少一個晶體管。所述晶體管包括設(shè)置在所述基板上的 第一金屬電極；覆蓋所述第一金屬電極的第一阻抗層；對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述 阻抗層上的半導(dǎo)體區(qū)塊；設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)塊上的第二金屬電極和第三金屬電極；圍繞 所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻，所述第一金屬擋墻穿過所述第一阻抗層連接所 述第一金屬電極；所述第一金屬擋墻具有缺口，所述第二金屬電極和所述第三金屬電極自所述缺口位置延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊；所述第一金屬電極連接所述掃描線；所述第二金屬 電極連接所述數(shù)據(jù)線；所述第三金屬電極連接所述像素電極。作為可選的技術(shù)方案，上述的顯示面板包括
覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊的第二阻抗層；對應(yīng)所述半導(dǎo)體區(qū)塊設(shè)置在所述第二阻抗層上的金屬區(qū)塊；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第二金屬擋墻，所述第二金屬擋墻穿過所述第二 阻抗層連接所述金屬區(qū)塊。作為可選的技術(shù)方案，上述第一金屬擋墻與所述第二金屬擋墻相互銜接。作為可選的技術(shù)方案，上述基板為玻璃基板。作為可選的技術(shù)方案，上述半導(dǎo)體區(qū)塊為參雜非晶硅區(qū)塊。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的好處在于晶體管結(jié)構(gòu)中的第一金屬電極及第一金屬擋 墻對半導(dǎo)體區(qū)塊形成了一個屏蔽殼，大大降低了堿金屬離子擴散進半導(dǎo)體區(qū)塊的機會。

圖1繪示一個液晶顯示面板的一個基板的俯視示意圖；圖2是圖1中顯示面板的一個顯示像素的原理圖；圖3、圖5、圖8及圖12繪示本發(fā)明第一種實施方式的顯示面板的像素在制造過程 中的不同階段的俯視示意圖；圖4繪示圖3中像素沿AA線的正視剖面圖；圖6繪示圖5中像素沿BB線的正視剖面圖；圖7繪示圖5中像素沿CC線的正視剖面圖；圖9繪示圖8中像素沿DD線的正視剖面圖；圖10繪示圖8中像素沿EE線的正視剖面圖；圖11繪示本發(fā)明另一種實施方式的像素的正視剖面圖；圖13繪示圖12中像素沿FF線的正視剖面圖。
具體實施方式下面結(jié)合顯示面板的制造過程對本發(fā)明的晶體管及包含其的顯示面板結(jié)構(gòu)進行 說明。圖3繪示本發(fā)明第一種實施方式的顯示面板的像素在制造過程中的一個階段的俯視 示意圖，圖4繪示圖3中像素沿AA線的正視剖面圖。如圖3和圖4所示，首先在基板20 (例 如玻璃基板)上生成掃描線21及晶體管的第一金屬電極(柵極)22，掃描線21與第一金 屬電極22連接，它們可以是使用相同材料在一次濺鍍及蝕刻工序中同時形成的；然后形成 覆蓋所述第一金屬電極22的第一阻抗層23，在阻抗層23上要形成凹槽26，一般第一阻抗 層23為透明材料制成；然后形成對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述阻抗層上的半導(dǎo)體區(qū) 塊25 (例如為參雜非晶硅區(qū)塊)；凹槽26圍繞半導(dǎo)體區(qū)塊25的邊緣。圖5繪示本發(fā)明一種 實施方式的顯示面板的像素在制造過程中的再一個階段的俯視示意圖，圖6繪示圖5中像 素沿BB線的正視剖面圖，圖7繪示圖5中像素沿CC線的正視剖面圖。如圖5至圖7所示， 在阻抗層23上形成數(shù)據(jù)線31，所述半導(dǎo)體區(qū)塊上設(shè)置晶體管的第二金屬電極32 (源極)和 第三金屬電極33 (漏極)，數(shù)據(jù)線31與第二金屬電極32連接。在凹槽26內(nèi)注入金屬，形成圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊25邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻28，第一金屬擋墻28穿過第一阻抗層23 連接第一金屬電極22。如圖所示，第一金屬擋墻28具有缺口，第二金屬電極32和第三金 屬電極33自缺口位置延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊25 ；數(shù)據(jù)線31、第二金屬電極32、第三金屬電 極33和第一金屬擋墻28可以是使用相同材料在一次濺鍍及蝕刻工序中同時形成的。圖8 繪示本發(fā)明第一種實施方式的顯示面板的像素在制造過程中的再一個階段的俯視示意圖， 圖9繪示圖8中像素沿DD線的正視剖面圖，圖10繪示圖8中像素沿EE線的正視剖面圖； 如圖8至10所示，進一步在圖5的基礎(chǔ)上形成覆蓋半導(dǎo)體區(qū)塊25的第二阻抗層41，第二 阻抗層上也形成圍繞半導(dǎo)體區(qū)塊25邊緣的凹槽并注入金屬，形成第二金屬擋墻42 ；同時對 應(yīng)所述半導(dǎo)體區(qū)塊25位置在所述第二阻抗層41上設(shè)置金屬區(qū)塊45，第二金屬擋墻42穿 過第二阻抗層41連接金屬區(qū)塊45。在本實施方式中，第一金屬擋墻28與第二金屬擋墻42 相互銜接。這樣，第一金屬電極22、第一金屬擋墻28、第二金屬擋墻42及金屬區(qū)塊45形成 了一個圍繞半導(dǎo)體區(qū)塊25的屏蔽殼，可以達到阻擋堿金屬離子進入的效果。需要說明的是 在其它實施方式中，第二阻抗層41、第二金屬擋墻42及金屬區(qū)塊45不是必須的，因為第一 金屬擋墻28、第二金屬擋墻42已經(jīng)可以起到一定的隔離來自基板20的離子的作用。
圖11繪示本發(fā)明另一種實施方式的像素的正視剖面圖，其與圖9所示實施方式的 差異僅在于第二金屬擋墻的位置，因此其余元件沿用圖9中的標(biāo)號。本實施方式中的第二 金屬擋墻42’位于第一金屬擋墻28外側(cè)而不銜接，并有部分長度與第一金屬擋墻28重疊， 同樣可以起到阻止離子進入的作用。本實施方式的好處在于對第二金屬擋墻42’與第一金 屬擋墻28的對位準(zhǔn)確度要求不像圖9中實施方式那么高。圖12繪示本發(fā)明第一種實施方式的顯示面板的像素在制造過程中的又一個階段 的俯視示意圖，圖13繪示圖12中像素沿FF線的正視剖面圖。如圖12和13所示，在金屬 區(qū)塊45及第二阻抗層41上生成第三阻抗層58 ；在第三阻抗層58上生成像素電極51，像素 電極51通過通孔55連接第三電極33。
權(quán)利要求
一種晶體管，其特征在于包括基板；設(shè)置在所述基板上的第一金屬電極；覆蓋所述第一金屬電極的第一阻抗層；對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述阻抗層上的半導(dǎo)體區(qū)塊；設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)塊上的第二金屬電極和第三金屬電極；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻，所述第一金屬擋墻穿過所述第一阻抗層連接所述第一金屬電極；所述第一金屬擋墻具有缺口，所述第二金屬電極和所述第三金屬電極自所述缺口位置延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于包括 覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊的第二阻抗層；對應(yīng)所述半導(dǎo)體區(qū)塊設(shè)置在所述第二阻抗層上的金屬區(qū)塊；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第二金屬擋墻，所述第二金屬擋墻穿過所述第二阻抗 層連接所述金屬區(qū)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其特征在于所述第一金屬擋墻與所述第二金屬擋墻 相互銜接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于所述基板為玻璃基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于所述半導(dǎo)體區(qū)塊為參雜非晶硅區(qū)塊。
6.一種顯示面板，其特征在于包括 基板；至少一條數(shù)據(jù)線；至少一條掃描線；至少一個像素電極；至少一個晶體管，所述晶體管包括設(shè)置在所述基板上的第一金屬電極；覆蓋所述第一金屬電極的第一阻抗層；對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述阻抗層上的半導(dǎo)體區(qū)塊；設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)塊上的第二金屬電極和第三金屬電極；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻，所述第一金屬擋墻穿過所述第一阻抗 層連接所述第一金屬電極；所述第一金屬擋墻具有缺口，所述第二金屬電極和所述第三金屬電極自所述缺口位置 延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊；所述第一金屬電極連接所述掃描線； 所述第二金屬電極連接所述數(shù)據(jù)線； 所述第三金屬電極連接所述像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于包括 覆蓋所述半導(dǎo)體區(qū)塊的第二阻抗層；對應(yīng)所述半導(dǎo)體區(qū)塊設(shè)置在所述第二阻抗層上的金屬區(qū)塊；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第二金屬擋墻，所述第二金屬擋墻穿過所述第二阻抗 層連接所述金屬區(qū)塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于所述第一金屬擋墻與所述第二金屬擋 墻相互銜接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于所述基板為玻璃基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于所述半導(dǎo)體區(qū)塊為參雜非晶硅區(qū)塊。
全文摘要
一種晶體管及包含其的顯示面板，涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。本發(fā)明的晶體管可以降低堿金屬離子擴散進半導(dǎo)體區(qū)塊的機會，其包括基板；設(shè)置在所述基板上的第一金屬電極；覆蓋所述第一金屬電極的第一阻抗層；對應(yīng)所述第一金屬電極設(shè)置在所述阻抗層上的半導(dǎo)體區(qū)塊；設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)塊上的第二金屬電極和第三金屬電極；圍繞所述半導(dǎo)體區(qū)塊邊緣設(shè)置的第一金屬擋墻，所述第一金屬擋墻穿過所述第一阻抗層連接所述第一金屬電極；所述第一金屬擋墻具有缺口，所述第二金屬電極和所述第三金屬電極自所述缺口位置延伸出所述半導(dǎo)體區(qū)塊。
文檔編號H01L27/12GK101847660SQ200910127789
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月23日
發(fā)明者曹俊杰, 游秉豐 申請人:友達光電股份有限公司